薄膜混合集成电路制造工艺.docx

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薄膜混合集成电路制造工艺

薄膜混合电路的制造工艺

吴亚军

（陕西国防工业职业技术学院电子信息学院微电3101班西安市户县710300）

摘要：

薄膜混合电路（HIC）是微电子技术的一个方面，微电子技术主如果微小型电子元件器件组成的电子系统。

主要依托特定的工艺在单独的基片之上（或之内）形成无源网络并互连有源器件，从而组成的微型电子电路。

薄膜电路以其元件参数范围宽、精度高、稳固性能好、温度频率特性好，而且集成度较高、尺寸较小，但工艺设备昂，生产本钱高。

它与半导体集成电路彼此补充、彼此渗透，已成为集成电路的一个重要组成部份，普遍应用于低频微波电路等众多领域，对电子设备的微型化起到了重要的推动作用。

Thinfilmhybridcircuit（HIC）isanaspectofmicroelectronictechnology,microelectronicstechnologyismainlysmallelectroniccomponentsdevicescomposedofelectronicsystem.Mainlydependsonthespecificprocessonaseparatesubstrate（orwithin）thepassivenetworkinterconnectionformedandactivedevices,thusconstitutingtheminiatureelectroniccircuit.Thinfilmcircuitelementparameterstoitswiderange,highprecision,goodstability,temperaturegoodfrequencycharacteristic,andhighintegrationlevel,smallsize,buttheprocessequipmentexpensive,highproductioncost.Itandsemiconductorintegratedcircuitmutualcomplement,mutualpenetration,hasbecomeintegratedcircuitisanimportantcomponent,iswidelyappliedinmanyfieldssuchaslowfrequencymicrowavecircuit,theelectronicequipmentminiaturizationplayedanimportantroleinpromoting

关键词：

薄膜混合电路（HIC）、微电子技术（microelectronictechnology）、微型电子电路（miniatureelectroniccircuit）

引言：

集成电路电路分为薄厚膜集成电路、半导体集成电路和混合集成电路。

而最近几年来随着半导体技术和微电子技术的蓬勃进展，电子信息技术日趋向微型化、高集成化、高速数据传输和高电流、高频化微波化等众多领域进展。

这对电子元器件提出了尺寸微小、高频、高靠得住性和高集成度的要求，工作频率和速度的提高进一步缩短信号在系统内部的传输延迟时刻，小型电子元器件及印制板组装技术制造工艺的不断更新，电子技术取得了飞速的进展。

厚膜混合电路的优势在于性能靠得住，设计灵活，投资小，本钱低，多应用高电压、大电流、大功率的场合。

厚膜混合电路采用的是丝网印刷和高温烧结形成无源网络。

薄膜混合电路元件参数范围宽、精度高、稳固性能好、温度频率特性好、集成度较高多用于低频微波场合。

薄膜电路采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方式。

1薄膜混合电路的综述

薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件和它们之间的互连引线，全数用厚度在１微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。

薄膜集成电路中的有源器件，即晶体管有两种材料结构形式：

一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管，另一种是薄膜热电子放大器。

更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺，即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不利用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式，就可以够组装成一块完整的集成电路。

在同一个基片上用蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺制成无源网路,并组装上分立的微型元件、器件,外加封装而成的混合集成电路。

所装的分立微型元件、器件，能够是微型元件、半导体芯片或单片集成电路。

按无源网路中元件参数的集中和散布情形，薄膜集成电路分为集中参数和散布参数两种。

前者适用范围从低频到微波波段，后者只适用于微波波段。

薄膜混合电路的特点

薄膜混合集成电路与厚膜混合集成电路相较较，其薄膜混合电路的特点是所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好，能够工作到毫米微波段。

