（ ）
A.饱和，+UOpp B.开环，-UOpp C.闭环，-UOpp D.开环，+UOpp
1．两个稳压二极管，稳压值分别为7V和9V，将它们如图所示电路，设输入电压U1值是20V，则输出电压U0为
2．温度升高时，三极管的β将（增加、减小、不变）
3．当差分放大器两边的输入电压为
=7mV，
=-3mV，输入信号的差模分量为，共模分量为。
4．在放大电路中，如果要实现提高输出电阻的要求，应引入反馈。
6．乙类推挽放大器，由于三极管的死区电压造成的失真现象，这种失真称为。
1．要使光电三极管正常工作，以下结论正确的是（）
A．发射结正偏，集电结反偏B．发射结正偏，集电结正偏
C．发射结反偏，集电结反偏D．发射结反偏，集电结正偏
2．电路引入交流负反馈的目的是（）
A．稳定交流信号，改善电路性能B．稳定交流信号，也稳定直流偏置
C．稳定交流信号，但不能改善电路性能D．不能稳定交流信号，但能改善电路性能
3．基本共射放大电路输出电压的波形出现负半周削波，可判断放大电路产生的失真为（）
A．频率失真B．饱和失真C．截止失真D．交越失真
4．用一只直流电压表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压，读数只有0.7伏，这表明该稳压管（）
A．工作正常B．接反C．已经击穿
5．关于场效应管以下结论正确的是（）
A．场效应管多数载流子与少数载流子均参与导电
B．N沟道场效应管的漏极电流是由电子在电场作用下形成的
C．N沟道场效应管的漏极电流是由空穴在电场作用下形成的
6．PNP型三极管工作于放大区时，三个电极的电位关系是（）
A．UE）UB）UCB．UC）UB）UEC．UE〉UB〈UC
7．如图所示电路，若用示波器观测发现输出电压Uo正半周削波，则电路出现（）失真。
A．饱和B．截止C．截顶
8．要使晶体管放大电路带负载能力强应选用（）
A．共射电路B．共基电路C．共集电路
1．如图所示电路其中ui=5sinωt（V），当ui的正半周时，理想二极管VD，灯泡L；在ui的负半周时，理想二极管VD，灯泡L。
2．差模信号大小，极性。
3．根据下图各三极管电极的实测对地电压数据填空：
为NPN型的三极管是：
，为饱和状态的三极管是：
，为放大状态的三极管是：
，为截止状态的三极管是：
，已损坏的三极管是：
。
4．某反馈电路开环放大倍数A=1000，反馈系数F=0.01，则其反馈深度为。
5．在放大电路中，如果要实现提高输入电阻的要求，应引入反馈。
1．如图所示电路，已知两个稳压管稳定电压分别为VZ1=7V，VZ2=9V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压V0为（）
A．.7VB．9VC．9.7VD．16V
2．乙类功放电路，因静态工作点不合适引起的失真为（）。
A．饱和失真B．截止失真
C．交越失真D．截顶失真
4．某两级放大器构成的多级放大电路中，第一级电压增益为40dB，第二级电压放大倍数为40倍，则放大器总的增益为（）
A．80dBB．1600dBC．4000倍D．80倍
5．关于场效应管以下结论正确的是（）
A．场效应管多数载流子与少数载流子均参与导电
B．N沟道场效应管的漏极电流是由电子在电场作用下形成的
C．N沟道场效应管的漏极电流是由空穴在电场作用下形成的
6．如图所示电路，若输出电压Uo出现截止失真，应作如下调整（）
A．增大RBB．减小RBC．增大RC
7．理想运放具有的特点是（）
A．Ri=，R0=0，Aod=B．Ri=0，R0=，Aod=
C．Ri=，R0=0，Aod=0D．Ri=0，R0=，Aod=0
8．提高差动放大电路KCMR错误的措施是（）
A．保证电路对称性，选参数一致的三极管
B．采用射极稳流电阻REE，且阻值选得越大越好
C．采用恒流源代替REE
9．与甲类功放比较，乙类功放器的主要优点是（）
A．放大倍数大B．效率高C．无交越失真
10．复合管的导电类型与组成它的（）类型相似。
A．最前面的管子B．最后面的管子C．任意一个D．无法确定
1．二极管最主要的特性是单向导电性。
3．差分放大电路，若两个输入信号uI1、uI2，则输出电压，uO=0；若uI1=100V，uI2=80V则差模输入电压uId=20V；共模输入电压uIc=90V。
5．若三级放大电路中Au1=Au2=30dB，Au3=20dB，则其总电压增益为80dB，折合为104倍。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ0、静态时的电源功耗PDC=0。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（A）。
A．NPN型硅管B.NPN型锗管
C.PNP型硅管D.PNP型锗管
3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。
A．输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大
4.在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应（D）。
A．减小C，减小RiB.减小C，增大Ri
C.增大C，减小RiD.增大C，增大Ri
5.如图所示复合管，已知V1的1=30，V2的2=50，则复合后的约为（A）。
A．1500B.80C.50D.30
6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（D）。
A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路
7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。
A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器
O
8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是（C）。
a．不用输出变压器b．不用输出端大电容c．效率高d．无交越失真
9．稳压二极管稳压时，其工作在（C），发光二极管发光时，其工作在（A）。
a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区
