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目前该分析方法在日常表面分析工作中的份额约是一种最主要的表面分析工具。
已从原来的激发能固定的射线XPS谱仪技术发展方面也取得了巨大的进展。
在射线源上，X在射线源也发展X源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源；
传统的固定式射线的束斑直径也实现了微型化，最小的束斑X到电子束扫描金属靶所产生的可扫描式X射线源；
技术的发展，XPS在微区分析上的应用得到了大幅度的加强。
图像XPS直径已能达到6?
m大小,使得也从传统的单通道电子倍在谱仪的能量分析检测器方面，大大促进了XPS在新材料研究上的应用。
计算机使得检测灵敏度获得了大幅度的提高。
增器检测器发展到位置灵敏检测器和多通道检测器，系统的广泛采用，使得采样速度和谱图的解析能力也有了很大的提高。
同适合于有关涉及到表面元素定性和定量分析方面的应用，由于XPS具有很高的表面灵敏度，
还可以进行薄配合离子束剥离技术和变角此外，XPS技术，样也可以应用于元素化学价态的研究。
方法可广泛应用于化学化工，材料，机械，电子材料等膜材料的深度分析和界面分析。
因此，XPS领域。
方法原理射线光电子能谱基于光电离作用，当一束光子辐照到样品表面时，光子可以被样品中某一元X以一定的动能从原子内部发射出来，使得该电子脱离原子核的束缚，素的原子轨道上的电子所吸收，在光电离过程中，固体物质的结合能变成自由的光电子，而原子本身则变成一个激发态的离子。
可以用下面的方程表示：
?
h?
-（）-E=Esbk,eV;
出射的光电子的动能式中E?
kh?
；
X射线源光子的能量?
eV；
特定原子轨道上的结合能,eVE?
b,eV。
谱仪的功函?
s谱仪的功函主要由谱仪材料和状态决定，对同一台谱仪基本是一个常数，与样品无关，其平均值为3～4eV。
在XPS分析中，由于采用的X射线激发源的能量较高，不仅可以激发出原子价轨道中的价电子，还可以激发出芯能级上的内层轨道电子，其出射光电子的能量仅与入射光子的能量及原子轨道结合其光电子的能量是特征的。
当固定激发能有关。
因此，对于特定的单色激发源和特定的原子轨道，
我们可以根据光因此，源能量时，其光电子的能量仅与元素的种类和所电离激发的原子轨道有关。
电子的结合能定性分析物质的元素种类。
射线作为激发源，光子的能量足够促使除XXPS谱仪中，一般采用的MgK和AlK在普通的?
?
技术是一种可以对所有XPS氢、氦以外的所有元素发生光电离作用，产生特征光电子。
由此可见，元素进行一次全分析的方法，这对于未知物的定性分析是非常有效的。
可以从样品表面出射的光电子的强度是与样品中该原子的浓度有线性关系，经X射线辐照后，还与光电子的平均自由利用它进行元素的半定量分析。
鉴于光电子的强度不仅与原子的浓度有关，技程、样品的表面光洁度，元素所处的化学状态，X射线源强度以及仪器的状态有关。
因此，XPS由于元素的灵敏度因子不仅术一般不能给出所分析元素的绝对含量，仅能提供各元素的相对含量。
