电子工艺期末考试复习资料讲诉.docx

1、电子工艺期末考试复习资料讲诉名词解释1.碳膜电阻：在陶瓷架表面上沉积成碳结晶导电膜。2.机械零位电阻：当电位器的滑动端处于机械零位时，滑动端与一个固定端之间的电阻应该 是零 。3.独石电容器：是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容型。4.品质因数：电感线圈中储存能量与消耗能量的比值5.中周：中频变压器又称为中周6.整流二极管：利用单向导电性把交流电变成直流电。7.带阻尼三极管：将三极管与阻尼二极管、保护电阻封装为一体构成的特殊三极管。8.达林顿管：将两只三极管或更多只三极管集电极连在一起，而将第一只三极管的发射极直接耦合到第二只三极管的基极，依次级联而成。9.绝缘栅型场效应管：

2、由金属、氧化物和半导体组成。10.门极可关断晶闸管：PNPN四层结构，外部引出三个极，阳极，阴极和门极。11.半导体集成电路：在采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元件并具有某种功能的集成电路12.膜集成电路：是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件13.焊盘：通过覆铜箔进行处理而得到的元器件的连接点14.丝印层：在PCB的阻焊层上印出文字与符号（大多是白色）层面，由于采用丝印的方法， 故称丝印层15.浸润：是发生在固体表面和液体之间的一种物体现象16.结合层:焊料在浸润过程中，焊料和焊件的界面有扩散现象发生，其结果是在二者界面上形成的

3、一种新的金属合金层，称为结合层17.焊剂：又称为钎剂，焊接时，能够熔化形成熔渣和气体，对熔化金属起保护和冶金处理作用的一种物质18.镀锡：用液态焊锡将被焊金属表面浸润，形成一层既不同于被焊金属又不同于焊锡的结合层19.立碑现象：再流焊中，片式元件经常出现力气现象，称为立碑，又称为吊桥、曼哈顿现象20.BGA:球栅阵列封装，是集成电路采用有机载板的一种封装法21.工艺文件：根据设计文件，图纸及生产定型样机，结合工厂实际而制定出来的文件。第一章（一）电阻器1.电阻器的定义： 导体对电流的阻碍作用称为电阻。电阻器的种类： 普通电阻器 电位器 特殊电阻器电阻器的主要技术指标：标称阻值、额定功率、允许误

4、差等级命名方法：第一部分主标第二部分材料第三部分类别或额定功率第四部分序号 (1).碳膜电阻：碳氢化合物在真空中通过高温分解，在陶瓷架表面上沉积成碳结晶导电膜。 （2）金属膜电阻：在陶瓷架表面,经真空高温或烧渗工艺蒸发沉积一层金属膜或合金膜。 （3）线绕电阻：在磁管上用锰铜丝或镍铬合金丝绕制后，为防潮并防止线圈松动，将其外层用披釉（玻璃釉或珐琅）或漆加以保护。 （4）金属玻璃釉电阻：以无机材料做黏合剂，用印刷烧结工艺在陶瓷基体上形成电阻膜而形成的电阻器。 （5）排电阻：又称集成电阻，在一块基片上制成多个参数性能一致的电阻。2.熔断电阻：这种电阻又叫保险电阻，兼有电阻和熔断器的双重作用。3.水泥

5、电阻：是封装在陶瓷外壳里，并用水泥填充固化的一种线绕电阻。4.电位器也叫可调电阻器，是指阻值在规定的范围内可以连续调节的电阻器，又称电位器。主要技术指标：标称阻值、额定功率、滑动噪声、分辨力、机械零位电阻、阻值变化规律5.几种常用的电位器： （1）线绕电位器：将电阻丝缠绕在涂有绝缘物的金属或非金属的条板上，再用专用工具将其弯成环型，装入基座内，配上带滑动触点的转动系统，则构成线绕电位器。优点：接触电阻低，精度高，温度系数小。缺点：分辨力较差（阻值呈阶梯变化），可靠性差，不适于高频电路。阻值100欧 （2）合成碳膜电位器：是用配置好的悬浮液涂抹在胶脂板或玻璃纤维板上制成的电阻体，能制成片状的半可

