太赫兹波的发射与探测.docx
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太赫兹波的发射与探测
论文题目:
太赫兹波的发射与探测
毕业论文原创性声明
本人郑重声明:
所呈交的毕业论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。
除文中已经注明引用的内容外,本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。
对本文的研究做出重要奉献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。
本人完全意识到本声明的法律结果,如违反有关规定或上述声明,愿意承当由此产生的一切后果。
作者签字:
摘要
本文主要概述介绍了太赫兹波的在电磁波中位置,概述利用光整流、光电导天线、参量振荡、空气等离子体等方式产生太赫兹波,以及利用电光取样、光电导天线等探测THz波的方法。
简单的论述了THz时域光谱技术在某些各领域的应用。
关键词:
太赫兹波产生探测时域光谱应用
1绪论1
〔一〕太赫兹波在电磁波中的位置1
〔二〕太赫兹波的性质2
2太赫兹波的发射4
〔一〕光导天线4
〔二〕光整流方法5
〔三〕空气产生太赫兹波7
〔四〕太赫兹参量源7
〔五〕光泵浦太赫兹激光器8
3太赫兹波的探测10
〔一〕光电导取样10
〔二〕电光取样11
4太赫兹波的应用13
〔一〕THz波与物质相互作用13
〔二〕太赫兹波重要方面的应用13
参考文献17
致谢19
一绪论
太赫兹波技术的兴起,带来新兴技术的革新。
太赫兹波作为电磁波谱的新开发的一个频率窗口,由于在物理,化学,生物医学,通信,平安检查等各方面都有广阔的应用前景,自发现以来太赫兹辐射源和探测器的研究在不断的取得新的进展,极大的促进了太赫兹技术的研究和开展。
〔一〕太赫兹波在电磁波中的位置
太赫兹波通常指的是频率在0.1THz---10THz范围内的电磁辐射.从频率看,该波段位于毫米波和红外线之间•属于远红外波段;从能量上看,在电子和光子之间,在电磁波频谱上,如图1-1所示,太赫兹波段两侧的红外和微波技术已经非常成熟,但是太赫兹技术根本上还是一个“空白〞。
究其缘由是因为在此频段上,即不完全适合用光学理论来处理,也不完全适合微波的理论来研究,从而也就形成了科学家们通常所说的“太赫兹空隙〞。
这一波段也成为电磁波谱中有待进行全面研究的最后一个频率窗口。
近十几年来,伴随着一系列的新技术、新材料的开展和应用,尤其是超快激光技术的开展,如掺钛蓝宝石激光器的问世和迅速的商业化,为宽带相干脉冲THZ辐射的产生提供了稳定、可靠的激发光源,并使之成为一种容易实现的准常规技术。
这种基于超快激光技术的相干脉冲THZ源
的问世和广泛使用,极大地推动了THZ畐射产生机理、检测技术和应用技术的蓬勃开展,使这一研究成为光物理等学科的重要前沿领域。
electronicsTHzphotonics
〔二〕太赫兹波的性质
目前,国际上对太赫兹辐射已达成如下共识,即太赫兹是一种新的,有很多独特优点的辐射源:
太赫兹技术是一个非常重要的交叉前沿领域,给技术创新,国民经济开展和国家平安提供了一个非常诱人的机遇。
它之所以能够引起人们广泛的关注,有如此之多的应用,首先是因为物质的太赫兹光谱〔包括透射谱和反射谱〕包含丰富的物理信息和化学信息,所以研究物质在该波段的光谱对于物质结构的探测有重要的意义;其次是因为太赫兹脉冲光源与传统光源相比拟具有很多独特的性质。
1.THz波的波长处于微涉及红外光之间。
因此,它和物质的相互作用具有独特的物理机制,并呈现出很多新的特点。
以光谱探测和成像技术为例,和其它波段的电磁波相比,如可见光和X射线等,在很多实际应用中,具有非常强的互补特征。
2.利用飞秒激光产生的THz波的典型脉宽在亚皮秒量级,可以对很多超快的动态过程进行亚皮秒、甚至飞秒时间分辨的瞬态光谱研究。