因此不经校准测得的与元素种类有关，还与元素在物质中的存在状态，仪器的状态有一定的关系，是一种表面灵敏的分析方法，具有很高的表面XPS相对含量也会存在很大的误差。
还须指出的是，-3是一种表面灵敏的XPS原子单层，但对于体相检测灵敏度仅为%左右。
检测灵敏度，可以达到10，它提供的仅是表面上的元素含量，与体相成分会有很大的差nm分析技术，其表面采样深度为～别。
而它的采样深度与材料性质、光电子的能量有关，也同样品表面和分析器的角度有关。
但由于原子外层电子的屏蔽虽然出射的光电子的结合能主要由元素的种类和激发轨道所决定，这种结效应，芯能级轨道上的电子的结合能在不同的化学环境中是不一样的，有一些微小的差异。
元素获得合能上的微小差异就是元素的化学位移，它取决于元素在样品中所处的化学环境。
一般，XPS该元素的结合能降低。
反之，当该元素失去电子时，化学价为正，额外电子时，化学价态为负，利用这种化学位移可以分析元素在该物种中的化学价态和存在形式。
元素的化学的结合能增加。
价态分析是XPS分析的最重要的应用之一。
仪器结构和工作原理18.3
谱仪的基本结构18.3.1XPS射线光电子能谱的方框图。
XPS方法的原理比较简单，但其仪器结构却非常复杂。
图是X虽然射线激发源、离子源、能量分析系X射线光电子能谱仪由进样室、超高真空系统，X从图上可见，具体的操作方法详见仪统及计算机数据采集和处理系统等组成。
下面对主要部件进行简单的介绍。
器操作使用说明书。
X射线光电子能谱仪结构框图图超高真空系统18.3.2是一XPSX射线光电子能谱仪中必须采用超高真空系统，主要是出于两方面的原因。
首先，在在很短的时间内试样的清洁表面就可以被真空中的残如果分析室的真空度很差，种表面分析技术，如果真空度较差，光电子很容易与余气体分子所覆盖。
其次，由于光电子的信号和能量都非常弱，射线光电子能谱仪中，在X真空中的残余气体分子发生碰撞作用而损失能量，最后不能到达检测器。
-8Pa103，一般采用三级真空泵系统。
前级泵一般采用旋转机械泵×
为了使分析室的真空度能达到-2Pa；
采用油扩散泵或分子泵，可获得高真空，极限真空度或分子筛吸附泵，极限真空度能达到10-8-9Pa。
这几；
而采用溅射离子泵和钛升华泵，可获得超高真空，极限真空度能达到10能达到10Pa种真空泵的性能各有优缺点，可以根据各自的需要进行组合。
现在的新型X射线光电子能谱仪，普遍采用机械泵-分子泵-溅射离子泵-钛升华泵系列，这样可以防止扩散泵油污染清洁的超高真空分析室。
18.3.3快速进样室
X射线光电子能谱仪多配备有快速进样室，其目的是在不破坏分析室超高真空的情况下能进行-3Pa10105快速进样。
快速进样室的体积很小，以便能在～分钟内能达到的高真空。
有一些谱仪，把快速进样室设计成样品预处理室，可以对样品进行加热，蒸镀和刻蚀等操作。
．
射线激发源18.3.4XX射线，光子能量为在普通的XPS谱仪中，一般采用双阳极靶激发源。
常用的激发源有MgK?
而经单色化处理以eV,射线，光子能量为eV和AlKXeV。
没经单色化的X射线的线宽可达到?
