1、电力电子技术课后习题答案第1章电力电子器件 1第2章整流电路 4第3章直流斩波电路 20第4章 交流电力控制电路和交交变频电路 26第5章逆变电路 31第6章PWM控制技术 35第7章软开关技术 40第8章组合变流电路 42第1章电力电子器件1.使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或: lfk0且|jGK0o2.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电
2、流降到接近于零的I m,试计算各某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。3.图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为波形的电流平均值I|d3与电流有效值| 3oa) 24b)C)图1-43图晶闸管导电波形解:a)I 1=I = 1I d1 2nA I / QImb)Id2=- Imsin td( t)=(1) Imn 7 n 21 2d/*、2lm 3(ImSin t) d( t)=厂 4 2C)I = 1I d3 2冗- 102强(t)=; I1 02 Im2d( t)=丄 Imo 24.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的
3、平均电流 I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1、Im2、I m3各为多少?解:额定电流I “av)=100A的晶闸管,允许的电流有效值 I =157A,由上题计算结果知a)0.4767b)-,0.67411c)I m=2 I = 314, I d3= I mF45.GTO和普通晶闸管同为 PNPN吉构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答:GTO和普通晶闸管同为 PNPN结构,由PiNiP2和NiP2Nt构成两个晶体管VI、V2,分别具有共基极电流增益1和2,由普通晶闸管的分析可得, 1+ 2=1是器件临界导通的条件。 1 + 2 1,两个等效晶体管过饱和
4、而导通; 1+ 2 V 1,不能维持饱和导通而关断。GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为 GTC与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同:1)GTC在设计时 2较大,这样晶体管 V2控制灵敏,易于 GTC关断;2)GTC导通时的1+ 2更接近于1,普通晶闸管 1+ 2 ,而GTC则为1+ 2 ,GTC的饱和 程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个 GTC元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得 P2极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。6.如何防止电力MOSFE因静电感应应起的损坏?答:电力MOSFE的栅
5、极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。 MOSFET勺输入电容是低泄漏电容,当栅极开 路时极易受静电干扰而充上超过 20的击穿电压,所以为防止 MOSFE因静电感应而引起的损坏,应注意以下几点:1一般在不用时将其三个电极短接;2装配时人体、工作台、电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地;3电路中,栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高4漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。7.IGBT、GTR GTC和电力MOSFET驱动电路各有什么特点?答:IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻, IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。GTR驱动电路的特点
6、是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速 开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电 压,以加速关断速度。GTC驱动电路的特点是:GTC要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通 常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。电力MOSFE驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。8.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析 RCDg冲电路中各元件的作用。答:全控型器件缓冲
7、电路的主要作用是抑制器件的内因过电压, du/dt或过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。RCD缓冲电路中,各元件的作用是:开通时, C经R放电,R起到限制放电电流的作用;关断时,负载电流经VD从G分流,使du/d t减小,抑制过电压。9.试说明IGBT、GTR GTC和电力 MOSFE各自的优缺点解:对IGBT、GTR GTC和电力MOSFET勺优缺点的比较如下表:器件优点缺点IGBT开关速度高,开关损耗小,具有耐脉 冲电流冲击的能力,通态压降较低, 输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率 小开关速度低于电力 MOSFET电压,电流容量不及GTOGTR耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和
