LED行业基本面分析Word格式文档下载.docx

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国际上只有德、美、英、日等非常有限的企业可以商业化生

外延片提高外量子效率、降低结温、有效散热；

芯片成品率

传统封装技术成熟，多芯片封装技术难度大，关键是散热问题

专利壁垒

极高，日亚拥有蓝宝石衬底专利，Cree有SiC衬底专利

极高，行业最领先的日本企业对技术严格封锁

核心专利由日亚、丰田合成、Lumileds、Cree、Osram等控制

较低，大功率LED有一定专利壁垒

生产特点

技术驱动

技术>

资本>

工艺

劳力>

规模>

工艺>

技术

集中度

寡头垄断

高端高（五大）

中低端低

集中度很低

主要壁垒

专利壁垒、技术壁垒

技术壁垒、专利壁垒

MOCVD台数、工艺成熟水平、专利授权

关键在于资本实力和管理的精细化，大功率LED制造有技术壁垒

进入门槛

极高

偏高

低

1.3.2议价能力

对下游议价能力

强，衬底材料必然会影响整个产业，是各个技术环节的关键

强，MOCVD的供货能力是限制LED芯片公司产能扩张的瓶颈

中高端拥有较强议价能力；

低端产能旺盛，议价能力不足

弱，除了有技术含量的大功率、多芯片封装

供需

寡头垄断，供需稳定

以销定产，下游需求旺盛

GaN基芯片产能扩大较快。

低档产品供大于求，高档产品则价高难求

属于劳动密集行业，市场供给充分

1.3.3同业竞争

全球LED产业主要分布在日本、台湾、欧美、韩国和大陆等国家与地区。

✧日本约占38%的份额，是全球LED产业最大生产国，保持高亮度蓝光和白光LED的专利技术优势，在高亮度LED市场居于领导地位。

✧美国及欧洲地区掌握上游外延及芯片核心技术，产业垂直整合最为完整，以高端应用产品市场为主，在大尺寸LCD背光源、白光照明及汽车应用等高端市场占有优势。

✧台湾由封装起步，逐步向上游外延及芯片领域拓展。

台湾以低价策略逐渐威胁到日本的领导地位，基本占据了中低端LED市场，目前产值位列全球第二，市场占有率约24%。

✧中国，封装仍是LED产业中最大的产业链环节，但芯片比重持续提高。

近几年芯片产能扩大较快，在全球LED芯片市场中的占有率逐年提升，从2003年不足10%增长到将近20%。

✧韩国LED芯片前几年才组建，在新兴市场发展迅速，目前掌握LED的技术达到世界先进水平。

台湾、大陆、韩国等公司受专利牵制很大，其中尤以台湾最为突出。

目前核心专利由日亚、丰田合成、Lumileds、Cree、Osram等控制，他们采取横向（同时进入多个国家）和纵向（不断完善设计，进行后续申请）扩展方式，在全世界范围内布置了严密的专利网。

