LCD液晶中文说明书.docx

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LCD液晶中文说明书

液晶显示模块技术手册

J12864中文/JGD12864中文/FY12864ZW

特色：

（1）模组背部自带10K3*3硬封可调电位器，可以调到理想对比度

（2）LED背光极性可调，JP4为液晶背光正负反接处，此模组背光为4颗LED灯，非普通背光

（3）模组自带原装三星正品防静电电容，抗干扰性更强C6C7C8

（4）串并口可通过两种方式调节1PSB脚控制2JP2短路到+

为并口短路到-为串口

（5）自改3.3V可通过JP3调节，默认接+级为5V,接-为3.3V,

C4C5加极性电容即可型号

为106A14FH4,背光电阻33欧改成3.3欧

一、液晶显示模块概述

12864中文汉字图形点阵液晶显示模块，可显示汉字及图形，内貿8192个中文汉字（16X16点阵）.128个字符（8X16点阵）及64X256点阵显示RAM（GDRAM）。

主要技术参数和显示特性：

电源：

VDD3・3\75V（内轻升压电路.无需负压）：

显示内容：

128列X61行显示颜色：

黄绿/蓝屏/灰

屏

显示角度：

6：

00钟宜视

LCD类型：

STN

与MCU接口：

8位或4位并行/3位串行配貿

LED背光

多种软件功能：

光标显示、画面移位.自定义字符.睡眠模式等二、外形尺寸

外观尺寸：

93x70X12.5mm视域尺寸：

73x39mm

外形尺寸图

外形尺寸

ITEM

NOMINALDIMEN

UNIT

模块体积

93X70X12.5

mm

视域

73.0X39.0

mm

行列点阵数

12SX64

dots

点距离

0.52X0.52

mm

点大小

0.48X0.48

mm

二、模块引脚说明

128X64HZ引脚说明

引脚号

引脚名称

方向

功能说明

1

GND

-

模块的电源地

2

VCC

-

模块的电源正端

3

V0

-

LCD驱动电压输入端

4

RS（CS）

HL

并行的描令/数据选择信号：

串行的片选信号

5

RW（SID）

HL

并行的啖写选择信号：

串行的数据口

6

E（CLK）

HL

并行的使能信号：

串行的同步时钟

7

DBO

HL

数据0

8

DB1

HL

数据1

9

DB2

HL

数据2

10

DB3

HL

数据3

11

DB4

HL

数据4

12

DBS

HL

数据5

13

DB6

HL

数据6

14

DB7

HL

数据7

15

PSB

HL

并/串行接口选择：

H・并行：

L・串行

16

NC

空脚

17

.RST

HL

复位低电平有效

1S

VOUT

倍压输出脚（VDD»3.3V有效）

19

LEDA

-

背光源正极（LED-5V）

20

LEDK

-

背光源负极（LED-OV）

逻辑工作电斥（VDD）：

4.5〜5.5V电源地（GND）：

0V

工作温度（Ta）：

0〜609（常温”・20〜75C（宽温）

三、接口时序模块有并行和串行两种连接方法（时序如下人8位并行连接时序图

MPU写资料到模块

MPU从模块渎出资料

RS

R/VJ

E

DB0-DB7

2、

串行数据传送共分三个字节完成：

第一

字节：

串口控制一格式11111ABC

A为数据传送方向控制：

H表示数据从LCD到MCU,L表示数据从MCU到LCDB为数据类型选择：

H表示数据是显示数据.L表示数据是控制描令

C固定为0

第二字节：

（并行）8位数据的高4位一俗式DDDDOOOO第三字节：

（并行）8位数据的低4位一格式OOOODDDD串行接口时序参数：

（测试条件：

T=25°CVDD=4.5V）

Symbol

Characteristics

TestCondition

Min.

Typ.

Max.

Unit

InternalClockOperation

Q）SC

OSCFrequency

R=33KQ

470

530

590

KHz

IzxternalClock（）j>eration

fgx

ExternalFrequency

■

470

530

590

KHz

DutyCycle

■

45

50

55

%

Tr,T|・・

Risc/FallTime

■

-

■

0.2

Tscyc

Serialclockcvcle

PinE

400

ns

Tshw

SCLKhighpulsewidth

PinE

200

ns

Tsi.w

SCLKlowpulsewidth

PinE

200

ns

Tsds

SIDdatasetuptime

PinsRW

40

ns

Tsdh

SIDdataholdtime

PinsRW

40

ns

Tess

CSsetuptime

PinsRS

60

ns

Tcsh

CSholdtime

PinsRS

60

ns

四、用户指令集

1＞描令表1：

＜RE=O：

基木描令集）

指令

抬令码

说明

执行时间

（540

KHZ）

R

S

R

W

DB

7

DB

6

DB

5

DB

4

DB

3

DB

2

DB

1

DB

0

清除显示

0

0

0

0

0

0

0

0

0

1

将DDRAM填满“20H并且设定DDRAM的地址计数器

（AC）到“OOH"