8、压降低开关速度低,为电流驱动,所需 驱动功率大,驱动电路复杂,存 在二次击穿问题GTO电压、电流容量大,适用于大功率场 合,具有电导调制效应,其通流能力 很强电流关断增益很小,关断时门极 负脉冲电流大,开关速度低,驱 动功率大,驱动电路复杂,开关 频率低电力MOSFET开关速度快,输入阻抗高,热稳定性 好,所需驱动功率小且驱动电路简 单,工作频率高,不存在二次击穿问 题电流容量小,耐压低,一般只适 用于功率不超过 10kW的电力电子装置第2章整流电路1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电, L= 20mH U2= 100V,求当a= 0和60时的负载电流I d,并画出Ud与i d波形。解:a
9、= 0时,在电源电压U2的正半周期晶闸管导通时,负载电感 L储能,在晶闸管开始导通时刻,载电流为零。在电源电压 U的负半周期,负载电感 的一个周期里,以下方程均成立:L释放能量,晶闸管继续导通。因此,在电源电压U2Ldidt2 sin考虑到初始条件:当 t=0时Idi d= 0可解方程得:旦(1L2丑(10 Lidcoscost)t)d( t)、2匕L=(A)Ud与i d的波形如下图:当区=60时,在U2正半周期60180期间晶闸管导通使电感 L储能,电感L储藏的能量在U2负半周期180300期间释放,因此在U2 一个周期中60 300L譽.3期间以下微分方程成立:考虑初始条件:当 t = 6
10、0时i d= 0可解方程得:t)id腹2/1( cosL 2其平均值为Id 丄孑旦cos t)d( t)= 2U=(A)2 3 L 2 2 L2图2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,问该变压器还有直流磁化问题吗?试说明:晶闸管承受的最大反向电压为 2.2U2 ;当负载是电阻或电感时,其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。答:具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,该变压器没有直流磁化的问题。因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中,正负半周内上下绕组内电流的方向相反,波形对 称,其一个周期内的平均电流为零,故不会有直流磁化的问题。以下分析晶闸管承受最大反向电压及输岀电压和
11、电流波形的情况。1以晶闸管VT2为例。当VT导通时,晶闸管 VT2通过VT与2个变压器二次绕组并联,所以 VT2承 受的最大电压为2 . 2U2。2当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角 相同时,对于电阻负载:(0a )期间无晶闸管导通,输出电压为 0; (an)期间,单相全波电路中 VT导通,单相全控桥电路中 VT、VT4 导通,输出电压均与电源电压 U2相等;(nn + a )期间,均无晶闸管导通,输出电压为 0; ( n + a 2 n )期间,单相全波电路中 VT2导通,单相全控桥电路中 VT2、VT3导通,输岀电压等于 山。对于电感负载:(an + a)期间,单相全波电路中
12、 VTi导通,单相全控桥电路中 VTi、VT4导通,输出电压均与电源电压 U2相等;(n + a2 n + a)期间,单相全波电路中 VT2导通,单相全控桥电路中VE、VT3导通,输岀波形等于 匕。可见,两者的输岀电压相同,加到同样的负载上时,则输岀电流也相同。3单相桥式全控整流电路, U = 100V,负载中R= 2 Q,L值极大,当a= 30 时,要求:作出 比、id、和i2的波形;求整流输岀平均电压 U、电流Id,变压器二次电流有效值I 2 ;3考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。解:5、i d、和i 2的波形如下图:O输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次电流有效值|2分别为
13、Ud = U2 COS a=x 100 X COS30 = ( V)I d= U / R= 2=( A)12= I d = ( A)晶闸管承受的最大反向电压为:.2 l)2= 100、. 2 =( V)考虑安全裕量,晶闸管的额定电压为:LN=( 23)X= 283424 (V)具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。流过晶闸管的电流有效值为: | VT= I d / ?2 =( A)晶闸管的额定电流为:In=( 2)X/= 2635 (A)具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。4 单相桥式半控整流电路,电阻性负载,画岀整流二极管在一周内承受的电压波形。解:注意到二极管的特点:承受电压为正即导通。因此
