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图纸所标阻值为电阻实际阻值。

电阻并联阻值会变小,先算并联的总阻值,再跟另一电阻串联。

并联R1R2/(R1+R2)测量电阻阻值的方法:

先计算出电阻的阻值,再用万用表欧姆档的合适量程,红黑表笔任接电阻两端,读出数值。

好坏判断:

实测阻值比所计算阻值相差很大,则电阻损坏。

电阻损坏,阻值变大。

(理论上实测阻值大于计算阻值5%,电阻损坏)。

电阻或排阻在电路中的作用,电阻或排阻在电路中的作用主要有上拉、下拉电阻、保护电阻、热敏电阻几种。

上下拉电阻:

通常接电压的电阻为上拉电阻,接地的电阻为下拉电阻,上拉电阻在相应的电路中起稳定信号的作用,并可增加引脚的驱动能力,下拉电阻可以吸收电流,如图在这里的R492电阻与VCC5_SB电压相连,使其保持为5V高电平,即为上拉电阻,而PWSW信号经过R14电阻与地相连,在这里的R14为下拉电阻,为了防止当短接6-8针时产生的瞬间电流对后极元件有损伤。

上拉就是将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平,电阻同时起限流作用,下拉同理。

保护电阻,保护电阻:

这种电阻起到的是保护作用,当电路负载变大,超出电阻所能承受范围,电阻将变为开路状态,使相应电路停止工作,从而达到保护元件的目的。

保护电阻一般为10欧欧姆以下。

排阻,贴片排阻(RN)RN并联排阻:

有4排8脚,内部其实是4个单独电阻并列封装在一起,而不是真正并联。

RP串联排阻,RP串联排阻:

有5排10脚,1脚和E脚直接相连为供电脚。

串联排阻好坏判断:

万用表打到二极管挡,红笔接1脚或E脚,黑笔分别接2、3、4、5、A、B、C、D脚,测出来每个脚阻值相差不超过10欧就是好的。

电容简介,电容(或电容量,Capacitance)指的是在给定电位差下的电荷储藏量。

我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量,叫做电容器的电容。

电容器从物理学上讲,它是一种静态电荷储存介质(就像一只水桶一样,你可以把电荷充存进去,在没有放电回路的情况下,刨除介质漏电自放电效应/电解电容比较明显,可能电荷会永久存在,这是它的特征),它的用途较广,它是电子,电力领域中不可缺少的电子元件。

主要用于电源滤波,信号滤波,信号耦合,谐振,隔直流等电路中。

电路中电容两端的电压不能突变。

不同的电容器储存的能力也不相同,规定把电容器外加1伏特直流电压时所储存的电荷量称为该电容器的电容量。

在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F。

但实际上,法拉是一个很不常用的单位,因为电容器的容量往往比1法拉小得多,常用微法(uF)纳法(nF)皮法(pF),皮法又称微微法等。

换算关系是:

1法拉F=1000毫法mF=1000000微法,1微法=1000纳法=1000000皮法,电容分类,EC或CE:

电解电容TC:

钽电容CN:

排容C:

贴片电容,运用,1、符号:

“C”2、图标:

3、单位:

“F”法拉4、换算:

1F(法)=103mF毫法=106uF(微法)=109nF纳法=1012pF(皮法)5、作用:

隔直通交、滤波、储能、耦合6、特性:

通高频、阻低频、通交流、阻直流贴片的钽电容有标记的一端为正极,非常容易引起CPU供电短路,外观与好坏判断好坏判断,贴片电容外观:

米黄色外观,表面未任何数字。

贴片电容好坏判断(取下来测)用万用表的二极管档,红黑表笔任接电容两端,阻值为“1”电容良好,如果导通阻值为“0”电容损坏。

电解电容和钽电容用万用表的二极管档,红黑表笔任接电解电容两端,显示有阻值,慢慢升起直到无穷大“1”电容良好,导通阻值为“0”则电容损坏。

代换,注意:

由于电容设计在主板中起滤波作用,所以在板上测不到无穷大的阻值。

一般在板上,电容的阻值不低于5欧即为良好。

如果遇到测不准或者怀疑的电容时,最好拆下来再进行测量。

电解电容替换原则:

