场效应管及其放大电路.docx

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场效应管及其放大电路

第三章场效应管及其放大电路

因为半导体三极管工作时，必须保证发射结正向偏置，故输入端始终存在输入电流，改变输入电流就可改变输出电流，所以三极管是电流控制器件，因而三极管组成的放大器，其输入电阻不高。

场效应管是通过改变输入电压（即利用电场效应）来控制输出电流，属于电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此其输入电阻十分高，可高达上百兆欧。

除此之外，场效应管还具有温度稳定性好、抗幅射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点，所以得到广泛的应用。

因为半导体三极管参与导电的是两种极性的载流子：

电子和空穴，所以又称半导体三极管为双极性三极管。

场效应管仅依靠一种极性的载流子导电，所以又称为单极性三极管。

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（又称为MOS管）。

第一节结型场效应管

一、结构

结型场效应管有两种结构形式。

下图（a）为N型沟道结型场效应管，图（b）是P型沟道结型场效应管，其电路符号如图（c）、（d）所示。

以N沟道为例。

在一块N型硅半导体材料的两边，利用合金法、扩散法或其它工艺做成高浓度的P＋型区，使之形成两个PN结，然后将两边的P＋型区连在一起，引出一个电极，称为栅极G。

在N型半导体两端各引出一个电极，分别作为源极S和漏极D。

夹在两个PN结中间的N型区是源极与漏极之间的电流通道，称为导电沟道。

因为N型半导体多数载流子是电子，故此沟道称为N型沟道。

同理，P型沟道结型场效应管中，沟道是P型区，称为P型沟道，栅极与N+型区相连。

电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。

二、工作原理

本节只讨论N沟道结型场效应管的工作原理，P沟道结型场效应管的导电机理和工作原理与N沟道型场效应管类似。

从结构图（a）可看出，在D、S间加上电压UDS，则在源极和漏极之间形成电流ID。

通过改变栅极和源极的反向电压UGS，则可以改变两个PN结阻挡层（耗尽层）的宽度。

因为栅极区是高掺杂区，所以阻挡层主要降在沟道区。

故改变UGS，就可以改变沟道宽度，其沟道电阻也随之而变，从而改变漏极电流ID。

如|UGS|上升，则沟道变窄，电阻增加，ID下降，反之亦然。

所以，改变UGS的大小，可以控制漏极电流，这是场效应管工作的核心部分。

1．UGS对导电沟道的影响

为便于讨论，先假设UDS＝0

当UGS由零向负值增大时，PN结的阻挡层加厚，沟道变窄，电阻增大。

如下图（a）、（b）所示。

当UGS的负值再进一步增大，当UGS＝UP时，两个PN结的阻挡层相遇，沟道消失，我们称为沟道被“夹断”了，UP称为夹断电压，此时ID＝0，如图（c）所示。

2．ID与UDS、UGS之间的关系

假定栅、源电压|UGS|＜|UP|，如UGS＝－1V，而UP＝－4V，当漏、源之间加上电压UDS＝2V时，沟道中将有电流ID通过，此电流将沿着沟道的方向产生一个电压降，这样沟道上各点的电位就不同，因而各点与栅极之间的电位差也就不相等。

漏极D端与栅极G之间的反向电压最高，如UDG＝UDS－UGS＝2－（－1）＝3V，沿着沟道向下逐渐降低，使源极端为最低，如USG＝－UGS＝1V，两个PN结的阻挡层将出现楔形，使得靠近源极端沟道较宽，而靠近漏极端的沟道较窄。

