模拟电子专业技术基础期末试题西安交大文档格式.docx
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V_,，故U亦导通。
但0不可能同时导通，所以比较Dl，D$可知V\2—VC’=IBV.V+i-V，!
=12Vt
于是D比“先导通.故U导通山阴=—6V*而D載止"
3.
故工作于饱和区
电路如图题所示，设BJT的^=80,Vbe=0.6V,Iceo、Vces可忽略不计，试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流lc。
Vrr.1?
*
瓜=詡=so>
^4X10A=038mA<
Iti
L：
—hs==3mA
&
当相连时，
JB=Vt；
VV■--吃严x10-M=6024mA<
b
JAbB3UU'
-
工作在线性放大区，因此
Ic=国⑪=80XCL024mA=L92mA
GSX相连时,Vb<
故BE结反向偏置再工作在截止区丄=0.
4.电路参数如图所示，FET工作点上的互导gm=1ms,设「d»
Rd。
⑴
画出电路的小信号模型；
（2）求电压增益Av;
⑶求放大器的输入电阻
Ri。
［解］仃）交流短路，故小信号等效电路如图22所示"
（2）由欧姆定律匚
K=-卧人-Rd*V,=亿,+臥于是，
aK_瓠地1xio
知=厉=_有恳用=_TTT5P
（3）输入电阻
R、=J+尺〃知）=3x山+成笛箴x%-签
5.电路如图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压Vo的值
［解］Al级级分级计算，4级胡D=0e_=琳=0所以g\—哲一wRti
碍=——石轴
A.级：
由虚短断知，—=v+=论所以
将卫=%代入上式整理得
R*
如-\r2十"
—0
所以输出电压:
）
R住尺任
%+瓦石如
“韵山+齡器X2皿
6.由运放组成的
BJT电流放大系数B的测试电路如图所示，设BJT
的Vbe=0.7V
（1）求出BJT的c、b、e各极的电位值；
（2）若电压表
［解］根据图可知汕4、巳各极电位分为
h+20
VE=-a7V在Ac级中由于
Si=%=V2所以，
由塩断和Ic=h=1mA*在A2级中，t?
+2==0,故V\=IeJG即
yo2
片=孑人=罟X10-s=①02mA
JxgLu
因此
一、选择题（每题2分，共20分）
（1）PN结加正向电压时，PN结将
A-变窄B.基本不变C.变宽
（2）稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后
者也正偏
（4）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体。
A五价B.四价C.三价
（5）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A增大B.不变C.减小
（6）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12卩A增大到22卩A时，
IC从1mA变为2mA，那么它的B约为。
A.83B.91100
（7）已知变压器副边电压有效值U2为10V，采用桥式整流RlC>
3（T/2）
（T为电网电压的周期）。
测得输出电压平均值U。
可能的数值为
A.14V氐12VC.9VD.4.5V
（8）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基
本不失真情况下，负载上可能获得的最大。
「交流功率B.直流功率C.交直流功率
（9）功率放大电路的转换效率是指。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比
最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
（10）在OTL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功
放管的集电极最大功耗约为。
A.1WB.0.5WC^0.2W
二、判断题（每题2分，共20分）
（1）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（X）
（2）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（“）
（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电
压，才能保证其Rgs大的特点。
（“）
（4）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（X）
（5）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；
（6）可以说任何放大电路都有功率放大作用；
（7）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；
（8）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；
（9）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；
（10）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任
何放大电路的输出都毫无变化；
三、计算题（每题10分，共60分）
1.有以下三种放大电路备用：
（1）高输入电阻型：
Ri1=1MQ,Avo1=10,Ro1=10kQ；
（2）高增益型：
Ri2=10kQ,Avo2=100,Ro2=IkQ；
（3）低输出电阻型：
Ri3=10kQ,Av03=1,Ro3=20Q。
用这三种放大电路组合，设计一个能在100Q负载电阻上提供至少0.5W功率的放大
器。
已知信号源开路电压为30mV，内阻为Rs=0.5MQ。
止¥
Z10X10y1--皿-%=ion?