容量和耐压值一样替换最好(如果找不到相同的,可以用容值的和耐压值高一点的替换。

贴片电容替换原则:

大小相同,颜色一致就可以替换。

电容分类及其作用,滤波电容:

用在电源整流电路中(要求容值较大的采用直插式电容,要求容值较小的采用贴片电容)用来滤除交流成分。

耦合电容:

耦合电容通常采用贴片电容,应用在PCI-E和SATA的信号线上,其特征是串联在信号电路中,作用是用来隔离直流,并保证高速信号的传输。

谐振电容:

谐振电容采用贴片电容,仅使用在晶振电路中,一致容值大小为几十PF,分别在晶振的两个引脚和地之间,谐振电容的参数会影响到晶振的谐振频率和输出幅度.,拓展知识,在电子线路中,电容用来通过交流而阻隔直流,用来储存和释放电荷以充当滤波器,平滑输出脉动信号。

小容量的电容通常在高频电路中使用,如收音机,发射机和振荡器。

大容量的电荷往往是作滤波和储存电荷用。

而且有一个特点。

一般1uF以上的电容均为电解电容,而1uF一下的电容多为瓷片电容,当然也有其他的,比如独石电容,涤纶电容,小容量的云母等,电解电容有个鉏壳,里面充满了电,我们说电容器储存了电荷,电容器极板间建立起电压,积蓄起电能,这个过程称为电容器的充电。

充好电的电容器两端有一定的电压,电容器储存的电荷向电路释放的过程称为电容器的放电电子电路中,只有在电容器充电过程中才有电流流过,充电过程结束后,电容器是不能通过直流电的,在电路中起着隔直流的作用,电路中,电容器常被用作耦合旁路滤波等,都是利用它同交流隔直流的特性。

那么交流电为什么能过通过电容器呢?

我了先来看看交流电的特点,交流电不仅方向往复交变,他的大小也在按规律变化。

电容器接在交流电源上,电容器连续地充电,放电,电路中就会流过与交流电变化规律一致(相位不同)的充电电流和放电电流。

电感,电感器(电感线圈)是用绝缘导线(例如漆包线,纱包线等)绕制而成的电磁感应元件,是一种在磁场中储存能量的器件。

也是电子电路中常用的元器件之一,单位是“亨利”(H)。

电感在电学上的作用为通低频信号,隔高频信号,通直流电压,隔交流电压,这一特性刚好与电容相反,流过电感的电流不能突变。

运用,1、符号:

“L”或“FB”2、单位:

“H”亨利3、单位换算:

1H=103MH=106UH4、图标:

5、作用:

隔交通直、滤波、储能、耦合6、特性:

通低频、阻高频、通直流、阻交流,好坏判断与代换,好坏判断:

(在路测量)用万用表的二极管档,红黑表笔任接电感两端,导通为“0”为好,有阻值或无穷大“1”为坏。

贴片电感替换原则:

大小一样,阻值为“0”欧电阻都可以替换。

绕线电感替换原则:

大小相同,匝数一致就可以替换,晶振,晶振全称为晶体振荡器,其作用在于产生原始的时钟频率,这个频率晶振经过频率发生器的放大或缩小后就成了电脑中各种不同的总线频率。

晶振是一种机电器件,是用电损耗很小的石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成。

这种晶体有一个很重要的特性,如果给他通电,它就会产生机械振荡,反之,如果给它机械力,它又会产生电,这种特性叫做机电效应。

他们有一个很重要的特点,其振荡频率域他们的形状,材料,切割方向等密切相关。

由于石英晶体化学性能非常稳定,热膨胀系数非常小,其振荡频率也非常稳定,由于控制几何尺寸可以做到很精密,因此,其谐振频率也很准确。

晶振,1、符号:

“X”或“Y”2、图标:

3、作用:

产生振荡频率。

RTC(RealTimeClock)实时时钟晶振:

32.768KHZ(在南桥旁边),14.318MHZ用于时钟发生器所需要的基准频率,网卡晶振:

