晶体管引脚识别方法.docx

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晶体管引脚识别方法

　用万用表的两支表笔与基极除外的两支脚接触，若为PNP，则用手指接触基极与红笔所接的那一极看指针摆动的情况，然后交换表笔测一次，以指针摆动幅度大的一次为准，这时，接红表笔的为集电极；若为NPN，则用手指接触基极与红笔所接的那一极看指针摆动的情况，然后交换表笔测一次，以指针摆动幅度大的一次为准，这时，接黑表笔的为集电极。

　　注意:

模拟表和数字表的区别,模拟表的红表笔接的是电源的负极，而数字表相反。

三极管的检测方法

（2010-04-2419:

28:

01）

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表笔

阻值

三极管

cpu核心

达林顿

it

分类：

电脑方面

、中、小功率三极管的检测

　　A、已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏

　　（a）、测量极间电阻。

将万用表置于R×100或R×1k挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。

其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。

但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。

　　（b）、三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。

ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。

而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

　　通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，

具体方法如下：

万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。

要求测得的电阻越大越好。

e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。

一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，

如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。

　　（c）、测量放大能力（β）。

目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。

先将万用表功能开关拨至挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，

然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。

另外：

有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，

其颜色和β值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同。

　　B、检测判别电极

　　（a）、判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。

黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为PNP型管；

如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管。

　　（b）、判定集电极c和发射极e。

（以PNP为例）将万用表置于R×100或R×1k挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，

所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。

在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；

在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。

　　C、判别高频管与低频管

高频管的截止频率大于3MHz，而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下，二者是不能互换的。

　　D、在路电压检测判断法

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，

所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。

2、大功率晶体三极管的检测

　　利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法，对检测大功率三极管来说基本上适用。

但是，由于大功率三极管的工作电流比较大，因而其PN结的面积也较大。

PN结较大，其反向饱和电流也必然增大。

所以，若像测量中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的R×1k挡测量，必然测得的电阻值很小，

好像极间短路一样，所以通常使用R×10或R×1挡检测大功率三极管。

3、普通达林顿管的检测

　　用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容。

因为达林顿管的E－B极之间包含多个发射结，所以应该使用万用表能提供较高电压的R×10k挡进行测量。

4、大功率达林顿管的检测

　　检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。

但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件，

所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分，以免造成误判。

具体可按下述几个步骤进行：

　　A、用万用表R×10k挡测量B、C之间PN结电阻值，应明显测出具有单向导电性能。

正、反向电阻值应有较大差异。

　　B、在大功率达林顿管B－E之间有两个PN结，并且接有电阻R1和R2。

用万用表电阻挡检测时，当正向测量时，

测到的阻值是B－E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是（R1＋R2）电阻之和，

大约为几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。

但需要注意的是，有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管，

此时所测得的则不是（R1＋R2）之和，而是（R1＋R2）与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。

5、带阻尼行输出三极管的检测

　　将万用表置于R×1挡，通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值，即可判断其是否正常。

具体测试原理，方法及步骤如下：

　　A、将红表笔接E，黑表笔接B，此时相当于测量大功率管B－E结的等效二极管与保护电阻R并联后的阻值，

由于等效二极管的正向电阻较小，而保护电阻R的阻值一般也仅有20Ω～50Ω，所以，二者并联后的阻值也较小；

反之，将表笔对调，即红表笔接B，黑表笔接E，则测得的是大功率管B－E结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值，

由于等效二极管反向电阻值较大，所以，此时测得的阻值即是保护电阻R的值，此值仍然较小。

　　B、将红表笔接C，黑表笔接B，此时相当于测量管内大功率管B－C结等效二极管的正向电阻，一般测得的阻值也较小；

将红、黑表笔对调，即将红表笔接B，黑表笔接C，则相当于测量管内大功率管B－C结等效二极管的反向电阻，测得的阻值通常为无穷大。

　　C、将红表笔接E，黑表笔接C，相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻，测得的阻值一般都较大，约300Ω～∞；

