无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计.docx

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无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计

 

 

生产工艺....................................................4

 

 

1前言

碳化硅(SiC)在自然界中几乎不存在,所以SiC是人工合成材料。

随后在陨石中偶然发现SiC化合物的存在。

1893年美国人Acheson首先用SiO2碳还原法(SiO2+3C=SiC+2CO(g))人工合成SiC粉末,该法至今仍是碳化硅粉体合成机材料制备的主要方法,其后又出现了硅-碳直接合成法、气相沉积法、激光法、有机前驱体法等,所以碳化硅(SiC)陶瓷是以SiC为主要成分的陶瓷制品。

SiC有着的化学稳定性好,但SiC本身很容易氧化,在SiC表面形成一层二氧化硅薄膜,进而氧化进程逐步被阻碍。

高纯度的SiC一般用于制造高性能陶瓷与电热元件,纯度大于%的SiC绝大部分用于制造磨料与耐火材料。

而制备得SiC陶瓷具有很高的硬度、高温强度高、抗氧化性好、耐腐蚀和良好的热导率等优点,因此成为重要的高温陶瓷材料。

SiC陶瓷是非氧化物陶瓷中抗氧化性能最好的一种。

碳化硅陶瓷不仅在高新技术领域发挥着重要的作业,而且在冶金、机械、能源和建材化工等热门领域也拥有广阔的市场。

SiC有两种主要的晶型:

一种是β-SiC,有类似于闪锌矿结构的立方晶系结构;另一种是α-SiC,是类似于纤锌矿的六方晶系结构。

通常情况下β-SiC和α-SiC之间的转化是不可逆的,但是在2000℃一下合成的SiC主要是β-SiC,在2200℃以上可以合成α-SiC。

SiC在不同物理化学环境下能形成不同的晶体结构,这些成分相同,形态,构造和物理特性有差异的晶体称为同质多相变体,目前已经发现的SiC多相变体有200多种。

SiC是非常强的共价键化合物,其晶体结构的基本结构是配位四面体,通过定向的强四面体SP键结合在一起,并有一定程度的极化,主要区别在于SiC四面体的堆积次序不同。

SiC是共价键材料,很难烧结。

传统的SiC耐火材料和发热体一般是采用添加硅酸铝质或者高铝质材料作为结合剂来进行烧结,但是致密度不高,强度和其他力学性能也不好。

经过近一二十年的发展有着以下工艺:

(1)反应结合SiC;

(2)无压烧结SiC;(3)热等静压烧结SiC;其中无压烧结SiC工艺,在微米级别的SiC粉体中加入适量的助烧剂(如:

B、C、Al等),混磨均匀后,可根据制品成型要求成型,然后在2100-2200℃的气氛中、1atm下烧结,可以得到相对密度为96%-98%的制品[1]-[2]。

故本实验采用无压烧结法。

我国是SiC原料生产大国,又具有广泛的工业和高技术需求,此外由于SiC制品的需求是覆盖整个材料的高、中、低档,有利于产业化和规模化,因此可以进行SiC制品的产业化开发和研制[3]。

2工艺流程

工艺的选择

碳化硅陶瓷不仅具有很高的强度和硬度以及优异的抗热冲击能力,而且具有可靠地化学稳定性和抗蠕变性等特点。

由于其化学键特点,碳化硅陶瓷在烧结时原子扩散速率很低,烧结驱动力小,不易烧结致密,必须引入烧结助剂或提高粉体烧结活性以及采用一些特殊工艺手段才能获取高致密的碳化硅陶瓷材料。

在制备结构陶瓷过程中,素坯密度和微观均匀性将直接影响材料的烧结行为、陶瓷的微观结构和力学性能,而原料粉体颗粒形状、大小分布和流动性对其成型性能有着很大的影响。

粉料的制备[4]

喷雾干燥造粒工艺是将混合好的浆料直接喷雾到热空气中,在非常短的时间内干燥,避免了各组分的良团聚和沉降分离,保持了浆料原有的均匀性;同时浆料雾化均匀,得到的粒度分布均匀,流动性好,适合连续自动成型球形颗粒,从而有利于提高素坯的密度、均匀性和烧结性能;而且可以改善成型车间的空气质量,保护工人身体健康。

故在本次试验中采用此工艺。

由于各种成分或添加剂的粒度、密度、分散性等各不相同,为保证混料过程中各组分之间的均匀分散,对混合过程的湿化学工艺和条件需要进行严格的控制。

如果采用简单的混合-烘干-过筛-造粒工艺路线,粉料质量将很难保证。

本文中采用压力喷雾造粒的方式对SiC粉体进行喷雾造粒处理.

