1、存储器行业市场分析报告2016年存储器行业市场分析报告 2016年1月一、存储器行业发展特点91、存储器产业近两年景气度高,相关企业盈利颇丰92、存储器长期发展的不确定性因素10(1)需求的周期性:国际经济形势波动、智能终端的渗透率11(2)供应的周期性:各大厂商的扩张基因继续隐现12二、存储器的分类141、DRAM152、NORFlash163、NANDFlash174、NANDFlash17三、DRAM市场分析181、DRAM行业历史发展特点:技术更新快、周期风暴、寡头垄断18(1)技术更新换代快18(2)技术更新换代快19(3)周期性DRAM风暴20(4)寡头垄断趋势222、DRAM市场
2、格局:三寡头垄断、均有新厂投产、集中20-30nm制程23(1)市场份额比较23(2)产线分布比较25(3)工艺节点比较26(4)台湾厂商体量小,增长快283、DRAM下游应用市场284、DRAM市场展望:2015年稳定获利、MobileDRAM超PC、物联网及可穿戴拉动利基型DRAM31(1)总体快速增长31(2)MobileDRAM快速增长32(3)DRAM增长新引擎34(4)利基型DRAM继续增长345、DRAM行业的发展趋势:短期稳定、Mobile比重继续增加、新技术导入快35(1)2015年供不应求,稳定获利35(2)中国消费市场权重加大36(3)MobileDRAM比例提高37长期
3、寡头垄断局面加剧38市场需求旺盛,各厂以获利为先39新技术快速导入39四、NandFlash市场分析401、市场现状分析:四寡头垄断、进入1y制程、TLC渐成主流40(1)市场份额40(2)工艺比较40(3)SLCMLCTLC技术比较412、NANDFlash下游行业应用:eMMC增长旺盛、SSD增速加快43(1)应用分布43(2)eMMC/eMCP需求旺盛44(3)SSD需求开始增长47(4)USB30成长缓慢493、NANDFlash市场竞争格局:加快产能扩充、均推3D技术504、各家产能继续扩大50从产值角度看,存储器和微处理器是半导体产业的两大件,分别占半导体产品产值的22%和19%,
4、可以说是半导体产业的基石,发展半导体产业,存储器和微处理器是绕不开的课题。本篇报告通过50+页的篇幅,详细论证了存储器(Memory)行业的发展历史、周期波动性等特点,以及DRAM、NandFlash、NorFlash等子行业的应用领域、竞争格局、市场规模、未来发展趋势等,最后认为中国企业可以借助NandFlash由平面向3D技术转换过程的时机实现弯道超车。本报告编写的目的:1)存储器是半导体产业重要的组成部分,通过对存储器产业的研究,让投资者更深地理解半导体行业的发展规律;2)提示关注国内存储器产业链的投资机会。国内存储器产业链相关的企业有兆易创新(NORFlash芯片设计)、武汉新芯(目前
5、涉及NORFlash晶圆制造)、中芯国际(存储器芯片晶圆制造)等,另外未来如果存储器产业在中国大力发展,国内的相关设备、材料、封测、模组、控制器芯片等配套都可能有投资机会。作为电子产业的大宗商品,存储器市场的周期波动性众所周知,其波动性主要是由根植于存储器本身的特性决定的:存储产品需求量大,且具有高度的标准化特性,更新换代快,用户和产品粘性弱,容易被取代。市场容量可以被迅速推动,如智能手机的内存从之前的512M提升到2G甚至更高,这使得大公司总有通过扩大规模的冲动,而这种方式对大公司而言似乎总是正确。市场行情好的时候扩张可以薄利多销挤占市场,行情差的时候大公司耐受能力强从而将对手拖垮。近两年由
