集成电路产业专题报告剖析IC产业内循环新机遇Word格式文档下载.docx

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坚定优化产业结构，重视研发及教育投入奠定产业升级坚实基础

2008年以来，随着人口红利逐步弱化、劳动力成本上升、汇率升值压力显现，依靠出口贸易拉动经济增长的模式受到一定程度的挑战，在此背景下，实体经济更多地借助资产负债表的扩张以驱动利润增长。

国内的预算软约束、土地财政发展和房价快速上涨造成地方政府、房地产企业等资金需求方对于利率不敏感，金融的价格在资产负债扩张过程中不断上升，抬升了实体企业的融资成本，对企业在投资新项目时的预期收益率提出了更高要求。

根据国家统计局数据，我国建筑业与房地产业城镇就业总人数自2009年起快速提升，显著高于同期制造业就业人数的增速水平。

截至2018年末，我国城镇建筑业与房地产业城镇就业总人数达到3177万人，较2005年增加196%，而同期我国制造业城镇就业总人数累计增幅仅有30%。

与此同时，2009年起我国房地产GDP贡献也呈现快速上升态势，2019年末达到7.03%，较2008年的4.57%提升2.45pct。

由于短期的资产负债扩张需要长期的利润回报、现金回报进行维系，因此在投资边际收益下降的前提下就对降低社会预期收益率、降低融资成本，同时促进经济结构向高科技产业转型以提升经济发展效率提出了迫切需求。

2016年至今，政府针对房地产产业一以贯之的“因城施策”、“房住不炒”的调控方针正显示了政府优化产业结构的坚定决心。

我们认为，在中国经济由重增速向重质量切换过程中，以工程师红利支撑的科技产业本就担负着实现经济结构升级、跨越中等收入陷阱的长期使命。

回顾日本、韩国等地的发展历程可见，集成电路产业在其由“贸易立国”向“科技立国”转型升级的过程中都扮演着举足轻重的角色。

考虑当前中美贸易摩擦的时代背景，通过新型举国体制优势强化科技产业中关键环节/关键领域/关键产品保障能力已逐步上升至“国家意志”层面，8月4日国务院发布的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》正是这一意志的具体彰显，我们认为，在财税/投融资/研究开支/进出口/人才/知识产权/市场应用/国际合作等政策促进下，集成电路产业有望迎来资源的充分涌流，逐步成为科技产业“内循环”的硬件基础。

中国的研发费用占GDP比重领先多数中/低收入国家，基础研究占比稳中有升

根据Wind数据，2018年中国的研发费用达到1.97万亿，占GDP比重为2.19%，接近作为高收入国家的新加坡在2015年的水平（2.18%）与韩国在2000年的水平（2.18%），明显高于巴西（1.26%，2017年）、泰国（1.00%，2017年）、南非（0.83%，2017年）、马来西亚（1.44%，2016年）等中、低收入国家。

从国内研发费用的结构来看，基础研究占比稳中有升，企业资金占比快速提高，全社会研发投入的质量和效率均得到一定程度改善。

根据Wind数据，2019年研发经费总支出同比增长10.5%至2.17万亿，其中基础研究经费占比5.6%。

2018年政府、企业投入的研发经费分别为3979亿元、15079亿元，占比分别为20.2%、76.6%，其中企业投入占比较2002年提升21.6pct。

为建设创新型国家和世界科技强国，国家在“十三五”规划中明确提出到2020年，研发费用占GDP比重将从2015年的2.1%提高至2.5%（届时将接近美国当前水平），全国研发经费支出从1.42万亿元增加至2.32万亿元，5年累计投资11.22万亿元，相当于“十二五”时期的1.93倍。

中国正在将人口红利转变为工程师红利，平均受教育年限接近日、韩经济腾飞前的水平

在劳动力成本提升，人口红利逐渐弱化的经济环境中，部分人力资本密集型的加工制造企业正将生产基地迁往东南亚等地区，中国电子产业的核心驱动力迫切需要实现由人口红利向工程师红利的切换，从而向微笑曲线的两端延伸。

根据Wind数据，2012年以来全国每年新增教育经费投入逾2万亿元，2019年全国公共财政教育经费（包括教育事业费，基建经费和教育费附加）同比增长8.5%至3.49万亿，占公共预算支出比重为14.6%，占GDP比重为3.5%。

根据18年3月《政府工作报告》数据，在劳动力市场上2017年我国劳动年龄人口平均受教育年限为10.5年，其中2016年新增劳动力平均受教育年限为13.3年。

根据《国家中长期教育改革和发展规划纲要（2010-2020年）》，目标到2020年我国新增劳动力平均受教育年限从12.4年提高到13.5年；

主要劳动年龄人口平均受教育年限从9.5年提高到11.2年，其中接受高等教育的比例达到20％以上，届时将接近如前所述的跨越中等收入陷阱前夕的日本、韩国的比例。

我国R&

D人员总量已处全球领先地位，有望借助工程师红利复制日本、韩国的跨越式发展轨迹。

根据国家统计年鉴的全时当量（全时人员数加非全时人员数按工作量折算为全时人员数的总和）数据，2013年我国R&

D人员总量达353.3万人年，超过美国居世界第一位，2018年我国R&

D人员全时当量进一步增长到461万人年。

韩国：

以半导体国产替代立科技之国，跨越中等收入陷阱创造汉江奇迹

根据2006年世界银行《东亚经济发展报告》定义，“中等收入陷阱”是指中等收入国家因劳动力成本不能与低收入国家竞争、技术水平不能与高收入国家竞争而落入经济停滞/后退发展阶段。

