2绘制根轨迹的基本法则.docx

上传人:b****8 文档编号:10977260 上传时间:2023-02-24 格式:DOCX 页数:22 大小:260.30KB
下载 相关 举报
2绘制根轨迹的基本法则.docx_第1页
第1页 / 共22页
2绘制根轨迹的基本法则.docx_第2页
第2页 / 共22页
2绘制根轨迹的基本法则.docx_第3页
第3页 / 共22页
2绘制根轨迹的基本法则.docx_第4页
第4页 / 共22页
2绘制根轨迹的基本法则.docx_第5页
第5页 / 共22页
点击查看更多>>
下载资源
资源描述

2绘制根轨迹的基本法则.docx

《2绘制根轨迹的基本法则.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《2绘制根轨迹的基本法则.docx(22页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。

2绘制根轨迹的基本法则.docx

2绘制根轨迹的基本法则

绘制根轨迹的基本法则

本节讨论根轨迹增益K(或开环增益K)变化时绘制根轨迹的法则。

熟练地掌握这些法则,可以帮助我们方便快速地绘制系统的根轨迹,这对于分析和设计系统是非常有益的。

法则1根轨迹的起点和终点:

根轨迹起始于开环极点,终止于开环零点;如果开环零点个数m少于开环极点个数n,则有(nm)条根轨迹终止于无穷远处。

根轨迹的起点、终点分别是指根轨迹增益

式(4-9)改写为

K0和时的根轨迹点。

将幅值条件

*

K-

n

l(SPj)|

j1

m

l(sZi)|

i1

可见当s=pj时,K*0;当

s=zi时,K*

法则2根轨迹的分支数,

对称性和连续性

nmPj|

s|11

j1s

(4-11)

m

zi

|1-|

i1s

;当|s|且nm时,

*

K。

根轨迹的分支数与开环零点数

m、开环

极点数n中的大者相等,根轨迹连续并且对称于实轴。

根轨迹是开环系统某一参数从零变到无穷时,闭环极点在s平面上的变化轨迹。

因此,

根轨迹的分支数必与闭环特征方程根的数目一致,即根轨迹分支数等于系统的阶数。

实际系

统都存在惯性,反映在传递函数上必有nm。

所以一般讲,根轨迹分支数就等于开环极点数。

实际系统的特征方程都是实系数方程,依代数定理特征根必为实数或共轭复数。

因此根轨迹必然对称于实轴。

由对称性,只须画出s平面上半部和实轴上的根轨迹,下半部的根轨迹即可对称画出。

特征方程中的某些系数是根轨迹增益K的函数,K从零连续变到无穷时,特征方程

的系数是连续变化的,因而特征根的变化也必然是连续的,故根轨迹具有连续性。

法则3实轴上的根轨迹:

实轴上的某一区域,若其右边开环实数零、极点个数之和为奇数,则该区域必是根轨迹。

设系统开环零、极点分布如图4-5所示。

图中,So是实轴上的点,i(i1,2,3)是各开

环零点到So点向量的相角,j(j1,2,3,4)是各开环极点到So点向量的相角。

由图4-5可见,复数共轭极点到实轴上任意一点(包括S)点)的向量之相角和为2。

对复数共轭零点,

情况同样如此。

因此,在确定实轴上的根轨迹时,可以不考虑开环复数零、极点的影响。

4-5中,So点左边的开环实数零、极点到So点的向量之相角均为零,而So点右边开环实数

零、极点到So点的向量之相角均为,故只有落在So右方实轴上的开环实数零、极点,才

有可能对So的相角条件造成影响,且这些开环零、极点提供的相角均为。

如果令i代表So点之右所有开环实数零点到So点的向量相角之和,j代表So点之右所有开环实数

极点到So点的向量相角之和,那么,So点位于根轨迹上的充分必要条件是下列相角条件成

mo

i

i1

no

j(2k

ji

1)

(ko,1,2,)

由于与表示的方向相冋,

mo

于是等效有:

no

i

i1

j(2k

ji

1)

(ko,

1,

2,

式中,mo、no分别表示在So右侧实轴上的开环零点和极点个数。

式中(2k1)为奇数。

于是本法则得证。

不难判断,图4-5实轴上,区段Pi,Zi,P4,Z2以及,Z3均为实轴上的根轨迹。

法则4根轨迹的渐近线:

当系统开环极点个数n大于开环零点个数m时,有nm

(4-8)可写成

an1bm1

an

1bm1

sbm1

即有

an1bm1

将上式左端用牛顿二项式定理展开,并取线性项近似,有

s1an1bm1

(nm)s

bm1

以1

1ej(2k1),k0,1,

2,代入上式,有

s

1.2k1

'j

Knmenm

这就是当

s时根轨迹的渐近线方程。

它表明渐近线与实轴的交点坐标为

nm

PjZi

j1i1

sK*n_m

本法则得证。

渐近线与实轴夹角为

法则5

根轨迹的分离点:

两条或两条以上根轨迹分支在s平面上相遇又分离的点,

称为根轨迹的分离点,分离点的坐标d是方程

(4-14)

的解。

证明由根轨迹方程(4-8),有

m

K*(s乙)

1丄0

(sPj)

ji

所以闭环特征方程为

m

K*(sZi)

i1

根轨迹在s平面相遇,说明闭环特征方程有重根出现。

设重根为d,根据代数中重根条

件,有

dn

D(s)-

dsj1

(sPj)

*

K

i

m

(sZi)0

1

dn(

(s

Pj)

dK—

m

(sZi)

(4-16)

dsj1

ds

i1

将式(4-16)、

式(4-15)等号两端对应相除、得

d

n

dm

(s

Pj)

(sZi)

ds

j1

dsi1

n

m

(sPj)

(sZi)

j

1

i1

n

m

dIn(s

Pj)

dIn(sZi)

j1

i1

(4-17)

ds

ds

n

dln(s

Pj)

mdln(sz)

j1

ds

i1ds

n

1

m

1

于是有

j1

sPj

i1s

Zi

从上式解出的s中,经检验可得分离点d。

本法则得证。

例4-3控制系统开环传递函数为

试概略绘制系统根轨迹。

解将系统开环零、极点标于s平面,如图4-7所示。

根据法则,系统有3条根轨迹分支,且有nm=2条根轨迹趋于无穷远处。

根轨迹绘

制如下:

 

»例斗-3的计算穆序

rLum='12];

den=conv([10],conv([11],[141));

xiocus(minideii)

法则6根轨迹与虚轴的交点:

若根轨迹与虚轴相交,意味着闭环特征方程出现纯虚

根。

故可在闭环特征方程中令sj,然后分别令方程的实部和虚部均为零,从中求得交点的坐标值及其相应的K值。

此外,根轨迹与虚轴相交表明系统在相应K值下处于临界

稳定状态,故亦可用劳斯稳定判据去求出交点的坐标值及其相应的K值。

此处的根轨迹增

益称为临界根轨迹增益。

例4-4某单位反馈系统开环传递函数为

⑷与虚轴交点:

方法1系统闭环特征方程为

s36s25sK0

D(s)

令sj,则

3

D(j)(j)

2

6(j)

32

5(j)Kj6j5

*

K0

令实部、虚部分别为零,有

2

K60

解得

K0K30

显然第一组解是根轨迹的起点,故舍去。

根轨迹与虚轴的交点为s

增益K*30。

j..5,对应的根轨迹

>》例4=的计算程序程序

[1];

den=conv'f[1,0],aonv([111r[15]));ilciciistiiuniden)

方法2用劳斯稳定判据求根轨迹与虚轴的交点。

列劳斯表为

15

*

6K

(30K*)60

*

K

3

s

2

s

1

s

0

s

当K30时,s行元素全为零,系统存在共轭虚根。

共轭虚根可由

F(s)6s2KJ0

s2行的辅助方程求得:

得sj.5为根轨迹与虚轴的交点。

根据上述讨论,可绘制出系统根轨迹如图4-8所示。

法则7根轨迹的起始角和终止角:

根轨迹离开开

环复数极点处的切线与正实轴的夹角,

称为起始角,以

Pi

表示;根轨迹进入开环复数零点处的切线与正实轴的夹

角,称为终止角,以z表示。

起始角、终止角可直接利

用相角条件求出。

例4-5设系统开环传递函数为

K*(s1.5)(s2j)(s2j)

s(s2.5)(s0.5j1.5)(s0.5j1.5)

图i-s根轨还图

试概略绘制系统根轨迹。

解将开环零、极点标于s平面上,绘制根轨迹步骤如下:

⑴实轴上的根轨迹:

 

1.5,0,,2.5

K=时的一

⑵起始角和终止角:

先求起始角。

设s是由p2出发的根轨迹分支对应

点,s到p2的距离无限小,则矢量p2s的相角即为起始角。

作各开环零、极点到s的向量。

3)

图4T根轨迹的起始角和线止角

同理,作各开环零、极点到复数零点(

2j)的向量,可算出复数零点(2j)

处的终止角2=145(见图4-9)。

作出系统的根轨迹如图4-10所示。

»例4-5Alailab程序zero—[-15-2-i-2+i];

pole-[0-2.5*0.5i-j*1.5-0.5-j*1.5];g=zpk(zero.pol&l);rlocu5

法则8根之和:

当系统开环传递函数G(s)H(s)的分子、

分母阶次差(n

m)大于

等于2时,

系统闭环极点之和等于系统开环极点之和。

n

式中,

i

i1

为系统的闭环极点

证明

2,n

设系统开环传递函数为

n

Pi

i1

(特征根)

p1,p2,pn为系统的开环极点。

式中

D(s)