而且集成度较高、尺寸较小。

可是所用工艺设备比较昂贵、生产本钱比较高。

薄膜混合集成电路适用于各类电路，专门是要求精度高、稳固性能好的模拟电路。

与其他集成电路相较，它更适合于微波电路。

1.1.1薄膜混合电路的制造工艺

主要工艺 薄膜混合集成电路所用基片有多种，最常常利用的是玻璃基片,第二是微晶玻璃和被釉陶瓷基片,有时也用蓝宝石单晶硅基片。

为了实现紧密组装和自动化生产，一般利用标准基片。

在基片上形成薄膜有多种方式。

制造薄膜网路常常利用物理汽相淀积（PVD）法,有时还有阳极氧化或电镀法。

在物理汽相淀积法中，最常常利用的是蒸发工艺和溅射工艺。

这两种工艺都是在真空室中进行的，所以统称为真空成膜法。

用这两种方式，能够制造无源网路中的无源元件、互连线、绝缘膜和保护膜。

阳极氧化法能够形成介质膜，并能调整电阻膜的阻值。

在制造散布参数微波混合集成电路时，用电镀法增加薄膜微带线的厚度，以减少功耗。

1.1.2薄膜混合电路的制作材料 　

在薄膜电路中主要有四种薄膜：

导电、电阻、介质和绝缘薄膜。

导电薄膜用作互连线、焊接区和电容器极板。

电阻薄膜形成各类微型电阻。

介质薄膜是各类微型电容器的介质层。

绝缘薄膜用作交叉导体的绝缘和薄膜电路的保护层。

各类薄膜的作用不同，所以对它们的要求和利用的材料也不相同。

对导电薄膜的要求除了经济性能外，主要是导电率大，附着牢靠，可焊性好和稳固性高。

因尚无一种材料能完全知足这些要求，所以必需采用多层结构。

常常利用的是二至四层结构,如铬-金（Cr-Au）、镍铬-金（NiCr-Au）、钛-铂-金（Ti-Pt-Au）、钛-钯-金（Ti-Pd-Au）、钛-铜-金（Ti-Cu-Au）、铬-铜-铬-金（Cr-Cu-Cr-Au）等。

微型电容器的极板对导电薄膜的要求略有不同，常常利用铝或钽作电容器的下极板，铝或金作上极板。

对电阻薄膜的主要要求是膜电阻范围宽、温度系数小和稳固性能好。

最常常利用的是铬硅系和钽基系。

在铬硅系中有镍-铬（Ni-Cr）、铬-钴（Cr-Co）、镍-铬-硅（Ni-Cr-Si）、铬-硅（Cr-Si）、铬-氧化硅（Cr-SiO）、镍铬-二氧化硅（NiCr－SiO2）。

属于钽基系的有钽（Ta）、氮化钽（Ta2N）、钽-铝-氮（Ta－Al－N）、钽-硅（Ta-Si）、钽-氧-氮（Ta-O-N）、钽-硅-氧（Ta-Si-O）等。

对介质薄膜要求介电常数大、介电强度高、损耗角正切值小,用得最多的仍是硅系和钽系。

即氧化硅（SiO）、二氧化硅（SiO2）、氧化钽（Ta2O5）和它们的双层复合结构：

Ta2O5-SiO和Ta2O5-SiO2。

有时还用氧化钇（Y2O3），氧化铪（HfO2）和钛酸钡（BaTiO3）等。

为了减小薄膜网路中的寄生效应，绝缘薄膜的介电常数应该很小,因此采用氧化硅（SiO）、二氧化硅（SiO2）、氮化硼（BN）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）等，适合于微波电路。

