1、双束聚焦离子束显微镜测试FIBSEM设备型号:Zeiss Auriga Compact聚焦离子束(FIB)与扫描电子显微镜(SEM)耦合成为FIB-SEM双束系统后,通过结合相应的气体沉积装置,纳米操纵仪,各种探测器及可控的样品台等附件成为一个集微区成像、加工、分析、操纵于一体的分析仪器。其应用范围也已经从半导体行业拓展至材料科学、生命科学和地质学等众多领域。为方便客户对材料进行深入的失效分析及研究,金鉴实验室现推出Dual Beam FIB-SEM业务,并介绍Dual Beam FIB-SEM在材料科学领域的一些典型应用,包括透射电镜( TEM)样品制备,材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀
2、与沉积以及材料三维成像及分析等。金鉴实验室FIB-SEM技术参数:AURIGACompact主机台FESEMFIB分辨率0.9nmat30kV1.2nmat15kVandoptimumWD2.5nmat1kVandoptimumWD5nm(30kV1pA)放大倍率12x-1000kx600x-500kx束流4pA-100nA1Pa-50nA加速电压0.1-30kV1-30kV电子枪肖特基热场发射型Ga液态金属离子源(LMIS)气体注入系统a)最多为5通道的多通道气体注入器(PtCWI2AuSiOXXeF2以及要求的其它前驱体)b)带有集成式局部电荷中和系统的最多为4通道的多通道气体注入器.以及
3、/或者配备原位清洁装置(可使用所有的标准探头)c)只有一个前驱体的单通道气体注入器系统(Pt气体)d)全自动和气动式可伸缩气体注入器系统,可用作局部电荷中和或原位样品清洁装置(可以使用所有的高真空标准探测器)探测器In-lens:高效环形in-lens二次电子探测器Chamber:ET二次电子探测器聚焦离子束技术(FIB)注意事项:(1)样品大小551cm,当样品过大需切割取样。(2)样品需导电,不导电样品必须能喷金增加导电性。(3)切割深度必须小于10微米。金鉴实验室FIB-SEM技术及应用:1.FIB透射样品制备流程对比与传统的电解双喷,离子减薄方式制备TEM样品,FIB可实现快速定点制样
4、,获得高质量TEM样品。最终减薄TEM样品结果:2.材料微观截面截取与观察SEM仅能观察材料表面信息,聚焦离子束的加入可以对材料纵向加工观察材料内部形貌,通过对膜层内部厚度监控以及对缺陷失效分析改善产品工艺,从根部解决产品失效问题。(1)FIB切割键合线利用FIB对键合线进行截面制样,不仅可以观察到截面晶格形貌,还可掌控镀层结构与厚度。(2)FIB切割芯片金道金鉴实验室FIB-SEM产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。(3)FIB切割支架镀层利用FIB切割支架镀层,避免了传统切片模式导致的金属延展、碎屑填充、厚度偏差大的弊端,高分辨率的电镜下,镀
5、层晶格形貌、内部缺陷一览无遗。 FIB-SEM扫描电镜下观察支架镀层截面形貌,镀层界限明显、结构及晶格形貌清晰,尺寸测量准确。此款支架在常规镀镍层上方镀铜,普通制样方法极其容易忽略此层结构,轻则造成判断失误,重则造成责任纠纷,经济损失! FIB-SEM扫描电镜下观察支架镀层截面形貌。此款支架在镀铜层下方镀有约30纳米的镍层,在FIB-SEM下依然清晰可测!内部结构、基材或镀层的晶格、镀层缺陷清晰明了,给客户和供应商解决争论焦点,减少复测次数与支出。(4)FIB其他领域定点、图形化切割3. 诱导沉积材料利用电子束或离子束将金属有机气体化合物分解,从而可在样品的特定区域进行材料沉积。本系统沉积的材料为Pt,沉积的图形有点阵,直线等,利用系统沉积金属材料的功能,可对器件电路进行相应的修改,更改电路功能。 4.材料的三位相貌表征
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