如下图（a）所示。

此时，若增大UDS，因为沟道电阻增长较慢，所以ID随之增加。

当UDS进一步增加到使栅、漏间电压UGD等于UP时，即

UGD＝UGS－UDS＝UP

则在D极附近，两个PN结的阻挡层相遇，如上图（b）所示，我们称为预夹断。

如果继续升高UDS，就会使夹断区向源极端方向发展，沟道电阻增加。

因为沟道电阻的增长速率与UDS的增加速率基本相同，故这一期间ID趋于一恒定值，不随UDS的增大而增大，此时，漏极电流的大小仅取决于UGS的大小，

UGS越负，沟道电阻越大，ID便越小，直到UGS＝UP，沟道被全部夹断，ID＝0，如上图（c）所示。

因为结型场效应管工作时，我们总是在栅、源之间加一个反向偏置电压，使得PN结始终处于反向接法，故IG≈0，所以，场效应管的输入电阻rgs很高。

三、特性曲线

1．输出特性曲线

下图为N沟道场效应管输出特性曲线。

以UGS为参变量时，漏极电流ID与漏、源电压UDS之间的关系，称为输出特性。

根据工作情况，输出特性可划分为4个区域，即：

可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区。

（l）可变电阻区。

可变电阻区位于输出特性曲线的起始部分，图中用阴影线标出。

此区的特点是：

固定UGS时，ID随UDS增大而线性上升，相当于线性电阻；改变UGS时，特性曲线的斜率变化，即相当于电阻的阻值不同，UGS增大，相应的电阻增大。

因此在此区域，场效应管可看作一个受UGS控制的可变电阻，即漏、源电阻RDS＝f（UGS）。

（2）恒流区。

该区的特点是：

ID基本不随UDS变化，仅取决于UGS值，输出特性曲线趋于水平，故称为恒流区或饱和区。

当组成场效应管放大电路时，为防止出现非线性失真，应使工作点设置在此区域内。

（3）击穿区。

位于特性曲线的最右部分，当UDS升高到一定程度时，反向偏置的PN结被击穿，ID将突然增大，因为UGS越负时，达到雪崩击穿所需的UGS电压愈小，故对应于UGS越负的特性曲线击穿越早。

其击穿电压用BUDS表示，当UGS＝0时，其击穿电压用BUDSS表示。

（4）截止区。

当|UGS|≥|UP|时，管子的导电沟道处于完全夹断状态，ID＝0，场效应管截止。

2．转移特性曲线

上右图所示为N沟道结型场效管的转移特性曲线。

当漏、源之间的电压UDS保持不变时，漏极电流ID和栅、源之间电压UGS的关系称为转移特性。

它描述了栅、源之间电压UGS对漏极电流ID的控制作用。

由图可见，UGS＝0时，ID＝IDSS称为饱和漏极电流。

随|UGS|增大，ID愈小，当UGS＝UP时，ID＝0。

因此UP称为夹断电压。

结型场效应管的转移特性在UGS＝0～UP范围内可用下面近似公式表示：

转移特性和输出特性同是反映场效应管工作时，UDS、UGS和ID三者之间的关系的，所以它们之间是可以相互转换的。

如根据输出特性曲线可作出转移特性曲线，其作法如下：

在输出特性曲线上，对应于UDS等于某一固定电压作一条垂直的直线，将垂线与各条输出特性曲线的交点所对应的ID、UGS转移到ID－UGS坐标中，即可得转移特性曲线，如下图所示。

因为在恒流区内，同一UGS下，不同的UDS，ID基本不变，故不同的UDS下的转移特性曲线几乎全部重合，因此可用一条转移特性曲线来表示恒流区中UGS与ID的关系。

在结型场效应管中，因为栅极与沟道之间的PN结被反向偏置，所以输入端电流近似为零，其输入电阻可达107Ω以上。

当需要更高的输入电阻时，则应采用绝缘栅场效应管。

第二节绝缘栅场效应管

绝缘栅场效应管通常由金属、氧化物和半导体制成，所以又称为金属－氧化物－半导体场效应管，简称为MOS场效应管。

因为这种场效应管的栅极被绝缘层（SiO2）隔离，因此其输入电阻更高，可达109Ω以上。

从导电沟道来区分，绝缘栅场效应管也有N沟道和P沟道两种类型。

此外，无论是N沟道或P沟道，又有增强型和耗尽型两种类型。

下面，以N沟道增强型的MOS场效应管为主，介绍其结构、工作原理和特性曲线。

一、N沟道增强型MOS场效应管

1．结构

N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图如下图所示。

把一块掺杂浓度较低的P型半导体作为衬底，然后在其表面上覆盖一层SiO2的绝缘层，再在SiO2层上刻出两个窗口，通过扩散工艺形成两个高掺杂的N型区（用N＋表示），并在N＋区和SiO2的表面各自喷上一层金属铝，分别引出源极、漏极和控制栅极。

