教你看懂内存编码.docx
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教你看懂内存编码
教你看懂内存编码!
内存大小识别方法(详)
内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日,韩厂家,欧美及中国(含台湾省)厂家等等。
看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法,下面就是内存识别资料,供大家参考:
主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下:
现代电子HYUNDAI:
HY[注:
代号]
三星SAMSUNG:
KM或M NBM:
AAA 西门子SIEMENS:
HYB
高士达LG-SEMICON:
GMHITSUBISHI:
M5M 富士通FUJITSU:
MB
摩托罗拉MOTOROLA:
MCM MATSUSHITA:
MN OKI:
MSM
美凯龙MICRON:
MT 德州仪器TMS:
TI 东芝TOSHIBA:
TD或TC
日立HITACHI:
HM STI:
TM日电NEC:
uPD
IBM:
BM NPNX:
NN
一.日本产系列:
主要厂家有Hitachi[日立],Toshiba[东芝],NEC[日电],Mitsubishi[三菱]等等,日产晶圆的特点是品质不错,价格稍高。
1.HITACHI[日立]。
1 日立内存质量不错,许多PC100的皆可稳上133MHz。
它的稳定性好,做工精细,日立内存芯片的编号有HITACHIHM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2,B60的CL是3。
市面上B60的多,但完全可超133MHz外频,
HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式:
HM52XXXX5XXTT-XX
HM代表是日立的产品,52是SDRAM,如为51则为EDODRAM。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽,40、80、16分别代表4位、8位、16位。
第5个X表示是第几个版本的内核,现在至少已经排到"F"了。
第6个X如果是字母"L"就是低功耗。
空白则为普通。
TT为TSOII封装。
最后XX代表速度:
75:
7.5ns[133MHz]
80:
8ns[125MHz]
A60:
10ns[PC-100CL2或3]
B60:
10ns[PC-100CL3]
例如:
HM5264805F-B60,是64Mbit,8位输出,100MHZ时CL是3。
2.NEC。
NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式:
μPD45XXXXXG5-AXXX-XXX
μPD4代表是NEC的产品。
"5"代表是SDRAM。
第1、2个X代表容量。
第3或4个X表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。
当数据位宽为16位和32位时,使用两位,即占用第4个X。
由于NEC的标识的长度固定,这会对下面的数字造成影响。
第4或5个X代表Bank。
"3"或"4"代表4个Bank,在16位和32位时代表2个Bank;"2"代表2个Bank。
第5个X,如为"1"代表LVTTL。
如为16位和32位的芯片,第5个X已被占用,则第5个X有双重含义,如"1"代表2个Bank和LVTTL,"3"代表4个Bank和LVTTL。
G5为TSOPII封装。
-A后的XX是代表速度:
80:
8ns[125MHz]
10:
10ns[PC100CL3]
10B:
10ns较10慢,Tac为7,不完全符合PC100规范。
12:
12ns
70:
[PC133]
75:
[PC133]
速度后的X如果是字母"L"就是低功耗,空白则为普通。
-XXX:
第一人X通常为数字,如64Mbit芯片上常为准,16Mbit芯片上常为7,规律不详。
其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。
估计与封装外型有关:
"NF"对应:
44-pinTSOP-II;"JF"对应54-pinTSOPII;"JH"对应86-pinTSOP-II。
例如:
μPD4564841G5-A80-9JF,64Mbit,8位,4个Bank,在CL=3时可工作在125MHZ下,在100MHZ时CL可设为2。
3.TOSHIBA东芝。
TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式:
TC59SXXXXXFTX-XX
TC代表是东芝的产品。
59代表是SDRAM系列。
其后的S为普通SDRAM,R为RambusSDRAM,W为DDRSDRAM。
第1、2个X代表容量。
64为64Mbit,M7为128Mbit。
第3、4个X表示数据位宽,04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第5个X估计是用来表示内核的版本。
目前常见的为"B"。
FT为TSOPII封装。
FT后如果有字母"L"就是低功耗,空白则为普通。
最后的XX是代表速度:
75:
7.5ns[133MHz]
80:
8ns[125MHz]
10:
10ns[100MHzCL=3]
例如:
TC59S6408BFTL-80,64Mbit,8位,可正常工作在125MHz,且为低功耗型号。
二.韩国产系列:
韩国现在的SEC三星和HY(现代,它还将LGS给兼并了)占据了世界内存产量的多半份额,韩国产晶圆的特点是质量比较稳定,价格也较合理。
1.SEC[SamsungElectronics]三星。
三星的SDRAM芯片的标识为以下格式:
KM4XXSXX0XXXT-G/FX
KM代表是三星的产品。
三星的SDRAM产品KM后均为4,后面的"S"代表普通的SDRAM,如为"H",则为DDRSDRAM。
"S"前两个XX表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