x"
°
%
仏=陽半爲'
A%•"
诃=1004-20X1仏_105000v=50000v
=12■HTil—~132_“
几-瓦轧列-击怜而X503=山02VpiA=V^/Rk=（器『门00=氏574W>
0.5W*满足题目要求。
2.如图所示为稳压电路，已知稳压管的Izmax=20mA,Izmin=5mA,rz=10Q,Vz=6V，负载电阻最大值RLmax=10kQ。
⑴确定R;
⑵确定最小允许的Rl值；
（3）若Rl=IkQ,当Vi增加1V时，求AV。
值。
ffi1.37
例1（东南大学研究生入学试题）如圏2.37所示为稳压电路，已知稳压管的=20mAJ_-
5mA心=10n,Vz=6#侦戟电阻鼠大值耳…=10km
⑴确定戎/
（2）确定最小允许的碍”值；
/
（3）若尺=ikm当帖増抑iv时，求△讥值“/
［解］运用瘪压管反向击穿特性，若负載电阻增大，则讥增火，
通过调螯/；
大小使讥稳定样一定的范国内■:
等效韭路如图N買所示.
⑴当J?
L=J2|_时」H=IrtttH*
根憔电路基本定理’有
6+・吃一卩皿+P+；
二「心）R=10
由此解得R=1S4Q.
⑵当Rl最小时
将用=IR4O和/_n=5mA代人，可解得h=］7m\a所以，堆小允许的凤值为；
凤”=半=353U
*fl
⑶尽=lkfl时*
=0.05V
3.电路如图所示，已知
BJT的^=100,Vbe=-0.
该电路的静态工作点；
（2）画出简化的H参数小信号等效电路;
（1）试估算
（3）求该
电路的电压增益Av，输入电阻Ri、输出电阻Ro；
（4）若Vo中的交流成分出现图所示的失真现象，问是截止失真还是饱和失真？
为消除此失真，应调整电路中的哪个元件？
如何调整？
12V—0.7V人“A皿3X10^'
〜4°
mA
Ze=BIb~100X40yA=4mA
VEc=I〈Rc=—Vcc,
即Uec+4X2=12,所以=—4V。
（2）小信号等效模型如图3.21所示。
（3）根据图3.21：
rb«
200Q+（1+0）字=856.50
Av=—P
厂be
Rj/_100xr+1x103
856.5
输入阻抗
R=Rb〃厂be，
因为
Rb>
>
厂z尽~仏=856.50
输出电阻
Ro=Rc=2kQ
⑷由于T为BJT管，故当血大于某一值如VB>
-0.7V时,％b<
0.7V,则T截止,故出现截止失真,应减小Rb,使得基极电压直流分量下降，可以消除失真。
諾册=討
5.电路如图所示，设运放是理想的，试求Vol、Vo2及Vo的值。
=Vi=4V因2ID3=0,则
由KCL定律;
5）1—J5龙一J_一如+J
=5V
6.积分电路如图所示，设运放是理想的，已知初始状态时Vc（O）=O,
试回答下列问题：
（1）当R1=100kQ、C=2卩F时，若突然加入Vs（t）=1
V的阶跃电压，求1s后输出电压Vo值，
（2）当R1=100kQ,C=0.47
和回零时间。
图&
13
［解］图8.13（a）为积分电路，由虚断和虚短:
础一P-畑—亠血
~・1・・■
R—E
1
C；
电容的作用：
Vc（；
）一Vc（0）=寺］icdt——Vc（0）=y?
所以
—7.66+7.66=0V
于是的波形图&
14所示，回零吋间即为120ms
信号与系统第3、4、5章练习
一、填空题
1.Mt）的傅里叶变换结果=
、：
（t-1）的傅里叶变换结果=
2.cos4t的拉普拉斯变换的结果二
3.1对应的原函数（拉普拉斯逆变换）是什么二
s
4.的傅里叶逆变换结果是
j⑷+2
5.已知系统函数H（s）=—^3一，则其初值仃0丄）=
（s+1）（s_2）
其终值f®
）=
二、用所学的性质与理论阐述“信号抽样”的大致过程与原理。
用所学的性质与理论阐述“调制解调”的大致过程与原理
三、作图题
1、请给出电感的S域模型（包含有初始状态与无初始状态两种情况）
2、请给出电容的S域模型（包含有初始状态与无初始状态两种情况）
3、已知系统函数H（s）s—
（s+1）（s—2）'
（1）画其零极点分布图；
（2）判断该系统是否稳定？
（3）判断是否为最小相移系统？
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