LED照明试卷(含答案)Word文档下载推荐.doc
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5、色温越偏蓝，色温越高（冷），偏红则色温越低（暖）。
6、对于GaAs,SiC导电衬底，具有面电极的红、黄（单电极或L型）LED芯片，采用银胶来固晶；
对于蓝宝石绝缘衬底的蓝、绿（双电极或V型）LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。
7、银胶的性能和作用主要体现在：
固定芯片、导电性、导热性。
8、LED胶体包括A，B，C，D胶，它们分别指的是主剂、硬化剂、
色剂、扩散剂。
9、翻译以下行业术语：
示例：
外延片Wafer
（1）发光二极管Lightemittingdiode
（2）芯片chip
（3）荧光粉phosphor
（4）直插式LEDLEDLamp
10、若已知外延材料的禁带宽度（符号：
Eg，单位：
eV），则该外延片制作的LED发光波长与禁带宽度的关系通常可表示为：
nm
11、金丝球焊机在操作过程中，四要素是：
时间、功率、压力、温度。
二、判断题（对的打“√”，错的打“×
”，15分，每小题1.5分）
1、现有YAG黄色荧光粉，分别采用波长为460nm和470nm的蓝光LED芯片激发，则470nm一定比460nm激发的效率高。
（×
）
2、在CIE图中，x代表蓝色，y代表绿色，z代表红色，且x＋y＋z＝1。
（×
3、红外接收管和红外发射管常用的红外LED波长为940nm、880nm、850nm。
（√）
4、中华人民共和国中央银行发布的人民币需要380－390nm波长的紫外光才可以验出真伪。
（×
注：
课本P25，人民币：
390-400nm；
美元：
380－390nm；
欧元：
波长更短。
5、发光强度大于100mcd的LED，称之为超高亮度的LED。
（√）
6、对于InGaAlP材料，可选取合适的Al－Ga组分配比，以便在黄绿色到深红色的光谱范围内调整LED的波长。
（√）
7、LED芯片一般采用蓝宝石（Al2O3）、硅（Si）、碳化硅（SiC）等半导体材料，其中SiC可作为V型接触的芯片衬底。
8、1W的LED称之为中功率LED，大于3W的称之为大功率LED。
（×
9、红光单电极LED芯片可以采用银胶固晶，也可以采用绝缘胶固晶，不过一般采用银胶固晶。
（×
10、经过测试得到样品A的光通量比样品B的光通量高，则样品A的发光强度比样品B的发光强度高。
（×
三、简答题
1、简述：
（1）LED是半导体PN结发光器件，试述其发光机理；
（4分）
（2）白光LED的发光原理。
（5分）
（3）白光LED的实现方法。
（6分，至少写3种）
答：
（1）LED是半导体PN结发光器件，其发光机理是：
在施加正向电压的情况下，PN结N区自由电子向P区运动，而P区的空穴则向N区运动，在有源层内电子由导带跃迁到价带与空穴复合，产生光子，即电能转化成了光能。
（2）白光LED的发光原理是根据红光＋绿光＋蓝光＝白光的三基色原理，由于绿光和红光混合呈黄光，所以一般采取蓝光及其补色黄光混合成白光。
（3）白光LED的实现方法有：
方法
发光机理
芯片数
1
InGaN蓝光芯片＋YAG：
Ce3+的黄色荧光粉→白光
2
InGaN蓝光芯片＋RGY荧光粉→白光
3
InGaN（近）紫外光芯片＋RGB三基色荧光粉→白光
4
薄膜层（ZnSe）的蓝光＋基板上被激发的黄光→白光
5
白光LED芯片直接发白光
6
InGaN蓝光芯片＋GaP黄绿光芯片（互补）→白光
7
InGaN蓝光芯片＋InGaN绿光芯片＋AlInGaP红光芯片→白光
8