三星的容量需要自己计算一下。
方法是用"S"后的X乘S前的数字,得到的结果即为容量。
"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。
2为2个Bank,3为难个Bank。
"0"后的第2个X,代表interface,1为SSTL,0为LVTTL。
"0"后的第3个X与版本有关,如B、C等,但每个字母下又有各个版本,在表面上并不能看得出来。
"T"为TSOP封装。
速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流,"F"需要的电流较"G"小,相当于一般的低功耗版。
"G/F"后的X代表速度:
7:
7ns[143MHz]
8:
8ns[125MHz]
H:
10ns[PC100CL2或3]
L:
10ns[PC100CL3]
10:
10ns[100MHz]
例如:
KM416S4031BT-GH,是64Mbit[16*4],16,4个Bank,在100MHZ时CL=2。
三星公布的标准PC133芯片:
Unbuffered型:
KMM3xxsxxxxBT/BTS/ATS-GA
Registered型:
KMM390sxxxxBTI/ATI-GA
2.HYUNDAI现代
现在国内常见的有HY57V65XXXXATC10和HY57V651XXXXXATC10。
现代的HYPC100SDRAM的编号应是ATC10或BTC,没有A的或B的,就不是PC100内存。
经测试,发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。
而编号ATC8的上133MHz也不行,但可超到124MHz。
编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。
66841XT75为PC133的,66841ET7K为PC100的。
现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式:
HY5XXXXXXXXXXXXX-XX
HY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型,57为一般的SDRAM,5D为DDRSDRAM。
第2个X代表工作电压,空白为5V,"V"为3.3V,"U"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度,分别如下:
16:
16Mbits,4KRef。
64:
64Mbits,8KRef。
65:
64Mbits,4KRef。
128:
128Mbits,8KRef。
129:
128Mbits,4KRef。
256:
256Mbits,16KRef。
257:
256Mbits,8KRef。
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽,40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成,1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。
是2的幂次关系。
第9个X一般为0,代表LVTTL[LowVoltageTTL]接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新。
第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片,如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式,分别如下:
JC:
400milSOJ
TC:
400milTSOP-II
TD:
13mmTSOP-II
TG:
16mmTSOP-II
最后几位为速度:
7:
7ns[143MHz]
8:
8ns[125MHz]
10p:
10ns[PC-100CL2或3]
10s:
10ns[PC-100CL3]
10:
10ns[100MHz]
12:
12ns[83MHz]
15:
15ns[66MHz]
例如:
常见的HY57V658010CTC-10s,HY是现代的芯片,57说明是SDRAM,65是64Mhbit和4Krefresh cycles/64ms,下来的8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC是400milTSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。
需要指出的是-10K不是PC100的产品,-7J和-7K也不是PC133的产品。
-8的性能要好于-7K和-7J。
3.LGS[LGSemicon]
LGs早已被HY现代纳入麾下,但还是有必要单独介绍下它。
LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。
其中10K是非PC100规格的,速度极慢。
7J和7K才是PC100的SDRAM,7J和7K工作模式的速度参数不同,LGs7J编号在1073222,LGs7K编号是1072222,两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。
而8才是真正的8nsPC100内存,但国内没有出现。
现在市面上还有很多10K的LGs内存,速度比7J和7K差很远,但因外型相差不大,所以不少*商把10K冒充7J或7K的来卖。
而7J和7K经过测试比较,7K比7J的更优秀,上133MHz时7K比7J更稳定,但7K的市面上不多见。
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式:
GM72VXXXXX1XXTXX
GM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM。
第1、2个X代表容量,类似现代,16为16Mbits,66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽,一般为4、8、16等,不补0。
