1、春电子电路基础作业98分1第1题硅二极管的死区电压是( )。您的答案:B题目分数:此题得分:2第2题在放大电路的耦合方式中,( )低频特性最好。A.变压器耦合B.直接耦合C.阻容耦合D.光电耦合您的答案:B题目分数:此题得分:3第3题在本征半导体中掺入3价元素就成为( )型半导体。型半导体型半导体结D.纯净半导体您的答案:A题目分数:此题得分:4第4题在本征半导体中掺入5价元素就成为( )型半导体。型半导体型半导体结D.纯净半导体您的答案:B题目分数:此题得分:5第5题测得三极管发射结正偏,集电结反偏,此时该三极管处于( )A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态您的答案:A题目分数:
2、此题得分:6第6题在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为、3V、6V,则该管属于( )A.锗NPN型B.锗PNP型C.硅NPN型D.硅PNP型您的答案:A题目分数:此题得分:7第7题图示电路是( )电路。A.微分电路B.积分电路C.指数电路D.对数电路您的答案:A题目分数:此题得分:8第8题在固定偏置放大电路中,调大偏置电阻Rb的数值,容易出现( )失真。A.饱和B.截止C.低频D.交越您的答案:B题目分数:此题得分:9第9题负反馈使放大电路增益下降,非线性失真( )。A.增大B.减小C.不变D.不确定您的答案:B题目分数:此题得分:10第10题串联型稳压电路中的调整管必须工作在( )状态
3、。A.放大B.饱和C.截止D.开关您的答案:A题目分数:此题得分:11第11题OCL功率放大电路如图示,T4、R1、R2的作用是( )A.充当T1的集电极负载B.消除交越失真C.增大输出功率D.减少三极管的穿透电流您的答案:B题目分数:此题得分:12第12题测得某放大电路中三极管三管脚对地电位分别是2V、5V,则三极管的三个电极分别是( )。A.(E、C、B)B.(E、B、C)C.(B、C、E)D.(B、E、C)您的答案:B题目分数:此题得分:13第13题在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V,0V,则该管属于( )A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型您的答案:A
4、题目分数:此题得分:14第14题基本微分电路的电容器接在运放电路的( )。A.反向输入端B.同向输入端C.反向端与输出端之间D.输出端您的答案:C题目分数:此题得分:15第15题并联型稳压电路通常应用于( )场合。A.电压固定、负载电流小、负载变化不大B.电压固定、负载电流大C.负载变化大D.稳压范围宽您的答案:A题目分数:此题得分:16第16题图示电路为( )电路A.甲乙类OCLB.甲乙类OTLC.乙类OCLD.甲类您的答案:B题目分数:此题得分:17第17题负反馈使放大电路增益下降,增益稳定性( )。A.提高B.下降C.不变D.不确定您的答案:A题目分数:此题得分:18第18题电路中稳压的
5、作用是( )A.正弦波变方波B.将交流电变直流电C.将滤波后的电压进一步稳定D.使脉动直流电压变为平滑的直流电压您的答案:C题目分数:此题得分:19第19题当PN结外加正向电压时,内外电场方向( )。A.相反B.相同C.不确定您的答案:A题目分数:此题得分:20第20题测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、,则三极管的三个电极分别是( )。A.(B、C、E)B.(C、B、E)C.(E、C、B)D.(B、E、C)您的答案:C题目分数:此题得分:21第21题测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=,UB=,UE=3V,则该管工作在( )A.放大区B.截止区C.饱和区D.击穿区您的答案
6、:C题目分数:此题得分:22第22题PN结具有( )导电特性。A.双向B.单向C.不确定您的答案:B题目分数:此题得分:23第23题在固定偏置放大电路中,当RC、RB的参数分别为( )时,该电路的静态工作点处在放大区。设三极管的=100。、10k、510k、10M、1M您的答案:B题目分数:此题得分:24第24题为了展宽频带,应在放大电路中引入( )。A.正反馈B.电压负反馈C.直流负反馈D.交流负反馈您的答案:D题目分数:此题得分:25第25题整流的目的是( )A.将正弦波变方波B.将交流电变直流电C.将高频信号变成低频信号D.将非正弦信号变为正弦信号您的答案:B题目分数:此题得分:26第2
