LEdit画与门和或门简明教程.docx

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LEdit画与门和或门简明教程

L-Edit画与门和或门简明教程

某某电子科技大学上机教程

2013.12.11小韩

根本操作步骤：

〔1〕打开此程序〔2〕另存新文件：

选择File→SaveAs〔3〕取代设定：

选择File→ReplaceSetup命令，单击右侧的Browser，选择F:

\EDA实践\Ledit90\Semples\spr\example1\light.tdb文件，然后点击ok，会出现警告，按确定钮。

〔4〕绘制NWell图层：

横向34格，纵向19格

绘制图层信息在窗口左下角显示〔有图层类型，宽度，长度，坐标等〕

绘图完成后，通过alt+鼠标左键或者直接用鼠标滚轮来调整图层大小和位置。

Ctrl+鼠标滚轮来调整窗口大小。

home键将图层放置到整个绘图窗口中心位置。

〔5〕绘制Active图层：

横向22格，纵向9格

〔6〕绘制PSelect图层：

横向28格，纵向14格

〔7〕绘制Poly图层：

据横向2格，纵向14格

完成后进展DRC检查，单击工具栏按钮，或者Tools→DRC，在检查完毕后会出现DRC检查结果，NoDRCerrorsfound说明没有设计规如此错误

如果有错误，选中DisplayDRCErrorNavigator复选框，点击OK，会出现错误提示窗口，展开错误标记。

双击Error3,在版图中出现错误提示，这时可以通过alt+鼠标左键来调整图形大小位置来消除DRC错误，最后点击DRC图标，反复修改，直到错误消除，这时绘图窗口将会恢复之前的状态。

〔8〕绘制ActiveContact图层：

横纵2格，然后DRC检查

〔9〕绘制Metal1图层：

纵横4格，DRC检查〔最好每步完成后都马上进展DRC检查，注意，在此之后将不再提示DRC检查，但每步之后最好检查〕

其中重复的一些操作可以通过复制来完成，该操作通过Ground来完成。

鼠标拖动选中要复制图形，选择Draw→Ground〔或直接Ctrl+G〕，完成后所选中区域将会变成一个整体，可以对组件进项复制、移动操作。

一个组件不能对其中的单元操作，要调整组件中单元大小位置，可通过选中图形，选择Draw→Unground〔或直接Ctrl+U〕解除组件来完成。

〔10〕重新命名：

将Cell0的名称重新命名，可选择Cell—Rename命令，打开RenameCell对话框，将cell名称改成nandpmos

〔11〕新增NMOS组件：

选择Cell→New命令，打开CreateNewCell对话框，在其中的Newcellname文本框中输入“nandnmos〞，单击OK按钮

〔12〕编辑与非门的NMOS组件：

依照PMOS组件的编辑流程，建立出Active图层、NSelect图层、Poly图层、ActiveContact图层与Metal1图层。

其中，Active宽为22个格点，高为9个格点；Poly宽为2个格点，高为14个格点：

NSelect宽为18个格点，高为14个格点；ActiveContact宽皆为2个格点，高皆为2个格点：

Metal1宽皆为4个格点，高皆为4个格点。

DRC检查

〔13〕设计导览：

选择view按钮，打开DesignNavigator窗口，可以看到Exl0文件有nandnmos与nandpmos两个cell〔或直接点工具栏中的按钮〕，双击便可直接进入单元。

〔14〕编辑非门的PMOS组件：

新建cell，命名为norpmos，建立出Nwell图层、Active图层、PSelect图层、Poly图层、ActiveContact图层与Metal1图层。

其中，Nwell宽为24个格点，高为19个格点；Active宽为14个格点，高为9个格点：

Poly宽为2个格点，高为14个格点：

PSelect宽为18个格点，高为14个格点；ActiveContact宽皆为2个格点，高皆为2个格点：

Metal1宽皆为4个格点，高皆为4个格点。

DRC检查

（15）编辑非门的NMOS组件：

新建cell，命名为nornmos，建立出Active图层、NSelect图层、Poly图层、ActiveContact图层与Metal1图层

其中，Active宽为14个格点，高为5个格点；Poly宽为2个格点，高为9个格点：

NSelect宽为18个格点，高为9个格点；ActiveContact宽皆为2个格点，高皆为2个格点：

Metal1宽皆为4个格点，高皆为4个格点。

DRC检查

〔16〕编辑PMOS保护环〔welltap〕：

新建cell，命名为guardpmos，建立出Nwell图层、Active图层、NSelect图层、ActiveContact图层与Metal1图层

其中，Nwell宽为13个格点，高为19个格点；Active宽为6个格点，高为9个格点；NSelect宽为10个格点，高为13个格点；ActiveContact宽皆为2个格点，高皆为2个格点：

