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模电试题及答案

《模拟电子技术基础》试题(A卷)

学号姓名.

一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。

(10分)

(1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

()

(2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。

()

(3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。

()

(4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

()

(5)利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

()

(6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

()

(7)未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。

()

(8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

()

(9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。

()

(10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

()

二、选择填空(10分)

(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入;

为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入。

(A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈

(2)RC串并联网络在

时呈。

(A)感性(B)阻性(C)容性

(3)通用型集成运放的输入级多采用。

(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法

(4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为。

(A)β(B)β2(C)2β(D)1+β

(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是;

既能放大电流,又能放大电压的电路是。

(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路

(6)当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE。

(A)>(B)<(C)=(D)≤

(7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

(A)大(B)小(C)相等

三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u0。

 

四、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为UBEQ,电流放大系数为β,B-E间动态电阻为rbe。

填空:

静态时,IBQ的表达式为,ICQ的表达式为,UCEQ的表达式为;电压放大倍数的表达式为,输入电阻的表达式为,输出电阻的表达式为;若减小RB,则ICQ将,rbe将,

将,Ri将。

五、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时UBEQ=0.7V,电流放大系数为β=100,rbe=1kΩ,RB1=5kΩ,RB2=15kΩ,RE=2.3kΩ,RC=RL=3kΩ,VCC=12V。

(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

(2)估算信号源内阻为RS=1kΩ时,

的数值。

 

六、(10分)在图示电路中,已知VCC=12V,VEE=6V,恒流源电路

I=1mA,RB1=RB2=1kΩ,RC1=RC2=10kΩ;两只晶体管特性完全相同,

且β1=β2=100,rbe1=rbe2=2kΩ。

估算:

(1)电路静态时T1和T2管的集电极电位;

(2)电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数AC、输入电阻Ri和输出电阻R0

 

七、(5分)在图示OCL电路中,已知T1、T2管的

,电源电压为±9V,负载电阻RL=8Ω,试计算最大输出功率Pom及效率η。

 

八、(8分)设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数。

 

九、(6分)在图示电路中,要求RF=100kΩ,比例系数为11,试求解R、和

的阻值。

 

十、(6分)求解图示电路的运算关系式。

 

十一、(9分)在图示文氏桥振荡电路中,已知R1=10kΩ,R和C的可调范围分别为1~100kΩ、0.001~1μF。

(1)

振荡频率的可调范围是多少?

(2)RF的下限值为多少?

 

十二、(5分)在图示电路中,已知W7806的输出电压为6V,R1=R2=R3=200Ω,试求输出电压U0的调节范围。

 

十三、(6分)串联型稳压电路如图所示,T2和T3管特性完全相同,T2管基极电流可忽略不计,稳压管的稳定电压为UZ。

填空:

调整管为,输出电压采样电阻由组成,基准电压电路由组成,比较放大电路组成;

输出电压调节范围的表达式为

《模拟电子技术基础》试题(B卷)

学号姓名.

一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。

(10分)

(1)只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。

()

(2)引入直流负反馈可以稳定静态工作点。

()

(3)负反馈越深,电路的性能越稳定。

()

(4)零点漂移就是静态工作点的漂移。

()

(5)放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

()

(6)镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

()

(7)半导体中的空穴带正电。

()

(8)P型半导体带正电,N型半导体带负电。

()

(9)实现运算电路不一定非引入负反馈。

()

(10)凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。

()

二、选择填空(10分)

(1)为了增大输出电阻,应在放大电路中引入;

为了展宽频带,应在放大电路中引入。

(A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈

(2)在桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路中,。

(A)φA=-1800,φF=+1800(B)φA=+1800,φF=+1800(C)φA=00,φF=00

(3)集成运放的互补输出级采用。

(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法

(4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为。

(A)β(B)β2(C)2β(D)1+β

(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输入电阻最大的电路是;