14、,二极管承受的电压不会岀现正的部分。在电路 中器件均不导通的阶段,交流电源电压由晶闸管平衡。整流二极管在一周内承受的电压波形如下:5 单相桥式全控整流电路, U2=100V,负载中R=2Q, L值极大,反电势 E=60V,当 =30 时,要求:1作出Ud、id和i 2的波形;2求整流输岀平均电压 J、电流Id,变压器二次侧电流有效值 |2;3考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。解:Ud、i d和i 2的波形如下图:2整流输岀平均电压 U、电流Id,变压器二次侧电流有效值 I 2分别为U = U2 cos a=x 100 x cos30 = (A)Id = (U E)/ R=-60)/
15、2 = 9(A)12= I d = 9(A)3晶闸管承受的最大反向电压为:72 U2= 100 2 =(V流过每个晶闸管的电流的有效值为:I VT= I d / -:; 2 =( A)故晶闸管的额定电压为:UN= (23) x= 283424 (V)晶闸管的额定电流为:In= 2) X/= 68 (A)晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。6. 晶闸管串联的单相半控桥(桥中 VT、VT为晶闸管),电路如图2-11所示,d=100V,电阻电感负载,F=2Q, L值很大,当 =60时求流过器件电流的有效值,并作出 小、id、M、iD的波形。解:、i d、i vt、i d的波形如
16、下图:负载电压的平均值为:Ud 1 . 2U 2 sin td( t) 0.9U21 C0S( /3) =( V)3 2负载电流的平均值为:Id= Ud / 2/ 2=( A)流过晶闸管V0、VH的电流有效值为:流过二极管VD、VD的电流有效值为:7.在三相半波整流电路中,如果 a相的触发脉冲消失,试绘岀在电阻性负载和电感性负载下整流 电压Ud的波形。解:假设 0,当负载为电阻时,Ud的波形如下:当负载为电感时O1 ab cVdt人、人8三相半波整流电路,可以将整流变压器的二次绕组分为两段成为曲折接法,每段的电动势相同,其分段布置及其矢量如图2-60所示,此时线圈的绕组增加了一些,铜的用料约增
17、加10%问变压器铁心是否被直流磁化,为什么?ABCB AC2图2-60 变压器二次绕组的图2折接法及其矢量图答:变压器铁心不会被直流磁化。原因如下:变压器二次绕组在一个周期内:当 aiC2对应的晶闸管导通时, a的电流向下流,C2的电流向上流;当Cib2对应的晶闸管导通时,ci的电流向下流,b2的电流向上流;当bia2对应的晶闸管导通时,bi的电流 向下流,a2的电流向上流;就变压器的一次绕组而言, 每一周期中有两段时间(各为i20 )由电流流过, 流过的电流大小相等而方向相反,故一周期内流过的电流平均值为零,所以变压器铁心不会被直流磁化。9三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法,a、b两相
18、的自然换相点是同一点吗?如果不是,它们在相位上差多少度?a、b两相之间换相的的自然换相点不是同一点。它答:三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法, 们在相位上相差180 。10有两组三相半波可控整流电路,一组是共阴极接法,一组是共阳极接法,如果它们的触发角都是,那末共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲对同一相来说,例如都是 a相,在相位上差多少度? 答:相差18011 .三相半波可控整流电路, lt=100V,带电阻电感负载,F=5Q,L值极大,当 =60 时,要求:1画出Ud、id和i VT1的波形;2计算 I、I d、I dT和| VT。解:Ud、i d和i VT1的波形如下图:Uda
19、bcxOVT11”/ 礼 #INtki1O|d-! : OtU、| d、| dT和| VT分别如下l = =x 100 x cos60 = ( V)I d= U / F/ 5=( A)| dVT= I d / 3=/ 3=( A)I VT= I d / - 3 =( A)12 .在三相桥式全控整流电路中,电阻负载,如果有一个晶闸管不能导通,此时的整流电压 Ud波形如何?如果有一个晶闸管被击穿而短路,其他晶闸管受什么影响?答:假设VT1不能导通,整流电压 Ud波形如下:OttOn出IVbetOvXOtT IUbudU211idueudO1 u ab I匚.Ki13 .三相桥式全控整流电路,L2=
20、100V,带电阻电感负载,R=5 Q, L值极大,当1画出Ud、2计算Ud、 解:Ud、i d和=60 Ua=60 时,要求: i d和i VT1的波形; Id、I dT 和 I VTo VT1 的波形如下:Ud、Id、IdT和IVT分别如下=x 100X eos60= 117 (V) I d= U / R= 117 / 5=( A)I DVT= I d / 3=/ 3=( A)I VT= I d / . 3 = / . 3 =( A)假设VT被击穿而短路,则当晶闸管 VE或VT5导通时,将发生电源相间短路,使得 VE、VT5也可能分别被击穿。14 .单相全控桥,反电动势阻感负载, R=1 Q
21、, L=g, E=40V, U2=100V, Lb=,当 =60 时求Ud、Id与 的数值,并画岀整流电压 Ud的波形。解:考虑Lb时,有:Lt =aA Ud U= 2XbI d /nId=( L 日/ R解方程组得:Ut=(n R a + 2XBE)/(n R+ 2Xb) = ( V) Ut=( V)Id =( A)又TCOS cos( ) = . 2 I dX B / U2即得岀cos(60 )=换流重叠角= 60 =最后,作岀整流电压 L的波形如下:15 .三相半波可控整流电路,反电动势阻感负载, U=100V, R=1Q, L=g, LB=1mH求当 =30 时、E=50V时U、儿、
