ITO 导电膜红外发射率理论研究.docx

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ITO导电膜红外发射率理论研究

ITO导电膜红外发射率理论研究*

张维佳=王天民钟立志吴小文崔敏

（北京航空航天大学理学院,北京100083

（2004年10月10日收到;2005年1月14日收到修改稿

根据红外辐射理论和薄膜光学原理计算了高品质ITO（indiumtinoxide导电膜的红外发射率,其理论曲线与实测曲线基本符合.并得出方块电阻小于30Ω时,ITO膜在红外波段8—14µm的平均红外发射率理论值小于0.1.实际制备方块电阻小于10Ω的ITO膜具有优良的红外隐身性能.讨论了高品质ITO膜具有低红外发射率的物理机理,并提出了低红外发射率临界方块电阻值,这有利於理论研究和工艺制备红外隐身ITO膜.

关键词:

红外发射率,ITO薄膜,理论计算,方块电阻

PACC:

7990,7830G,7865

*国防基础研究项目（批准号:

K1201060805、国防预研项目（批准号:

413100202资助的课题.

=E-mail:

weijia

-zhang@

1.引言

红外隐身在现代战争中的地位日趋重要[1—3].目标红外隐身是为了使红外探测器难以区分目标与背景的红外辐射差异.对于空中飞行目标,在其表面涂上低红外发射材料可达到红外隐身目的[1-3].低红外发射率材料主要有金属和导电聚合物及掺杂半导体材料,而金属容易氧化和被腐蚀,导电聚合物又不耐高温和容易老化.因此人们关注掺杂半导体尤其是掺锡氧化铟（ITO.以ITO粉末为颜料的涂料作为隐身材料其红外发射率仍高达0.6—0.7[4].这是因为不导电的黏合剂使涂料的电阻率增大,并且涂料有一定重量.而ITO膜轻,其红外发射率随方块电阻减小而减小.高品质ITO膜的红外发射率可以小到0.1以下[5].因此,ITO膜作为红外隐身材料备受重视.人们对ITO膜光电性能研究较多.然而对ITO膜红外辐射性能的理论研究甚少.本文在这方面作了一些工作,并得出了对制备红外隐身ITO膜有意义的结果.

2.理论计算

测量物质的发射率有两种方法,即直接测量法和间接测量法[6,7].本文涉及样品数据是按间接测量法测得的.因此,其理论计算根据间接测量法原理进行.

由能量守恒,一束单色电磁波入射到薄膜上有

α（λ,T+R（λ,T+Q（λ,T=1,（1其中α（λ,T,R（λ,T,Q（λ,T分别为薄膜在温度T下的单色吸收率、单色反射率和单色透过率.物体单色辐出度M（λ,T为

M（λ,T=

dM

λ

dλ

（2

式中dM

λ

表示物体的单位面积在单位时间内发出的波长在λ—（λ+dλ之间的辐射能.由辐射理论中的基尔霍夫定律有[8]

M（λ,T

α（λ,T

=MB（λ,T=

2πhc2λ-5

ehc/λkT-1

（3其中α（λ,T为单色吸收率,MB（λ,T为绝对黑体单色辐出度.所以任何物体在温度T下的单色辐出度M（λ,T有

M（λ,T=α（λ,T

2πhc2λ-5

ehc/λkT-1

=[1-R（λ,T-Q（λ,T]

2πhc2λ-5

ehc/λkT-1

.

（4

光谱发射率定义为物体单色辐出度与同温度黑体单色辐出度之比ε（λ,T即[8]

第54卷第9期2005年9月1000-3290/2005/54（09/4439-06物理学报

ACTAPHYSICASINICA

Vol.54,No.9,September,2005

$

═

══════════════════════════════════════════════════════════════

2005Chin.Phys.Soc.

ε（λ,t=M（λ,TMB（λ,

T=α（λ,T=1-R（λ,T-Q（λ,

T.（5

设红外波段为λ1—λ2.在其红外波段范围内,任何物体在温度T下的平均红外发射率为ε（λ1-λ2,

T为

ε（λ1—λ2,

T=∫

λ2

λ1[1-R（λ,T-Q（λ,T]2πhc2λ-5

ehc/λkT

-1

dλ∫

λ2λ12πhc2λ-5

ehc/λk

T-1

d

λ,（6而单色电磁波在薄膜上的反射率R（λ,

T和透射率Q（λ,

T分别为[9]

R（λ,

T=η0B-Cη0B+（Cη0B-Cη0B+（

C

*

（7Q（λ,T=4η0ηG（η0B+C（η0

B+

C*,（8式中B和C是薄膜干涉矩阵元如下:

[]BC=

cosδisinδ/ηiη

sinδcos[

]δ1

η[]

G,（9其中η0,η,ηG分别为入射介质、薄膜和出射介质的修正光学导纳,其值不仅与入射介质、薄膜和出射介质的折射率n0,n,nG以及薄膜的入射角、折射角和出射角θ0,θ,θG有关

（如图1所示,而且与电磁波的P波与S波有关

[9]

;薄膜位相厚度为δ=2πλ

ndcosθ.