利用这种辐射源的高度相干性和适宜的取样测量技术,可以有效地防止背景热辐射噪音的干扰。
目前,对THz辐射强度测量的信噪比可大于1010,因此可以实现高灵敏度的测量。
3.基于飞秒激光技术的脉冲THz辐射是由相干电流驱动的偶极子振荡产生、或是
由相干的激光脉冲通过非线性光学差频产生的,因此具有很高的时间和空间相干性。
现有的THz检测技术可以同时直接测量振荡电磁场的振幅和位相。
这一特点在研究材料的瞬态相干动力学问题时具有极大的优势。
4.THz波的光子能量低。
频率为1THz的电磁波的光子能量只有大约4meV约为X射线光子能量的百万分之一,因此一般不会对生物组织产生有害的电离,特别适合于对生物组织进行无损的活体检查。
如利用THz时域谱技术研究各种生物样品的特性,进行DN合蛋白质的鉴别和结构分析等。
从各种物质和材料在THz波段的响应来看,物质的THz光谱〔包括发射、反射和透射〕包含有丰富的物理和化学信息,如凝聚态物质的声子和其它元激发的频率很多就落在这个频率区,大分子〔包括蛋白质等生物分子〕的振动光谱均在THz波段有很多特征峰,凝聚态物质和液体中的载流子对thz畐射也有非常灵敏的响应。
研究有关物质在这一波段的光谱响应,探索其结构性质及其所揭示的新的物理内容已成为一个新的研究方向。
此外,作为一种新型相干光源,thz畐射的独特性
质在物理、信息、材料和生物等领域具有广阔的应用前景,如凝聚态体系中的各种超快过程探测、宽带通讯、高速光电子器件、材料表征等,通过物质的太赫兹特征谱分析提供关于物质的化学及生物成分在无标记生物芯片、医学诊断等领域也有非常重要的潜在应用前景。
由此带动的交叉研究将会有力地推动和促进这些相关学科的进一步开展。
特别地,在凝聚态物理的研究中,太赫兹波段是一个非常重要的频谱。
因
为在THz波段中,包含了许多决定材料性质的重要特征能量,如半导体中激子(exciton)的束缚能,光学声子(opticalphonon)的频率、超导能隙,磁场作用下Landau能级间隔等,都落在这一波段中。
在科学开展史上,Tinkham等人
使用FTIR技术分析超导体在远红外波段的电导率,是直接证实BCS!
论的最重要的证据之一【1-4】,由此可见此波段在科学上的重要性。
其他如电子-声子散射,各种隧穿机制,在能量或时间尺度上,许多都与THz区域重叠。
随着高速信息时代的来临,半导体元器件的工作频率正在从GH向THz波段开展,这也使得研究半导体和其它材料在THz波段的响应更加具有实用价值。
二太赫兹波的发射
太赫兹辐射是太赫兹技术能否转化为现实生产力的关键环节,八十年代初,
Mourou及Auston等研究小组首先尝试将光电导开关所产生的电脉冲辐射耦合到自由空间,并使用另一偶极天线来接收【5-8】,从而开启了基于超短脉冲激光技术的THz辐射的研究。
随后,他们又研究了各种天线的发射机制【5—15】,其中尤其以Grischkowsky所创造的偶极天线最为重要【12】。
其后,Auston等研究小组又发现,将超短激光脉冲照射于不同的元件结构,发现在p—i—n二极管
结构【16】,delta掺杂砷化傢【17】,非对称耦合量子阱【18】,甚至未加偏压的半导体外表【19】均可产生频率在THz波段的电磁辐射,也就是THz脉冲辐射现象。
而大功率,高效率的THz发射源那么是THz时域光谱技术,THz诊断和成像技术以及THz雷达和通信能否成为投入实际应用的决定性因素。
如何才能有效的生产出大功率,高能量,高能效且能在室温下稳定运行的,宽带可调的太赫兹辐射源,以及如何将其方便,灵活的应用于日常的科研工作和实际生活中,已经成
为21世纪太赫兹领域的科技工作者追求的目标,以及他们迫切所要解决的实际问题。
虽然说现在依然缺少高功率,低造价和便携式的低温太赫兹光源,从而也就限制了太赫兹在实际中的应用,但是,仍有许多中光源可能成为其潜在的候选者。
