电子技术基础第五版电子课件第二章PPT文件格式下载.ppt

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用较小的基极电流控制较大的集电极电流，是“以小控大”.通过实验数据分析，三极管三个电极电流具有下表所示的关系.结论：

结论：

第二章第二章半导体三极管及其放大电路半导体三极管及其放大电路三极管特性曲线测试电路三、三极管的特性曲线三、三极管的特性曲线第二章第二章半导体三极管及其放大电路半导体三极管及其放大电路11、输入特性、输入特性锗管的输入特性曲线锗管的输入特性曲线硅管的输入特性曲线硅管的输入特性曲线三极管的输入特性曲线三极管的输入特性曲线三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线相与二极管的正向特性曲线相似，只有当发射结的正向电似，只有当发射结的正向电压压UUBEBE大于死区电压（硅管大于死区电压（硅管00.5V5V，锗管，锗管00.2V2V）时才产生）时才产生基极电流基极电流IIBB，这时三极管处，这时三极管处于正常放大状态，发射结两于正常放大状态，发射结两端电压端电压为为UUBEBE（硅管为硅管为00.7V7V，锗管为，锗管为00.3V3V）.第二章第二章半导体三极管及其放大电路半导体三极管及其放大电路22、输出特性输出特性三极管的输出特性曲线每条曲线可分为线性上升、弯曲、平坦三部分.对应不同IB值得不同的曲线，从而形成曲线簇.各条曲线上升部分很陡，几乎重合，平坦部分则按IB值从下往上排列，IB的取值间隔均匀，相应的特性曲线在平坦部分也均匀分布，且与横轴平行.在在放放大大区区内内，有有一一个个特特定定的的基基极极电电流流，就就有有一一个个特特定定的的集集电电极极电电流流，实实现现基基极极对对集集电电极极电电流流的的控制控制.第二章第二章半导体三极管及其放大电路半导体三极管及其放大电路名称名称截截止止区区放放大大区区饱饱和和区区范围范围IB=0曲线以下区域，几乎与横轴重合平坦部分线性区，几乎与横轴平行曲线上升和弯曲部分条件条件发射结反偏（或零偏），集电结反偏发射结正偏，集电结反偏发射结正偏，集电结正偏（或零偏）特征特征IB=0，IC=ICEO0

（1）当IB一定时，IC的大小与UCE基本无关（但UCE的大小随IC的大小而变化），具有恒流特性；

（2）IB不同，曲线也不同，IC受IB控制，具有电流放大特性，IC=hFEIB，IC=IB各电极电流都很大，IC不受IB控制，三极管失去放大作用工作工作状态状态截止状态放大状态饱和状态输出特性曲线的三个区域输出特性曲线的三个区域第二章第二章半导体三极管及其放大电路半导体三极管及其放大电路提示提示：

对于对于NPNNPN型三极管：

工作于放大区时，型三极管：

工作于放大区时，UUCCUUBBUUEE；

工作于截止区时，；

工作于截止区时，UUBBUUEE；

工作于饱；

工作于饱和区时，和区时，UUCCUUBB.PNPPNP型三极管与之相反型三极管与之相反.在模拟电子电路中三极管大多工作在在模拟电子电路中三极管大多工作在放大状态，作为放大管使用；

放大状态，作为放大管使用；

在数字电子在数字电子电路中三极管工作在饱和电路中三极管工作在饱和或截止状态或截止状态，作，作为开关管使用为开关管使用.第二章第二章半导体三极管及其放大电路半导体三极管及其放大电路【例例2-12-1】已知三极管接在相应的电路中，测得三极管各电极的电已知三极管接在相应的电路中，测得三极管各电极的电位，如下图所示，试判断这些三极管的工作状态？