日亚是技术转让、授权、诉讼的主要发起人。

新兴厂商的应对办法是，提高自身研发实力，研发出独特的专利技术，获得老牌企业的相互授权。

1.3.4替代威胁

从理论上讲，LED是目前最先进的照明技术。

相比于传统照明技术，它最大的优点是：

能耗低、寿命长、体积小、安全环保。

但受困于技术和产业化瓶颈，LED在价格、发光效率、光衰、散热性、一致性等方面与传统照明技术仍存在一定距离，尤其在大功率照明领域仍缺乏竞争优势。

但传统照明行业属于劳动力密集型行业，而LED却属于新兴半导体行业，发展的基本特征就是：

技术升级快，价格下降快，规模增长快。

相信随着LED产业链的完善，在未来的5年内，LED的初置成本与技术性能将接近或比传统照明技术更有优势。

1.4领导企业

✧日亚：

全球GaN蓝光LED和白光LED技术的领导者，与Cree在GaN芯片专利上有交叉授权，持有台湾光磊科技（OpToTech）的股权。

✧丰田合成：

与日亚一样同为GaN蓝光LED的先驱，与TridonicAtco合资生产高亮度白光LED。

✧Cree：

以生产SiC基蓝光LED芯片闻名，主要客户是Agilent、Sumitomo和OSRAM，与日亚在GaN芯片专利上有交叉授权。

✧Lumileds：

在大功率LED封装技术上领先，飞利浦电子业务的一部分，因此有掌握整个产业链的可能性

✧欧司朗：

拥有白光LED专利荧光粉的技术，专利授权给了亿光。

✧Seoul半导体：

前几年才组建，目前掌握LED的技术达到世界先进水平；

GaN基蓝、绿光LED，目前技术指标较高

✧晶元光电：

合并后的新晶电在GaN基蓝、绿光外延、芯片和四元系AlGalnp的外延、芯片，月产能分别为世界第一

详细情况见下表

领先企业

Nichia、Cree

德国AIXTRON、美国VEECO（92%）

Nichia、Cree、Lumileds、Osram、丰田合成、晶电

Nichia、Citizen、Osram、Agilent、光宝、亿光

大陆公司

晶能光电（拥有Si衬底专利）

无

厦门三安、上海蓝宝、大连路美、上海蓝光、士兰微

约600家，佛山国星、宁波爱米达、厦门华联、深圳超亮

台湾

外延片：

晶电、华上、璨圆；

芯片：

光磊、鼎元

宝光、亿光、宏齐、佰鸿

1.5下游需求

1.5.1产值预测

国内应用

照明

显示

背光

目前产值

2009年为262亿

2009年为145亿

2009年为125亿

成熟产品

景观照明、交通信号灯、汽车内饰灯

信号指示器、显示屏

小尺寸背光源

近期看点

车内用照明与车尾灯

大型广告牌

10寸以下的LED背光

中期看点

室外照明（路灯）

NB背光源

长期看点

车头灯与室内一般照明

TV背光源

潜在产值

上千亿

几百亿

1.5.2重点需求

市场规模

现状

前景

汽车车灯

一辆汽车需要200多颗LED（内部100颗、外部200颗）

除LED前照灯以外，均已商品化，汽车前照灯处在研发过程中

短期看，车内照明可望先成为主要的应用市场；

长期看，LED被广泛运用于车外照明领域

通用照明

照明灯市场规模254亿美元，是LED巨大未来市场

行业标准未建立、企业规模小、LED发光效率未达标

预计LED在2010年前还不能进入通用照明市场，大量取代白炽灯和荧光灯将分别在2012年和2020年

显示屏

2008年全国产值为85亿元

我国LED显示屏厂商已经具有了很强的实力，占据了国内市场的大部分份额

看好LED广告牌产品

NB背光

LED应用在NB的颗数提高到40颗到50颗

2009年是LED作为笔记本电脑背光源起飞的开始，第一季的渗透率达到13%

渗透率进一步提高到50%

TV背光

LED监视器逾200颗市场、电视动辄上千颗，2009年LED电视的市场规模预计为100万台，占平板电视市场消费总量的5%

索尼、三星、LG、海信、Philips相继推出LED背光源

2012年大尺寸液晶面板采LED背光源面板出货量将超过冷阴极灯管，到了2015年将成长到1.85亿片（渗透率72%）

1.6发展趋势

✧需求大幅增长：

未来可望进入车用高功率照明、路灯、通用照明、中大尺寸背光源中，产值潜力大

✧价格下滑：

未来随着产业化深入，LED的价格也会大幅下滑

✧性能完善：

LED的发光效率、光衰、散热、一致性等问题取得进一步改善

✧专利壁垒下降：

白色、蓝色LED的基础专利在2010年上半年到期。

OSRAM为主的欧美企业对技术转让呈现积极态度，可能逼迫NICHIA也将加快对外授权的速度。

✧兼并加剧：

传统照明巨头通过收购进入LED市场、同业通过收购兼并来扩张、芯片或外延片厂通过垂直整合保证芯片的一致性，提高工作效率

1.7投资建议

✧上游材料制作、MOCVD设备制造行业技术壁垒高，专利门槛高，议价能力强，属于寡头垄断，受益下游旺盛的需求，拥有很强的竞争能力

✧中游外延片芯片制造行业有一定工艺难度，受技术专利保护，对下游议价能力较强。

但行业同业竞争越发激烈，台湾、韩国、中国企业快速发展，对老牌厂商形成较大冲击，产能释放较快，可能会出现短暂的供大于求。

需要关注的指标有：

已投产的MOCVD数量、芯片价格、专利权问题。

更看好高功率LED芯片制造行业

✧下游封装行业属于劳动密集型行业，技术成熟、门槛低、集中度低、竞争激烈，更看好有一定技术壁垒、一致性高、热控制好的封装企业

二，行业概况

2.1技术发展

概述

LED是发光二极管（LightEmittingDiode）的简称，属于一种化合物半导体元件

结构主要由PN结芯片、电极和光学系统组成

发光机理

利用注入PN结的少数载流子与多数载流子复合，从而发出可见光

把电能转化为光能，光学构造体将发出的光几无损失的集合起来，经狭小的结构投射出来

LED的颜色是根据它使用的半导体成份造成，目前有红、黄、蓝、绿及白光等

分类

按发光管发光颜色分

红色、橙色、绿色、蓝色

有色透明、无色透明、有色散射、无色散射

按发光出光面特征分

圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管

按发光强度角分布图分

高指向性、标准型、散射型

按发光二极管的结构分

全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装、玻璃封装等

按发光强度和工作电流分

普通亮度、超高亮度、高亮度发光二极管

技术发展

60年代初

在砷化镓基体上使用磷化物发明了第一个可见的红光LED

驱动电流在20mA，只能发出红色的光，而且发光效率只有0.1lm/w

此时LED主要用GaAs、GaP二元素半导体材料

70年代中

引入元素Ln和N，使LED产生绿光、黄光、橙光

LED照明的发光效率提高到了1lm/w

80年代初

引入砷化镓、磷化铝，第一代高亮度的LED诞生

先是红色，其光效达到10lm/w，然后是黄色、绿色

此时主要用GaAsP三元素半导体材料

90年代初

出现四元化合物材料InGaALP（磷化铝镓铟）

制成了可用于户外显示的超高亮度红、橙、黄光LED

1993年

日亚公司的中村修二成功发明了InGaN（氮化铟镓）超高亮度蓝光LED

蓝光LED的出现具有划时代的意义，使得白光LED的实现变得可能

1996年

白光LED诞生，由此开创了LED照明的新时代

2000年

LED在红、橙区的光效达到100lm/w，在绿光区的光效达到50lm/w

近期

LED不仅能发射出纯紫外线光而且能发射出真实的“黑色”紫外光

目前产业化的白光LED发光效率在30-50ml/w

应用发展

主流技术