2.薄膜混合电路的基片材料

2.2.1薄膜基片材料

基片是微波电磁场传输媒质，又是电路的支撑体。

其主要性能指标：

（1）高频损耗tgδ，随温度T和工作频率fo升高而增加，在微波频段工作的材料，其高频吸收能量P=2πfV2εrtgδ。

（2）介电常数ε＝εrA/t，εr大时电路尺寸能够小，有利集成;但频率太高时，有时为了减小加工难度，选εr较小的材料。

（3）表面光洁度形响到电路损耗，薄膜的附着力，和线条的分辨率，划痕等缺点。

（4）基片平整度（基片上最高点与最低点的距离叫平整度）

基片翘度：

最高点与最低点的距离除的基片的长度，经研磨和抛光，翘度可小于in。

（5）化学稳固性。

基片对酸碱的耐性，对金属膜是不是彼此作用。

如微晶玻璃就应避免Ti/Pt/Au系统。

（6）CTE基片的热膨胀系数应与管壳材料，元器件材料相匹配，以避免产生应力，影响靠得住性。

（7）热导率，决定了基片的导热性，热导率高有利于电路的散热。

（8）容易加工

薄膜电路的基片材料

微波电路基片常常利用的主要有陶瓷基片，有机材料基片和复合介质基片。

微波薄膜混合集成电路主要采用的陶瓷基片是：

①  Al2O3　陶瓷基片

②  微晶玻璃基片

③  BeO陶瓷基片

④  AIN陶瓷基片，还有碳化硅，人造金刚石等用的较少。

薄膜电路的基片材料加工

陶瓷打孔用超声波打孔和激光打孔。

（1）激光打孔，位置准确、可偏程、效率高，可打很小的孔，比如，还可打异形孔。

只是设备贵。

（2）超声波打孔

① 打孔质量较好，壁直、圆滑

② 不仅可打陶瓷，也可打微晶玻璃

③ 能够打ф,,,,的孔，

④ 缺点是定位精度差、效率低。

主要靠金刚沙研磨，需要把基片粘到玻璃上，打完孔后取下基片，清洗蜡层。

（3）划片。

陶瓷片用砂轮化片机，或激光划片。

微晶玻璃片用金刚刀划片机划片。

薄膜电路的基片材料清洗

（1）去油去蜡

1°能够用甲苯煮或超声（5mim）

2°用丙酮超声　2～5min

3°用乙醇超声　2～5min，微晶玻璃基片可用浓流酸煮至发烟；

（2）去除金属离子

10％HCl煮沸、水冲、水煮

10％NaOH煮沸3min，水沸

微晶玻璃可用王水煮

（3）大量冲水

（3）乙醇脱水

（4）烘干

除溅射前的基片，无明显油和蜡的片子，能够只用甲苯、丙酮、乙醇超声，水超声、烘干即可。

超声时刻不要太长，一般不要超过5min。

超声太长，可能影响金属附着性能。

按照基片清洁情形，能够减少前面步骤。

薄膜电路的基片材料制作示用意

3.薄膜混合电路的薄膜元器件

别离介绍薄膜在以下几种电子元器件中的应用，薄膜电阻器，薄膜电容器和薄膜声表面波器件。

薄膜电阻器

薄膜在无源器件方面中的应用最开始于电阻器，薄膜电阻器是用蒸发的方式将必然电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。

一般来讲金属被制成薄膜后会像本征电阻率变高，电阻温度系数变小这一有利方向进展。

（1）NiCr薄膜电阻。

这一电阻是最先被深切研究的金属薄膜电阻，他具有温度系数小，噪声低，寿命长等特点。

常常利用的NiCr薄膜电阻有圆筒形和方形板型。

制造进程为：

第一在绝缘衬底上由蒸发和溅射方式淀积NiCr合成膜。

然后通过修编技术来调整阻值圆形电阻用机械方式切割螺旋线来修正阻值，达到调阻目的，平行板可采用机械或激光方式来调阻。

最后焊上引线并封装即可。

（2）钽薄膜电阻

钽是熔点高金属，但单质钽的温度系数及稳固性都不太好，所以后来研究了钽的氮化物（TaN）TaN膜一般是在高纯氮气中利用溅射方式制成，其电阻与NiCr薄膜电阻膜相近，其稳固性好可是钽是稀有金属所以本钱会比较高，对大量生产不利，，故分立元件推行不多，可是在会和电路中可取得超级优越的性质，被优先考虑。

（3）技术陶瓷薄膜电阻

虽然NiCr薄膜电阻和钽薄膜电阻的特性都具有超级高的指标，可是有一个明显的缺点是阻值不易做高。

为了弥补这一点，可采用技术和无机物混合即金属陶瓷，

按照各组成相所占百分比不同，金属陶瓷分为以陶瓷为基质和以金属为基质两类。

陶瓷基金属陶瓷主要有：

①氧化物基金属陶瓷。

以氧化铝、氧化锆、氧化镁、氧化铍等为基体，与金属钨、铬或钴复合而成，具有耐高温、抗化学侵蚀、导热性好、机械强度高等特点，可用作导弹喷管衬套、熔炼金属的坩埚和金属切削刀具。

②碳化物基金属陶瓷。

以碳化钛、碳化硅、碳化钨等为基体，与金属钴、镍、铬、钨、钼等金属复合而成，具有高硬度、高耐磨性、耐高温等特点，用于制造切削刀具、高温轴承、密封环、捡丝模套及透平叶片。