（10图1

电磁波经薄膜反射和折射示意图

对于吸收薄膜来说,须引入复折射率N=n-ik代替上述n即可.其虚部k可反映因薄膜的吸收而产生的电磁波衰减.k与薄膜吸收系数α和薄膜电导

率σ的关系如下[10]

:

α=2ωkc,2nk=

σωε0

ω=2π

v=2πcλ.

（11

薄膜的总反射率和总透射率为

[9]

R（λ,T=1

2

（RP+RS;Q（λ,T=1

2

（QP+QS.（12对于吸收薄膜来说,当膜厚足够厚时,其透光率可以认为是零,即

Q（λ,T=0,（13因此,该薄膜在λ1—λ2范围内的平均红外发射率为

ε（λ1—λ2,T=∫

λ2

λ1[1-R（λ,T]2πhc2λ-5

ehc/λkT

-1

dλ∫

λ2λ12πhc2λ-5

ehc/λk

T-1

d

λ.（14

3.计算结果及分析

取ITO膜电导率σ为0—5000（Ω-1・cm-1,步

长40（Ω-1・cm-1,膜厚d=300nm.其方块电阻R□=ρ/d=1/（σd=6—833（Ω.ITO膜折射率取2.2.

垂直入射有θ=0.红外波段取8—14µ

m范围,步长0.1µm.温度取T=300K.其计算结果如图2—6所示.

图2ITO膜红外发射率光谱理论曲线

我们采用磁控溅射法通过调节氧流量制备出了不同方块电阻值的ITO膜.用昆明物理研究所研制

的HWF-1型红外发射率测量仪测量ITO膜在8—14µ

m波段的平均红外发射率,这是一种反射式间接测量红外发射率的仪器,因此只有当膜无透光性时

才有精确测量结果[7].用北京七星华创公司生产的

0444物理学报54卷

图3ITO膜红外发射率与方块电阻的理论值与实测值比较

D41-3型四探针测试仪测量ITO膜的方块电阻.ITO膜的电阻率等电学参数由中国科学院半导体研究所测量.测量结果见表1.该表1中σ,n,µ,R

□

ε分别表示电导率、载流子浓度、迁移率、方块电阻和红外发射率.

图2是用（5式计算的不同电导率下ITO膜的红外发射率光谱理论曲线.可见电导率越大,其膜的红外发射率越低,并且随波长增加而平缓降低,反之亦然.这与抛光的金属铝片基本一致[8].

图3是ITO膜在8—14µm波段内平均红外发射率.曲线1用（6式计算即考虑了膜的透光率,而曲线2用（14式计算即忽略了膜的透光率.由该图可知,当方块电阻较小时,理论曲线（1,2都与实测曲线基本一致.但当方块电阻较大时,理论曲线（1与

图4ITO膜的消光系数k和透光率与其方块电阻R

□

关系的理论曲线

实测曲线存在较大偏差,这是因为较大方块电阻的ITO膜,其消光系数k小,从而透光率大.而反射式间接测量法是基于被测样品无透光性来设计仪器;而理论曲线（2与实测曲线偏差相对较小,因为两者都不考虑膜的透光性.其存在的偏差来源于透光经样品台又反射到入射介质,而干扰探测信号器;另外粗糙的样品台表面与玻璃表面是非光学接触,其反射率数值难以确定,这也给理论建模计算带来困难.由图4可知当方块电阻大到100Ω时,其膜透光率大于0.1而不能忽略.因此,当方块电阻大于100Ω时,靠反射式间接测量方法测量的发射率不能精确地反映ITO膜的红外发射率.只有当方块电阻小于100Ω时,测量结果才可反映ITO膜的发射率,所以实测值与理论值符合较好.

图5不同膜厚的ITO膜红外发射率ε与方块电阻R

□

关系的理论曲线

图5反映不同膜厚的ITO膜红外辐射特性.由该图可知ITO膜越厚,具有红外隐身性能的ITO膜其方块电阻要求越小,并且方块电阻在约100Ω附近减小时,其膜的红外发射率快速下降.这是因为对于一定的较大的方块电阻来说,膜越厚,对应的电导率越小,从而红外发射率大;反之,对于很小的方块电阻来说,膜在一定范围增加厚度,对应的膜电导率仍较大,从而红外发射率小,并且方块电阻越小,对

1444

9期张维佳等:

ITO导电膜红外发射率理论研究

图6不同折射率的ITO膜红外发射率ε与方块电阻R

□

关系的理论曲线

应的膜电导率越大,相应的红外发射率越小.因此

存在某方块电阻值,其红外发射率激剧降低.当红外发射率下降到0.1时所对应的方块电阻,不妨称其

为低红外发射率的临界方块电阻值R

□临

.ITO膜

厚,则R

□临小.反之ITO膜薄,则R

□临

较大,并且在

其附近红外发射率不像厚膜那样激剧降低,这表明要得到低红外发射率并且薄的ITO膜,需要很大的电导率.这在工艺上难以实现.而太厚的ITO膜,其

R

□临

又太小,并且膜的内应力大而易裂,因此工艺实现也有困难.所以,将ITO膜厚确定为300—

1000nm,其R

□临

约10—30Ω.因此,制备低红外发射率的ITO膜应要求其方块电阻小于10Ω.