25.00MHZ。

用于网卡提供基准频率,或者用于NV,ATI等南桥,H55以上的南桥也有25M的晶振,好坏判断与代换,晶振的好坏判断:

用示波器分别接晶振两脚,有电压无振荡频率则晶振坏。

测电压法:

用万用表的直流20V档,黑表笔接地,红表笔分别测晶振两脚,测到的两组电压比较接近为好,压差太大为坏。

测对地阻值法:

用万用表的二极管档,红表笔接地,黑表笔分别接晶振两脚,能得出两组阻值几百欧,且比较接近为好,相差太大为坏。

晶振的替换原则:

频率一样的可以替换VIA带SATA功能的有25M,U盘12M晶振,二极管,导电能力在导体与绝缘体之间的物质叫半导体。

不含杂质,完全纯净的半导体称为本征半导体。

空穴型(P型)半导体,是在本征半导体中加入微量三价元素,使之出现较多带正电荷的空穴。

电子型(N型)半导体,是在在本征半导体中加入微量三价元素,使之出现较多带负电荷的电子。

PN结:

在P型和N型半导体结合面的两侧形成一个特殊的带点薄层。

由于扩散运动,P去的空穴进入N去与电子结合,N区的电子进入P区与空穴结合,于是在临近界面的P区出现带负离子的离子层,在临近N区出现带正电的离子层,这样在交界面两侧形成一个带异性电的薄层,称为空间的电荷区,空间电荷区的正负极离子形成了一个空间电场,称为内电场.,PN结特性,PN结特性:

PN结正向偏置,即P去电压高于N区电压时,外电场与内电场方向相反,削弱了内电场,空间电荷区变窄,扩散电流加强,PN结正向偏置呈现较小电阻,PN结变为导通状态。

PN结反向偏置,即P区电压低于N去电压时,外电场与内电场方向相同,加强了内电场,空间电荷区变宽,无扩散电流,只有微小的漂移电流,PN结对反向偏置呈现高电阻,PN结变为截止状态。

应用,1、符号:

“D”2、图标:

3、特性:

单向导通,只能从正极流向负极4、作用:

稳压、整流、开关在PN结两侧的中性区各引出金属电极就构成了最简单的半导体二极管,半导体二极管也叫晶体二极管,简称二极管(diode)接P型半导体的为正极,接N型半导体的为负极。

二极管材料分类,硅二极管:

(导通电压为0.7V)锗二极管:

(导通电压为0.3V)在硅管的P极输入3.3V电压,在二极管的N极量测电压值为2.6V,也就是有0.3V功耗。

(一般用于DDR1内存供电电路中)200左右的是锗管,500左右的是硅管。

(在路测量不准确时再取下来测量)用万用表的二极管档,红表笔接二极管的正极,黑表笔接负极,能测到几百欧的阻值,调换表笔后测到无穷大“1”的阻值,则二极管良好。

(正向有阻止,反向无穷大)正反测都有阻值,正反测为无穷大“1”,正反测阻值都为0欧,则二极管损坏。

二极管的具体作用,整流二极管:

用硅半导体制成,利用PN结单向导电性把交流变成直流,即整流。

稳压二极管:

当二极管反向电压达到一定数值后,反向电流会突然增加,击穿二极管。

利用击穿时,通过管子的电流变化很大而管子两端的电压几乎不变的特性来实现稳压限幅,过载保护。

开关二极管:

利用正向偏置时二极管电阻很小,反向偏置时电阻很大的单向导电性,在电路中对电流进行控制起到接通或关断作用。

替换,替换原则:

主板上二极管只要大小相同,颜色一致就可以替换。

钳位二极管:

A7W,一般在USB和VGA接口旁边,防静电。

肖特基二极管:

用于主板RTC电路,用于实现由电池或待机电压为RTC电路供电,常见型号有L43,L44,KL3,WW1,BAT54等。

三极管,三极管,全称为半导体三极管,也称双极性晶体管,是一种电流控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅值较大的电信号,也用作无触点开关。

符号:

Q三极管按极性分NPN和PNP型,三个极分别为基极B极,集电极C极,发射极E极。

判别NPN与PNP型三极管,最好取下来测NPN:

万用表打到二

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