铅酸蓄电池充电装置的设计方案.docx
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铅酸蓄电池充电装置的设计方案
铅酸蓄电池充电装置的设计方案
1概述
1.1课题研究的背景
电池是一种化学电源，是通过能量转换而获得电能的设备。
也被称为可再充电电池或蓄电池被激活的充电电池的放电后的活性物质继续使用的二次电池。
当对电池充电时，电能转变为化学能，实现向负荷供电，伴随吸热过程。
应用过程中的可充电电池，充电器是使用的设备，是其成功的关键，可充电电池一问世，充电器设计就是一个关键问题，因为直接影响充电电池的两个重要方面：
充电电池的使用容量及循环寿命。
因此，直到二十世纪中叶，充电器的技术都没有取得大的进展，常用的恒流或恒压充电方法，效果比较差。
这种情况一直持续，直到六十年代MASCC博士基于最低出气率曲线原理，发现可接受的电池充电电流的大小随时间而减少这一规律，证实恒流或恒压充电是不是最合适的方法。
根据MASCC的曲线，提出了两阶段，三阶段的多段充电方式。
所谓的两阶段的第一阶段以恒定电流或恒定电压对电池进行充电，当电池电压达到一定的水平，然后涓流充电；所谓的三阶段充电先以恒定电流充电，直到电池电压达到一定值时，转入第二阶段，即恒定电压充电阶段，当电流降到某种程度时，进入第三阶段涓流充电。
经过几十年的发展，铅酸蓄电池充电技术已较为成熟。
由于使用这种电池的性能接近镍镉电池，而且不需要维护，国内铅酸电池使用量逐渐增加。
充电器在近几年的进步已经取得明显进步的标志就是世界上最的半导体制造商纷纷推出自己的充电芯片，其中一些还带有中央处理器。
本文也将应用单片机PIC16C54，设计一款智能型铅酸蓄电池充电器。
1.2课题研究的意义
由于铅酸电池有许多因素影响电池的寿命和容量，为了提高效率，消除偏振，缩短充电时间，在分析铅酸电池的充电特性的基础上，集合涓流充电和恒定电流，恒定电压充电，PIC16C54微控制器，脉宽调制技术的优点，根据电压、电流反馈自动调节充电脉冲宽度，设计一个可以在系统控制下进行三阶段充电的铅酸蓄电池智能充电器。
该充电器根据设计的充电方法对12V、4AH蓄电池充电。
该充电器的一些技术指标有：
a）基本输入：
单相220VAC±5%，50HZ±2%；b）充电参数：
快充时充电电流为4A，慢充时充电电压为14.7V，涓充时充电电压为14.1V；c）环境温度：
-10℃到50℃：
空气相对湿度不超过85%。
2充电方案的选择及系统的整体结构
2.1课题的总体设计方案
该设计采用逐个功能模块分析再组合的方法来实现方案。
分别对充电控制电路，开关电源PWM控制电路，开关电源主回路中的滤波电路、开关管的驱动电路以及辅助电源电路和显示电路进行了分析设计。
然后对每一部分的具体电路的特点进行组合。
软件方面阐述了软件实现的功能，说明了PIC系统的指令，绘制了程序流程图，分析和解释了程序。
2.2充电方法的选择
铅酸蓄电池充电方法的选择是至关重要的，不同的充电方法差别很大，充电效果有很大的差距，对电池性能的影响也不相同。
选择最合适的充电方法，你应该考虑使用充电电池的频率，放点的放大倍率以及其他因素。
下面是对不同充电方法的简要概述：
2.2.1恒流充电
充电器的交流电源电压通常是波动的，充电需要的是直流恒流电源。
当使用恒定电流充电时，电池可以具有高充电效率，可以很容易地根据充电时间来决定是否充电中止，并且还可以改变的电池的数目。
恒流电源充电电路如图2.1所示。
图2.1恒流电源充电电路
2.2.2恒压充电
在该充电模式中，充电电路随电池两端的电压波动而变化，初始充电电流比较大，到最后阶段，充电电流变小。
充电电流中的最大充电电流应设置为最高充电电压，以便将电池过度充电。
此外，在用恒压方式充电时，充电电压在充电末期达到峰值后会有所下降。
电池充电电流会加大，会导致电池温度上升。
当电池温度上升时，电压下降将导致热失控的电池，电池的性能损坏，因此，不建议使用恒压充电。