6、调电位器、结构较复杂的带开关电位器和精密电位器。优点：阻值连续可调，分辨力高；阻值范围宽(几百欧 几兆欧)；易于制作成符合需要的电阻规律。价格便宜，品种齐全。缺点：功率不能太高，一般做到2 W，否则体积太大；黏合剂是有机物，耐温耐湿性能较差。 （3）有机实心电位器：用有机黏合剂将碳质导电物、填料均匀混合构成电阻体材料，连同引出端和绝缘的塑料粉压制后加热聚合而成。 优点：阻值连续可调，分辨力高（大大优于线绕电阻）； 阻值范围宽(100 欧4.7 M )；体积小，耐磨、耐热性能好。缺点：温度稳定性较差。 （5）导电塑料电位器：电阻体由碳黑、石墨和超细金属粉、邻苯二甲酸二丙脂树脂（DAP树脂）和交联

7、剂（DAP单体）塑压而成。优点：电阻率比一般电阻体大 3 4 个数量级。特别耐磨，寿命可达500万次；制作工艺简单，分辨力高，平滑性良好，接触可靠。阻值范围宽(10欧 1 M )，工作温度范围55 +125 C （6）数字电位器：是采用半导体技术制作的集成电路，其电阻变化由电阻阵列与多路模拟开关的选通组合来实现。优点（了解）：尺寸小、功耗低、温度系数小。易失和非易失配置，即掉电后恢复原始状态和保持掉电前状态。接口方式灵活多样，有脉冲增减式和I2C、SPI等计算机接口形式。有的数字电位器（数字电阻）有一个高阻抗选项，使这些电位器还具有开关功能。使用数字电位器(电阻)时应注意:(1) 工作在有效的

8、电压范围内，一般不超过电源供电电压（2 不超过额定的耗散功率。电阻器的选用对于一般的要求，可选用实心电阻的碳膜电阻。实心电阻可靠性较好，能减少设备的维修，除了对电性要求较高的地方，均可以使用。热分解碳膜电阻电性能较好，价格也不贵，可用于一般仪器设备中。对于稳定性和电性能（温度系数、非线性和电流噪声）要求较高的地方，可采用金属膜电阻。在要求精度和对电性能有特殊要求的地方，可采用精密线绕电阻和块金属电阻。 对于高频和高速脉冲电路，一般均用薄膜型电阻，块金属电阻，是唯一既有高精度又有良好高频性能和快速响应的电阻品种，有厚薄膜（金属玻璃）、薄膜（金属膜、氮化膜）以及金属膜电阻网络等。 （二）电容器1.

9、定义：是由两块金属电极之间夹一层绝缘电介质构成。当在两金属电极间加上电压时，电极上就会储存电荷，所以电容器是储能元件（即储存电荷的容器）。2特点：它具有充放电特性和隔直通交的能力。 电容器上的电压不能突变。 电容器的容抗与频率、容量之间成反比。3.作用： 具有通交流阻直流的特性，在电路中的作用主要是耦合，隔直滤波谐振保护旁路补偿，调谐，选频等4.命名方法（1）国产电容器型号命名由四部分组成：第一部分用字母“C”表示主称为电容器。 第二部分用字母表示电容器的介质材料。 第三部分用数字或字母表示电容器的类别。 第四部分用数字表示序号。 （2）国外电容器的型号命名由六部分组成。第一部分用字母表示电容

10、器的类型。 第二部分用数字表示外形结构。 第三部分用字母表示温度特性。 第四部分用字母或数字表示耐压值。 第五部分用数字表示标称容量。 第六部分用字母表示允许偏差。 5.电容器的主要参数：标称容量、允许偏差、额定电压、漏电流、绝缘电阻、损耗因数、温度系数、频率特性。6.标注方法： （1）直标发：体积较小的无极性电容器、电解电容器或体积较大的无极性电容器 如: 1p2表示1.2 pF ; 1n表示1 000 pF; 10n表示0.01 F; 22表示 2.2 F; 如： 1.2、10、100、1000、3300、6800等容量单位均为pF 0.1、 0.22、0.47、0.01、 0.022、0

11、.047等容量单位均为F （2）数码标注法：数码标注法一般为三位数码表示电容器的容量，单位pF 如： 101 表示：10 101 = 100 pF 102 表示：10 102 = 1 000 pF （3）色标法：四环色标法，第一、二环表示有效数值，第三环表示倍乘数，第四环表示允许偏差（普通电容器）。如：棕、黑、橙、金 表示其电容量为10*103pF= 0.01 F，允许偏差为5% 棕、黑、黑、红、棕 表示其电容量为100*102= 0.01 F，允许偏差为1%7电容器的类型 固定电容:无机介质电容器、有机薄膜电容器,、铝电解电容、钽电解电容 微调电容：云母微调电容器、瓷介微调电容器、薄膜微调电

