三极管及其放大电路的仿真.docx

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三极管及其放大电路的仿真

三极管及其放大电路的仿真

一实验目的

熟悉Multisim的使用方法，了解元件库、分析功能、虚拟仪表等功能。

使用multisim分析和设计电子电路。

二，实验设备

MultisimV13

三，实验内容

1三极管特性曲线测量

三极管：

2N2222A。

特点：

小功率NPN型三极管。

输入曲线测量：

输入特性曲线参数要求：

：

0～1.5V，步长0.01V；

：

0～12V，步长0.2V。

图1-三极管输入曲线测量电路图

通过对

逐点扫描，每次变化一个Vcc，便可以得到一个变化曲线

步骤：

simulate→analysis→DCsweep

然后开始设定要求，设置输出，最后如图所示：

图二-三极管输入曲线参数设定

最后分析出来的结果为：

图三-三极管输入曲线

注：

在最开始的输入曲线下还需设置一下纵轴的值。

因为从图中可以看到

到了200mA，显然是不可能的，所以要设置一下

的值，设置为1mA，变得到了和书中类似的图。

结论：

从图中可以看出来，在

很小的时候，发现电流

几乎为零，称为死区电压；当

大于1v时，三极管的特性曲线简化成一条曲线。

输出曲线测量

输出特性曲线参数要求：

：

0～12V，步长0.01V；

：

0～100μA，步长：

10μA。

图四-三极管输出曲线测量电路图

步骤：

simulate→analysis→DCsweep

然后开始设定要求，设置输出，最后如图所示：

图5-三极管输出曲线参数

最后分析出来的结果为:

图六-三极管输出曲线

结论:

从图中可以看出来。

输出曲线基本分了三个区

当UCE大于1V时，IC只与IB有关，IC=βIB，此区域也叫线性放大区

当UCE=0~1V，βIB>IC，也叫饱和区。

造成饱和的原因是由于发射区发射的电子多，没有被完全收集到集电区。

发射有余，收集不足

IB=0；IC=ICEO；UBE<死区电压，该区称为截止区。

2基本放大电路设计

设计的电路图如图所示:

图七-基本放大电路电路图