4.6ms

地址归位

0

0

0

0

0

0

0

0

1

X

设定DDRAM的地址计数器

（AC）到“00HS并且将游标移到开头原点位豐；这个描令并不改变DDRAM的内容

4.6ms

进入点设定

0

0

0

0

0

0

0

1

ID

s

扌斤定在资料的i卖取与写入时，设定游标移动方向及抬定显示的移位

72us

显示状态开/关

0

0

0

0

0

0

1

D

C

B

D=l：

整体显示

ONC=1：

游标

ONB=1：

游标位宜

72us

游标或显示移位控制

0

0

0

0

0

1

S/c

R

L

X

X

丧定游标的移动与显示的移位控制位元：

这个描令并不改变

DDRAN1的内容

72us

功能设定

0

0

0

0

1

DL

X

0

RE

X

X

DL=1（必须设为1）RE=1：

扩充指令集动作RE=O：

基本指令集动作

72us

设定

CGRAM地址

0

0

0

1

AC

5

AC

4

AC

3

AC

2

AC

1

AC

0

设定CGRAM地址到地址计数器（AC〉

72us

设定

DDRAM地址

0

0

1

AC

6

AC

5

AC

4

AC

3

AC

2

AC

1

AC

0

设定DDRAM地址到地址计数器（AC〉

72us

读取忙碌标志（BF）

和地址

0

1

BF

AC

6

AC

5

AC

4

AC

3

AC

2

AC

1

AC

0

谨取忙碌标志（BF）可以确认内部动作是否完成，同时可以读出地址计数器＜AC）的值

Ous

写资料到

RAM

1

0

D7

D6

D5

D4

D3

D2

DI

DO

写入资料到内部的RAM

（DDRAMCGRAMIRAMGD

RAM）

72us

渎出

RAM

1

1

D7

D6

D5

D4

D3

D2

DI

DO

从内部RAM渎取资料

（DDRAMCGRAMIRAMG

72us

的值

DRAM）

指令农一2：

（RE=1：

扩充指令集）

指令

描令码

说明

执行时间

（540KHZ）

RS

R

W

DB

7

DB

6

DB

5

DB

4

DB

3

DB

2

DB

1

DB

0

待命模式

0

0

0

0

0

0

0

0

0

1

将DDRAM填满

“20H”，并且设定DDRAM的地址计数器（AC）到"00H”

72us

卷动地址或

IRAKI地址选择

0

0

0

0

0

0

0

0

1

SR

SR=1：

允许输入垂直卷动地址SR=O：

允许输入IRANI地址

72us

反白选择

0

0

0

0

0

0

0

1

R1

RO

选择4行中的任一行作反白显示，并可决定反白与否

72us

睡眠模式

0

0

0

0

0

0

1

SL

X

X

SL=1：

脱离睡眠模式

SL=O：

进入睡眠模式

72us

扩充功能设定

0

0

0

0

1

1

X

1

RE

G

0

RE=1：

扩充描令集动作

RE=O：

基木描令集动作

G=l：

绘图显示

ONG=0：

绘图显示

72us

设定

IRAKI地址或卷动地址

0

0

0

1

AC

5

AC

4

AC

3

AC

2

AC

1

ACO

SR=1：

AC5—AC0为

垂宜卷动地址SR=O：

AC3—ACO为

ICONIRAN1地址

72us

设定绘图

RAM地址

0

0

1

AC

6

AC

5

AC

4

AC

3

AC

2

AC

1

ACO

设定CGRAM地址到地址计数器（AC）

72us

备注:

1.舟模块在接受描令前.微处理顺必须先确认模块内部处于非忙碌状态，即读取BF标志时BF需为0・方可接受新的描令：

如果在送出一个指令前并不检査BF标志.那么在前一个抬令和这个抬令中间必须延迟一段较长的时间，即是等待前一个描令确实执行完成•描令执行的时间请参考指令表中的个别描令说明。

2、・・RE“为基木描令集与扩充扌斤令集的选择控制位元,出变更'・RE"位元后，往后的描令集将维持在最后的状态，除非再次变更’・RE"位元，否则使用相同抬令集时.不需每次重设"RE"位元。

具体指令介绍：

lx清除显示

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DBO

L

L

L

L

L

L

L

L

L

H

功能：

淸除显示屏瓠把DDRANI位址计数器调整为5IF

2.位址归位

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DBO

L

L

L

L

L

L

L

L

H

X

功能：

把DDRAM位址计•数器调整为T0JT,游标回原点，该功能不影响显示DDRAM3.位址归位

CODE：

RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DBO

L

L

L

L

L

L

L

H

ID

S

功能：

把DDRAM位址计数器调整为游标回原点，该功能不影响显示DD