既能放大电流,又能放大电压的电路是。

(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路

(6)当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE。

(A)>(B)<(C)=(D)≤

(7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

(A)大(B)小(C)相等

三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u0。

 

四、(10分)在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示,将每只管子所用材料(Si或Ge)、类型(NPN或PNP)及管脚为哪个极(e、b或c)填入表内。

管号

T1

T2

T3

管号

T1

T2

T3

管脚

电位

(V)

0.7

6.2

3

电极

名称

0

6

10

5

3

3.7

材料

类型

五、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时UBEQ=0.7V,电流放大系数为β=80,rbe=1.2kΩ,RB=500kΩ,RC=RL=5kΩ,VCC=12V。

(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

(2)估算信号源内阻为RS=1.2kΩ时,

的数值。

 

六、(10分)在图示电路中,已知VCC=12V,VEE=6V,恒流源电路

I=1mA,RB1=RB2=1kΩ,RC1=RC2=10kΩ;两只晶体管特性完全相同,

且β1=β2=100,rbe1=rbe2=2kΩ。

估算:

(1)电路静态时T1和T2管的集电极电位;

(2)电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数AC、输入电阻Ri和输出电阻R0

 

七、(5分)在图示OCL电路中,已知T1、T2管的

,电源电压为±9V,负载电阻RL=8Ω,试计算最大输出功率Pom及效率η。

 

八、(8分)设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数。

 

九、(6分)在图示电路中,要求其输入电阻为20kΩ,比例系数为-15,试求解R、RF和

的阻值。

 

十、(6分)求解图示电路的运算关系式。

 

十一、(9分)将图示电路合理连接,构成桥式(即文氏桥)正弦波振荡电路,并估算电路的振荡频率和R1的最大值。

 

十二、(5分)在图示电路中,已知W7805的输出电压为5V,IW=5mA,R1=1kΩ,R2=200Ω。

试求输出电压U0的调节范围。

 

十三、(6分)串联型稳压电路如图所示,稳压管的稳定电压为UZ。

填空:

调整管为,输出电压采样电阻由组成,基准电压电路由组成,比较放大电路由组成;输出电压调节范围的表达式为

 

A卷参考答案

一、

(1)×

(2)√(3)×(4)√(5)√

(6)√(7)×(8)√(9)×(10)√

二、

(1)B、C

(2)B(3)D(4)B(5)B、C

(6)A、A(7)A

三、二极管D导通,-3V

四、

;增大;减小;减小;减小

五、3V;1mA;10цA;6.7V;-150;0.79kΩ;-66.7

六、7V;-333;0;6kΩ;20kΩ

七、4W;5.7W;70%

八、(a)电压并联负反馈;-R2/R1(b)电压串联负反馈;1+R2/R1

九、10kΩ;9kΩ

十、

十一、1.6HZ—160kHZ;20kΩ

十二、9V;8V

十三、T1;R1、R2、R3;R、DZ;T2、T3、RE、RC;

 

B卷参考答案

一、

(1)×

(2)√(3)×(4)√(5)√

(6)√(7)√(8)×(9)×(10)×

二、

(1)A、D

(2)C(3)B(4)B(5)B、C

(6)B、B(7)A

三、二极管D截止,-6V

四、

管号

T1

T2

T3

管号

T1

T2

T3

管脚

电位

(V)

0.7

6.2

3

电极

名称

B

E

E

0

6

10

E

B

C

5

3

3.7

C

C

B

材料

Si

Ge

Si

类型

NPN

PNP

NPN

五、22.6цA;1.8mA;3V;-167;1.2kΩ;5kΩ;-83.5

六、7V;-333;0;6kΩ;20kΩ

七、4W;5.7W;70%

八、(a)电压串联负反馈;1+R2/R1(b)电压并联负反馈;-R2/R1

九、20kΩ;300kΩ;18.75kΩ

十、

十一、160HZ;50kΩ

十二、5V--35V

十三、T;R1、R2、R3;R、DZ;A;

 

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