三极管放大电路原理和组态.docx

1、三极管放大电路原理和组态三极管的基本工作管理结构与操作原理 三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn两种组合。三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极管的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。 图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。 三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式

2、来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。 EB接面的耗散区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情况下，电洞和电子的电位能的分布图。三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。以

3、上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。 IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB? E（这部分是三极管作用不需要的部分）。 InB? E在射极与与电洞复合，即InB? E=IErec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3(a)中看

4、出。图2 (a)一pnp三极管偏压在正向活性区；(b)没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情况下，电洞和电子的电位能的分布图比较。 图3 (a) pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类；(b)电洞电位能分布及 注入的情况；(c)电子的电位能分布及注入的情况。 一般三极管设计时，射极的掺杂浓度较基极的高许多，如此由射极注入基极的射极主要载体电洞（也就是基极的少数载体）IpE? B电流会比由基极注入射极 的载体电子电流InB? E大很多，三极管的效益比较高。图3(b)和(c)个别画出电洞和电子的电位能分布及载体注入的情况。同时如果基极中性区的宽度WB愈窄，电洞通过基极的时间愈短，被多数载体电子复合

5、的机率愈低，到达集电极的有效电洞流IpE? C愈大，基极必须提供的复合电子流也降低，三极管的效益也就愈高。 集电极的掺杂通常最低，如此可增大CB极的崩溃电压，并减小BC间反向偏压的pn接面的反向饱和电流，这里我们忽略这个反向饱和电流。 由图4(a)，我们可以把各种电流的关系写下来： 射极电流IE=IpE? B+ IErec = IpE? B+ InB? E =IpE? C+ IBrec + InB? E (1a) 基极电流IB= InB? E + IBrec= IErec+ IBrec (1b) 集电极电流IC =IpE? C= IE- IErec - IBrec= IE- IB (1c)式1

6、c也可以写成 IE= IC + IB 射极注入基极的电洞流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极管的情况类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。更精确的说，三极管是利用VEB（或VBE）的变化来控制IC，而且提供之IB远比IC小。npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的，只是偏压方向，电流方向均相反，电子和电洞的角色互易。pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极、入射到集电极的电洞，而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子，图4是二者的比较。经过上面讨论可以看出，三极管的效益可以由在正向活性区时，射极电流中有多少比例可以到达集电极看

7、出，这个比例习惯性定义作希腊字母 图4 pnp三极管与npn三极管在正向活性区的比较。 而且a一定小于1。效益高的三极管，a可以比0.99大，也就是只有小于1%的射极电流在基极与射极内与基极的主要载体复合，超过99%的射极电流到达集电极了解正向活性区的工作原理后，三极管在其他偏压方式的工作情况就很容易理解了。表1列出三极管四种工作方式的名称及对应之BE和BC之pn接面偏压方式。反向活性区(reverse active)是将原来之集电极用作射极，原来的射极当作集电极，但由于原来集电极之掺杂浓度较基极低，正向偏压时由原基极注入到原集电极之载体远较原集电极注入基极的多，效益很差，也就是说和正向活性区

8、相比，提供相同的基极电流，能够开关控制的集电极电流较少，a较小。在饱和区(saturation)，两个接面都是正向偏压，射极和集电极同时将载体注入基极，基极因此堆积很多少数载体，基极复合电流大增，而且射极和集电极的电流抵销，被控制的电流量减小。在截止区(cut off)，BE和BC接面均不导通，各极间只有很小的反向饱和电流，三极间可视作开路，也就是开关在关的状态。 名称正向活性区反向活性区饱和区截止区(forward active)(reverse active)(saturation)(cut off )BE 接面正向偏压反向偏压正向偏压反向偏压BC 接面反向偏压正向偏压正向偏压反向偏压用途

9、线性信号放大器数字电路开关电路 很少使用数字电路开关电路数字电路开关电路 工作模式射极结面极集结面饱和正向偏压正向偏压线性正向偏压反向偏压反向反向偏压正向偏压截止反向偏压反向偏压 表中同时列出了四种工作方式的主要用途。 三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区（或饱和区）与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1（或1与0）两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信号（可以是电压或电流）变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器。下面在介绍完三极管的电流电压特性后，会再仔细讨论三极

10、管的用途。 三极管截止与饱合状态 截止状态 三极管作为开关使用时，仍是处于下列两种状态下工作。 1.截止(cut off)状态:如图5所示，当三极管之基极不加偏压或加上反向偏压使BE极截止时(BE极之特性和二极管相同，须加上大于0.7V之正向偏压时才态导通)，基极电流IB=0，因为IC=IB，所以IC=IE=0，此时CE极之间相当于断路，负载无电流。 a)基极(B)不加偏压使 基极电流IB等于零 (b)基极(B)加上反向偏 压使基极电流IB等于零(c)此时集极(C)与射极(E) 之间形同段路，负载无 电流通过 图5 三极管截止状态 饱合状态饱合(saturation)状态:如图6所示，当三极管

