基于LTCC工艺的设计规范总结Word格式.docx
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3.电阻率:
>
at100DVCΩ
5.层数:
最多30层
6.每层层厚:
0.1mm
7.导体厚度:
0.01mm
8.孔径:
最小直径0.1mm可选6mil8mil10mil12mil
9.密度:
Density
3.2
10.镀金属:
铜(Cu)顶层:
嵌入其中,中间层:
上下各嵌入50%
过孔镀银(Ag)
11.基板尺寸(最大)
105mm×
105mm
12.生瓷片精度
横向平面精度:
±
5um
众向生瓷精度:
10um
2.导体线宽和间距
建议尺寸最小尺寸
A
B
C
顶层
45um
内层
100um
Note:
可能的情况下推荐更大的间距,密度过大或者焊盘过近将造成潜在的短路问题
相关参数:
网印最小线宽/间距100um/100um直描最小线宽/间距50um/75um
蚀刻最小线宽/间距45um/45um
3.导体到基板边缘的间距/和腔体间隙
推荐尺寸最小尺寸
4.电气过孔
214的可选通孔直径为:
6mils、8mils、10mils、12mils
互连通孔最小直径:
0.1mm
5.同层通孔间距
A一般取3倍于孔径尺寸
注意:
散热和RF通孔排除在此标准外
相关参数:
互连通孔最小节距:
0.3mm
6.过孔托盘
在通孔上面和下面的托盘必须以一定的距离与通孔的所有边都重叠,除非密集布线情况时不允许使用此方法(通孔直接与导线相连)
7.基板边缘电气通孔
A值推荐3~4倍于通孔直径,最小为18~25mil
8.器件安装处通孔分布
当设计的密度需要长的通孔串时,通孔必须交错分布以防发生突然折断的裂缝。
层与层直接的电气通孔之间的交错连接:
通孔采取垂直方向的交错(Z字型),以使传送通道(routingchannels)的封闭(blockage)降到最小,并减小通孔的“加速效应”(postingeffect)。
以下是交错通孔技术的示例:
可接受的Z字形推荐的阶梯型堆叠通孔
通孔堆栈:
说明:
电连接建议使用交错通孔,在特别情况下,在同一通孔处最多可以通孔15层。
9.地和电源面板
大面积的裸露导体区域,比如面板,必须是实心的。
烧结板在所有可能的地方应该网格化。
铺地的区域必须是实心的,以此在需要时提供对传输线或其他关键信号线的保护。
所有铺地板的边缘(在基板的周围和腔体附近)都必须造成城形,来提升生瓷带层与层之间的迭片结构的粘合性。
相邻层之间的面板的栅格形状必须是可以相互抵消(offset)的,使基板顶层和地层表面较为平整
接地板的网格应尽可能的大来减小多余增量和损耗,对于大面积地面/电源面,建议使用栅格形式,对于特别情况,局部可以使用面地面/面电源面。
10.空腔
空腔底部导体与空腔壁之间的间隙
如果有必要,底部导体的电气连接可以穿过空腔壁,但是不能超过壁长的25%,最大50%,城形的金属化设计可以用来满足该设计。
裸露/烧结导体到腔体壁之间的间隙
11.通孔与腔体的间隙
通孔和腔体壁之间的间隙
连接架
在设计确认前应该检查连接架上的空腔壁高度
12.空腔与空腔的间隔:
最小尺寸
注意:
1.烧结腔体壁长度不应超过500mils
2.烧结前的经机械加工的腔体壁长度不能超过2inches
3.最少腔体深度是一层生瓷片,连接架是经过考虑的腔体构成的。
4.需要检查