1.二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。
2.三极管工作在三个区域的条件是：
放大区（ ），饱和区（ ）截止区（ ）。
３.场效应管从结构上分成（ ）和（ ）两大类型，它属于（ ）控制型器件。
４.集成运算放大器是一种采用（ ）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（ ）。
５.差动放大电路的基本功能是对差模信号的（ ）作用和对共模信号的（ ）作用。
1.在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则（）。
A.I=2mA
B.I<2mA
C.I>2mA
D.I=10mA
2.集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（ ）。
Ａ.减小温漂 Ｂ.增大放大倍数 Ｃ.提高输入电路 Ｄ.减小噪声
３.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
Ａ.电压串联 Ｂ.电压并联 Ｃ.电流串联 Ｄ.电流并联
1.用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和1.8KΩ，产生这种现象的原因是。
2.测得某NPN管的VBE=0.7V,VCE=0.2V,由此可判断它工作在区。
3.放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。
4.在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。
6.比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
7.功率放大电路与电压放大电路的区别是。
1.场效应管是一种（）的器件。
A.电压控制电压B.电压控制电流
C.电流控制电压D.电流控制电流
2.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性
C.晶体管参数受温度影响D.电流电压不稳定
3.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）负反馈。
A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联
4.功率放大电路中的转换效率是指（）。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B.最大输出功率与电流提供的平均功率之比
C.晶体管所消耗的功率与电流提供的平均功率之比
D.输出功率与输入功率之比
1.当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：
电流放大系数β，反向饱和电流ICBO，当IB不变时发射结正向电压VBE。
3.串联负反馈只有在信号源内阻时，其反馈效果才显著，并联负反馈只有在信号源内阻时，反馈效果才显著。
1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷
2.既能放大电压，也能放大电流的是（）组态放大电路；可以放在大电压，但不能放大电流的是（）组态放大电路；只能放大电流，但不能放大电压的是（）组态放大电路。
A.共射B.共集C.共基D.不定
3.反馈放大电路的含义是（）。
A输出与输入之间有信号通路
A电路中存在反向传输的信号通路
A除放大电路以外还有信号通路
A电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路
4.当集成运放工作在线性区时，可应有（）和（）概念，而（）是（）的特殊情况。
A.闭环B.虚地C.虚断D.虚短
1.已知图所示的放大电路中的三极管β=40，VBE=0.7V,稳压管的稳定电压UZ=6V,则IBQ=,ICQ=,UCEQ=。
2.多级放大电路中为了实现阻抗变换应采用耦合方式。
3.多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都。
级数愈多则上限频率越。
4.由于在功放电路中，功放管常常处于极限工作状态，因此，在选择功管时要特别注意、和三个参数。
5.电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高，因为电流源的大。
6.当电路的闭环增益为40dB时，基本放大器的增益变化10%，反馈放大器的闭环增益相应变化1%，则此时电路的开路的开环增益为dB。
1.当PN结加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层（）
A.变宽B.变窄C.不变D.不确定
2.单管放大电路中，若输入电压为正弦波，用示波器观察UO和Ui的波形，当放大电路为共射电路时，则VO和Vi的相位。
（）
A.同相B.反相C.相差90oD.不变
3.三级放大电路中，Au1=Au2=30Db，Au3=20dB，则总的电压增益为（）dB。
A.180dBB.80dBC.60dBD.50dB
4.多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重和一级是（）。
A.输入级B.中间级C.输出级D.增益最高的一级
1.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
2.3种基本放大电路中电压放大系数近似为1的是。
3.在图所示电路中，三极管β=50，VBE=-0.2V,问当开关与A处相接时，三极管处于状态，与B处相接时，处于状态，与C处相接时，处于状态。
4.直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比，低频响应。
5.乙类推挽功率放大电路的较高，在理想情况下，其值可达。
但这种电路会产生一种被称为失真的特有的非线性失真现象。
6.集成运放中，由于电路结构引起的零输入对应非零输出的现象称为，主要原因是造成的。
1.测得放大电路中，三极管三个极的电位分别如图所示，则此管是（）。
A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管