12、容器。 可变电容器：空气可变电容器、薄膜可变电容器无机介质电容器：云母电容器、瓷介电容器、独石电容器6.瓷介电容器（CC）：用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属（银）薄膜，再经 高温烧结后作为电极而成。优点：1 类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。2、 3 类瓷介电容器其特点是材 料的介电系数高，容量大（最大可达0.47 F)、体积小 、 损耗和绝缘性能较 1 类的差。7.涤纶电容器（CL）：涤纶电容器，是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数（即温度升高时，电容量变大）的无极性电容。优点：耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。8.聚苯乙烯电容器（CB）：有箔式和金属

13、化式两种类型。优点：箔式绝缘电阻大，介质损耗小，容量稳定，精度高，但体积大，耐热性教差；金属化式防潮性和稳定性较箔式好，且击穿后能自愈，但绝缘电阻偏低，高频特性差。9.聚丙烯电容器（CBB）：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。有非密封式（常用有色树脂漆封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类型。优点：损耗小，性能稳定，绝缘性10.独石电容器：独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片状超小型电容器。优点：它具有性能可靠、耐高温、耐潮湿、容量大（容量范围1 pF 1 F）、漏电流小缺点：工作电压低（耐压低于100 V）。 11.铝电解电容器（CD）：有极性铝电

14、解电容器是将附有氧化膜的铝箔（正极）和浸有电解液的衬垫纸，与阴极（负极）箔叠片一起卷绕而成。外型封装有管式、立式。并在铝壳外有蓝色或黑色塑料套。优点：容量范围大，一般为110 000 F，额定工作电压范围为6.3 V450 V。缺点：介质损耗、容量误差大（最大允许偏差+100%、20%）耐高温性较差，存放时间长容易失效。12.钽电容：是一种用金属钽（a）作为阳极材料而制成的。薄膜可变电容器：薄膜可变电容器是在其动片与定片之间加上塑料薄膜作为介质，外壳为透明或半透明塑料封装，因此也称密封单连或密封双连和密封四连可变电容器。优点： 体积小、重量轻。缺点： 杂声大、易磨损13.空气可变电容器（CB）

15、：电极由两组金属片组成。一组为定片，一组为动片，动片与定片之间以空气作为介质。优点：调节方便、性能稳定、不易磨损。缺点： 体积大。14.瓷介微调电容器（CC）：瓷介微调电容器是用陶瓷作为介质。在动片（瓷片）与定片（瓷片）上均镀有半圆形的银层，通过旋转动片改变两银片之间的相对位置，即可改变电容量的大小。优点：体积小，可反复调节，使用方便。15. 薄膜微调电容器：薄膜微调电容器是用有机塑料薄膜作为介质，即在动片与定片（动、定片均为半圆形金属片）之间加上有机塑料薄膜，调节动片上的螺钉，使动片旋转，即可改变容量 优点：体积小，重量轻，可反复调节，使用方便。16.电容器的代用原则：电容器的容量基本相同；

16、电容器的耐压不低于原电容器的耐压值；对于旁路电容、耦合电容，可选用比原电容量大的电容器代用。在高频电路中的电容，代换时一定要考虑频率特性，应满足电路的频率要求。17.电容器的使用注意事项： （1）使用电容时其两端电压不能超过额定值，否则电容可能被损坏或击穿。 （2）用高频电容代替低频电容，但不可用低频电容器代替高频电容器。 （3）可用优质电容代替一般电容。耐压不够的可用串联电容的方法。 （4）介质损耗大的电容不适合高频电路。金属化纸介电容器一般不能用于高频电路。 （5）一般电解电容只能用在50度以下的环境并且极性不能接反。 （6）用于脉冲电路的电容应选择频率特性和温度特性好的电容器。（三）电感

17、器 18.电感器一般由骨架、绕组、屏蔽罩、封装材料、磁芯或铁芯等组成。19.电感器的主要参数：电感量、固有电容、品质因数、额定电流、线圈的损耗电阻20.电感量的标志方法：指标法、数码表示法、色码表示法21.电感线圈的种类：按结构分固定电感、可调电感；电感器按用途可分为：振荡电感器、校正电感器、显像管偏转电感器、阻流电感器、滤波电感器、隔离电感器、补偿电感器； 电感按工作频率可分为高频电感器、中频电感器和低频电感器。22.电感器的作用： （1）、做为滤波线圈阻止交流干扰（隔交通直）。 （2）、可起隔离作用。 （3）、与电容组成谐振电路。 （4）、构成各种滤波器、选频电路等，这是电路中应用最多的方