11、之基极加入驶大的电流时，因为ICIE=IB，射极和集极的电流亦非常大，此时，集极与射极之间的电压降非常低(VCE为0.4V以下)，其意义相当于集极与射极之间完全导通，此一状态称为三极管饱合。图6 (a)基极加上足够的顺向 (b)此时C-E极之间视同 偏压使IB足够大 导通状态 晶体管的电路符号和各三个电极的名称如下 图7 PNP型三极管 图8 NPN型三极管 三极管的特性曲线 1、输入特性 图2 （b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（和）表示

12、即可。 2）当UbeUbeR时，IbO称（0UbeR)的区段为“死区”当UbeUbeR时，Ib随Ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。 3）三极管输入电阻，定义为: rbe=(Ube/Ib)Q点，其估算公式为： rbe=rb+(+1)(26毫伏/Ie毫伏） rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。 2、输出特性 输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从图9（C）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。 截止区当Ube0时，则Ib0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常

13、温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是： Icbo=(1+)Icbo 常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8， Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。 饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发射结和

14、集电结偏置情况，可能判别其工作状态。 图9 三极管的主要参数 1、直流参数 （1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为110微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安培，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。 （2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。 Iceo大约是Icbo的倍即Iceo=(1+)Icbo

15、o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。 （3）发射极-基极反向电流Iebo集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。 （4）直流电流放大系数1（或hEF）这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即： 1=Ic/Ib 2、交流参数 （1）交流电流放大系数（或hfe）这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量Ic与基极输入电流的变化量Ib之比，即： = Ic/Ib 一般电晶体的大约在10-200之间，如果太小，电

16、流放大作用差，如果太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。 （2）共基极交流放大系数（或hfb）这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是Ic与发射极电流的变化量Ie之比，即： =Ic/Ie 因为IcIe，故1。高频三极管的0.90就可以使用 与之间的关系： = /（1+） = /（1-）1/（1-） （3）截止频率f、f当下降到低频时0.707倍的频率，就什发射极的截止频率f；当下降到低频时的0.707倍的频率，就什基极的截止频率fo f、 f是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为： f（1-）f （4）特征频率fT因为频率f上升时，就下降，当下降到1时，对应的fT是全面地反映电晶

17、体的高频放大性能的重要参数。 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM当集电极电流Ic增加到某一数值，引起值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但值显著下降，影响放大品质。 （2）集电极-基极击穿电压BVCBO当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。 （3）发射极-基极反向击穿电压BVEBO当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。 （4）集电极-发射极击穿电压BVCEO当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果VceBVceo，管子就会被击穿。 （5）集电极最大允许耗散功率PCM集电流

18、过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=UceIc.使用时庆使PcPCM。 PCM与散热条件有关，增加散热片可提高PCM。 晶体三极管用途 晶体三极管的用途主要是交流信号放大，直流信号放大和电路开关。 晶体三极管偏置使用晶体管作放大用途时，必须在它的各电极上加上适当极性的电压，称为“偏置电压”简称“偏压”， 又“偏置偏流”。电路组成上叫偏置电路。晶体管各电极加上适当的偏置电压之后，各电极上便有电流流动。 通过发射极的电流称为“射极电流”，用IE表示；通过基极的电流称为“基极电流”，用IB

19、表示；通过集电极的电流称为“集极电流”，用IC表示。 图10 晶体管三个电极的电流有一定关系，公式如下 IE IB IC晶体三极管的三种放大电路 三极管放大电路 当晶体管被用作放大器使用时，其中两个电极用作信号 (待放大信号)的输入端子；两个电极作为信号 (放大后的信号)的输出端子。 那么，晶体管三个电极中，必须有一个电极既是信号的输入端子，又同时是信号的输出端子，这个电极称为输入信号和输出信号的公共电极。 按晶体管公共电极的不同选择，晶体管放大电路有三种：共基极电路 ( Common base circuit)、共射极电路(Common emitter circuit)和 共集极电路(Com

20、mon collector circuit)，如下图示。 图11由于共射极电路放大电路的电流增益和电压增益均较其它两种放大电路为大，故多用作讯号放大使用。 晶体三极管的放大作用晶体管是一个电流控制组件，其集极电流 IC可以由基极电流IB控制，只需轻微的改变基流IB就可以引起很大的集流变化IC。由于晶体管基流IB的轻微变化可以控制较大的集流IC，我们利用这一特点，用它来放大微弱的电信号，称为晶体管的放大作用 (Amplification)，简称晶体管放大。 简单来说，晶体管的放大原理是把微弱的电信号 (微弱的电压信号 Vi) 加在基极上，使基极电流按电信号变化，通过晶体管的电流控制作用，就可以在