成型方式

在特种陶瓷制品生产过程中,成形是塑造制品形体的手段。

用户对陶瓷制品的性能和质量要求各异,这就使陶瓷制品的形状、大小、厚薄等不同,因此,成形方法是多种多样的。

特种陶瓷的成形方法有多种,如注浆成形法(坯料含水量或含调和剂量<38%)、可塑成形法(坯料含水量或含调和剂量<26%)、压制成形法(坯料含水量或含调和剂量<3%)等。

压制成形可分为干压成形(粉料含水量为3%~7%)和等静压成形(粉料含水量为3%以下),多用于圆形、片状、简单不规则形状部件的生产。

干压成形操作方法方便简洁,技术、资金投入少,但因其有压制制品形状简单、压制受力不均、易变形等多种缺点,所以一般与其他成形方法结合使用。

冷等静压成形的坯体强度大、密度高而均匀,可以成形长径比大、形状复杂的零件,尤其可以实现坯体近、净尺寸成形,在改善产品性能,减少原料消耗,降低成本等方面,都具有显着的优点。

结合上述两种成形方法的优点,一般采用干压结合冷等静压成型来获得更高性能的陶瓷产品。

但由于本实验对性能要求不是很高且仅干压成型就可以满足要求,故本实验只采用了干压成型工艺对其成形。

烧结方式

碳化硅的烧结工艺可分为固相烧结和液相烧结。

两种烧结工艺所得到的碳化硅陶瓷的结构及性能特点。

如表2-1所示,两种烧结方法的研究现状。

表2-1固相烧结和液相烧结的结构特点

烧结类型

烧结温度℃

力学性能

结构

断裂

传质方式

固态烧结

﹥2000

断裂韧性较低,强度较高,

有较高的裂纹敏感性

晶粒粗大均匀性差

穿晶断裂

扩散传质

液相烧结

1850~2000

强度,断裂韧性较高

晶粒细小,均匀成等轴晶状

沿晶断裂

粘性流动

固相烧结的缺点主要为:

需要较高的烧结温度(>2000℃),对原粉材料的纯度要求较高,并且烧结体断裂韧性较低,有较强的裂纹强度敏感性,在结构上表现为晶粒粗大且均匀性差,断裂模式为典型的穿晶断裂。

液相烧结的烧结机理是以一定数量的多元低共熔氧化物为烧结助剂,在高温下烧结助剂形成共熔液相,使体系的传质方式由扩散传质变为粘性流动传质,降低了致密化所需要的能量和烧结温度。

同时,固熔体的形成引起晶格缺陷,形成自由焓。

由于碳化硅烧结温度较高,在高温下碳化硅及其晶格振动更容易,故自由焓随温度的升高而显着增大,大大增加碳化硅内部空位,活化碳化硅烧结度。

固熔体能提高烧结体致密化速率,降低晶粒粗化速率。

液相烧结首先导致了材料在结构上的变化——晶粒细小均匀呈等轴晶状,同时由于晶界液相的引入和独特的界面结合弱化,材料的断裂也变为完全的沿晶断裂模式,结果使材料的强度和韧性显着提高。

结合所要制得的器件的各项性能要求,固相烧结虽然缺点很多但可以满足要求在此采用固相烧结。

工艺流程图

3生产过程简述

原料配比[5]

陶瓷产品性能取决于陶瓷原料配方和生产工艺等大量因素,其中坯料的原料配方对产品性能起着决定性的作用。

所以要想生产出性能优良的产品,必须对原料配方进行优化,本实验根据已有的实验数据对原料配方进行了一定的改变,其原料配比如下表3-1所示。

表3-1:

原料配比

原料

称量值

SiC

B4C

4g

酚醛树脂

20g

蒸馏水

65g

乙醇

35ml

油酸

4ml

Dararn

1ml

生产工艺

生产工艺流程:

SiC粉和粘结剂—>成型—>毛胚—>预烧—>素坯—>机械加工—>反应烧结—>制品

浆料的制备过程[6]