18、面。 （5）、利用电磁感应特性制成磁性元件。如磁头和电磁铁。 （6）、进行阻抗匹配。 （7）、制成变压器传递交流信号，并实现电压的升、降。在电路中电感器有通直流阻交流、通低频阻高频、变压、传送信号等作用23.电感线圈的使用知识：1、磁场辐射的影响2、工作频率与磁心材料的关系24. （1）磁心电感器： 用导线在磁心上绕制成线圈或在空心线圈中插入磁心组成的线圈。通过调节磁心在线圈中的位置来调节电感量。（2）铁心电感器： 在空心线圈中插入硅钢片组成铁心线圈，电感量大，一般为数亨，常称为低频扼流圈。其作用是阻止残余交流电通过，而让直流电通过。常用于音频或电源滤波电路中，如扩音机电源电路。 铁心电感器常

19、应用于工作频率较低的电路中，磁芯电感器常应用于工作频率较高的电路中。（3）空心电感器：用导线绕制在纸筒、塑料筒上组成的线圈或脱胎而成的线圈。中间没有磁心或铁心，故电感量很小，通过增减匝数或调节匝距来调节电感量。一般用在高频电路中。（4）色码电感器： 用漆包线绕制在磁心上，再用环氧树脂封装起来，外壳标以色环或直接由数字标明电感量。主要用在滤波、振荡、陷波和延迟电路中 24.变压器：也是一种电感器。它是将两组及以上的线圈绕在同一个线圈骨架上，或绕在同一铁心上制成的，是利用两个电感线圈的互感应现象来传递交流电信号和电能的。25.变压器按工作频率可分为高频变压器、中频变压器和低频变压器；变压器按用途可

20、分为电源变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器、恒压变压器、耦合变压器、自耦变压器、隔离变压器 ；变压器按铁心（磁心）形状可分为“E”型变压器、“C”型变压器和环型变压器。26.变压器的特性：额定功率、变压比、电流与电压的关系、阻抗变换关系、效率、绝缘电阻和耐压强度（四）二极管26.二极管的命名方法 国产二极管的型号由五部分组成：国际电子联合会半导体命名方法由四部分组成第一部分第 二 部 分第三部分四部分字母表示材料和极性用字母表示类型及主要特征数字或字母表示登记号用字母表示分档二极管的参数：最大整流电流 IM 最高反向电压 URM 最大反向电流IRM 最高工作频率 FT27.

21、二极管的分类：按材料可分为锗管和硅管两大类；二极管按用途不同可以分为普通二极管（检波二极管、整流二极管、开关二极管、稳压二极管；特殊二极管包括变容二极管、光电二极管、发光二极管）和特殊二极管；按照管芯结构：可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。28.二极管的性能特点：正向特性、反向特性、击穿特性、频率特性（五）三极管1.PNP和NPN的结构2.命名方法 （1）国产三极管的型号命名由五部分组成 如： 3主要参数 电流放大系数、耗散功率PCM、频率特性、集电极最大电流ICM、最大反向电压、反向电流4、三极管的分类 三极管制造的材料来分，有硅管和锗管两种；按三极管的内部结构来分，有NP

22、N和PNP两种；按三极管的工作频率来分，有低频管和高频管两种；按三极管允许耗散的功率来分，有小功率管、中功率管和大功率管。 集电极最大允许耗散功率PCM在1W以下的三极管称为小功率三极管，PCM在110W的三极管称为中功率三极管，PCM在10W以上的三极管称为大功率三极管。5、差分对管：是将两只性能参数相同的三极管封装在一起构成的电子器件，一般用在音频放大器或仪器、仪表的输入电路做差分放大管。6、达林顿管：它是将两只三极管或更多只三极管集电极连在一起，而将第一只三极管的发射极直接耦合到第二只三极管的基极，依次级联而成。7、带阻三极管：带阻三极管是指基极和发射极之间接有一只或两只电阻并与晶体管封