如图2.2所示：
图2.2恒压充电电路
2.2.3浮充方式
在浮充模式下，电池以小电流（C/30号C/20）充电，以保持电池在完全充电的状态。
浮充法适用于电池作为应急电源或备用电源的电气设备。
常规浮充方式充电电路如图2.3所示。
图2.3浮充方式充电电路
2.2.4涓充方式
电池与负载并联，同时电池与直流电源（充电器）相连。
一般情况下，作为负载的工作电源，直流电源以涓流充电模式对电池进行充电，只有当负载变大，在直流电源的端电压低于电池端电压或直流电源停止供电时，电池对负载放电。
在这种方式下，充电电流由使用模式决定。
它通常使用在紧急电源、备用电源或电子表等不允许断电的场合。
如图2.4所示是简单的涓充方式示意图。
图2.4涓流方式的简单示意图
2.2.5分阶段充电方式
在分阶段充电方式中，在电池充电的初始阶段充电电流较大。
当电池电压达到控制点时，电池转为以涓流方式充电。
分阶段充电模式是最好的电池充电模式，但缺点是，所述充电电路的复杂性和更高的成本。
另外，需增设控制点的电池电压的监测电图。
如图2.5所示：
图2.5分阶段充电的简单示意图
铅酸蓄电池往往采用恒压充电或恒流充电。
恒压充电的初始充电电流过大，影响电池寿命铅酸电池，甚至可能导致极板弯曲，损坏电池。
因此，大量的铅酸蓄电池充电电路以恒流充电方式充电，恒流充电电路始终是一个恒定的充电电流给电池充电，直到电池充满后关断电路，或进入浮充形式。
相比而言，恒流充电对蓄电池的寿命是有好处的。
而且恒流充电具有较大的电流充放电，使充放电的速度大大加快。
但是，如果恒定电流充电，充电电流，以保持原始值，大部分电流消耗在分解水上，使冒气非常强大，电解液沸腾十分激烈，不仅消耗能量，而且容易使极板活性脱落，对极板极其不利。
因此，对于铅酸蓄电池分阶段充电方法是一个更好的办法，因为在充电过程中的，充电电流逐渐下降。
使用这种方法中，充电结束的电解质沸腾现象减弱，能量损失少，而且保护极板，以防止过度充电和水解带来的功率损耗。
分析几种充电方式，综合快充和慢充铅酸电池充电器设计的优势。
使用微控制器控制的充电器，充电过程分为快速充电，慢速充电，涓流充电三个阶段，充电更好。
2.3系统的整体结构
铅酸蓄电池
图2.6系统的整体结构
充电系统的结构框图如图2.6所示。
整个充电装置由单片机控制系统，斩波电路，辅助电源电路，电流电压反馈电路，隔离驱动电路和电源变换电路组成。
单片机控制系统由PIC16C54及其外围电路组成，单片机接收到电压电流检测电路反馈的信号后，控制斩波电路的导通，使电压或电流稳定。
斩波电路由晶体管组成，主要作用是可以实现占空比的调节从而达到电流电压稳定的效果。
辅助电源电路是将整流的电压降压，滤波，为单片机提供工作电压。
电流电压检测电路是检测蓄电池两端的充电电压或充电电流是否稳定的设定值。
电源变换电路由滤波电路和整流电路组成，将市网电处理。
驱动隔离电路的主要作用是有基极驱动电路驱动变压器输出。
2.4本章小结
本章着重对比各种充电方案，综合各种充电方案的优点，确定了充电器的设计方案，以单片机为控制核心的恒流—恒压—恒流三阶段充电方式。
搭建了系统的总体框图，接下来就总体框图来进行各部分的硬件设计。
3充电器硬件部分的设计
3.1充电器的充电过程及工作原理
3.1.1充电过程分析
图3.1所示为该充电器的充电电流、电压曲线。
图3.1充电器的充电电流、电压曲线
可以看出，在图3.1中：
快充阶段（0至t1），充电器以恒定电流1C充电，由单片机控制快速充电时间，避免充电过量，慢充阶段（t1至t2），单片机输出PWM控制信号来控制斩波器开关通断，以一个恒定的电压，对电池进行充电时，充电电流呈指数下降，当电池电压上升到规定值时，慢充结束；进入涓流充电阶段（t2至t3），单片机输出的PWM控制信号，使充电器以约0.09C的充电电流充电，在此状态下，很长一段时间，可以对电池进行充电，从而延长电池寿命。
3.1.2充电器的工作原理