将亚微米级SiC粉、无水乙醇放入硬质塑料罐,然后分别将作为粘结剂、增塑剂和润滑剂的有机添加剂酚醛树脂、油酸按比例加入后湿法球磨2h,过筛浆料,取出磨介,制得所需的浆料。

造粒及粉料性能检测

通过喷雾干燥机进行喷雾造粒,将过筛好的浆料准备好,依次开启送风机、抽风机,接着打开加热开关开始升温。

当出料口温度达到设定温度185℃左右时,启动料泵和除尘系统。

当泵压达到规定压强后,打开喷枪开始造粒。

喷雾造粒时,为了保持浆料的均匀性,利用玻璃棒边搅拌边进料。

浆料通过低喷式压力喷嘴雾化,按混流方式与热空气混合并被干燥形成颗粒粉料。

整个过程维持入口温度65-75℃。

造粒结束时,应首先关停加热装置,停止燃气机运行,然后关闭喷枪阀门,拧下喷嘴并洗干净。

当进口温度减低到100℃以下后可以停止送风机运行,接着清理干燥塔内余料,最后关闭总电源,完成生产操作。

粉料的性能采用流动性及松装密度测定仪测量其流动性和松装密度,每个样品测定3次取平均值。

颗粒形貌通过扫描电镜进行观察和分析。

喷雾干燥制备的固相烧结碳化硅陶瓷粉料,流动性(样品量30g)。

表面光滑,粉料的流动性良好,可以满足压制成型的要求。

成型

通过采用四柱式万能液压机使碳化硅粉末成型,制成碳化硅陶瓷片样品。

首先将称量好的30g坯料填入50*50的相应的经过润滑的模具中,使用铁块轻微敲打模具壁面,使坯料分布均匀,可用模盖轻微抹平坯料表面,盖好模盖并将其搬到四柱式万能液压机垫板上放置好。

开启液压机,设定压力为16T,保压30s,进行压制,最后脱模取出样品。

烧结

先将压制好的碳化硅陶瓷片进行冷等静压2h,再将冷等静压的样品放在真空烧结炉中烧结,经过h的烧结,取出样品放置至室温。

后续机械加工处理

先将陶瓷片经过打磨,再使用抛光机(如下图3-2)将其抛光[7]。

图3-2抛光机

4设备选型[8]

碳化硅玻璃夹具底座生产所用到的主要设备包括电子天平、三维混料机、喷雾干燥器、干压成型机、无压烧结炉、机械加工等主要设备。

设备主要选取经济实用,生产效率较高的生产机械,以满足生产要求为标准,根据这一标准和我学校的实际条件本实验采用以下设备,见表4-1:

表4-1使用设备

编号

设备名称

型号

外观尺寸mm

1

电子天平

JJ300

2

超声波清洗器

KQ3200

320×264×340

3

三维混料机

MX-18

220×1140×990

4

喷雾干燥器

GEAniro

5

流速计

HYL—102

6

四柱式万能液压机

YA32-63

1500×1200×2500

7

等静压成型机

8

干压成型机

V3-R

1200×1500×2300

9

金属模具

300×300×100

10

烘干机

11

真空烧结炉

12

磨床

13

铣床

14

抛光机

5主要设备简介

电子天平

JJ系列电子天平是继T系列电子天平之后推出的更高精度的产品,凭借简单的操作,较高的精度和灵敏度获得了顾客的青睐。

它继承了T系列电子天平的优点并具备了自身的优势,水平泡和水平调整脚保证天平自身和数据的稳定,此外,天平配置有标准RS232接口,可连接打印机和计算机。

各项指标如表5-1:

表5-1电子天平的技术指标

设备名称

型号

秤盘尺寸

分辨率

最大称量

生产厂家

电子天平

JJ300

ф135mm

300g

美国双杰

超声波清洗器

超声发生源与清洗槽为一体化。

主要适用于商业、轻工、大专院校、科研单位的小批量清洗、脱气、消泡、乳化、混匀、置换、提取、粉料粉碎及细胞粉碎。

主要性能及特点:

附设溶液加热装置温。

控范围0~80度,附设超声定时装置,1-20分钟内任意设定。

清洗器的每个超声换能器发射功率为50W。

主要技术指标如表5-2所示。

表5-2超声波清洗器的技术指标

型号

仪器尺寸(mm)

容量(L)

超声频率(KHz)

超声功率(W)

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