传感器敏感材料及器件复习提纲Word下载.docx
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由于无电刷接触，故称无接触电位器。
该电位器的核心是差分型结构的两个半圆形磁敏电阻；
它们被安装在同一旋转轴上的半园形永磁钢上，其面积恰好覆盖其中一个磁敏电阻；
随着旋转轴的转动，磁钢覆盖于磁阻元件的面积发生变化，引起磁敏电阻值发生变化，旋转转轴，即能调节其阻值。
其工作原理和输出电压随旋转角度变化的关系曲线如图所示。
4.磁敏二极管的结构和工作原理；
磁敏三极管的结构和工作原理；
结构
磁敏二极管的P型和N型电极由高阻材料制成，在P、N之间有一个较长的本征区I，本征区I的一面磨成光滑的低复合表面（为I区），另一面打毛，设置成高复合区（为r区），其目的是因为电子—空穴对易于在粗糙表面复合而消失。
当通过正向电流后就会在P、I、N结之间形成电流。
由此可知，磁敏二极管是PIN型的。
•当磁敏二极管未受到外界磁场作用时，外加正偏压（P区为正），则有大量的空穴从P区通过i区进入N区，同时也有大量电子注入P区，这样形成电流，只有少量电子和空穴在i区复合掉。
•当磁敏二极管受到如下图（b）所示的外界磁场H+（正向磁场）作用时，则电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向r区偏转，由于r区的电子和空穴复合速度比光滑面I区快，空穴和电子一旦复合就失去导电作用，意味着基区的等效电阻增大，电流减小。
磁场强度越强，电子和空穴受到洛仑兹力就越大，单位时间内进入由于r区而复合的电子和空穴数量就越多，载流子减少，外电路的电流越小。
•当磁敏二极管受到如右图（c）所示的外界磁场片H-（反向磁场）作用时，则电子和空穴受到洛仑兹力作用而向I区偏移，由于电子、空穴复合率明显变小，i区的等效电阻减小，则外电路的电流变大。
•若在磁敏二极管上加反向偏压（P区的负），则仅有很微小的电流流过，并且几乎与磁场无关。
•因此，该器件仅能在正向偏压下工作。
利用磁敏二极管的正向导通电流随磁场强度的变化而变化的特性，即可实现磁电转换。
磁敏三极管的结构
在弱P型或弱N型本征半导体上用合金法或扩散法形成发射极、基极和集电极。
其最大特点是基区较长，基区结构类似磁敏二极管，也有高复合速率的r区和本征I区。
长基区分为输运基区和复合基区。
磁敏三极管的工作原理
当磁敏三极管未受到磁场作用时，由于基区宽度大于载流子有效扩散长度，大部分载流子通过e-I-b，形成基极电流；
少数载流子输入到c极，因而基极电流大于集电极电流。
当受到正向磁场（H+）作用时，由于磁场的作用，洛仑兹力使载流子向复合区偏转，导致集电极电流显著下降；
当反向磁场（H-）作用时，载流子向集电极一侧偏转，使集电极电流增大。
由此可知，磁敏三极管在正、反向磁场作用下，其集电极电流出现明显变化。
5.输入电阻和输出电阻；
额定激励电流和最大允许激励电流；
不等位电势和不等位电阻；
寄生直流电势；
霍尔电势温度系数；
输入电阻和输出电阻
Ø
激励电极间的电阻值称为输入电阻。
霍尔电极输出电势对外电路来说相当于一个电压源,其电源内阻即为输出电阻。
以上电阻值是在磁感应强度为零且环境温度在20℃±
5℃时确定的。
当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。
以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。
因霍尔电势随激励电流增加而线性增加，所以，使用中希望选用尽可能大的激励电流，因而需要知道元件的最大允许激励电流，改善霍尔元件的散热条件，可以使激励电流增加。
当霍尔元件的激励电流为I时，若元件所处位置磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。
这时测得的空载霍尔电势称不等位电势。
不等位电势也可用不等位电阻表示
寄生直流电势
在外加磁场为零，霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，该直流电势称寄生直流电势。
霍尔电势温度系数
在一定磁感应强度和激励电流下,温度每变化1℃时,霍尔电势变化的百分率称霍尔电势温度系数。
它同时也是霍尔系数的温度系数。
6.应变式加速度传感器原理图及测量原理；
