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DDR2与DDR的区别：

在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。

这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。

换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。

也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：

在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。

举例来说，DDR200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。

实际上，DDR2-400和DDR400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。

这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。

而DDR2内存均采用FBGA封装形式。

不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和PostCAS。

OCD（Off-ChipDriver）：

也就是所谓的离线驱动调整，DDRII通过OCD可以提高信号的完整性。

DDR

II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。

使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；

通过控制电压来提高信号品质。

ODT：

ODT是内建核心的终结电阻器。

我们知道使用DDR

SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。

它大大增加了主板的制造成本。

实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；

终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。

因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。

DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。

使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

PostCAS：

它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。

在Post

CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive

Latency）后面保持有效。

原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive

Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。

由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决

接口类型

　　接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的，金手指上的导电触片也习惯称为针脚数（Pin）。

因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。

笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；

台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。

对应于内存所采用的不同的针脚数，内存插槽类型也各不相同。

目前台式机系统主要有SIMM、DIMM和RIMM三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在SIMM和DIMM插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。

金手指

　　金手指（connecting

finger）是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。

金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。

金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。

不过因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替，从上个世纪90年代开始锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。

内存金手指

　　内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换，是内存的输出输入端口，因此其制作工艺对于内存连接显得相当重要。

内存插槽

　　最初的计算机系统通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用DIP（Dualln-line

Package，双列直插式封装）封装，DIP芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。

DIP芯片有个最大的问题就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。

随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。

最终导致接触不好，产生内存错误。

　　早期还有另外一种方法是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了DIP芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板，此种方法付出的代价较大，也极为不方便。

　　对于内存存储器，大多数现代的系统都已采用单内联内存模块（SingleInlineMemoryModule，SIMM）或双内联内存模块（DualInlineMemory，DIMM）来替代单个内存芯片。

这些小板卡插入到主板或内存卡上的特殊连接器里。

DIMM与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。

同样采用DIMM，SDRAM的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAMDIMM为168PinDIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；

DDRDIMM则采用184PinDIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。

卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。

DDR2DIMM为240pinDIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDRDIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDRDIMM稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进DDR2DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDRDIMM的，因此在一些同时具有DDRDIMM和DDR2DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。

不同针脚DIMM接口对比

　　为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM（SmallOutlineDIMM

Module）也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。

同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。

此外笔记本内存还有MicroDIMM和Mini

RegisteredDIMM两种接口。

MicroDIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin；

Mini

RegisteredDIMM接口为244pin，主要用于DDR2内存。

　　RIMM是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型，RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。

RIMM有也184

Pin的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。

RIMM非ECC版有16位数据宽度，ECC版则都是18位宽。

由于RDRAM内存较高的价格，此类内存在DIY市场很少见到，RIMM接口也就难得一见了。

RDRAM内存

内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数。

内存容量以MB作为单位，可以简写为M。

内存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，一般而言，内存容量越大越有利于系统的运行。

目前台式机中主流采用的内存容量为256MB或512MB，64MB、128MB的内存已较少采用。

系统对内存的识别是以Byte（字节）为单位，每个字节由8位二进制数组成，即8bit（比特，也称“位”）。

按照计算机的二进制方式，1Byte=8bit；

1KB=1024Byte；

1MB=1024KB；

1GB=1024MB；

1TB=1024GB。

系统中内存的数量等于插在主板内存插槽上所有内存条容量的总和，内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定。

不同主板芯片组可以支持的容量不同，比如Inlel的810和815系列芯片组最高支持512MB内存，多余的部分无法识别。

目前多数芯片组可以支持到2GB以上的内存。

此外主板内存插槽的数量也会对内存容量造成限制，比如使用128MB一条的内存，主板由两个内存插槽，最高可以使用256MB内存。

因此在选择内存时要考虑主板内存插槽数量，并且可能需要考虑将来有升级的余地。

内存电压

　　内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。

SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；

SDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；

而DDR2

SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右。

具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了，但都会遵循SD