7、6题在开关型稳压电路中,调整管工作在( )状态。A.放大B.饱和C.截止D.开关您的答案:D题目分数:此题得分:27第27题图示电路为( )电路。A.甲乙类OCLB.甲乙类OTLC.乙类OCLD.甲类您的答案:A题目分数:此题得分:28第28题N型半导体可以在纯净半导体中掺入( )价元素实现。您的答案:C题目分数:此题得分:29第29题测得三极管发射结正偏,集电结正偏,此时该三极管处于( )A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态您的答案:C题目分数:此题得分:30第30题测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为, 则可判断该管属于( )。A.锗NPN型B.锗PNP型C.硅N
8、PN型D.硅PNP型您的答案:B题目分数:此题得分:31第31题欲将方波转换成三角波,应选用( )。A.微分运算电路B.积分运算电路C.差分输入运算电路D.乘法电路您的答案:C题目分数:此题得分:32第32题在固定偏置放大电路中,调小偏置电阻Rb的数值,将使静态工作点( )。A.升高B.降低C.不变D.不定您的答案:A题目分数:此题得分:33第33题负反馈使放大电路增益( )。A.增大B.下降C.不变D.不确定您的答案:B题目分数:此题得分:34第34题稳压二极管在正常稳压工作时是处于( )工作区间。A.正向导通B.反向击穿C.反向截止D.正向死区您的答案:B题目分数:此题得分:35第35题O
9、CL功率放大电路如图示,T2、R1、R2的作用是( )。A.充当T1的集电极负载B.消除交越失真C.增大输出功率D.减少三极管的穿透电流您的答案:B题目分数:此题得分:36第36题硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( )。A.大B.小C.相等D.无法判定您的答案:A题目分数:此题得分:37第37题在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )A.晶体缺陷B.温度C.杂质浓度D.掺杂工艺您的答案:C题目分数:此题得分:38第38题测得某放大电路中三极管各极电位分别是3V、12V则三极管的三个电极分别是( )。A.(E、B、C)B.(B、C、E)C.(B、E、C)D.(C、B、E)您的答案:C题目分
10、数:此题得分:39第39题在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为、6V,则这只三极管属于( )A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型您的答案:B题目分数:此题得分:40第40题影响放大器高频特性的原因是( )。A.极间耦合电容B.发射极旁路电容C.三极管结电容D.温度您的答案:C题目分数:此题得分:41第41题图示电路是( )电路。A.微分电路B.积分电路C.指数电路D.对数电路您的答案:B题目分数:此题得分:42第42题在固定偏置放大电路中,调大偏置电阻Rb的数值,静态工作点将( )。A.升高B.降低C.不变D.不定您的答案:B题目分数:此题得分:43第43题整流滤波后
11、输出直流电压不稳定的主要因数是( )。A.温度的变化B.负载电流的变化C.电网电压的波动D.电网电压的波动和负载电流的变化两个方面您的答案:D题目分数:此题得分:44第44题固定输出的三端稳压器内部采用( )型稳压电路结构。A.开关B.串联C.并联D.复合您的答案:B题目分数:此题得分:45第45题OTL功率放大电路如图示,D1、D2的作用是( )。A.充当T3的集电极负载B.消除交越失真C.增大输出功率D.减少三极管的穿透电流您的答案:B题目分数:此题得分:46第46题测某放大电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、,则三极管的三个电极分别是( )。A.(E、C、B)B.(C、B、E)C.(B、C、E)D.(B、E、C)您的答案:C题目分数:此题得分:47第47题当温度升高时,二极管的反向饱和电流( )。A.增大B.减小C.不变D.无法判定您的答案:A题目分数:此题得分:48第48题当PN结外加反向电压时,扩散电流( )漂移电流,耗尽层变宽。A.大于B.小于C.等于D.不确定您的答案:B题目分数:此题得分:49第49题锗二极管的死区电压是( )。您的答案:A题目分数:此题得分:50第50题影响多级放大器低频特性的原因是( )。A.极间耦合电容B.三极管放大倍数C.三极管结电容D.温度您的答案:A题目分数:此题得分:作业总得分:作业总批注:
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