射线的强射线中的杂线和韧致辐射。
但经单色化处理后，后，线宽可降低到XeV，并可以消除X度大幅度下降。
离子源18.3.5
谱仪中，XPS在XPS中配备离子源的目的是对样品表面进行清洁或对样品表面进行定量剥离。
在离子源由于不能进行扫描剥离，Ar常采用Ar离子源。
离子源又可分为固定式和扫描式。
固定式Ar对样品表面刻蚀的均匀性较差，仅用作表面清洁。
对于进行深度分析用的离子源，应采用扫描式离子源。
Ar能量分析器18.3.6
半球型能量分X射线光电子的能量分析器有两种类型，半球型分析器和筒镜型能量分析器。
而筒镜型能量分析谱仪上。
析器由于对光电子的传输效率高和能量分辩率好等特点，多用在XPS
由于器由于对俄歇电子的传输效率高，主要用在俄歇电子能谱仪上。
对于一些多功能电子能谱仪，的共用性和使用的则重点，选用能量分析器主要依据那一种分析方法为主。
以考虑到XPS和AESXPS为主的采用半球型能量分析器，而以俄歇为主的则采用筒镜型能量分析器。
18.3.7计算机系统商用谱仪均采用计算机系统来控制谱仪和射线电子能谱仪的数据采集和控制十分复杂，由于X数据的复杂性，谱图的计算机处理也是一个重要的部分。
如元素的自动标识、XPS采集数据。
由于半定量计算，谱峰的拟合和去卷积等。
实验技术样品的制备技术18.4.1
射线能谱仪对分析的样品有特殊的要求，在通常情况下只能对固体样品进行分析。
由于涉及X到样品在真空中的传递和放置，待分析的样品一般都需要经过一定的预处理，分述如下：
18.4.1.1样品的大小穿过超高真空隔离阀，送进样品分析室。
因此，样品由于在实验过程中样品必须通过传递杆，的尺寸必须符合一定的大小规范，以利于真空进样。
对于块状样品和薄膜样品，其长宽最好小于。
对于体积较大的样品则必须通过适当方法制备成合适大小的样品。
但在制高度小于5mm10mm,
备过程中，必须考虑处理过程可能对表面成分和状态的影响。
18.4.1.2粉体样品另一种对于粉体样品有两种常用的制样方法。
一种是用双面胶带直接把粉体固定在样品台上，
前者的优点是制样方便，样品用量少，预抽到高是把粉体样品压成薄片，然后再固定在样品台上。
如后者的优点是可以在真空中对样品进行处理，真空的时间较短，缺点是可能会引进胶带的成分。
缺点是样品用量太大，抽到超高真空的时间加热，表面反应等，其信号强度也要比胶带法高得多。
太长。
在普通的实验过程中，一般采用胶带法制样。
含有有挥发性物质的样品18.4.1.3
一般可以通过对在样品进入真空系统前必须清除掉挥发性物质。
对于含有挥发性物质的样品，样品加热或用溶剂清洗等方法。
18.4.1.4表面有污染的样品
对于表面有油等有机物污染的样品，在进入真空系统前必须用油溶性溶剂如环己烷，丙酮等清洗掉样品表面的油污。
最后再用乙醇清洗掉有机溶剂，为了保证样品表面不被氧化，一般采用自然干燥。
18.4.1.5带有微弱磁性的样品在微弱的磁场作用下，也可以发生偏转。
当样品具有磁性时，由样品由于光电子带有负电荷，
表面出射的光电子就会在磁场的作用下偏离接收角，最后不能到达分析器，因此，得不到正确的谱。
此外，当样品的磁性很强时，还有可能使分析器头及样品架磁化的危险，因此，绝对禁止XPS可以通过退磁的方法去掉样品的微弱磁带有磁性的样品进入分析室。
一般对于具有弱磁性的样品，性，然后就可以象正常样品一样分析。
18.4.2离子束溅射技术常常利用离子枪发出的离子束对样为了清洁被污染的固体表面，在X射线光电子能谱分析中，然而，离子束更重要的应用则是样品表面组分的深度分析。
利用品表面进行溅射剥离，清洁表面。
这样就可以获得元素成分沿分析表面成分，离子束可定量地剥离一定厚度的表面层，然后再用XPS离子源。
扫描离子束的束斑Ar深度方向的分布图。
作为深度分析的离子枪，一般采用～5KeV的。
为了提高深度分辩率，一般应采用间断范围，溅射速率范围为～50nm/min直径一般在1～10mm为了降低离子束的择优溅射效应溅射的方式。
为了减少离子束的坑边效应，应增加离子束的直径。
离子束的溅射还原作用可以应提高溅射速率和降低每次溅射的时间。
分析中，在XPS及基底效应，等。
在研究溅Ti,Mo,Ta改变元素的存在状态，许多氧化物可以被还原成较低价态的氧化物，如离子束的溅射速率不此外，射过的样品表面元素的化学价态时，应注意这种溅射还原效应的影响。
一般的深度分析所给出的深度值均还与
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