本章主要讨论产生太赫兹脉冲的几种常用的光学方法:
与超短激光脉冲有关的产生宽带亚皮秒太赫兹辐射的光电导,光整流,等离子体四波混频〔即空气产生太赫兹〕,以及与晶格震动有关的太赫兹波参量源,太赫兹气体激光器等。
〔一〕光导天线
光电导方法就是使用高速光电导材料来作为瞬态电流源,从而向外辐射太赫
兹,如图〔a〕所示。
常用的光电导材料有:
高电阻率的砷化傢〔GaAs,磷化铟〔InP〕,以及用放射法制作的有缺陷的硅〔Si〕晶片。
光电导天线的根本原理是:
在这些光电导半导体材料外表淀积上金属电极制成偶极天线结构,如图〔b〕所
示。
金属电极在这里的作用是对这些光电导半导体施加偏压。
当超快激光〔光子
的能量要大于或等于该种材料的能隙,即hv_Eg〕打在两电极之间的光电导材料
上时,会在其外表瞬间〔10-14S量级〕产生大量的电子—空穴对。
这些光生自由载流子会在外加偏置电场和内建电场的作用下作加速运动,从而在光电导半导
体材料的外表形成瞬变的光电流。
最终这种快速的、随时间变化的电流会向外辐射出太赫兹脉冲。
THz咏冲
图2-1〔a〕光导天线受激辐射示意图,〔b〕光电导天线,也称偶极天线、Grischkowsky天线
此种太赫兹辐射系统的性能取决于三个因素:
光导体、天线的几何结构和泵浦激光的脉冲宽度。
目前应用于太赫兹技术中最多的光导体材料是Si和低温生
长的GaAs〔LT-GaAs〕材料。
而天线结构通常有赫兹偶极子天线、共振偶极子天线、锥形天线、传输线以及大孔径光导天线等。
由于偶极子天线的结构相对简单,所以在大多数实验当中都是采用这种结构的天线,示意图如图〔b〕所示。
另外,
材料的一些参数特性也会影响到最终所产生的太赫兹辐射的能量和频谱宽度。
如
假设要有效的辐射出太赫兹,光电流的快速增大和衰减是必需的。
所以,电子有效质量较小的半导体材料,如砷化铟〔InAs〕和InP是用来产生太赫兹很好的材料。
材料的最大迁移率也是一个重要的参数,但带内散射率或直接带隙半导体〔如GaAs的谷间散射对它限制很大。
此外,由于辐射能量主要是来源于以偏置静电场形式储存的外表能,所以偏置电场、激发光强的大小也能影响到太赫兹辐射的能量。
此外,如果要增大太赫兹信号功率,也可采用天线阵列来实现。
另一个重要的参数就是材料的击穿电场,这是因为击穿电场决定了可施加的最大电场。
利
用光电导发射装置可以产生相对较大的〔大约40卩W太赫兹辐射功率和相当宽的辐射带宽〔4THz〕。
〔二〕光整流方法
光整流是产生太赫兹脉冲的另一种机制,它是一种非线性效应,是电光效应
的逆过程。
如果入射到非线性介质中的是超短激光脉冲,那么根据傅立叶变换理论
可知,一个脉冲光束可以分解成一系列单色光束的叠加,这些单色光将会在非线
性介质中发生混合。
其中,由差频振荡效应会产生一个低频振荡的时变电极化场。
这个电极化场就可以辐射出太赫兹波来。
这是因为所辐射出的电磁波的频率上限与入射激光的脉宽有关,如果入射激光的脉宽在亚皮秒量级,那么辐射出的电磁波的频率上限就会在太赫兹量级,由此这种光整流效应被称作为亚皮秒光整流效应,或太赫兹光整流效应,如图2-2所示。
图2-2〔a〕利用光整流产生太赫兹,〔b〕太赫兹光整流效应的原理
光整流的物理过程是一个瞬间完成的过程,而产生的太赫兹辐射强度与非线性介质的极化电场强度P〔t〕的低频局部对时间的二阶偏导数成正比。
光整流的关键问题是位相匹配,它可以放大激光和太赫兹脉冲在非线性介质中的相互作用,并且能增强光整流的产生效果。
另外,非线性介质的非线性系数对所产生的太赫兹脉冲的振幅强度、频率分布以及光整流的转换效率,如GaAs材料,或经
由四阶极化系数张量,通过外表电场来耦合。
这一模型不但可以解释前面的晶体方向性的效应,也可以推广到低维结构如耦合量子阱等【20】。
所以,THz信号
的振幅强度和频率分别决定与激光脉冲的特征和非线性介质的性质,如激光脉冲
的强度和脉宽、介质的二阶非线性系数、损伤阈值、相位匹配和输出的耦合效率等【21】。