第5个X代表Bank,2对应2个Bank,4对应4个Bank,和现代的不一样,属于直接对应。
第6个X表示是第几人版本的内核,现在至少已经排到"E"了。
第7个X如果是字母"L",就是低功耗,空白则为普通。
"T"为常见的TSOPⅡ封装,现在还有一种BLP封装出现,为"I"。
最后的XX自然是代表速度:
7.5:
7.5ns[133MHz]
8:
8ns[125MHz]
7K:
10ns[PC-100CL2或3]
7J:
10ns[100MHz]
10K:
10ns[100MHz]
12:
12ns[83MHz]
15:
15ns[66MHz]
例如:
GM72V661641CT7K,这是64Mbit,16位输出,4个Bank,刚达到PC-100的要求(CL=3)SDRAM。
三.欧美生产系列及其它:
在欧美内存厂商中Micron,IBM,SIEMENS西门子等都较有名气。
另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速,如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了,国产的晶圆的质量不错,价格也很便宜。
1.Micron。
Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式:
MT48XXXXMXXAXTG-XXX
MT代表是Micron的产品。
48代表是SDRAM系列。
其后的XX如为LC则为普通SDRAM。
46V为DDRSDRAM。
Mricron的容量需要自己计算一下。
方法是将XXMXX中的M前后的数字相乘,得到的结果即为容量。
M后的XX表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
AX代表WriteRecovery[Twr],如A2表示Twr=2clk。
TG为TSOPII封装。
LG为TGFP封装。
最后的XX是代表速度:
7:
7ns[143MHz]
75:
7.5ns[133MHz]
8X:
8ns[125MHz]
其中X为A~E,字母越后性能越好。
按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为:
3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。
10:
10ns[100MHzCL3]
速度后如有L则为低耗。
2.IBM。
PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。
IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260。
IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式:
IBM03XXXXXXT3X---XXX
IBM代表为IBM的产品。
IBM的SDRAM产品均为03。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽,为40、80、16等。
一般的封装形式为TSOP。
对4位数据位宽的型号,如第4个X不为0而为B,则为TSOJ封装。
第5个X意义不详,16Mbit上多为9,64Mbit上多为4。
第6个X为P为低功耗,C为普通。
第7个X表示内核的版本。
最后的XXX代表速度:
68:
6.8ns[147MHz]
75A:
7.5NS[133MHz]
260或222:
10ns[PC100CL2或3]
360或322:
10ns[PC100CL3]在B版的64Mbit芯片中,260和360在CL=3时的标定速度为:
135MHZ。
10:
10NS[100MHz]
例如:
IBM0316809CT3D-10,16Mbit,8位,不符合PC-100规范。
3.SIEMENS[西门子]
芯片标识:
HYB39Sxxxx0xTx-xx
前两个xx为容量,最后两位xx是速度:
6—166MHz
7—143MHz
7.5—133MHz
8—125MHz
8B—100MHz[CL3]
10—100MHz[PC66规格]
教你看懂内存编码!
内存大小识别方法(详)
内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日,韩厂家,欧美及中国(含台湾省)厂家等等。
看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法,下面就是内存识别资料,供大家参考:
主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下:
现代电子HYUNDAI:
HY[注:
代号]
三星SAMSUNG:
KM或M NBM:
AAA 西门子SIEMENS:
HYB
高士达LG-SEMICON:
GMHITSUBISHI:
M5M 富士通FUJITSU:
MB
摩托罗拉MOTOROLA:
MCM MATSUSHITA:
MN OKI:
MSM
美凯龙MICRON:
MT 德州仪器TMS:
TI 东芝TOSHIBA:
TD或TC
日立HITACHI:
HM STI:
TM日电NEC:
uPD
IBM:
BM NPNX:
NN
一.日本产系列:
主要厂家有Hitachi[日立],Toshiba[东芝],NEC[日电],Mitsubishi[三菱]等等,日产晶圆的特点是品质不错,价格稍高。
1.HITACHI[日立]。
1 日立内存质量不错,许多PC100的皆可稳上133MHz。
它的稳定性好,做工精细,日立内存芯片的编号有HITACHIHM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2,B60的CL是3。
市面上B60的多,但完全可超133MHz外频,
HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式:
HM52XXXX5XXTT-XX