③氮化物基金属陶瓷。

以氮化钛、氮化硼、氮化硅和氮化钽为基体，具有超硬性、抗热振性和良好的高温蠕变性，应用较少。

可是从重复性和稳固性来看目前可实用的仅限于Cr-SiO。

Cr-SiO金属陶瓷实用快速争渡方式制成，其方阻特性随Cr和SiO的比例转变专门大，一般来讲，Cr含量越高TCR越小。

而方阻随Si增多而增大。

而在实际比例中为1：

1，现在方阻约为1K欧姆/□，因此用同一图形做出阻值约为Cr-SiO五倍。

但寿命不是十分理想，所以此类材料只用在M欧级电阻上。

薄膜电容

　　电容器依着介质的不同，它的种类很多，例如：

电解质电容、纸质电容、薄膜电容、陶瓷电容、云母电容、空气电容等。

可是在音响器材中利用最频繁的，当属电解电容器和薄膜（Film）电容器。

电解电容大多被利用在需要电容量专门大的地方，例如主电源部份的滤波电容，除滤波之外，并兼做贮存电能之用。

而薄膜电容则普遍被利用在模拟信号的交连，电源噪声的旁路（反交连）等地方。

薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两头重叠后，卷绕成圆筒状的构造之电容器。

而依塑料薄膜的种类又被别离称为聚乙酯电容（又称Mylar电容），聚丙烯电容（又称PP电容），聚苯乙烯电容（又称PS电容）和聚碳酸电容。

　　薄膜电容器由于具有很多优良的特性，因此是一种性能优秀的电容器。

它的主要等性如下：

无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优良（频率响应宽广），而且介质损失很小。

基于以上的长处，所以薄膜电容器被大量利用在模拟电路上。

尤其是在信号交连的部份，必需利用频率特性良好，介质损失极低的电容器，方能确保信号在传送时，不致有太大的失真情形发生。

在所有的塑料薄膜电容当中，又以聚丙烯（PP）电容和聚苯乙烯（PS）电容的特性最为显著，固然这两种电容器的价钱也比较高。

但是最近几年来音响器材为了提升声音的品质，所采用的零件材料已愈来愈高级，价钱并非最重要的考量因素，所以最近几年来PP电容和PS电容被利用在音响器材的频率与数量也愈来愈高。

读者们能够常常见到某某牌的器材，号称用了多少某某名牌的PP质电容或PS质电容，以做为在声音品质上的背书，其道理就在此。

　　通常的薄膜电容器其制法是将铝等金属箔当做电极和塑料薄膜重叠后卷绕在一路制成。

可是另外薄膜电容器又有一种制造法，叫做金属化薄膜（MetallizedFilm），其制法是在塑料薄膜上以真空蒸镀上一层很薄的金属以做为电极。

如此能够省去电极箔的厚度，缩小电容器单位容量的体积，所以薄膜电容器较容易做成小型，容量大的电容器。

例如常见的MKP电容，就是金属化聚丙烯膜电容器（MetailizedPolypropyleneFilmCapacitor）的代称，而MKT则是金属化聚乙酯电容（MetailizedPolyester）的代称。

　　金属化薄膜电容器所利用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等，除卷绕型之外，也有叠层型。

金属化薄膜这种型态的电容器具有一种所谓的恢复作用（SelfHealingAction），即假设电极的微小部份因为电界质脆弱而引发短路时，引发短路部份周围的电极金属，会因那时电容器所带的静电能量或短路电流，而引发更大面积的溶融和蒸发而恢复绝缘，使电容器再度回答电容器的作用。