其中,介质的二阶非线性系数和晶体的切向和方位有关【22】。
如图〔a〕所示。
常用的非线性介质由LiNbQ、LiTaOs、有机晶体DAST半导体GaAsZnTeInP、InTe等。
用得最多的是ZnTe和GaAs而DAST那么是很
有潜力得有机介质,它是目前非线性效应最强的物质之一。
〔三〕空气产生太赫兹波
将超短强激光脉冲聚焦在周围空气中直接产生太赫兹的技术,近年来引起了
人们的广泛关注。
当高能量的超短激光脉冲聚焦在空气中时,焦点处的空气会发
生电离现象形成等离子体。
由此所形成的有质动力〔PonderomotiveForces〕会使离子电荷和电子电荷之间形成大的密度差,而且这种电荷别离过程会导致强有力的电磁瞬变现象的发生,从而辐射出太赫兹波来。
产生太赫兹波的主要机制是在空气等离子体中混合的①与2①光束发生的三阶非线性光学效应,即四波混频过程。
在空气中产生太赫兹波有三种结构,如图2-3所示。
如下图〔a〕光脉冲〔3或2宀〕在焦点位置产生空气等离子体;这个光电离的等离子体会辐射出太赫兹波,即有质动力驱动电子和离子产生太赫兹波。
b.采用非线性光学晶体〔透镜后放置BBC晶体〕产生二次谐波,再与基频波混合,通过三阶非线性光学效应产生强太赫兹波。
c.利用分色镜混合二次谐波与基频
波。
两束光的位相、振幅和偏振均可分别控制。
混合后,空气等离子体中的共振三阶非线性效应会产生强太赫兹波辐射。
太赫兹波的极性可以通过改变两束光波之间的位相〔通过时间延迟〕进行相干控制。
当光学脉冲总能量超过空气等离子体形成的阈值时,太赫兹场的振幅与基频波的脉冲能量成正比〔线性关系〕,与
二次谐波的脉冲能量的平方根成正比关系。
在四波混频过程中,当所有光波〔3、23及THz〕的偏振态均相同时产生的太赫兹效果最正确。
〔四〕太赫兹参量源
光学参量振荡是产生太赫兹辐射的另一机制,是基于光学参量效应的一种技
术。
太赫兹参量源通常有太赫兹参量发生器〔TPGTerahertz-WaveParametric
Generator〕和太赫兹参量振荡器〔TPQTerahertz-WaveParametricOscillator〕两种,二者之间的区别在于TPO有谐振腔,而TPG5有这样的选频结构。
结构分别如下列图所示。
太赫兹参量源是具有很高的非线性转换效率、结构简单、易小型化、工作可靠、易于操作、相干性好,并且能够实现单频、宽带、可调谐、可在室温下稳定运转的全固态太赫兹辐射源。
图2-4a〕太赫兹参量振荡器的结构原理图b〕使用硅棱镜阵列的太赫兹参量发生器
太赫兹参量源是利用晶格或分子本身的共振频率来实现太赫兹波的参量振荡和放大的,是一种与极化声子〔polariton〕相关的光学参量技术。
当一束强激光束通过非线性晶体时,光子和声子的横波场会发生耦合,产生出光-声混态,
我们称之为极化声子。
由极化声子的有效参量散射,即受激极化声子散射,可辐射出太赫兹。
在这个散射过程中同时包括二阶和三阶非线性过程,因此泵浦光、闲频光和极化波,即太赫兹波它们三者之间会发生很强的相互作用。
目前,最适
合用于产生太赫兹波的非线性晶体之一就是LiNbO3o
〔五〕光泵浦太赫兹激光器
像水分子这样的简单分子的振动和转动的共振能级有很多都在太赫兹频段
内。
如果能有效地将这些分子泵浦到适当的激发态,那么在激光器中就可以直接
辐射出太赫兹波了。
而光泵浦太赫兹激光器〔Optically-PumpedTHzLaser,OPTL就是基于此种原理做出来的。
利用一台CO激光器的远红外输出光来泵浦一个充有甲烷〔CH〕、氨气〔NH〕、氢化氰〔HCN或是甲醇〔CHOH等物质的低压真空腔,由于这些气体分子的转动和振动能级间的跃迁频率正好处于太赫兹频段,所以可以形成太赫兹受激辐射,从而在OPTL中直接辐射出太赫兹来。
其
中,甲醇分子气体激光器是最常见的OPTL之一,如图2-5,并且它已经在美国国家航空航天管理局〔NASA所命名的“先兆〞〔AURA卫星上投入了实用。