衬底也接出一根引线，通常情况下将它和源极在内部相连。

2．工作原理

结型场效应管是通过改变UGS来控制PN结的阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽度，达到控制漏极电流ID的目的。

而绝缘栅场效应管则是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流ID的目的。

对N沟道增强型的MOS场效管，当UGS＝0时，在漏极和源极的两个N＋区之间是P型衬底，因此漏、源之间相当于两个背靠背的PN结。

所以，无论漏、源之间加上何种极性的电压，漏源总是不导通的，ID＝0。

当UGS＞0时（为方便假定UDS＝0），则在SiO2的绝缘层中，产生一个垂直半导体表面，由栅极指向P型衬底的电场，这个电场排斥空穴吸引电子，当UGS≥UT时，在绝缘栅下的P型区中形成了一层电子数为主的N型层，因为源极和漏极均为N＋型，故此N型层在漏、源极间形成电子导电的沟道，称为N型沟道。

UT称为开启电压，此时在漏、源极间加UDS，则形成电流ID。

显然，此时改变UGS则可改变沟道的宽窄，即改变沟道电阻大小，从而控制了漏极电流ID的大小。

因为这类场效管在UGS＝0时，ID＝0，只有在UGS＞UT后才出现沟道，形成电流，故称为增强型。

上述过程如下图所示。

3．特性曲线

N沟道增强型场效应管，也用输出特性、转移特性表示ID、UGS、UDS之间的关系，如图所示。

由图（a）的转移特性曲线可见，当UGS＜UT时，因为尚未形成导电沟道，因此ID基本为零。

当UGS≥UT时，形成导电沟道才形成电流，而且UGS增大，沟道变宽，沟道电阻变小，ID也增大。

通常将ID等于某一数值（例如10μA）时的UGS定义为开启电压UT。

MOS场效应管的输出特性同样可以划分为4个区：

可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区，如图（b）所示。

二、N沟道耗尽型MOS场效应管

耗尽型MOS场效应管，是在制造过程中，预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子，因此，UGS＝0时，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子，形成N型导电沟道，如图所示。

所以当UDS＞0时，将产生较大的漏极电流ID。

如果使UGS＜0，则它将削弱正离子所形成的电场，使N沟道变窄，从而使ID减小。

当UGS更负，达到某一数值时沟道消失，ID＝0。

使ID＝0的UGS我们也称为夹断电压，仍用UP表示。

N沟道MOS耗尽型场效应管的特性曲线如下图所示。

为便于比较，将各种场效应管的符号和特性曲线列于下表中。

注：

流入漏极的ID方向为ID的正方向。

耗尽型MOS管的电路符号中没有断续线，这表示在没有加UGS时，已经有了导电沟道。

第三节场效应管的主要参数

场效应管主要参数包括以下几项：

一、直流参数

1．饱和漏极电流IDSS

这是耗尽型和结型场效应管的一个重要参数，它的定义是当栅源之间的电压UGS＝0，而漏极、源极之间的电压UDS大于夹断电压UP时对应的漏极电流。

2．夹断电压UP

UP也是耗尽型和结型场效应管的重要参数，其定义为当UDS一定时，使ID减小到某一个微小电流（如1μA或50μA）时所需的UGS值。

3．开启电压UT

这是增强型场效应管的重要参数，它的定义是当UDS一定时，漏极电流ID达到某一数值（例如10μA）时所需加的UGS值。

4．直流输入电阻RGS

RGS是栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比。

因为栅极几乎不索取电流，因此输入电阻RGS很高。

二、交流参数

1．低频跨导gm

此参数是描述栅源电压UGS对漏极电流的控制作用。

它的定义是当UDS一定时，ID与UGS的变化量之比。

跨导gm的单位是mA／V。

gm反映了栅源电压UGS对漏极电流ID的控制作用，体现了场效应管的放大能力。

gm表现在转移特性上就是静态工作点处特性曲线的斜率。

2．极间电容

场效应管三个电极之间的电容，包括CGS、CGD和CDS，这些极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。