根据框图中所示的系统结构中，铅酸蓄电池的充电装置的原理图，主要包括开关稳压器的，斩波器开关，控制器和辅助电源四个部分，并设有过电流保护，过电压保护和过温保护。
交流电流输入整流电路和辅助电源，辅助电源给单片机提供工作电压，再输入半桥式转换器，然后通过使用TL494设计的电压控制和电流监测，使用单片机控制半桥变换器斩波开关实现对蓄电池充电的智能控制，单片机还可以控制灯运行和停止，可以看到现在处于那个阶段的充电状态。
在此示意图中，必须先设定值，然后由微控制器控制的每个阶段的充电。
具体的原理图如图3.2所示：
图3.2铅酸蓄电池充电器原理图
3.2充电控制电路的设计
根据本系统的特点，硬件电路采用单片机控制系统来实现。
3.2.1单片机的选择
PIC16C54单片机的介绍：
PIC16C54属CMOS单片机，是一个低价位高性能8位单片机，具有体积小，功耗低，性能强，体密性高，价格低等特点。
仅使用了33条精简指令集、单字节单周期指令，每条指令的执行时间最快可达到200ns。
易于记忆和使用的指令系统可大大减少产品的开发时间。
它有两个双向I/O口线，其中A口用来检测四种工作方式的按键情况，作为输入，B口中除RB0作为输入，用来检测电流强度控制键的按键情况外，其余都用作输出，RB1用于输出脉冲信号，该信号刺激隔离器，耦合到刺激电极上输出，它的振荡源有四种，晶体振荡（XT），低功耗振荡（LP），高速振荡（HP）及RC振荡。
多种时钟振荡电路低功耗睡眠省电模式和WDT（看门狗）代码保护功能，这些功能有更大的优势。
RB2--RB7是用来控制六档电流强度指示灯的开启和关闭；PIC16C54系列单片机可广泛应用于电机控制、汽车电路、家用电器等领域。
PIC16C54单片机主要性能：
RISC精简指令集，指令仅有33条，指令长度为12位
绝大部分均为单机器周期指令。
工作速度高，最快可达200ns（20MHz时钟时）
数据长度为8位
片内程序存储器容量为512-2kbyte
片内静态数据存储器（SRAM）为25-73byte
硬件组成7个专用寄存器
两级硬件堆栈
有直接、间接、相对和位寻址功能
12-20条I/O引脚，每条引脚均可设置为输入和输出态
多种时钟振荡电路及WDT定时器电路
宽工作电压范围和低功耗模式：
工作电压为2.5V-6.0V，典型工作电流为2mA，睡眠状态仅为3uA。
PIC16C54单片机引脚图：
图3.3PIC16C54单片机引脚图
PIC16C54单片机的引脚功能为：
RA0-RA3I/O输入和输出端口A，与内部的F5对应，为一个4位I/O端口，可进行位控。
RB0-RB7I/O输入和输出端口B，与内部的F6对应，为一个8位I/O端口，可进行位控。
RTCC实时时钟/计数器输入计数在这个端口输入信号的上升沿或下降沿，边缘可通过软件选择。
MCLR主复位端，当MCLR为低电平时对单片机复位。
OSC1振荡信号输入端。
此端口用于外部振荡信号的输入，使用RC振荡，当它连接到RC电路，使用石英晶体的一端连接到一个石英振荡电路。
OSC2振荡信号输出端。
石英晶体谐振器或陶瓷谐振器通过一个串联电阻R连接到晶体振荡器的一端，往往RC振荡器作为的CLKOUT输出（CLKOUT的1/4fosc）的。
VDD电源电压。
一般为5V，其范围在2.5-6.25V之间。
Vss地端。
3.2.2控制电路的设计
电路包含控制主芯片PIC16C54、振荡电路、复位电路。
振荡电路是由晶体振
图3.4控制电路的电路图
荡器及电容构成；复位电路是由二极管、电阻及极性电容构成。
快速充电阶段，IC3的6脚输出高电平，通过一个电阻器R32的连接Q7的基极，斩波器开关导通时，通过电流监测电路，以恒定电流对电池进行充电。
达到快速充电时间，IC3的6脚输出低电平，斩波开关关闭，停止充电，快速充电阶段的结束。
慢速充电阶段，IC3的6脚输出PWM控制信号，斩波开关到一个固定的导通占空比，充电器恒压为电池充电，充电电流随电池电压上升指数下降。