　　聚脂薄膜在普通应用中表现出良好的特性，具有高介电常数（使其在金属化薄膜电容器中取得最高的单位体积电容量）、高绝缘强度、自我恢复特点和良好的温度稳固性。

在所有各类薄膜电容器中，聚脂电容器以适度的本钱实现了最佳的体积效率，而且是解耦、阻断、旁路和噪声抑制等直流应用中最流行的选择。

而利用金属化聚丙烯薄膜制造的电容器则具有低介电损耗、高绝缘阻抗、低介电吸收和高绝缘强度特性，是一种持久的和节省空间的解决方案，它的长期稳固性也专门好。

这些特点使金属化聚丙烯薄膜电容器成为交流输入滤波器、电子镇流器缓和冲电路等应用的重要选择。

聚丙烯薄膜电容器能够提供400VAC或更高的额定电压，知足工业三相应用和专业设备的要求。

它们还能够用于开关电源、鉴频和滤波器电路，和能量存储和取样与维持应用等。

薄膜电容器是电子产业中的重要元件，虽然相应的生产与结构技术在不断进展以提供更大的电容量和更好的电气性能，但这些器件很少与新产品的新特性有关。

在这种情形下，由于人们往往需要迅速完成设计和元件选择，当出现特殊需求时，电容器制造商提供一对一式的服务能够帮忙解决设计问题和保证干扰滤波器、大体信号调节电路和电子镇流器等大体功能模块的顺利完成。

薄膜声表面波器件

在声表面拨器件中，声表面波的能量集中在压电基片的表层内。

该表面层的厚度为一个表面波的波长。

因此能够不用压电单晶或压电陶瓷作基片，而采用象玻璃那种无压电性的衬底，在上面覆盖厚度约一个波长的压电薄膜就可制作声表面波器件。

在薄膜声表面波器件中，压电薄膜和非压电衬底形成了多层结构，而声表面波传播特性则由压电薄膜和衬底的特性一路决定。

即便用同一种压电薄膜材料，当改变薄膜厚度和衬底材料时，声表面波的声速、器件的中心频率及延迟时刻、温度特性也随之改变。

另外，声表面波的有效机电耦合系数也随换能器电极结构和压电薄膜的厚度而转变。

薄膜电阻器

薄膜在无源器件方面中的应用最开始于电阻器，薄膜电阻器是用蒸发的方式将必然电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。

一般来讲金属被制成薄膜后会像本征电阻率变高，电阻温度系数变小这一有利方向进展。

（1）NiCr薄膜电阻。

这一电阻是最先被深切研究的金属薄膜电阻，他具有温度系数小，噪声低，寿命长等特点。

常常利用的NiCr薄膜电阻有圆筒形和方形板型。

制造进程为：

第一在绝缘衬底上由蒸发和溅射方式淀积NiCr合成膜。

然后通过修编技术来调整阻值圆形电阻用机械方式切割螺旋线来修正阻值，达到调阻目的，平行板可采用机械或激光方式来调阻。

最后焊上引线并封装即可。

（2）钽薄膜电阻

钽是熔点高金属，但单质钽的温度系数及稳固性都不太好，所以后来研究了钽的氮化物（TaN）TaN膜一般是在高纯氮气中利用溅射方式制成，其电阻与NiCr薄膜电阻膜相近，其稳固性好可是钽是稀有金属所以本钱会比较高，对大量生产不利，，故分立元件推行不多，可是在会和电路中可取得超级优越的性质，被优先考虑。

（3）技术陶瓷薄膜电阻

虽然NiCr薄膜电阻和钽薄膜电阻的特性都具有超级高的指标，可是有一个明显的缺点是阻值不易做高。

为了弥补这一点，可采用技术和无机物混合即金属陶瓷，

按照各组成相所占百分比不同，金属陶瓷分为以陶瓷为基质和以金属为基质两类。

陶瓷基金属陶瓷主要有：

①氧化物基金属陶瓷。

以氧化铝、氧化锆、氧化镁、氧化铍等为基体，与金属钨、铬或钴复合而成，具有耐高温、抗化学侵蚀、导热性好、机械强度高等特点，可用作导弹喷管衬套、熔炼金属的坩埚和金属切削刀具。

②碳化物基金属陶瓷。

以碳化钛、碳化硅、碳化钨等为基体，与金属钴、镍、铬、钨、钼等金属复合而成，具有高硬度、高耐磨性、耐高温等特点，用于制造切削刀具、高温轴承、密封环、捡丝模套及透平叶片。