6、于存储器行业景气度较高,主要原因有:1)经历08-12年又一轮行业整合后,产业集中度更高,产能基本被三星、海力士、美光、东芝、闪迪等厂商所掌控,所以从供给角度看竞争格局比较稳定;2)且从需求角度看,智能手机市场的爆发,对MobileDRAM和Nandflash的需求量剧增,所以价格都比较坚挺。虽然Memory企业近两年都赚得盆满钵满,但我们仍然对于Memory产业长期维持高景气状态表示疑虑,波动性特点可能很难改变,理由主要有:1)存储器行业波动性的原因之一就是宏观经济的波动性影响存储器的需求,历史上存储器价格波动基本都跟宏观经济波动正相关,存储器景气波动幅度甚至大于宏观经济的波动;2)供应角度
7、:通过研究存储器行业及各大相关公司的发展历史,也可以发现存储器行业的长期波动性并没有改变,究其原因,在于各大存储器厂商均有扩张产能基因。我们整理发现,三星、海力士、美光等当前并未停止大肆扩张的脚步,所以我们对存储器产业的周期波动特性不能放松警惕。对DRAM、NandFlash、NorFlash等子行业的应用领域的研究,我们看好如下领域:1)MobileDRAM市场增长迅速。2014年移动存储器将占整体DRAM产出的36%,2015年更有机会突破40%大关。2014年下半年全球MobileDRAM需求量将较2013年同期增长375%。未来5年内,mobileDRAM比例将进一步提高。2)eMMC
8、/eMCP市场前景可期。2014年,eMMC/eMCP受移动终端增长拉动,需求旺盛,在NAND比重达到25%,年复合增长率接近60%。eMMC50已经是国内终端手机标配。预计未来两年内将会进一步增长,而eMCP增速有望更快。3)DRAM和NORFlash在利基型市场前景更好。物联网中大量应用的嵌入式电子、医疗电子、汽车电子等,需要大容量NORFlash和利基型DRAM。2015年物联网布局加速,有望拉动NORFlash小幅攀升。穿戴装置如智能手表或智能眼镜等,多是针对单一功能所设计,而且对低功耗要求更高,让程式运算速度更快且功耗更低的NORFlash找到新的增长点。预计利基型DRAM和NORF
9、lash在未来短期内受物联网和穿戴设备拉动增长率将有所回升。2DNandFlash的进步主要是通过微缩技术实现的,而3DNandFlash的关键技术是极度复杂的刻蚀和薄膜工艺,技术工艺差别较大,而且除了三星,另外的企业如美光、SK海力士等在3DNandFlash布局方面走的并不远。如果中国企业现在通过技术合作,快速切入该领域,在这个技术变革过程中很有可能在存储器领域实现弯道超车。一、存储器行业发展特点作为电子产业的大宗商品,存储器市场的周期波动性众所周知,其波动性主要是由根植于存储器本身的特性决定的:存储产品需求量大,是半导体产业中的关键部件,且具有高度的标准化特性,更新换代快,用户和产品粘性
10、弱,容易取代。市场容量可以被迅速推动,如智能手机从之前的512M被推高到2G甚至更高。这使得大公司总有通过扩大规模的冲动,而这种方式对大公司而言似乎总是正确。市场行情好的时候扩张可以薄利多销挤占市场,行情差的时候大公司耐受能力强从而将对手拖垮。1、存储器产业近两年景气度高,相关企业盈利颇丰近两年由于存储器行业景气度较高,主要原因有:1)经历08-12年又一轮行业整合后,产业集中度更高,产能基本被三星、海力士、美光、东芝、闪迪等厂商所掌控,所以从供应角度看竞争格局比较稳定;2)且从需求角度看,智能手机市场的爆发,对MobileDRAM和Nandflash的需求量剧增,所以价格都比较坚挺。从图1、
11、图2我们也可以看出近两年存储器企业获利颇丰,另外相关企业股价上涨幅度也较大。注:收盘价截止到2015年1月16日2、存储器长期发展的不确定性因素虽说Memory产业目前集中度较高,产能主要集中在三星、海力士、美光、东芝等几大国际巨头企业,近两年来这些企业也都赚得盆满钵满,但我们仍然对于Memory产业长期维持高景气状态表示疑虑,波动性特点可能很难改变,惟有强资本实力、拥先进技术、眼光先看对手一步的企业才能在景气循环中占相对有利地位。(1)需求的周期性:国际经济形势波动、智能终端的渗透率存储器行业波动性的原因之一就是宏观经济的波动性影响存储器的需求,历史上存储器价格波动基本都跟宏观经济波动正相关