位，如下图所示，试判断这些三极管的工作状态？

在图（a）中，三极管为NPN型管，UB=2.7V，UC=8V，UE=2V，因UBUE，发射结正偏，UCUB，集电结反偏，所以图（a）中的三极管工作在放大状态.在图（b）中，三极管为NPN型管，UB=3.7V，UC=3.3V，UE=3V，因UBUE，发射结正偏，UCUB，集电结正偏，所以图（b）中的三极管工作在饱和状态.在图（c）中，三极管为NPN型管，UB=2V，UC=8V，UE=2.7V，因UBUE，发射结反偏，所以图（c）中的三极管工作在截止状态.在图（d）中，三极管为PNP型，UB=-0.3V，UC=-5V，UE=0V.因UBUE，发射结正偏，UCUB，集电结反偏，所以图（d）中的三极管工作在放大状态.（a）（b）（c）（d）解：

解：

第二章第二章半导体三极管及其放大电路半导体三极管及其放大电路【例例2-22-2】若有一三极管工作在放大状态，测得各电极对若有一三极管工作在放大状态，测得各电极对地电位分别为地电位分别为UU1122.7V7V，UU224V4V，UU332V2V.试判断三极管的管试判断三极管的管型、材料及三个管脚对应的电极型、材料及三个管脚对应的电极.由放大条件的分析知，三个管脚中B极的电位介于C极和E极之间，所以要判断管型、材料及电极，可按下面四步进行.第一步第一步找B极.管脚1为基极.第二步第二步判断材料.U1-U2既不等于0.7V，也不等于0.3V，而U1U3=2.720.7V所以该三极管为硅管.第三步第三步判断发射极和管型.因U1U30.7V，管脚3为发射极，又因U2U1U3，所以该三极管为NPN型三极管.最后确定剩余的管脚为集电极.解：

第二章第二章半导体三极管及其放大电路半导体三极管及其放大电路四、三极管的主要参数四、三极管的主要参数11、电流放大系数、电流放大系数

（1）共射极直流电流放大系数hFE三极管集电极电流与与基极电流的比值，即hFE=IC/IB.反映三极管的直流电流放大能力.

（2）共射极交流电流放大系数三极管集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比，即=IC/IB.反映三极管的交流电流放大能力.同一只三极管，在相同的工作条件下hFE，应用中不再区分，均用来表示.选管时，值应恰当，太小，放大作用差；

太大，性能不稳定，通常选用30100之间的管子.反映三极管的电流放大能力.第二章第二章半导体三极管及其放大电路半导体三极管及其放大电路基极开路时（IB=0），C-E极间的反向电流.好象是从集电极直接穿透三极管到达发射极的电流，故又叫“穿透电流”.ICEO

（1）ICBO，反映了三极管的稳定性.选管子时，ICEO越小，管子受温度影响越小，工作越稳定.22、极间反向电流、极间反向电流

（1）集电极-基极间的反向饱和电流ICBO发射极开路时，C-B极间的反向饱和电流.ICBO越小，集电结的单向导电性越好.

（2）集电极-发射极间反向饱和电流ICEO反映三极管的质量好坏.第二章第二章半导体三极管及其放大电路半导体三极管及其放大电路3、极限参数、极限参数（11）集电极最大允许电流）集电极最大允许电流ICM集电极电流过大时，三极管的集电极电流过大时，三极管的值要降低，一般规定值要降低，一般规定值下降到正常值的值下降到正常值的2/32/3时的时的集电极电流为集电极最大允许电流集电极电流为集电极最大允许电流.使用时一般使用时一般ICICM，否则管子易烧毁，否则管子易烧毁.选管时，选管时，ICMIC.

（2）集电极）集电极-发射极间的反向击穿电压发射极间的反向击穿电压U（BR）CEO基极开路时，加在基极开路时，加在C与与E极间的最大允许电压极间的最大允许电压.使用时，一般使用时，一般UCEU（BR）CEO，否则易造成管子击穿，否则易造成管子击穿.选管时，选管时，U（BR）CEOUCE.（33）集电极最大允许耗散功率）集电极最大允许耗散功率PCM集电极消耗功率的最大限额集电极消耗功率的最大限额.根据三极管的最高温度和散热条件来规定最大允许耗散根据三极管的最高温度和散热条件来规定最大允许耗散功率功率PCM，要求，要求PCMICUCE.PCM的大