图示应变式电阻加速度传感器由基座（用来固定在被测物体上）、等截面悬臂梁、质量块和4个电阻应变片组成，以等截面悬臂梁为弹性敏感元件。
加速度传感器
l一基座；
2一质量块；
3一应变片；
4一悬臂梁
测量时，根据所物体加速度的方向，把传感器固定在被测部位，当弹性元件感受到加速度时，其表面产生应变，粘贴在表面的电阻应变片的阻值会随着弹性元件的应变发生相应变化。
7.压阻效应定义，压电效应定义，正压电效应（顺压电效应）定义，逆压电效应（电致伸缩效应）定义；
压阻效应
单晶硅材料在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化，这种现象被称为压阻效应。
压电效应
正压电效应（顺压电效应）：
某些电介质，当沿着一定方向对其施力而使它变形时，内部就产生极化现象，同时在它的一定表面上产生电荷，当外力去掉后，又重新恢复不带电状态的现象。
当作用力方向改变时，电荷极性也随着改变。
逆压电效应（电致伸缩效应）：
当在电介质的极化方向施加电场，这些电介质就在一定方向上产生机械变形或机械压力，当外加电场撤去时，这些变形或应力也随之消失的现象。
8.压电式单向力传感器原理图及测量原理；
9.纵向效应型加速度传感器原理图及测量原理；
纵向效应是最常见的,如图。
压电陶瓷4和质量块2为环型，通过螺母3对质量块预先加载，使之压紧在压电陶瓷上。
测量时将传感器基座5与被测对象牢牢地紧固在一起。
输出信号由电极1引出。
当传感器感受振动时，因为质量块相对被测体质量较小，因此质量块感受与传感器基座相同的振动，并受到与加速度方向相反的惯性力，此力F＝ma。
同时惯性力作用在压电陶瓷片上产生电荷为
q＝d33F＝d33ma
10.压电式传感器表面粗糙度测试原理图及测量原理；
图示为压电式传感器在轮廓仪上应用时的结构示意图。
传感器由驱动箱拖动使其触针在工件表面以恒速滑行。
工件表面的起伏不平使触针上下运动，通过针杆使压电晶体随之变形，这样，在压电晶体表面就产生电荷，由引线输出与触针位移成正比的电信号。
11.光学敏感材料的换能机理：
能够结合原理图描述四种光电效应的基本原理；
第一次小作业
12.半导体光敏感材料：
Si与Ge晶体结构类型及其主要应用领域；
Ge折射率的测量方法及影响因素；
Si与Ge相比，特点？
GaAs吸收系数的影响因素；
ZnS折射率与温度的关系；
CdS的折射率变化特点；
书195-212
13.聚合物光折变材料：
聚合物掺杂体系和全功能聚合物体系的结构特点；
P219-220
14.结型光电器件：
PN结内电流方程及其物理意义；
硅光电池的分类及工作原理；
硅光电二极管和光电池比较；
硅光二极管与硅光三极管的比较；
P222-238
15.光电导器件：
光敏电阻的特点、分类、工作原理及常用结构；
相关物理概念：
光电导增益、量子效率、响应时间、上升响应时间、下降时间、前历效应；
P239-250
16.真空光电器件：
光电阴极的主要指标参数；
光电管和光电倍增管的构成；
光电倍增管的应用；
光电发射体、光电阴极的光谱响应曲线；
P251-263
17.湿度测量：
湿度测量常用方法；
湿度、绝对湿度和相对湿度、霜点温度、湿滞、温度系数；
P35-37
18.能够结合原理图说明下列光纤湿度传感器的传感原理：
法布里-珀罗（F-P）腔湿度传感器；
光纤渐逝波耦合器湿度传感器；
长周期光纤光栅湿度传感器；
光纤布拉格光栅（FBG）湿度传感器；
P53-56
19.光纤的结构及普通通信光纤的参数；
P305
20.光纤光栅的概念、特性、传感原理；
P315、318光谱特性传输与调制特性…..
21.光纤传感器的优点；
P57
22.反射式强度调制型光纤传感器的结构、原理和位移测量特性曲线；
P310位移测量特性曲线:
大物实验之光纤传感器
23.双金属结构的光纤布拉格光栅高温传感器结构及原理；
P324
24.光子晶体的定义及结构特点；
光子晶体的特性；
P325-326
25.光子晶体光纤的概念及结构特点；
光子晶体光纤的导光机理；
P333
26.磁流体的组成；
磁流体的所有光学特性。
P351P357-359
给出磁阻效应的定义，并画出一种基于磁阻效应的传感系统的原理图，说明其工作原理。
P152P159
（注：
素材和资料部分来自网络，供参考。
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）
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