第三章-传输线和波导PPT课件下载推荐.ppt

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TEM波:

TransverseElectronicmagneticWaveTE波:

TransverseElectricWaveTM波:

TransverseMagneticWaveMicrowaveTechnique具有平行于z轴方向导体边界的任意传输线和波导结构,假设z方向均匀且无限长,导体为理想导体。

沿z方向传播的时谐电磁场(ejt)可写为:

zjzzjzeyxhzyxhzyxHeyxezyxezyxE),(),(),(),(),(),(。

是纵向电场和磁场分量和电场和磁场分量,代表横向和zzheyxyxhyxe),(),(),(z方向传播,可得z方向传播存在损耗时=+jj普通双导体封闭式波导(3.1a)(3.1b)MicrowaveTechnique对于无源传输线或波导而言,麦克斯韦方程可写为:

EjHHjE可简化为:

的变化关系,上述方程的随因为电磁场具有zezjzEjyxHxyHyEjxzHxHjxEjyHjyzHzHjyxExyEyHjxzExEjxHjyEjyzE思路:

利用纵向场表示横向场(3.3a)(3.3b)(3.3c)(3.4a)(3.4b)(3.4c)(3.2a)(3.2b)MicrowaveTechnique利用Ez和Hz,四个横向场分量可表示为:

xHyEkjEyHxEkjEyHxEkjHxHyEkjHzzcyzzcxzzcyzzcx2222其中,222kkc截止波数/2k(3.5a)(3.5b)(3.5c)(3.5d)式(3.5ad)对于边界条件平行于z轴的时谐系统而言具有普适性。

MicrowaveTechnique3.1.1TEM波波横电磁波(TransverseElectromagneticWave)0zzHEyEjxzHxHjxHjyEjyzE(3.3a)(3.4b)消去HxyEjxHjxHjyEjyyEE220zzHEk零。

为波截止波数22kkcTEMMicrowaveTechnique对于Ex的亥姆霍兹方程而言:

(3.9)对于的依赖关系:

(3.9)式简化为:

(3.10)同理可得:

根据(3.1a)zjzeyxezyxezyxE),(),(),(得:

(3.11)其中,是横向二维拉普拉斯算子。

TEM波的横向电场满足拉普拉斯方程。

MicrowaveTechnique同理横向磁场也满足拉普拉斯方程:

(3.12)TEM波的横向场与存在于导体间的静电场相同。

若采用静电情况下的标势来表示电场:

标势(scalarpotential)其中,是二维梯度算子。

可以证明,也满足拉普拉斯方程。

(3.13)由于闭合导体各部分的静电势相同,根据式(3.13)可知,电场为零,因此单一导体不能支持TEM波。

只有当两个或更多的导体存在时,TEM波才能够存在。

(3.14)MicrowaveTechnique因此,对于TEM波的求解可以转换为对静电场问题的求解:

(3.15)(3.16)(3.17)(3.18)分析TEM波的过程:

1.求解拉普拉斯方程(3.14)得到标势。

解包含若干未知量。

2.对于导体上的电压应用边界条件,求得未知量。

3.由式(3.13)和(3.1a)计算电场,由式(3.18)和(3.1b)计算磁场。

4.由式(3.15)计算V,由式(3.16)计算I。

5.传播常数由式(3.8)给出,特征阻抗由Z0=V/I给出MicrowaveTechnique3.1.2TE波波横电波(H波)0,0zzHE3.1.3TM波波横磁波(E波)0,0zzHE式(3.5)简化为:

(3.19a)(3.19b)(3.19c)(3.19d)(3.23a)(3.23b)(3.23c)(3.23d)波阻抗为:

与频率有关,可以存在于封闭导体内,也可在两个或更多导体之间形成。

(3.22)(3.26)MicrowaveTechnique3.1.2TE波波3.1.3TM波波对于TE,TM波而言,,传播常数是频率和传输线或波导的几何尺寸的函数,反映了由波源进入的微波信号在某一确定传输系统中的传输情况,即导行波的传播特征。

由亥姆霍兹方程:

因为:

上式简化为:

需要根据特定的边界条件求解。

截止波数kc决定了电磁场在传输系统中的模型或场型传输系统的物质,形状和尺寸对电磁能量的束缚作用。

(3.21)(3.25)MicrowaveTechnique分析TE、TM波的过程:

1.求解关于hz或ez的亥姆霍兹方程(3.21)或(3.25)。

解包含若干未知量和未知的截止波数kc。

2.利用式(3.19)和(3.23),由hz或ez计算横向场。

3.把边界条件应用于相应的场分量,求出未知常数和kc。

4.传播常数由式(3.6)给出,波阻抗由式(3.22)或(3.26)给出。

MicrowaveTechnique3.1.4由电介质损耗引起的衰由电介质损耗引起的衰减减有时,为了减小波导的体积尺寸,将会在其内部填充介质。

由介质引起的衰减可写为:

)TMTE(m/Np2tan2或kd对于TEM波也适用,此时k)TEM(m/Np2tankd若导体损耗引起的衰减为c总的衰减常数为:

dc电介质均匀填充(泰勒展开)与场分布有关(微扰法)MicrowaveTechnique3.2平行平板波导平行平板波导Wd,填充材料:

,MicrowaveTechnique3.2.1TEM波波求解静电势的拉普拉斯方程并由边界条件得出电场和磁场:

jkzjkzedVyeyxezyxE0),(),((3.35)jkzedVxzyxEzzyxH0),

(1),((3.36)抗。

是两板间媒质的本征阻波的传播常数,是TEMk上板相对于下板的电压:

上板的总电流:

因此,特性阻抗为:

相速:

依赖于波导几何尺寸和材料参数的常数。

与光在材料媒质中的速度相同。

典型的TEM波分析方法MicrowaveTechnique3.2.2TM波波Hz=0,Ez0,Wd,认为在x方向电场无变化0x波方程简化为:

其通解:

(3.41)(3.42)边界条件:

y=0,d则:

B=0,kcd=n,n=0,1,2,3因此,离散值传播常数(3.45)MicrowaveTechnique横向场分布:

则纵向场:

(3.46)(3.47)(3.48a)(3.48b)(3.48c)MicrowaveTechniqueCk特定边界条件下偏微分方程0),(),(22yxekyxezCz本征值对应的一系列本征函数,是纵向电场的场分布函数。

222kkc意义:

Ck决定了电磁场在传输系统中的模式或场型。

这反映了传输系统的物质、形状和几何尺寸对电磁能量的束缚作用。

),(yxez的本征值。

本征值本征函数传播模式和场型22Ckk意义:

(传播状态)Ck和k决定,这反映了由波源进入的微波信号(、),在某一确定传输系统中的传输情况,即反映了导行波的传播特征。

如:

纵向场的分布和信号能量纵向推进的快慢。

方程中由MicrowaveTechnique讨论:

讨论:

1.n=0时,TM0与TEM一样2.n1时,每个n值对应不同的kc与,对应不同模式TMn3.由于,对于既定的实数kc,22ckkb.当kkc时,是实数。

导行波:

虚数实数这种形式的场时变规律是一种“原地振动”的正弦振荡,其振幅沿+z轴以指数衰减,完全没有波的向前传播的特性。

这种状态对应的模式称为截止模式或消逝模。

二者的分界截止频率fcMicrowaveTechniquecckfk2截止频率fc:

dnkfcc22ndc2截止波长:

当工作频率ffc时,kkc,是实数,波动状态。

当工作频率ffc时,kfc时,是纯实数。

ffc时,1是实数,且小于k,0d,认为在x方向电场无变化纵向场:

横向场:

(3.67a)(3.67b)(3.67c)(3.66)MicrowaveTechnique离散值1.传播常数2.截止频率3.波阻抗4.相速(3.68)(3.69)(3.70)MicrowaveTechnique5.导波波长6.介质损耗7.导体损耗22012kkcrrgm/Np2tan2kdm/Np2dkRSc(3.72)MicrowaveTechnique图3.4平行平板波导中TEM模、TM1模和TE1模由于导体损耗引起的衰减表3.1平行平板波导结果总结MicrowaveTechnique图3.5平行平板波导中的场力线(a)TEM(b)TM1模(c)TE1模MicrowaveTechnique3.3矩形波导矩形波导1GHz到220GHz波段内有各种标准的波导。

中空波导可以传播TM、TE模而不能传播TEM模。

MicrowaveTechnique设矩形波导的宽边与直角坐标系的X轴相重合,宽度为a,窄边与Y轴相重合,高度为b,电磁波的传输方向为Z方向,纵向场分量ez,hz满足的方程为:

022222ekeeZcZZyx022222hkhhZcZZyx截止波数3.3.1TE模模zjzzeyxezyxE),(),(zjzzeyxhzyxH),(),(abMicrowaveTechniqueTETE波波纵向场分量的通解纵向场分量的通解采用分离变量法,令代入纵向场分量满足的波动方程0EZyxYXhZ022222yxyyxxxyYXkYXXYckYYXXcyyyxxx2222211022222hkhhZcZZyx得到MicrowaveTechnique欲使方程两边恒等,只有两者都等于一个常数:

令分别求解,有:

从而得到矩形波导中纵向磁场的通解(本征方程)为:

kXXxxxx2221kYYyyyy2221kkkcyx222xkBxkAXxxxsincosykDykCYyyysincosykDykCxkBxkAhyyxxZsincossincoskYYXXcyyyxxx2222211yxYXhZMicrowaveTechnique满足边界条件的场解边界条件yHkjEZcx20x0Eyax0yby0Ex0axxhZ0byyhZ00xxhZ00yyhZxHkjEZcy2由于(3.19c)(3.19d)ykDykCxkBxkAhyyxxZsincossincosMicrowaveTechnique利用纵向场分量与横向场分量的关系可得TE波的横向场分量的表达式:

从而得到TE波的纵向磁场的满足边界条件的解为0B0Damkxbnky.2,1,0m.2,1,0nzjmnzebynaxmAHcoscosMicrowaveTechnique场的振

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