G(s)H(s)

K(szj(s

Z2)(szm)

(S口)(SP2)(sPn)

K*sm

nn

san1s

bm1K*sm1

Kbo

an1

n2

a?

s

(Pi)

i1

a。

(4-18)

m2,即m

n

an1s

n

an1s

n2,系统闭环特征式为

n

(s

n

s

an2s

(an2

K*)sn

a。

2

(K*sm

(a。

K

(s

1)(s

K*bm1Sm1

bo)=

bo)

2)(s

另外,根据闭环系统n个闭环特征根

n可得系统闭环特征式为

n

D(s)sn

n1

(i)s

(i)

(4-19)

 

可见,当nm2时,特征方程第二项系数与K无关。

比较系数并考虑式(4-18)有

nn

(i)(Pi)ani(4-20)

i1i1

式(4-20)表明,当nm2时,随着K的增大,若一部分极点总体向右移动,则另一

部分极点必然总体上向左移动,且左、右移动的距离增量之和为0。

利用根之和法则可以确定闭环极点的位置,判定分离点所在范围。

例4-6某单位反馈系统开环传递函数为

G(s)

K

s(s1)(s2)

试概略绘制系统根轨迹,并求临界根轨迹增益及该增益对应的的三个闭环极点。

解系统有3条根轨迹分支,且有nm=3条根轨迹趋于无穷远处。

绘制根轨迹步骤如下:

⑴轴上的根轨迹:

2,1,0

⑵渐近线:

12,

a1

3

(2k1)

a3

3,

⑶分离点:

1

11

0

d

d1d2

经整理得

3d

26d20

d1

1.577d2

0.423

显然分离点位于实轴上

1,0间,故取

d0.423。

 

由于满足nm2,闭环根之和为常数,当

K增大时,两支根轨迹向右移动的速度

慢于-

支向左的根轨迹速度,因此分离点

d

0.5是合理的。

⑷与虚轴交点:

系统闭环特征方程为

D(s)s3

3s

2

2sK*0

令s

j,则

D(j)(j)3

3(j

)22(j)K

令实部、虚部分别为零,有

解得

32*

j3j2K0

K*320

230

0,2

K*0K*6

显然第一组解是根轨迹的起点,故舍去。

根轨迹与虚轴的交点为1,2jJ2,对应的根轨

***

迹增益为K6,因为当0K6是系统稳定,故K6为临界根轨迹增益,根轨迹

与虚轴的交点为对应的两个闭环极点,第三个闭环极点可由根之和法则求得:

0121231j2f2

系统根轨迹如图4-11所示。

力例斗的计算程序

num-[1];

den=ccnv([lf0]fconv([11],[12]));

docu^nutrLdeti)

根据以上绘制根轨迹的法则,不难绘出系统的根轨迹。

具体绘制某一根轨迹时,这8条法则并不一定全部用到,要根据具体情况确定应选用的法则。

为了便于查阅,将这些法则统一归纳在表4-2之中。

图很執迹图

 

表4-2绘制根轨迹的基本法则

序号

内容

法则

1

根轨迹的起点和终点

根轨迹起始于开环极点,终止于开环零点。

2

根轨迹的分支数,

根轨迹的分支数与开环零点数

m和开环极点数n中的大者相等,根轨

对称性和连续性

迹是连续的,并且对称于实轴。

实轴上的某一区域,若其右端开环实数零、

极点个数之和为奇数,则该

3

实轴上的根轨迹

区域必是180根轨迹。

*实轴上的某一区域,若其右端开环实数零、极点个数之和为偶数,贝U

该区域必是0根轨迹。

n

Pj

m

渐近线与实轴的交点

j1

i1

a

n

m

4

根轨迹的渐近线

a

(2k

(180根轨迹)

渐近线与实轴夹角

n

m

*

2k

(0根轨迹)

a

(U1区勺)

n

m

其中

k=0,±

1,±2,…

分离点的坐标d是下列方程

5

根轨迹的分离点

n1m

1

j1dPji

d

Zi

的解

6

根轨迹与虚轴交点坐标

及其对应的K值可用劳斯稳定判据确定,也

根轨迹与虚轴的交点

可令闭环特征方程中s

Lj

的,然后分别令其实部和虚部为零求得

mn

t—

ij

(2k

1)

(k0,1,2,)

7

根轨迹的起始角

i1j1

和终止角

mn

*

ij

i1j1

2k

(k0,1,2,)

8

根之和

nn

iPi

i1i1

(n

m2)

注:

表中,以“*”标明的法则是绘制0根轨迹的法则(与绘制常规根轨迹的法则不同),其余法则不变

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 高等教育 > 哲学

copyright@ 2008-2022 冰豆网网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备2022015515号-1