22、的值并作出Ud与和i vt2的波形。解:考虑Lb时,有:Ud =“一 Ud J= 3XI d/ 2 nId=( U E / R解方程组得:J=(n R a+ 3XbE)/( 2 n 3) = ( V) Ut=( V)I d =( A)又:即得岀换流重叠角cos - cos( ) = 2 IdXB /、6cos(30 )=30 =Ud、ivT1 和 i VT2 的波形如下:16 三相桥式不可控整流电路,阻感负载, R=5Q, L=g, U=220V, X=Q,求Ud、I d、I vd、I 2和的值并作出5、i vd和i 2的波形。解:三相桥式不可控整流电路相当于三相桥式可控整流电路a= 0时的情
23、况。Ud =aA Ud Ud= 3XbI d /nI d= U / R解方程组得:Ud= a /( 1 + 3Xb/ n R) = ( V)I d =( A)又Tcos cos( ) = 2 IdXB / 6 U2即得岀cos换流重叠角二极管电流和变压器二次测电流的有效值分别为OUd、i VD1和i 2a的波形如下:|Uab iUJUbc|Ubal Uca:UcJ UabUac !:;丨;iI d / 3= / 3 =( A)I d=( A)3UUabacOOi2aOiVD1 h 1 i V i in ! iy ! iv ! M ! w 1 i/ i:! ! tI / I i. I Y iT
24、I It, I1 i / 1 kL 1 0 iL;4 i :,当Lb=0和LB=1mH17.三相全控桥,反电动势阻感负载,E=200V, R=1Q, L=s, U=220V, =60情况下分别求Ud、Id的值,后者还应求 并分别作出Ud与i t的波形。解:当Lb= 0时:U=a=x 220 X cos60 = ( V)Id=( U E)/ R=( - 200)/ 1=( A)当Lb= 1mH时J =aA U U= 3XbI d /nId=( U E / R解方程组得:U=(n UR COS a + 3X?E)/(n R+ 3怡)=(V)Id =( A) U=( V)又 COS COS( ) =
25、2Xdd/ 6Ucos(60 )Ud、I VT1 和 I VT2 的波形如下:AOi iIVO9 I I *U 2U di VT1卓 - 60 O 1111LiI! !: :!、1 I!: !: !:1 1tId JJ o i ti VT218单相桥式全控整流电路,其整流输岀电压中含有哪些次数的谐波?其中幅值最大的是哪一次?变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波?其中主要的是哪几次?答:单相桥式全控整流电路,其整流输岀电压中含有 2k ( k=1、2、3)次谐波,其中幅值最大的是 2次谐波。变压器二次侧电流中含有 2k + 1 (k = 1、2、3)次即奇次谐波,其中主要的有 3次、5次谐 波。
26、19.三相桥式全控整流电路,其整流输岀电压中含有哪些次数的谐波?其中幅值最大的是哪一次?变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波?其中主要的是哪几次?答:三相桥式全控整流电路的整流输岀电压中含有 6k ( k= 1、2、3)次的谐波,其中幅值最大的是6次谐波。变压器二次侧电流中含有 6k 1(k=1、2、3)次的谐波,其中主要的是 5、7次谐波。20.试计算第3题中i 2的3、5、7次谐波分量的有效值|23、|25、|27 解:在第3题中已知电路为单相全控桥,其输岀电流平均值为I d =( A)于是可得:123= 2 2 I d / 3 n= 2 2 X/ 3 n=( A)125= 2 . 2 I
27、 d / 5n = 2 , 2 X / 5n=( A)127= 2 . 2 I d / 7 n= 2 , 2 X/ 7 n=( A)21.试计算第13题中i2的5、7次谐波分量的有效值I25、|27解:第13题中,电路为三相桥式全控整流电路,且已知Id =( A)由此可计算出5次和7次谐波分量的有效值为:I 25=: 6 I d / 5 n= X/ 5 n=( A)I 27=、.: 6 I d / 7 n= 6 X/ 7 n=( A)22.试分别计算第3题和第13题电路的输入功率因数。解:第3题中基波电流的有效值为:I 1 = 2 I d/n= 2j2 X/n=( A)基波因数为=I 1 /
28、I = I 1 / I d=/ = 电路的输入功率因数为:= COS = cos30 =第13题中基波电流的有效值:11 = . 6 I d /n= 6 X/n=( A)基波因数为=I 1 / I = I 1 / I d =电路的输入功率因数为:= cos = COS60 =23 带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要异同? 答:带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有以下异同点:1三相桥式电路是两组三相半波电路串联,而双反星形电路是两组三相半波电路并联,且后者需要 用平衡电抗器;2当变压器二次电压有效值 Uz相等时,双反星形电路的整流电压平
29、均值 U是三相桥式电路的1/2,而整流电流平均值Id是三相桥式电路的2倍。3在两种电路中,晶闸管的导通及触发脉冲的分配关系是一样的, 整流电压Ud和整流电流id的波形形状一样。24.整流电路多重化的主要目的是什么? 答:整流电路多重化的目的主要包括两个方面,一是可以使装置总体的功率容量大,二是能够减少整流 装置所产生的谐波和无功功率对电网的干扰。25.12脉波、24脉波整流电路的整流输岀电压和交流输入电流中各含哪些次数的谐波?答:12脉波电路整流电路的交流输入电流中含有 11次、13次、23次、25次等即12k 1、( k=1,2,3 )次谐波,整流输出电压中含有 12、24等即12k ( k=1, 2, 3)次谐波。
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