2.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性
C.参数受温度影响D.电源电压不稳定
3.欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入（）负反馈。
A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联
1.三极管工作在三个区域的条件是：
放大区（ ），饱和区（ ）截止区（ ）。
2.在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。
1.可以放大电压,但不能放大电流的是（）组态放大电路。
A.共射B.共集C.共基D.不定
2.反馈放大电路的含义是（）。
A.输出与输入之间有信号通路
B.电路中存在反向传输的信号通路
C.除放大电路以外还有信号通路
D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路
3.功率放大电路中的转换效率是指（）。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B.最大输出功率与电流提供的平均功率之比
C.晶体管所消耗的功率与电流提供的平均功率之比
D.输出功率与输入功率之比
1.多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都。
级数愈多则上限频率越。
2.集成运算放大器是一种采用（ ）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（ ）。
3.差分放大电路有种输入输出连接方式，其差模电压增益与方式有关，与方式无关。
5.集成运放中，由于电路结构引起的零输入对应非零输出的现象称为，主要原因是造成的。
1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷
2.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性
C.参数受温度影响D.电源电压不稳定
3.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）负反馈。
A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联
1.双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2.放大器级间耦合方式有三种：
直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3.差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4.乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5.图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，
接成共基组态，
接成共集组态，
和
的作用是为T1管提供基极偏置。
6.在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7.共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8.负反馈系统产生自激的条件是
，相应的振幅条件是
，相位条件是
。
1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的。
A多数载流子浓度增大B少数载流子浓度增大
C多数载流子浓度减小D少数载流子浓度减小
2.某只硅稳压管的稳定电压Vz=4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为。
A+5v和-5vB-5v和+4vC+4v和-0.7vD+0.7v和-4v
⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB=-6.3v，VE=-7v，VC=-4v，可以判定此晶体管是管，处于。
ANPN管，饱和区BPNP管，放大区
CPNP管，截止区DNPN管，放大区
⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是：
。
A共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小
B共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小
C共基极电路的AV最小、RI最小、RO最大
D共发射极电路的AV最小、RI最大、RO最大
⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。
A电阻阻值有误差B晶体管参数的分散性
C晶体管参数受温度影响D受输入信号变化的影响
7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是，而提高共模抑制比.
A抑制共模信号；B抑制差模信号；
C放大共模信号；D既抑制共模信号又抑制差模信号；
8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使。
A电压放大倍数高B输出电流小
C输出电阻增大D带负载能力强
9．集成运放电路的实质是一个的多级放大电路。
A阻容耦合式B直接耦合式C变压器耦合式D三者都有
10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是。
A耦合电容和旁路电容的影响B晶体管极间电容和分布电容的影响
C晶体管的非线性特性D放大电路的静态工作点设置不合适
11．在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的是负反馈。
A电路稳定性变差B输出量增大C净输入量增大D净输入量减小
1、（B）2、（D）3、（B）4、（B）5、（B）6、（C）7、（A）8、（D）9、（B）10、（B）11、（D
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