当电池电压上升到一个预定值，电阻R33，R34，R35对电池的电压进行采样，并送到比较器IC2的第3脚（同相输入端子），跟引脚2（反相输入端）的参考电压比较，1脚输出高电平，IC3的17脚输出高电平，软件过滤和延迟后，以确定检测正确，慢充结束。
涓流充电阶段，IC3的6脚输出PWM控制信号到斩波切换到较小的占空比导通，充电电流维持在约0.09C，为电池充电。
过热保护是通过外接电池的正温度特性热敏电阻RT2，R36，R37完成的。
当电池的温度升高，热敏电阻RT2阻值正在增大，IC2引脚5（同相输入端）电位升高，电池温度上升到一个特定的值，5脚电位超6脚（反相输入端）的电位，7脚高电平输出，IC3的18引脚输入高电平，IC3的6脚输出PWM信号，将充电器的浮动电压给电池充电，有效地保护电池。
系统用发光二极管表示充电状态。
即快充和慢充阶段，绿色发光二极管亮；涓流充阶段，黄色发光二极管亮。
3.3开关电源PWM控制电路的设计
采用脉冲宽度调制（PWM）技术，其特点是一个高频率，高效率，高功率密度，高可靠性。
脉冲宽度调制的开关电源一般是一个模拟的控制模式下，按照与相应的改变负载，通过调节偏置的晶体管的栅极或基极来实现的开关电源输出晶
图3.5TL494管脚分配图
体管或晶体管的导通时间，这种方式的变化，使得电源的输出电压在工作条件的变化时保持恒定，是使用单片机的数字输出来控制模拟电路的一个非常有效的方式。
调节的开关电源的占空比，输出电压基本上不随负载的变化或输入电压变化的方法称为脉冲宽度调制方法。
现在有许多的脉宽调制控制器，主要的生产厂家像美国德州的TI公司，其生产的脉宽调制控制器有TL598，SG2524，TL494等，而本设计中选用的是TL494型的脉宽调制器，其能够产生两路PWM输出，并且具有稳压、限流及保护功能。
3.3.1TL494的简介
TL494是一款固定频率脉宽调制电路，它包含了开关电源控制所需的全部功能，被广泛应用于单端正激双管式，半桥式，全桥式开关电源。
TL494的SO-16PDIP-16两种封装形式，以适应不同场合的要求，其主要特点如下：
集成了全部的脉宽调制电路；
芯片内置线性锯齿波振荡器，外接振荡器件只有两个（一个电阻和一个电容）
内置误差放大器；
内置5V参考基准电压源；
可调整死区时间；
内置功率晶体管可提供500mA的驱动能力；
推或拉两种输出方式。
3.3.2TL494的工作原理
TL494的内部器件是由锯齿波发生器、触发器、比较器、误差放大器1和2、5V基准电源与两个驱动晶体管等组成。
它是一种脉宽调制型开关电源集成控制器。
管脚分配如图3.6所示。
脚1、2和脚15、16分别为两个比较器输入端；脚3为相位控制端；脚4为死区电平控制端；脚5、6为振荡器的R、C输入端；8,9脚11,10脚分别为两个内部驱动晶体管集电极、发射极。
他们所发出的脉冲，可控制转换器开关交替导电管。
引脚13为输出控制端子，两个内部驱动晶体管导通或关闭时，引脚13为低电平，转换器只能控制一个开关，以形成一个单端输出;当脚13为高电平时，就可推挽输出。
达到输出的脉冲宽度调制，可以通过任何一个在电容器CT侧的正的锯齿波形与两个控制信号来比较。
仅当锯齿波电压时，NOR门电路驱动的输出晶体管Q1和Q2，只有当正反器的时钟输入信号是在低的水平，这个门会是在有效状态，这种情况的发生是锯齿波信号电压大于控制信号电压的期间。
当控制信号的振幅增加时，此时也会一致引起输出脉波宽度的线性减少。
如图3.7所示：
图3.6TL494的内部结构图
图3.7TL494控制器时序波形图
控制信号可以是外部输入端子输入在引脚4控制端子的截止时间，误差放大器的输入端脚1,2,15,16与其输入端点的抵补电压为120mV时，限制输出截止时间降至最低，约为最初锯齿波的周期时间约4％。
当13脚输出模式控制接地时，获得的最大占空比为96％，当13脚接系统的参考电压，最大占空比为48％。
如果我们控制输入引脚4截止时间设定一个固定的电压范围从0V到3.3V，一个额外的截止时间必须出现在输出。