它能够向太空中持续发出太赫兹辐射以此来观测大气。
co2
pm
【31THz)
甲辫(CHjOH)
第一激发态COE
9.69pw
31(THz)
.FIR
:
IH.Kpm
(2.5TH/J
辐射出FHlIg,分孑释放一个€〞0榛的誹能
(这主要是由于与波辱堰的瞳撞而引起的)
(C)
图2-5OPTL系统结构及其原理图
三太赫兹波的探测
和太赫兹辐射源一样,太赫兹探测也是太赫兹科技中的另一项关键技术,是
太赫兹技术投入到实际应用的另一关键环节。
由于目前太赫兹辐射源的功率普遍
都较低,因此开展高灵敏度,高信噪比的太赫兹探测技术尤为重要。
太赫兹的探测方法比拟多,不过依据太赫兹辐射形式不同,可以将它们大致分为太赫兹脉冲辐射的探测和太赫兹连续波信号的探测两类。
对于宽频的THz脉冲的探测,通常需要采用相干探测技术,最常用的两种方法是光电导取样和自由空间的电光取样,他们常用于THz时域光谱技术中。
另外,本章对太赫兹单光子的探测技术也做简要的介绍。
光电导取样和电光取样时两种应用最广的相干探测Thz脉冲的方法。
其中,
电光取样又可分为时分电光取样和波分电光取样两种。
以及空气探测太赫兹脉冲。
〔一〕光电导取样
光电导取样是基于光导天线〔photoconductiveantenna,PCA〕发射机理的逆过程开展起来的一种探测THZt冲信号的探测技术。
如要对THZt冲信号进行探测,通常是在半导体硅或砷化傢的外表相隔100微米镀两个金属条,两个金属
条之间有相对突出的电极,相距仅10微米。
一个与THz脉冲有确定时间关系的取样脉冲在光电导层中产生自由载流子,当自由空间中传播的thz畐射场同时到达
时,即可驱动这些载流子产生正比与THZ瞬间电场的光电流。
记录取样脉冲和THz脉冲在不同时间延迟下产生的光电流,即可获得thz脉冲电场的时间波形。
由于
受载流子相应时间的限制,光电导天线的探测带宽较窄,一般在2TH姒下【24】。
同时光路的调节也比拟麻烦【23】。
如图3-1所示
当THz辐射入射到光导隙,在两电极之间施加瞬态电场,使得硅〔砷化傢〕、
金属条及探测器形成的回路中产生脉冲电流I
I.乂dtEtnt一.
—oO
由此,产生的电流强度正比于该时刻THz辐射的电场强度;改变激发脉冲与探测脉冲之间的时间延迟,即可得到THz脉冲的时域波形了。
〔二〕电光取样
电光取样技术具有极宽的频谱响应和很高的信噪比。
此外由于其测量孔径大,因而也可以用此项技术进行直接二维成像测量【25】。
这在THz成像系统中尤为重要。
Cai【26】和Park【27】等人分别对这两种探测方法进行了系统的比较。
Winnewisser等人对不同电光晶体进行了研究,说明ZnTe晶体表现最为优
越【28】。
其中,时分电光取样,即自由空间电光取样是对太赫兹脉冲的时间波形进行取样测量的。
而波分电光取样那么是将太赫兹脉冲的时域波形一次复制到被调啾展宽的脉冲的各率分量上,通过对调啾脉冲的光谱测量得到太赫兹波形。
1•时分电光取样
我们建立的利用行波电光取样进行THz脉冲探测的装置示意图〔b〕。
我们采用<110>取向的ZnTe晶体进行电光检测。
为了防止探测光光斑内晶体的不均匀性,我们将探测光聚焦在晶体上。
首先在没有砷化镓样品〔用于产生THz信号〕
时使激发光和探测光在ZnTe晶体上重合,利用1/4波片〔我们在实验中利用可调的相位补偿器充当1/4波片〕将线偏振的探测光转换为圆偏振光,然后再将圆偏振光利用渥拉斯顿棱镜分成s光和p光两个线偏振光,分别由背向连接的光电二极管探测。
这时,没有THz脉冲的调制时,两个二极管的总输出为它们分别测量到的数值之差,因而为零。
当探测光与THz辐射同时通过晶体时,假设晶体取向适宜,那么探测光的偏振受到THz辐射的调制,s波与p波两个偏振分量不能抵消,其差值正比于THz辐射的电场强度。
I..3L
-一nTEthz.
