半导体中英对照Word格式.docx
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•Anisotropic-Aprocessofetchingthathasverylittleornoundercutting,i(N:
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•各向异性-在蚀刻过程中,只做少量或不做侧向凹刻。
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•AreaContamination-Anyforeignparticlesormaterialthatarefoundonthesurfaceofawafer.Thisisviewedasdiscoloredorsmudged,anditistheresultofstains,fingerprints,waterspots,etc.+{7c*p'
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•沾污区域-任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。
由沾污、手印和水滴产生的污染。
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K*N7I8r;
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m*P
•Azimuth,inEllipsometry-Theanglemeasuredbetweentheplaneofincidenceandthemajoraxisoftheellipse.
•椭圆方位角-测量入射面和主晶轴之间的角度。
•Backside-Thebottomsurfaceofasiliconwafer.(Note:
Thistermisnotpreferred;
instead,use‘backsurface’.)
•背面-晶圆片的底部表面。
(注:
不推荐该术语,建议使用“背部表面”)7h4p;
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•BaseSiliconLayer-Thesiliconwaferthatislocatedunderneaththeinsulatorlayer,whichsupportsthesiliconfilmontopofthewafer.
•底部硅层-在绝缘层下部的晶圆片,是顶部硅层的基础。
•Bipolar-Transistorsthatareabletousebothholesandelectronsaschargecarriers.
•双极晶体管-能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。
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•BondedWafers-Twosiliconwafersthathavebeenbondedtogetherbysilicondioxide,whichactsasaninsulatinglayer.;
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•绑定晶圆片-两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起,作为绝缘层。
•BondingInterface-Theareawherethebondingoftwowafersoccurs.
•绑定面-两个晶圆片结合的接触区。
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•BuriedLayer-Apathoflowresistanceforacurrentmovinginadevice.Manyofthesedopantsareantimonyandarsenic.0~/J%K%G,A,B6b,t,c.I*w
•埋层-为了电路电流流动而形成的低电阻路径,搀杂剂是锑和砷。
•BuriedOxideLayer(BOX)-Thelayerthatinsulatesbetweenthetwowafers.
•氧化埋层(BOX)-在两个晶圆片间的绝缘层。
•Carrier-Valenceholesandconductionelectronsthatarecapableofcarryingachargethroughasolidsurfaceinasiliconwafer.6p%i.k"
S-N2I
•载流子-晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。
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•Chemical-MechanicalPolish(CMP)-Aprocessofflatteningandpolishingwafersthatutilizesbothchemicalremovalandmechanicalbuffing.Itisusedduringthefabricationprocess.
•化学-机械抛光(CMP)-平整和抛光晶圆片的工艺,采用化学移除和机械抛光两种方式。
此工艺在前道工艺中使用。
•ChuckMark-Amarkfoundoneithersurfaceofawafer,causedbyeitheraroboticendeffector,achuck,orawand.-k7v:
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•卡盘痕迹-在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。
•CleavagePlane-Afractureplanethatispreferred.#d;
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•解理面-破裂面*N+r&
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•Crack-Amarkfoundonawaferthatisgreaterthan0.25mminlength.&
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•裂纹-长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。
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•Crater-Visibleunderdiffusedillumination,asurfaceimperfectiononawaferthatcanbedistinguishedindividually.4D#RZ;
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•微坑-在扩散照明下可见的,晶圆片表面可区分的缺陷。
•Conductivity(electrical)-Ameasurementofhoweasilychargecarrierscanflowthroughoutamaterial.
•传导性(电学方面)-一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。
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•ConductivityType-Thetypeofchargecarriersinawafer,suchas“N-type”and“P-type”.'
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•导电类型-晶圆片中载流子的类型,N型和P型。
•Contaminant,Particulate(seelightpointdefect)
•污染微粒(参见光点缺陷)/E1@&
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t-C%V8J,I
•ContaminationArea-Anareathatcontainsparticlesthatcannegativelyaffectthecharacteristicsofasiliconwafer.*[1|7i'
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•沾污区域-部分晶圆片区域被颗粒沾污,造成不利特性影响。
•ContaminationParticulate-Particlesfoundonthesurfaceofasiliconwafer.
•沾污颗粒-晶圆片表面上的颗粒。
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•CrystalDefect-Partsofthecrystalthatcontainvacanciesanddislocationsthatcanhaveanimpactonacircuit’selectricalperformance.
•晶体缺陷-部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。
•CrystalIndices(seeMillerindices)"
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•晶体指数(参见米勒指数).`.H1U/j"
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•DepletionLayer-Aregiononawaferthatcontainsanelectricalfieldthatsweepsoutchargecarriers.
•耗尽层-晶圆片上的电场区域,此区域排除载流子。
•Dimple-Aconcavedepressionfoundonthesurfaceofawaferthatisvisibletotheeyeunderthecorrectlightingconditions.!
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•表面起伏-在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。
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•Donor-Acontaminatethathasdonatedextra“free”electrons,thusmakingawafer“N-Type”..w/n5_+C8T*?
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•施主-可提供“自由”电子的搀杂物,使晶圆片呈现为N型。
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•Dopant-Anelementthatcontributesanelectronoraholetotheconductionprocess,thusalteringtheconductivity.DopantsforsiliconwafersarefoundinGroupsIIIandVofthePeriodicTableoftheElements.
•搀杂剂-可以为传导过程提供电子或空穴的元素,此元素可以改变传导特