HM代表是日立的产品,52是SDRAM,如为51则为EDODRAM。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽,40、80、16分别代表4位、8位、16位。
第5个X表示是第几个版本的内核,现在至少已经排到"F"了。
第6个X如果是字母"L"就是低功耗。
空白则为普通。
TT为TSOII封装。
最后XX代表速度:
75:
7.5ns[133MHz]
80:
8ns[125MHz]
A60:
10ns[PC-100CL2或3]
B60:
10ns[PC-100CL3]
例如:
HM5264805F-B60,是64Mbit,8位输出,100MHZ时CL是3。
2.NEC。
NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式:
μPD45XXXXXG5-AXXX-XXX
μPD4代表是NEC的产品。
"5"代表是SDRAM。
第1、2个X代表容量。
第3或4个X表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。
当数据位宽为16位和32位时,使用两位,即占用第4个X。
由于NEC的标识的长度固定,这会对下面的数字造成影响。
第4或5个X代表Bank。
"3"或"4"代表4个Bank,在16位和32位时代表2个Bank;"2"代表2个Bank。
第5个X,如为"1"代表LVTTL。
如为16位和32位的芯片,第5个X已被占用,则第5个X有双重含义,如"1"代表2个Bank和LVTTL,"3"代表4个Bank和LVTTL。
G5为TSOPII封装。
-A后的XX是代表速度:
80:
8ns[125MHz]
10:
10ns[PC100CL3]
10B:
10ns较10慢,Tac为7,不完全符合PC100规范。
12:
12ns
70:
[PC133]
75:
[PC133]
速度后的X如果是字母"L"就是低功耗,空白则为普通。
-XXX:
第一人X通常为数字,如64Mbit芯片上常为准,16Mbit芯片上常为7,规律不详。
其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。
估计与封装外型有关:
"NF"对应:
44-pinTSOP-II;"JF"对应54-pinTSOPII;"JH"对应86-pinTSOP-II。
例如:
μPD4564841G5-A80-9JF,64Mbit,8位,4个Bank,在CL=3时可工作在125MHZ下,在100MHZ时CL可设为2。
3.TOSHIBA东芝。
TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式:
TC59SXXXXXFTX-XX
TC代表是东芝的产品。
59代表是SDRAM系列。
其后的S为普通SDRAM,R为RambusSDRAM,W为DDRSDRAM。
第1、2个X代表容量。
64为64Mbit,M7为128Mbit。
第3、4个X表示数据位宽,04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第5个X估计是用来表示内核的版本。
目前常见的为"B"。
FT为TSOPII封装。
FT后如果有字母"L"就是低功耗,空白则为普通。
最后的XX是代表速度:
75:
7.5ns[133MHz]
80:
8ns[125MHz]
10:
10ns[100MHzCL=3]
例如:
TC59S6408BFTL-80,64Mbit,8位,可正常工作在125MHz,且为低功耗型号。
二.韩国产系列:
韩国现在的SEC三星和HY(现代,它还将LGS给兼并了)占据了世界内存产量的多半份额,韩国产晶圆的特点是质量比较稳定,价格也较合理。
1.SEC[SamsungElectronics]三星。
三星的SDRAM芯片的标识为以下格式:
KM4XXSXX0XXXT-G/FX
KM代表是三星的产品。
三星的SDRAM产品KM后均为4,后面的"S"代表普通的SDRAM,如为"H",则为DDRSDRAM。
"S"前两个XX表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
三星的容量需要自己计算一下。
方法是用"S"后的X乘S前的数字,得到的结果即为容量。
"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。
2为2个Bank,3为难个Bank。
"0"后的第2个X,代表interface,1为SSTL,0为LVTTL。
"0"后的第3个X与版本有关,如B、C等,但每个字母下又有各个版本,在表面上并不能看得出来。
"T"为TSOP封装。
速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流,"F"需要的电流较"G"小,相当于一般的低功耗版。
"G/F"后的X代表速度:
7:
7ns[143MHz]
8:
8ns[125MHz]
H:
10ns[PC100CL2或3]
L:
10ns[PC100CL3]
10:
10ns[100MHz]
例如:
KM416S4031BT-GH,是64Mbit[16*4],16,4个Bank,在100MHZ时CL=2。
三星公布的标准PC133芯片:
Unbuffered型:
KMM3xxsxxxxBT/BTS/ATS-GA
Registered型:
KMM390sxxxxBTI/ATI-GA
2.HYUNDAI现代
现在国内常见的有HY57V65XXXXATC10和HY57V651XXXXXATC10。
现代的HYPC100SDRAM的编号应是ATC10或BTC,没有A的或B的,就不是PC100内存。
经测试,发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。
而编号ATC8的上133MHz也不行,但可超到124MHz。
编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。
66841XT75为PC133的,66841ET7K为PC100的。
现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式:
HY5XXXXXX