PWM比较器提供了一种方法，这是确定的最大百分比的时间做了调整输出的脉冲宽度控制输入至零电位，但这次返回授予输入脚的电压的变化可以是0.5V到3.5V，两个误差放大器的模态（共模）输入范围从-0.3V到（工作电压）2V，可以用来检测电源供给器的输出电压和电流。
误差放大器的输出是高主动的状态，并且它们的误差放大器的输出与PWM比较器的非反相输入为或（OR）运算，所以电路结构，放大器需要一个最小的输出上的时间，控制抑制回路，通常第一个误差放大器的参考电压和稳定的输出电压进行比较，可以依靠反馈控制环路增益。
3脚通常用作频率补偿，其主要目的是为整个环路的稳定性，特别注意的是必须避免使用反馈引脚3输入过载电流大于600uA，否则最大脉冲宽度是不正常的限制，两个误差放大器，都可以利用正相或反相放大来稳压。
第二误差放大器可以用来做电流检测电路，检测电阻与参考电压元比较，回路电压在接近地时，该误差放大器的转换率在7V至Vcc时为2V/μs。
但是，在任何情况下，在高频用途中。
脉冲宽度比较器和控制逻辑的传播延迟，使他不能用于动态电流限制器。
它可以应用到恒定电流限制电路或外部组件使电流回叠（电流反馈回路）限流装置，动态电流限值优选为能够使用的控制输入端的截止时间引脚4。
当电容CT放电，在截止时间比较器的输出将是正脉冲信号输出，该时钟脉冲控制操作的触发器，抑制了输出晶体管Q1和Q2，输出模式控制部分13脚的位线连接到参考电压电平，此时为推挽操作，这两个输出的脉冲信号的调制晶体管被交替地导通，那么每一个输出的开关频率为振荡器频率的一半。
当工作在单端模式，最大占空比不得低于50％，输出由驱动晶体管Q1或Q2取得，单端操作需要更高的输出电流，可把Q1和Q2晶体管连接并联，输出模式控制脚13必须接地，触发器的失效状态（禁用），输出的开关频率等于振荡器的频率。
TL494约两个输出级可用于单端或推挽输出，两个输出之间的关系是不具约束力，双方的集电极和发射极输出可以采用共发射极状态，基极和发射极电流在200mA，在1.1V的电压下的共基极结构基极极和发射极饱和电压为15V，输出设置下两个输出有一定的保护作用，一般两个共发射极输出转换时间，因此，我们可以知道转换速度非常快，工作频率高达300KHz，输出漏电流在25℃时一般小于1uA。
3.3.3TL494外围电路的设计
图3.8TL494外围电路设计
如图3.8所示，TL494的外围电路的设计比较固定，这里分几个部分简单介绍。
（1）软启动保护
由前面的介绍可知，TL494的4脚是芯片的死区控制端。
该脚的落地电阻R13，以及跨接在14脚（内部参考电源端子）之间的电容C19，在开机的时候，落地电阻R13上没有电流流过，R13上无电压。
随着输入电源给电容C19充电，R13上开始流过电流，即4脚上开始建立一定的电压，芯片开始工作。
这就是软启动。
可见，充电电容C19的值决定了软启动的快慢。
C19越大，软启动过程越短。
死区时间的大小，是由落地电阻R13的电压值决定，电压越高，死区时间越长。
（2）恒流控制
开关电源输出电压电流稳定是一个很重要的要求。
TL494提供的内部基准电源和两个误差放大器可以很方便的实现这些功能。
在这个系统中，电阻R28串联连接在次级绕组N2和N3T1之间的中间抽头和输出地之间，用来监测快速充电电流和过电流保护。
当充电电流超过一个恒定值1C，R28两端的电压降增大，通过分流电阻R24、R25反馈到IC1的15脚，其电势变为负值，低于IC1的管脚16，内部电流误差放大器输出为高电平，IC1的引脚8和引脚11的PWM信号的输出脉冲变窄，从而使Q1和Q2的导通时间缩短，因此，当输出电压下降，以保持恒定的充电电流；随着充电时间延长，电池电压逐渐上升，充电电流呈指数下降，IC1的15脚电位指数增加，IC1的引脚8和引脚11输出的PWM信号脉冲展宽，从而延长Q1和Q2的导通时间，输出电压升高，充电电流保持恒定。