多种光（InGaN、GaP、AlInGaP）的芯片封装在一起→白光
＞3
2、LED产业链可分为上游（外延）、中游（芯片）、下游（封装）、应用（LED路灯、LED灯具等），试述对不同产业段的认识（从技术、产品和用途等角度）。
（8分）
LED产业链分为上游（外延）、中游（芯片）、下游（封装）、应用（LED路灯、LED灯具等），对不同的产业段主要认识有：
（一）上游
1、技术上主要从事材料生长，难度大，投资风险高；
2、产品：
衬底、LED外延片（磊晶片）
3、用途：
LED发光芯片的制造
（二）中游
1、技术上主要从事电极蒸镀等，难度大，投资风险较高；
LED芯片
用于LED封装的核心发光芯片
（三）下游
1、技术上主要将LED芯片封装成器件，难度较小，投资风险较小；
直插式LED，食人鱼LED，大功率LED，贴片式LED，数码管等
用于灯具制造，夜景工程，电器指示灯，背光源等。
（四）应用
1、技术上主要解决LED的二次光学，结构和散热设计，形成终端产品；
LED路灯，LED灯具，LED显示屏，LED护栏管等
LED道路照明，LED照明，LED装饰照明,LED显示，夜景工程等。
3、简述
（1）直插式白光LED的封装工艺流程；
（2）说明各工艺段的简要内容和注意事项。
（一）
详细流程：
扩晶→点胶→固晶→固晶烘烤→焊线（邦定、键合）→点荧光粉→荧光胶烘烤→粘胶→灌胶（封胶）→短烤→离模→长烤→一切→排测→二切→分光→包装→入库。
大致流程：
固晶站→焊线站→白光站→灌胶站→测试分光站。
（二）
固晶：
（1）点胶的检查:
多胶,少胶,偏点,碗边沾胶等。
（2）固晶的检查:
固偏,固反,漏固,掉晶,爬丝（晶片沾胶）,电极脱落,裂晶（晶片损坏）,多晶,少晶。
焊线：
（1）避免出现不良：
漏焊,偏焊,错焊,塌线,虚焊,断线,重焊,掉晶,无电极,粹晶,弧线过高/低,晶片翻倒
（2）注意焊线的四要素：
时间，压力，功率，温度。
点荧光粉：
（1）注意荧光粉的激发波长与LED芯片的发射波长匹配；
（2）荧光胶搅拌均匀，不能放置过久。
灌胶：
（1）必须在一定温度下对环氧树脂抽真空，避免气泡；
（2）必须粘胶水，避免碗杯气泡。
4、简述在直插式LED中，环氧树脂胶体的作用有哪些？
（6分）
环氧树脂在直插式LED中的作用主要有：
（2）保护内部的芯片及其引线（金线），放置芯片、支架等氧化；
（3）起光学透镜作用，控制LED的发光角度，即聚光或散光效果；
（4）环氧树脂的折射率降低光的内部全反射，提高光的提取效率。
原理引述：
5、简述：
（1）普通二极管和发光二极管（LED）的相同点；
（3分）
（2）普通二极管和发光二极管（LED）的不同点。
（一）普通二极管和发光二极管（LED）的相同点：
（1）都具有单向导电性，即正向导通，反向截至；
（2）都具有PN结形式的结构特征；
（3）具有类似的I-V特性曲线。
普通二极管发光二极管
（二）普通二极管和发光二极管（LED）的不同点：
（1）普通二极管材料一般为Si,Ge等间接带隙半导体材料，不能发光；
发光二极管材料一般为GaAs/GaN/AlGaInP等直接带隙半导体材料，电子－空穴可以复合发光。
（2）普通二极管的结构为一般的PN结，LED的结构一般采取多采用（双）异质结、（多）量子阱等结构。
（3）开启电压不同。
材料不同
D
Si
0.7V
间接带隙
Ge
0.3V
LED
GaAs/GaN/AlGaInP
直接带隙
结构不同
一般的PN结
多采用（双）异质结、（多）量子阱等结构
6、简述第1－9周以来你对《LED制造技术与应用》这门课的学习心得、意见和建议。
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