一般为几个pF。

3．交流输出电阻rds

rds的大小说明了uDS对iD的影响程度。

在恒流区，漏极电流基本上不受漏源电压的影响，一般rds在几千欧姆到几百千欧姆范围内。

三、极限参数

1．漏极最大允许耗散功率PDm

PDm与ID、UDS有如下关系：

PDm＝IDUDS

这部分功率将转化为热能，使管子的温度升高。

PDm决定于场效应管允许的最高温升。

2．漏、源击穿电压BUDS

在场效应管输出特性曲线上，当漏极电流ID急剧上升，产生雪崩击穿时的UDS。

工作时外加在漏、源之间的电压不得超过此值。

3．栅极击穿电压BUGS

结型场效应管正常工作时，栅、源之间的PN结处于反向偏置状态，若BUGS过高，PN结将被击穿。

对于MOS场效应管，因为栅极与沟道之间有一层很薄的二氧化硅绝缘层，当UGS过高时，可能将SiO2绝缘层击穿，使栅极与衬底发生短路。

这种击穿不同于PN结击穿，而和电容器击穿的情况类似，属于破坏性击穿，即栅、源间发生击穿，MOS管立即被损坏。

除了上述参数之外，场效应管还有低频噪声系数NF、最高工作频率等参数，使用时可根据需要查阅手册。

第四节场效应管的特点

场效应管具有放大作用，可以组成各种放大电路，它与双极性三级管相比，具有如下几个特点：

（1）场效应管是一种电压控制器件，即通过UGS来控制ID。

双极性三极管是电流控制器件，通过IB来控制IC。

（2）场效应管输入端几乎没有电流，所以其直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。

而双极性三极管，e结始终处于正向偏置，总是存在输入电流，故be极间的输入电阻较小。

（3）因为场效应管是利用多数载流子导电的，因此，与双极性三极管相比，具有噪声小，受幅射的影响小，热稳定性较好，而且存在零温度系数工作点，如图为同一场效管在不同温度下的转移特性，几条特性曲线有一个交点，若放大电路中场效应管的栅极电压选在该点，则当温度改变时ID的值不变，该点称为零温度系数工作点。

（4）因为场效应管的结构对称，有时漏极和源极可以互换使用，而各项指标基本上不受影响，因此应用时比较方便灵活。

但是，有的绝缘栅场效应管，制造时源板已和衬底连在一起，则漏极和源极不能互换。

（5）场效应管的制造工艺简单，有利于大规模集成。

特别是MOS电路，每个MOS场效应管的硅片上所占的面积只有双极性三极管的5％，因此集成度更高。

（6）因为MOS场效应管的输入电阻可高达1015Ω，因此，由外界静电感应（或人体接触栅极）所产生的电荷不易泄漏，而栅极上的SiO2绝缘层又很薄，这将在栅极上产生很高的电场强度，以致引起绝缘层击穿而损坏管子。