Metal1宽皆为4个格点，高皆为4个格点。

DRC检查

〔17〕编辑NMOS保护环〔welltap〕：

新建cell，命名为guardnmos，建立出Active图层、PSelect图层、ActiveContact图层与Metal1图层

其中，Active宽为6个格点，高为5个格点；PSelect宽为10个格点，高为9个格点；ActiveContact宽皆为2个格点，高皆为2个格点：

Metal1宽皆为4个格点，高皆为4个格点。

DRC检查

〔18〕编辑与门：

在此，所有的cell都已建立完毕。

新建cell命名为and，在and中选择Cell→Instance命令，打开SelectCelltoInstance对话框，可以看到，在组件列表中有nandpmos，nandnmos,norpmos,nornmos,guardpmos,guardnmos这6组件，选择nandpmos组件再单击OK按钮，在编辑画面多出一个nandpmos组件，然后选择nandnmos组件再单击OK按钮，在编辑画面多出一个与nandpmos重叠的nandnmos组件，可利用Alt键加鼠标拖曳的方式分开nandpmos与nandnmos，同样的方法分别添加其余组件。

〔19〕连接栅极Poly：

将放置的组件在and中按位置放置好，然后根据逻辑关系绘制连接栅极的多晶层。

由于电路的pmos与nmos的栅极极是要相连的，故直接以Poly图层将pmos与nmos的Poly相连接，绘制出Poly宽两个格点，绘制后进展DRC检查。

〔20〕连接源漏极：

电路的nmos漏极与pmos漏极是相连的，如此以Metal1连接即可，利用Metal1将图中的nmos与pmos的右边扩散区有接触点处相连接，绘制Metal1宽两个格点、高6个格点。

绘制后进展DRC检查

〔21〕绘制电源线和地线：

由于电路需要有Vdd电源与GND电源，电源绘制是以Metal1图层表示，利用Metal1将图中pmos上方与nmos下方各绘制一个宽为72个格点、高为5个格点的电源图样，绘制后进展DRC检查

〔22〕参加Vdd与GND节点名：

单击工具栏中插入节点按钮〔〕，再到编辑窗口中用鼠标左键拖曳出一个与上方电源图样重叠的宽为72个格点、高为5个格点的方格后，将出现EditObject（s）对话框，如下列图。

在On文本框中选中Metal1层，在Portname文本框中输入节点名称“Vdd〞，在TextAlignment选项组中选择文字相对于框的位置的右边，单击“确定〞按钮；同样的方法变出GND。

（23）连接电源线与地线：

根据逻辑关系，将电源线与地线和pmos，nmos，guardpmos，guardnmos连接起来。

完成后DRC检查。

〔24〕连接与非门和反相器：

先绘制反相器输入端口，先在编辑窗口空白处进展编辑，先绘制PolyContact图层2*2，再绘制Poly图层5*5，接着绘制Metal1图层4*4使之重叠于PolyContact图样上，最后将此输入端口图形群组起来，先选中组合区域局部，再选择Draw→Group命令，会出现Group对话框。

在GroupCellName文本框中输入名称portA，之后单击OK按钮。

将portA移至反相器输入端，连接非门和反相器。

最后DRC检查。

〔25〕参加输入端口：

由于与门有两个输入端口，且输入信号是从栅极（Poly）输入，输入输出信号由Metal2传入，故一个与门输入端口需要绘制Metal2图层、Via图层、Metal1层、Polyontact图层与Poly图层，才能将信号从Metal2图层传至Poly层。

先在编辑窗口空白处进展编辑，最后再移至整个组件的位置。

先绘制PolyContact图层2*2，再绘制Poly图层5*5，接着绘制Metal1图层10*4使之重叠于PolyContact图样上，接着在Metal1上要绘制Via图层2*2，Via图层是用来连接Metal1图层与Metal2图层的接触孔，接着绘制Metal2图层4*4，它要与图层Via与Metal1重叠。

DRC检查。

将此输入端口图形群组起来，先选中组合区域局部，再选择Draw→Group命令，会出现Group对话框。

在GroupCellName文本框中输入名称portB，之后单击OK按钮。

将portB局部移至与非门栅极的位置当成输入端口，结果如下列图。

注意，在放置时Metal1与Metal1之间要距离3个格点以上，并要以设计规如此检查无误才可，复制portB放置到另一个输入端口，通过R键来旋转portB。

最后DRC检查。

〔26〕在portB组件上参加节点名称作为输入点，需利用参加节点按钮。

单击按钮，再在Layers面板的下拉列表中选择Metal2选项，使Metal2图样被选取，再到编辑窗口中用鼠标左键拖曳出一个与portB组件的Metal2图样重叠的宽为4个格点、高为4个格点的方格后，会出现EditObject（s）对话框，在Portname文本框输入输入端口名称“A〞，在TextAlignment选项组选择文字相对于框的位置的左边，再单击“确定〞按钮；同样的方法标出B输入端口。

〔27〕参加输出端口：

与门有一个输出端口，先绘制Via图层，在反相器的Metal1图层上画出横向两格、纵向两格的方形，接着绘制Metal2图层4*4，它要与Via与Metal1图层重叠。

进展DRC检查。

将绘制的输出端口取名为OUT，要利用参加节点按钮。

单击按钮，再在Layers面板的下拉列表中选择Metal2选项，使Metal2图样被选取，再到编辑窗口中用鼠标左键拖曳出一个与刚绘制的Metal2图样重叠的宽为4个格点、高为4个格点的方格后，出现EditObject（s）对话框，在Portname文本框中输入输入端口名称“OUT〞，在TextAlignment选项组中选择文字相对于框的位置的右边，再单击“确定〞按钮。

〔28〕至此，一个与门完成版图绘制。

或门版图