I
由此,产生的电流强度正比于该时刻THz辐射的电场强度;改变激发脉冲与探测脉冲之间的时间延迟,即可得到THz脉冲的时域波形了。
图3-2电光采样原理
2•波分电光取样
传统的时域光谱测量如泵浦-探测法太赫兹时域光谱,利用机械电动平移台
来改变泵浦脉冲和探测脉冲之间的光程差,以此实现对样品的逐点扫描。
而载有泵浦脉冲的探测脉冲的强度和偏振态会在每一个瞬间的时间延迟被记录下来。
通
常情况下,时域扫描测量中的数据获取是一连续的过程,而探测脉冲取样期间所记录的信号只是太赫兹波形的很小一局部〔探测脉冲的脉冲持续时间〕。
由于对
一个太赫兹脉冲的时域扫描仅为几十皮秒,所以这种探测法的数据采集速率很慢
〔100Hz以内〕。
很显然,这种数据采集速率不能满足对快速运动物体的时域太赫兹光谱,如火焰分析等实时测量的需要。
为了提高采集速率,可采用并行数据采集,即波分电光取样,也可称其为啁啾脉冲光谱探测。
四太赫兹波的应用
〔一〕THz波与物质相互作用
THz波与半导体的相互作用。
当太赫兹频率超过系统中各种各样的驰豫速率和展宽时,就会出现集体模式激发或单粒子激发。
这其中包括假设干根底问题:
通过掺杂方法可靠地控制载流子注入、电场或者光场泵浦、体系结构和能级结构的关系、不同能态间跃迁的线宽、激发态相干和能级寿命、载流子的叠加态以及自旋激发等。
目前世界上有许多研究小组在研究单量子点在近红外和可见光频段的带间响应,这些研究在量子光学和凝聚态物理领域产生了一系列突破。
现在,研
究人员面临在太赫兹频段研究单量子点的挑战,机遇同样是十分巨大的,但到目
前还没有任何实验报道。
研究这些问题不但对于根底科学具有重大意义,对于许
多应用研究也十分关键,这些应用包括辐射源、探测器、超快电光器件、半导体中的量子信息处理等。
〔二〕太赫兹波重要方面的应用
在THz辐射的应用方面,THz辐射波光谱技术已被广泛的应用于半导体等材料在远红外频谱性质的分析。
其他的,比方瞬时Hall效应、盘旋共振、超晶格
中Bloch振荡、超导体在亚毫米波〔远红外〕波段电导率、量子阱中exciton及重空穴与轻空穴相关能级产生的量子拍频〔beating〕的相关现象、THz波段
光子晶体等的测量,都已被深入的探索。
THz波的特点决定了开展THz技术在如下几个方面有着非常重要的应用:
1•物体成像
THz电磁波成像,相对于可见光和X射线具有非常强的互补特征,特别适合于可见光不能透过、而X射线成像的比照度又不够的场合。
THz电磁波可以穿过衣服和皮肤〔见图4-1〕,透视整个人体,但是它不会像X射线一样对人体构成伤害。
图4-1左:
人类牙齿;右:
THz辐射吸收的透射成象,红色为内部的空洞位置。
利用THz电磁波可以检查机场通关的旅客与行李,检查邮件中是否藏有毒
品、炭疽热粉或炸弹等违禁物品。
THz脉冲成像的非破坏性和非接触性对研究珍贵艺术作品和研究古生物化石等样品很有价值。
例如透过艺术品的外表对内部可视化,无需接触或破坏易损的纸张而确定书籍的内容等。
另外,对诸如火焰的热分析、塑料封装集成电路的引线图成像、聚合物内部的气泡以及陶瓷中的裂缝探测等,THz时域谱成像都是极有前途的技术。
采用反射型成像系统,还可以形成THz断层扫描成像。
2.医疗诊断
THz电磁波在医疗诊断及生命科