为此，在存放时管子时，应将各电极引线短接。

焊接时，要注意将电烙铁外壳接上可靠地线，或者在焊接时，将电烙铁与电源暂时脱离。

目前，一些MOS管子采用如图所示的栅极保护电路，正常工作时，稳压管D1、D2都截止，R上压降为零，对MOS管的工作无影响。

（7）场效应管的跨导较小，当组成放大电路时，在相同的负载电阻下，电压放大倍数比双极型三极管低。

第五节场效应管放大电路

场效应管具有放大作用，它的三个极与双极性三极管的三个极，存在着对应关系，即：

栅极G对应基极b；源极S对应发射极e；漏极D对应集电极c。

所以根据双极性三极管放大电路，可组成相应的场效应管放大电路。

但因为两种放大器件各自的特点，故不能将双极性三极管放大电路的三极管，简单地用场效应管取代，组成场效应管放大电路。

双极性三极管是电流控制器件，组成放大电路时，应给双极性三极管设置偏流。

而场效应管组成放大电路时，也应给场效应管建立合适的静态工作点，因为场效应管是电压控制器件，故应设置偏压，即需要建立合适的栅源电压（也叫栅极偏置电压UGSQ），以保证放大电路具有合适的工作点，避免输出波形产生严重的非线性失真。

一、静态工作点与偏置电路

因为场效应管种类较多，故采用的偏置电路，其电压极性必须考虑。

下面以N沟道场效应管为例进行讨论。

因为场效应管又分为耗尽型和增强型，因此偏置电路也有所区别，耗尽型场效应管只能工作在uGS＜0的区域。

下图为自给偏压电路，它适用于结型场效管或耗尽型场效应管。

该电路是依靠漏极电流ID在RS上的电压降提供栅极偏压，即UGS＝－IDRS

（1）

为减少RS对放大倍数的影响，在RS两端并联一个足够大的旁路电容CS，该电容对静态工作点没有影响，但是对交流信号是短路的。

由场效应管工作原理可知，ID是随UGS变化的，而现在UGS又取决于ID的大小，怎样确定静态工作点ID和UGS的值呢？

一般可采用两种方法：

图解法和计算法。

1．图解法

首先，由漏极回路写出方程

UDD＝IDRD＋UDS＋IDRS

就是UDS＝UDD－ID（RD＋RS）

（2）

由此式在场效应管的输出特性曲线上作出直流负载线AB，将此直流负载线逐点转到uGS～iD坐标，得到对应直流负载线的转移特性曲线CD，如图所示。

再由

（2）式在uGS～iD坐标系中作另一条直线，两线的交点即为Q点。

2．计算法

场效应管的ID和UGS之间的关系可用下式近似表示，即

（3）

IDSS为饱和漏极电流，UP为夹断电压，可由手册查出。

联立解式

（1）、（3）即可求得静态时的ID和UGS值。

例：

电路如上图所示，场效应管为3DJ6，其输出特性曲线如下图所示。

已知RD＝2kΩ，RS＝1.2kΩ，UDD＝15V，试用图解法确定该放大器的静态工作点。

解：

写出输出回路的电压电流方程，即直流负载线

UDS＝UDD－ID（RD＋RS）

设UDD＝0时：

ID＝0时：

UDS＝15V

在输出特性图上将上述两点相连即得直流负载线。

再将上述直流负载线与输出特性曲线族的交点，在uGS～iD坐标系中画出该直流负载线的转移特性曲线，见图。

在转移特性曲线上，作出UGS＝－IDRS的曲线，它在uGS～iD坐标系中是一条直线，找出两点即可：

令ID＝0，则UGS＝0；令ID＝3mA，则UGS＝3.6V

连接该两点，在uGS～iD坐标得一直线，此线与转移特性曲线的交点，即为Q点。

对应Q点的值为：

ID＝2.5mA，UGS＝－3V，UDS＝7V

另一种常用的偏置电路为分压式偏置电路，如下图所示。

该电路适合于增强型和耗尽型MOS管和结型场效应管。

为了不使分压电阻R1、R2对放大电路的输入电阻影响太大，故通过RG与栅极相连。

该电路栅、源电压为

UGS＝UG－US＝

－IDRS

为使工作点受温度的影响最小，应尽量将栅偏压设置在零温度系数附近。

利用图解法求Q点时，此方程的直线不通过uGS～iD坐标系的原点，而是通过ID＝0，UGS＝

点，其它过程与自偏电路相同，此处不赘述。

利用计算法求解时，需联立解下面方程组

UGS＝UG－US＝

－IDRS

请参考P.92例2