图6反映不同折射率ITO膜的红外辐射特性.由该图可见,尽管折射率对ITO膜红外发射率影响不显著,但低折射率的ITO膜有利于低红外发射率.

图7反映不同温度下ITO膜的方块电阻和电阻率随温度T的关系实测曲线.当温度从室温升到150℃时,方块电阻和电阻率随温度的升高而稍有升高,这是因为在此升温过程中膜中导电性好的低价氧化物InO等氧化成导电性差的高价氧化物.当温度再升高时,在杂质能级上的电子或价带顶上电子可激发到导带上而成为自由电子,提高其导电能力,从而ITO导电膜的电阻率下降.因此,ITO导电膜的红外发射率随温度的升高而先稍有增大后降低如图8所示.这一点与金属截然不同.

表1ITO膜的实测电学参数和红外发射率实测数值

样品

编号

σ/103Ω-1・cm-1n/1020cm-3µ/cm2・V-1・s-1R□/Ωε0825A0.1364962-2.2728493.79900.860823A0.144397-2.7776083.57000.810823B0.300135-3.3781455.62900.650824B1.448402-12.500317.2400.240823C1.817319-11.961699.5300.200824C2.523192-14.7061210.1260.190824A4.493098-22.7269512.4110.050825B4.6357462-23.8093612.2130.01

图7ITO导电膜的方块电阻和电阻率随温度T的关系曲线

图8ITO导电膜的红外发射率和方块电阻与温度T的关系曲线

2444物理学报54卷

由上可知高品质的ITO膜具有低的红外发射率.这是因为ITO属有利于重掺锡的In

2

O3立方方铁锰矿结构[11],因此属重掺杂强简并的铟锡氧化物半导体[12—14],其费米能级进入到了导带内并离导带低相对较远.因此,决定材料宏观电学性能的费米能级附近的电子仅在导带内部密集能级间跃迁,而在禁带间属禁戒跃迁,这些都类似于金属特征.另外,离子振动受电子海抑制.因此,高品质的ITO膜发出红外辐射的概率小.我们认为这是高品质ITO膜具有低红外发射率的物理机理.

4.结论

ITO膜方块电阻越小,其红外发射率越小.当方块电阻小于30Ω时,ITO膜在红外波段8—14µm的红外发射率理论值小于0.1.当ITO膜的方块电阻大于100Ω时,靠间接测量法测量结果不能反映ITO膜的真实红外发射率,但能说明其红外隐身性能差.太薄或太厚的ITO膜难以实现低红外发射率.300—1000nm的ITO膜,其低红外发射率的临界方块电阻值R

□临

约30Ω.ITO膜方块电阻小于10Ω,可以确保具有优良的红外隐身性能.另外,尽管折射率对ITO膜的红外发射率影响不大,但低折射率的ITO膜有利于低红外发射率.当温度从室温升到150℃时,方块电阻和电阻率稍有增大,从而其红外发射率稍有增大;当温度大于150℃时,方块电阻和电阻率减小,从而其红外发射率减小.

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9期张维佳等:

ITO导电膜红外发射率理论研究

4444物理学报54卷TheoreticaIstudyofinfraredemissivityofindiumtinoxidefiIms*ZhangWei-Jia=WangTian-MinZhongLi-ZhiWuXiao-WenCuiMin（SchoolofScience，BeijingUniversityofAeronauticsandAstronautics，Beijing100083，China）（Received10October2004；revisedmanuscriptreceived14January2005）Abstract（ITO）filmhasbeencalculatedbasedontheinfraredradiationtheoryandInfraredemissivityofhighqualityindiumtinoxidethinfilmopticaltheory，thetheoreticalcurvesandthetestingcurvesbasicallyagreewitheachother.Itisconcludedthatwhenthesheetresistanceislessthan30Ω，thetheoreticalvalueofinfraredemissivityofITOfilmsontheinfraredwavebandof8mtoµ14mwillbelessthan0.1.Therefore，theITOfilmofpracticalsheetresistancelessthan10Ωhasgoodinfraredstealthyµcapability.PhysicalmechanismoflowinfraredemissivityforITOfilmisdiscussed，andthecriticalsheetresistanceoflowinfraredemissivity，whichconducetothetheoreticalstudyandthemanufactureofinfraredstealthyITOfilm，isputforwardinthispaper.Keywords：

infraredemissivity，ITOfilm，theoreticalcalculation，sheetresistancePACC：

7990，7830G，7865*Project（GrantNo.K1201060805）andtheNationalDefensePre-researchFoundationsupportedbytheNationalDefenseBasicScienceFoundationofChinaofChina（GrantNo.413100202）.=E-mail：

weijia-zhang@sina.com.cn