③氮化物基金属陶瓷。

以氮化钛、氮化硼、氮化硅和氮化钽为基体，具有超硬性、抗热振性和良好的高温蠕变性，应用较少。

可是从重复性和稳固性来看目前可实用的仅限于Cr-SiO。

Cr-SiO金属陶瓷实用快速争渡方式制成，其方阻特性随Cr和SiO的比例转变专门大，一般来讲，Cr含量越高TCR越小。

而方阻随Si增多而增大。

而在实际比例中为1：

1，现在方阻约为1K欧姆/□，因此用同一图形做出阻值约为Cr-SiO五倍。

但寿命不是十分理想，所以此类材料只用在M欧级电阻上。

薄膜电容

　　电容器依着介质的不同，它的种类很多，例如：

电解质电容、纸质电容、薄膜电容、陶瓷电容、云母电容、空气电容等。

可是在音响器材中利用最频繁的，当属电解电容器和薄膜（Film）电容器。

电解电容大多被利用在需要电容量专门大的地方，例如主电源部份的滤波电容，除滤波之外，并兼做贮存电能之用。

而薄膜电容则普遍被利用在模拟信号的交连，电源噪声的旁路（反交连）等地方。

薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两头重叠后，卷绕成圆筒状的构造之电容器。

而依塑料薄膜的种类又被别离称为聚乙酯电容（又称Mylar电容），聚丙烯电容（又称PP电容），聚苯乙烯电容（又称PS电容）和聚碳酸电容。

　　薄膜电容器由于具有很多优良的特性，因此是一种性能优秀的电容器。

它的主要等性如下：

无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优良（频率响应宽广），而且介质损失很小。

基于以上的长处，所以薄膜电容器被大量利用在模拟电路上。

尤其是在信号交连的部份，必需利用频率特性良好，介质损失极低的电容器，方能确保信号在传送时，不致有太大的失真情形发生。

在所有的塑料薄膜电容当中，又以聚丙烯（PP）电容和聚苯乙烯（PS）电容的特性最为显著，固然这两种电容器的价钱也比较高。

但是最近几年来音响器材为了提升声音的品质，所采用的零件材料已愈来愈高级，价钱并非最重要的考量因素，所以最近几年来PP电容和PS电容被利用在音响器材的频率与数量也愈来愈高。

读者们能够常常见到某某牌的器材，号称用了多少某某名牌的PP质电容或PS质电容，以做为在声音品质上的背书，其道理就在此。

　　通常的薄膜电容器其制法是将铝等金属箔当做电极和塑料薄膜重叠后卷绕在一路制成。

可是另外薄膜电容器又有一种制造法，叫做金属化薄膜（MetallizedFilm），其制法是在塑料薄膜上以真空蒸镀上一层很薄的金属以做为电极。

如此能够省去电极箔的厚度，缩小电容器单位容量的体积，所以薄膜电容器较容易做成小型，容量大的电容器。

例如常见的MKP电容，就是金属化聚丙烯膜电容器（MetailizedPolypropyleneFilmCapacitor）的代称，而MKT则是金属化聚乙酯电容（MetailizedPolyester）的代称。

　　金属化薄膜电容器所利用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等，除卷绕型之外，也有叠层型。

金属化薄膜这种型态的电容器具有一种所谓的我我恢复作用（SelfHealingAction），即假设电极的微小部份因为电界质脆弱而引发短路时，引发短路部份周围的电极金属，会因那时电容器所带的静电能量或短路电流，而引发更大面积的溶融和蒸发而恢复绝缘，使电容器再度回答电容器的作用。

　　聚脂薄膜在普通应用中表现出良好的特性，具有高介电常数（使其在金属化薄膜电容器中取得最高的单位体积电容量）、高绝缘强度、自我恢复特点和良好的温度稳固性。

在所有各类薄膜电容器中，聚脂电容器以适度的本钱实现了最佳的体积效率，而且是解耦、阻断、旁路和噪声抑制等直流应用中最流行的选择。

而利用金属化聚丙烯薄膜制造的电容器则具有低介电损耗、高绝缘阻抗、低介电吸收和高绝缘强度特性，是一种持久的和节省空间的解决方案，它的长期稳固性也专门好。

这些特点使金属化聚丙烯薄膜电容器成为交流输入滤波器、电子镇流器缓和冲电路等应用的重要选择。

聚丙烯薄膜电容器能够提供400VAC或更高的额定电压，知足工业三相应用和专业设备的要求。

它们还能够用于开关电源、鉴频和滤波器电路，和能量存储和取样