21、负载上得到与原信号变化一样，但增强了的电信号 (较大的电压信号 Vo)。 图12共射极放大电路 单电源供电的共射极放大电路如下： 图13 VCC - 电源电压 (V) VCE - 集射极电压 (V) IB - 基极电流 (A) VBE - 基射极电压 (V) IC - 集极电流 (A) RB - 基极电阻 (偏压电阻) () IE - 射极电流 (A) RC /RL - 集极电阻 (负载电阻) () 三极管放大电路的三种基本组态共基极（Common-Base Configuration）的基本放大电路，如图1所示， 图 1主要应用在高频放大或振荡电路，其低输入阻抗及高输出阻抗的特性也可作阻抗匹

22、配用。电路特性归纳如下：输入端（EB之间）为正向偏压，因此输入阻抗低（约20200 ）；输出端（CB之间）为反向偏压，因此输出阻抗高（约100k1M ）。电流增益： 虽然AI小于1，但是RL / Ri很大，因此电压增益相当高。功率增益，由于AI小于1，所以功率增益不大。 共发射极放大电路与特性图2共发射极放大组态的简化电路共射极（Common-Emitter的放大电路，如图2所示。 图 2因具有电流与电压放大增益，所以广泛应用在放大器电路。其电路特性归纳如下：输入与输出阻抗中等（Ri约1k5k ；RO约50k）。 电流增益： 电压增益：负号表示输出信号与输入信号反相（相位差180）。 功率增益

23、： 功率增益在三种接法中最大。 共集电极（Common-Collector）接法的放大电路，如图3所示， 图 3高输入阻抗及低输出阻抗的特性可作阻抗匹配用，以改善电压信号的负载效应。其电路特性归纳如下：输入阻抗高（Ri约20 k ）；输出阻抗低（RO约20 ）。 电流增益： 电压增益： 电压增益等于1，表示射极的输出信号追随着基极的输入信号，所以共集极放大器又称为射极随耦器（emitter follower）。功率增益Ap = AI Av ，功率增益低。 三极管三种放大电路特性比较 晶体管接法电流增益电压增益输入阻抗输出阻抗应用电路共发射极1A1反相放大中中高信号放大器共基极1最小A1最大最低

24、最高高频电路高频响应好共集电极1最大A1最小最高最低阻抗匹配射极跟随器 共发射极放大电路偏压 图4 自给偏压方式 此电路不稳定 又称为基极偏压电路最简单的偏压电路容易受值的变动影响温度每升高10C时，逆向饱和电流ICO增加一倍温度每升高1C时，基射电压VBE减少2.5mV随温度升高而增加(影响最大) 图5 射极加上电流反馈电阻 改善特性 自给偏压方式 但还是不太稳定 图6 此为标准低频信号放大原理图电路路,见图6，其R1（下拉电阻）及R2为三极管偏压电阻（这种偏压叫做分压式偏置）为三极管基极提供必要偏置电流,R3为负载电阻，R4为电流反馈电阻（改善特性），C3为旁路电容，C1及C3为三极管输入

25、及输出隔直流电容（直流电受到阻碍）,信号放大值则为R3/R4倍数.设计上注意:晶体三极管Ft值需高于信号放大值与工作频率相乘积,选择适当三极管集电极偏压、以避免大信号上下顶部失真,注意C1及C3的容量大小对低频信号(尤其是脉波)有影响.在R4并联一个C2，放大倍数就会变大。而在交流时C2将R4短路。 为什么要接入R1及R4? 因为三极管是一种对温度非常敏感的半导体器件，温度变化将导致集电极电流的明显改变。温度升高，集电极电流增大；温度降低，集电极电流减小。这将造成静态工作点的移动，有可能使输出信号产生失真。在实际电路中，要求流过R1和R2串联支路的电流远大于基极电流IB。这样温度变化引起的IB

26、的变化，对基极电位就没有多大的影响了，就可以用R1和R2的分压来确定基极电位。采用分压偏置以后，基极电位提高，为了保证发射结压降正常，就要串入发射极电阻R4。 R4的串入有稳定工作点的作用。如果集电极电流随温度升高而增大，则发射极对地电位升高，因基极电位基本不变，故UBE减小。从输入特性曲线可知，UBE的减小基极电流将随之下降，根据三极管的电流控制原理，集电极电流将下降，反之亦然。这就在一定程度上稳定了工作点。分压偏置基本放大电路具有稳定工作点的作用，这个电路具有工作点稳定的特性。当流过R1和R2串联支路的电流远大于基极电流IB（一般大于十倍以上）时，可以用下列方法计算工作点的参数值 图7 PNP三极管共射放大电路 三极管放大原理作用RC耦合两极放大电路直流分析