12、,存储器景气波动幅度甚至大于宏观经济的波动。OECD综合领先指标可以一定程度上表征全球经济景气度。从图5可以看出,存储器的价格与经济景气波动较大的相关性。例如08年全球金融危机,不仅造成经济的重大波动,同时也影响了对PC、NB等的需求,从而使DRAM价格的一落千丈,当时也是存储器巨头们日子最难过的时候,09年初德国奇梦达甚至宣布破产。09、10年随着经济从金融危机中恢复,DRAM价格也一样得到恢复。所以,全球宏观经济的周期波动势必引起的存储器下游需求的波动,这是我们对存储器产业长期发展不确定因素之一。另外,催生近两年存储器市场“牛市”的智能手机需求,目前增速也开始减缓,物联网、智能家居、智能硬
13、件等产业还未明显起动,对存储器的总体需求有待观察。所以我们在分析存储器产业周期问题时,也必须考虑终端需求的周期。(2)供应的周期性:各大厂商的扩张基因继续隐现最近两年,DRAM从08年金融危机的阵痛中复苏后,形成三寡头垄断局面,各大厂商在产能扩张和出货量上均有克制,从而使得DRAM行业最近两年持续盈利,并且这一利好将在2015年继续得以维持,使得短期市场较为乐观。然而,通过研究存储器行业及各大相关公司的发展历史,也可以发现存储器行业的长期波动性并没有改变,究其原因,在于各大存储器厂商均有扩张产能基因。以三星为例,历史上大肆扩张产能、增加出货量、疯狂压低价格的先例不胜枚举,在业界也是臭名昭著。甚
14、至在2006年,三星电子三名高官因涉嫌操纵内存价格而被美国司法部判罚监禁7个月。这一举动在产业不景气的时候尤为突出,后果轻则打击对手,重则直接让竞争对手破产。例如2010年初,DRAM价格在一轮惨跌后开始企稳回升,三星则迅速扩充产能,引起业界一片哀嚎。这一惯用手段贯穿三星电子过往发展史,甚至是三星“成功法宝”之一。我们可以看看各大巨头最新的扩张动作:三星的最新扩张:三星DRAM产品有4个厂,均为12寸产线,均建置于韩国华城园区,月产395万片。三星制程上早已采用20nm量产,和海力士、美光的制程技术差距拉大到两年。三星扩建的新厂Line17厂将有月产能5万片全数转作生产DRAM,预计目前已开始
15、逐步投产。2014年10月6日,三星又宣布在南韩京畿道平泽的新厂扩建计划,预计于2015年初拓土动工,最快可能在2017上半年正式投产,很有可能着重于DRAM或NandFlash产品。在三星的拉动下,其他厂家也在积极扩张产能,新产能将在2016年开始见效。SK海力士的最新扩张:海力士目前在韩国有1条8英寸晶圆生产线和2条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线,在中国无锡有一条12英寸生产线,在台湾也有产线,并和台湾茂德有长期合作,同时在欧洲有研发中心。SK海力士扩建的新厂M14预计2015年Q4开始投片,2016年量产。美光的最新扩张:美光半导体制造厂分布在美国,中国,日本,马来西亚
16、,波多黎各,新加坡以及台湾。2014年DRAM产品主要使用30nm产线。2015年,Micron有两个20nm工厂将投产。Micron设在日本广岛的20nm工厂进展迅速,同时在美国爱达荷州Boise市正在进行十几纳米和几纳米节点的研发。鉴于以上分析,我们认为存储器产业最大的特性就是景气周期波动性大。后续我们会分别从DRAM、NandFlash、NorFlash等方面分别详细分析产业现状、特点以及发展趋势等。二、存储器的分类存储器可定义为将信息数字化后再以利用电、磁或光学等方式的媒体加以存储的设备。按存储介质的不同,可以粗略分为三大类:采用电能(即半导体)存储的RAM(randomaccessmemory,随机存储器)、ROM(r
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