将红、黑表笔对调，即红表笔接C，黑表笔接E，则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻，测得的阻值一般都较小，约几Ω至几十Ω

                            CUP的核心类型

 核心（Die）又称为内核，是CPU最重要的组成部分。

CPU中心那块隆起的芯片就是核心，是由单晶硅以一定的生产工艺制造出来的，

CPU所有的计算、接受/存储命令、处理数据都由核心执行。

各种CPU核心都具有固定的逻辑结构，一级缓存、二级缓存、执行单元、

指令级单元和总线接口等逻辑单元都会有科学的布局。

　　为了便于CPU设计、生产、销售的管理，CPU制造商会对各种CPU核心给出相应的代号，这也就是所谓的CPU核心类型。

　　不同的CPU（不同系列或同一系列）都会有不同的核心类型（例如Pentium4的Northwood，Willamette以及K6-2的CXT和

K6-2+的ST-50等等），甚至同一种核心都会有不同版本的类型（例如Northwood核心就分为B0和C1等版本），

核心版本的变更是为了修正上一版存在的一些错误，并提升一定的性能，而这些变化普通消费者是很少去注意的。

每一种核心类型都有其相应的制造工艺（例如0.25um、0.18um、0.13um以及0.09um等）、核心面积（这是决定CPU成本的关键因素，

成本与核心面积基本上成正比）、核心电压、电流大小、晶体管数量、各级缓存的大小、主频范围、流水线架构和支持的指令集

（这两点是决定CPU实际性能和工作效率的关键因素）、功耗和发热量的大小、封装方式（例如S.E.P、PGA、FC-PGA、FC-PGA2等等）、

接口类型（例如Socket370，SocketA，Socket478，SocketT，Slot1、Socket940等等）、前端总线频率（FSB）等等。

因此，核心类型在某种程度上决定了CPU的工作性能。

　　一般说来，新的核心类型往往比老的核心类型具有更好的性能（例如同频的Northwood核心Pentium41.8AGHz就要比Willamette

核心的Pentium 41.8GHz性能要高），但这也不是绝对的，这种情况一般发生在新核心类型刚推出时，

由于技术不完善或新的架构和制造工艺不成熟等原因，可能会导致新的核心类型的性能反而还不如老的核心类型的性能。

例如，早期Willamette核心Socket423接口的Pentium4的实际性能不如Socket370接口的Tualatin核心的PentiumIII和赛扬，

现在的低频Prescott核心Pentium4的实际性能不如同频的Northwood核心Pentium4等等，

但随着技术的进步以及CPU制造商对新核心的不断改进和完善，新核心的中后期产品的性能必然会超越老核心产品。

　　CPU核心的发展方向是更低的电压、更低的功耗、更先进的制造工艺、集成更多的晶体管、更小的核心面积

（这会降低CPU的生产成本从而最终会降低CPU的销售价格）、更先进的流水线架构和更多的指令集、更高的前端总线频率、集成更多的功能

（例如集成内存控制器等等）以及双核心和多核心（也就是1个CPU内部有2个或更多个核心）等。

CPU核心的进步对普通消费者而言，最有意义的就是能以更低的价格买到性能更强的CPU。

　　在CPU漫长的历史中伴随着纷繁复杂的CPU核心类型，以下分别就IntelCPU和AMDCPU的主流核心类型作一个简介。

主流核心类型介绍（仅限于台式机CPU，不包括笔记本CPU和服务器/工作站CPU，而且不包括比较老的核心类型）。

※三极管：

三极管就是由二个PN结构成三个极的电子元件，基极（B）集电极（C）、发射极（E）。

※三极管作用：

三极管在电路中主要起电流放大和开关作用；也起隔离作用。

※三极管命名：

中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

第一部分：

用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管

第二部分：

用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：

A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：

A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：

用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（F<3MHz,Pc<1W）、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：

用数字表示序号 第五部分：

用汉语拼音字母表示规格号

例如：

3DG18表示NPN型硅材料高频三极管