尽管世界银行对高/中/低等收入国家的划分标准基于世界经济发展有所调整，但中等收入陷阱却在多个国家的发展历程中重演。

据世界银行统计，在1960年的101个中等收入经济体中，仅13个于2009年跨越中等收入陷阱成为高收入经济体。

我们认为，依靠出口自然资源或主要依靠低成本劳动力发展制造业的增长模式在中等收入阶段面临瓶颈，而真正实现“贸易立国”到“技术立国”的转变才是突破中等收入陷阱的关键所在。

根据Wind数据，2018年韩国GDP构成中制造业占比从1953年的7.9%增长至29.2%，成为韩国仅次于服务业的经济支柱。

根据世界银行收入等级划分及Wind数据，1977年韩国人均GNI超过930美元成为中等收入国家，1987年人均GNI突破3000美元进入上中等收入国家行列；

1995年人均GNI突破1.2万美元，由此跨越中等收入陷阱成为高收入国家。

而通过回顾韩国1953年朝韩之战结束后至今的发展历程，我们发现韩国经济发展可分为四个阶段，其中第一阶段（1953-1961年）战后重建期通过出售美国所给予的援资度过难关、以及第二阶段（1962-1969年）的“出口导向”策略推动本土工业产品自给能力为韩国后续发展奠定良好的产业基础；

而以“国退民进”推动经济结构转型的第三阶段（1970-1979年）和以“技术立国”为策略全力支持半导体国产替代的第四阶段（1980年至今）成为推动韩国经济腾飞的重要转折时期。

在此过程中，韩国经济结构从政府主导转为市场经济下的民企主导，韩国本土企业之间的专利共享、互惠合作也进一步巩固韩国作为科技强国在全球的市场地位。

在“科技立国”战略推动下，韩国的科技产业迎来快速发展，半导体及3C产品成为韩国重要出口商品。

根据韩国KDI数据，1990/2000年电子行业总产值在韩国制造业中的占比为12.8%/18.3%，位列第一；

1971-1984年、1985-1990年、1991-2000年三阶段韩国电子行业产值的年复合增速分别为19.5%、24.1%、31.7%，是制造业领域增速最快的细分行业。

根据韩国对外贸易协会数据，1961-2000年，韩国主要出口品从1961年的铁矿石（13.0%）、1980年的服装（16.0%）向半导体（12.4%）、计算机（8.5%）以及手机（8.5%）等技术密集型产品转变。

2019年财富世界500榜单中，韩国共有16家企业上榜，其中科技型企业三星电子（005930KS，无评级）韩国排名第一、全球排名第15。

日本：

VLSI研发联合体是举国体制打造本土半导体产业链的先行者

政府发起的研究联盟成为日本半导体产业技术赶超的发动机。

日本通商产业省（日本旧中央省厅之一，承担着宏观经济管理职能）于1976年牵头成立了VLSI研发联合体，针对先进的64K、256K动态随机存取存储器（DRAM）基础技术进行集中攻坚。

我们认为，主要是三方面原因促成了该联合体的成立，其一为日本迫于美国的压力于1975年和1976年分别开放其国内的计算机和半导体市场；

其二为IBM公司在1975年开始着手开发以一百万兆超大规模集成电路芯片为基础的第四代未来系统计算机，它的成功将会严重威胁到日本国内公司的生存；

其三为VLSI研发所需资金庞大，若没有政府的强大支持，日本的半导体生产企业很难追赶上美国企业。

VLSI研发联合体由日本电气、三菱电气、富士通、日立、东芝和电气技术实验室组成，下设联合实验室和企业实验室。

联合实验室共有六个研究团队，定员100人左右，主要进行通用性和基础性的技术研究，其中日立、富士通、东芝各自独立牵头高精度加工设备研究室，三菱牵头处理技术，日本电气牵头检测和设备技术，电气技术研究室牵头晶体技术。

三个并列的高精度加工设备研究室的成员主要从室主任所在的企业中抽调，余下的两家企业分别加入其中；

另外三个研究室的成员，则尽量从五家参与企业中等额抽调。

企业实验室由CDL（计算机综合研究所，computerdesignlaboratory）和NTIS（日电东芝信息系统，NipponElectric-ToshibaInformationSystem）构成，各自分散在与其相关的公司内部，主要进行应用技术方面的研究。

VLSI研发联合体中适于由中立者担任的职务均由通产省出身的人员出任。

根据小宫隆太郎等1984年12月出版的《日本的产业政策》中的数据，VLSI组合从1976年设立起至1980年宣布解散为止的四年里，总事业费约为720亿日元。

其中由通产省补助金资助的数额为291亿日元，约占总事业费的40%。

其余事业费则由参加企业平均分担。

VLSI研发联合体的模式促进日本国内半导体全产业链跻身国际一线。

VLSI研发联合体首先在光刻装置和大口径晶圆的研制上取得了突破，成功地开发出了半导体加工过程中的关键设备——缩小投影型光刻装置，该设备在1980年前几乎全从美国进口，但从1985年开始，日本该设备的国际市场占有率即超过美国；

在1980年首次开发出口径达到8吋（200mmm）的晶圆。

与此同时，联合体促成日本在存储器生产销售领域大幅超越了美国，根据日本通产省数据，在1976-1980年里，该研究联盟共提出1200多项专利、300多项商业机密技术、发表了460篇科技论文，并成功突破了1微米加工制成。

以DRAM为例，1K、4K的DRAM是美国于1970、1972年研制出来的，但是16K的DRAM则是美、日于1976年同时研制出来的，到了64K的