（3）恒压控制
同恒流控制类似，恒压控制也是利用了内部电压误差放大器和输出电压之间构成的负反馈。
如图3.8所示，电阻R15、R16、R17、R18及电容C16、C17组成电压取样电路，取样电压输入到IC1的1脚。
当输出电压在允许范围内的电压值，误差放大器的输出驱动晶体管输出一个固定占空比的脉冲信号;一旦输出过电压，反馈到1脚的电压高于2脚的电压，则放大器输出高电平，降低驱动晶体管输出脉冲的占空比，使IC1的8脚和11脚输出的PWM信号的脉宽改变，从而使Q1、Q2的导通时间改变，维持输出电压恒定。
（4）其他
IC1的5、6脚分别接定时元件C13和R12，构成三角波震荡器，其中R12=22
，C13=1uF。
三角波的振荡频率为：
。
3脚和15脚，3脚和2脚之间的RC网络滤波电路，根据电容电阻的设置值，滤除相应频段的干扰。
13脚直接连接到14引脚（5V参考电压），这两个驱动器晶体管工作方式为推挽输出。
芯片驱动晶体管的发射极9,10脚接地，集电极8,11脚输出驱动外部电路晶体管Q3，Q4，放大，然后输出驱动变压器，激励主开关Q1，Q2。
3.4开关电源主回路设计
3.4.1功率开关元件的选用
目前在开关电源中用得比较多的开关器件主要有电力晶体管GTR、门极可关断晶体管GTO、场效应晶体管MOSFET和绝缘栅极双极型晶体管IGBT等。
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是MOS结构的双极型器件，属于具有功率M0SFET的高速性能与双极型器件的低电阻特性的功率元件。
但目前由于价格方面的原因，还只能用在高功率变换的场合。
通常我们选择MOSFET管，主要考虑漏源击穿电压
和导通电阻
。
漏源击穿电压
就是漏区和沟道体区PN结上的反偏电压。
这个电压决定了器件的最高工作电压。
导通电阻是一个非常重要的参数，它是等效于双极性晶体管功率器件的饱和电阻。
漏源击穿电压值
高，导通电阻
大，限制了功率场效应管在高反向电压开关电源的应用。
场效应管工作在开关状态时，漏源极之间的电压也是必须考虑的一个参数。
鉴于目前工艺状况导通电阻
稍大，约1欧姆左右。
低导通电阻
的管子价格偏高。
开启电压
，相当于双极晶体管的饱和电压，选择的双极型晶体管E13007最大饱和电压为0.25V。
综上所述，双极型晶体管的饱和压降还是比较小。
特别是成本也比MOSFET要低得多。
双极型晶体管由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。
起源于1948年发明的点接触晶体管，在20世纪50年代初，发展成一个现在被称为双极型晶体管的结型晶体管。
这种晶体管有两种基本结构：
PNP和NPN型双极晶体管。
在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。
基区注入少量的电流时，发射区和集电区之间形成一个更大电流，即晶体管的放大作用。
下面是双极型晶体管的特点：
输入特性曲线：
描述了管压降UCE的目标的情况下，作为输入的伏安特性提到的基极电流IB和发射极结电压降UBE之间的关系，可以表示为：
硅管的导通电压约0.7V，锗管的导通电压约0.3V。
输出特性曲线：
基极电流IB为一常数时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。
可分为三个区：
截止区：
发射结和集电结均为反向偏置。
IE=0，IC=0，UCE=EC，管子失去放大能力。
如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。
饱和区：
发射结和集电结均为正向偏置。
在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大
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