23、装为一体的三极管。由于带阻三极管通常应用在数字电路中，因此带阻三极管有时候又被称为数字三极管或者数码三极管。30.用指针式万用表如何测量三极管是硅管还是锗管：若测量晶体管（用1K或100档）b-e、b-c间电阻时，指针落在200300示数范围内，就可判断为锗管；若指针落在8001000示数范围内，就可判断为硅管。8选用代换方法 (1) 集电极-发射极反向击穿电压 BVCEO大于电路中电源的最高电压, 三极管的电流放大系数变化不超过允许值时的集电极最大电流ICM, 不超过它的最大允许耗散功率PCM，一般要求三极管的特征频率fT大于3倍的实际工作(工作总结)频率六、场效应管31.场效应管可分为：结

24、型、绝缘栅型；N沟道、P沟道；增强型、耗尽型G （1）结型场效应管 （2）绝缘栅型场效应管32.场效应管主要参数（了解）： IDSS：饱和漏极电流 UP ：夹断电压 UT ：开启电压 Gm ：低频跨导 BUDS：漏源击穿电压 PDSM:最大耗散功率 IDSM:最大漏源电流 UBRXX:反向击穿电压 PDM:最大漏极功耗33.场效应管的作用（了解）： 1、可应用于放大 2、适合阻抗变换 3、可用作恒流源 4、用作电子开关（七）晶闸管 34.晶闸管导通的条件：1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电压或正向脉冲35.晶闸管关断的条件：1

25、. 必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持。 2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反相电压。第二章（八）集成电路集成电路的分类：(1)、按功能分数字集成电路模拟集成电路 (2)、按制作工艺分半导体集成电路膜集成电路混合集成电路 (3)、按集成度高低分小规模集成电路 、中规模集成电路 、大规模集成电路 、超大规模集成电路 (4)、按导电类型分单极型集成电路和双极型集成电路 (5)、按通用性分通用集成电路专用集成电路ASIC2.集成电路的封装：(1)、金属封装：散热性好、电磁屏蔽性好、可靠性高、安装不够方便、成本较高、常用于高精度集成电路或大功率器件 (2、陶瓷封装：导热好且

26、耐高温，但成本比塑料封装高。 3、塑料封装：密度小、重量轻，电子产品可靠性总体不高 ，成本低、薄型化发展迅速，工艺相对简单、自动化程度高，散热性、耐热性和密封较差。3.集成电路的使用注意事项：1、工艺筛选：一看：封装考究，型号标记清晰，字迹、商标及出厂编号、产地俱全且印刷质量较好（或烤漆或激光蚀刻）；二检：引脚光滑亮泽，无腐蚀插拔痕迹，生产日期较短，正规商店经营；三测：对常用数字集成电路，为保护输入端及工厂生产需要，每一个输入端分别对于VDD、GND反接了一个二极管，用万用表测二极管档位可测出二极管效应，VDD、GND之间电阻值静态一般在20K以上，若小于1K则表明为故障元件；2、正确使用：

27、在使用集成电路时，其负荷不允许超过极限值； 输入信号的电平不得超出集成电路电源电压的范围 一般情况下，数字集成电路的多余输入端不允许悬空，容易造成逻辑错误。 数字集成电路的负载能力一般用扇出系数No表示， 使用模拟集成电路前，要仔细查阅它的技术说明书和典型应用电路，特别注意外围元件的配置，保证工作电路符合规范。 商业级集成电路的使用温度一般在070之间。在系统布局时，应使集成电路尽量远离热源。 在手工焊接电子产品时，一般应该最后装配焊接集成电路；不要使用大于45W的电烙铁，每次焊接时间不得超过10秒钟 对于MOS集成电路，要特别防止栅极静电感应击穿3、集成电路的代换：直接代换，代换规则：优先选

28、用与其规格、型号完全相同的集成电路来直接更换，若无同型号集成电路，则应从有关集成电路代换手册或相关资料中查明允许直接代换的集成电路型号，并且确定引脚排列、功能特点、内部电路结构完全相同后方可进行代换封装；间接代换，代换规则：在无直接代换的集成电路芯片情况下，也可用与原集成电路的封装形式、内部电路结构、主要参数等相同，只有个别或部分引脚功能排列不同的集成电路来间接代换，通过改变引脚，作应急处理（九）三端固定稳压集成电路4.常见的三端稳压集成电路有“正电压输出的78系列”和“负电压输出的79系列”5.典型应用电路 （1） （2） (3)同时输出正负电压的电路 (4)提高输出电压的电路 6.型号规格

29、： （1通常前缀为生产厂家的代号，如TA7805是东芝的产品，AN7909是松下的产品。 （2）该系列中的78或79后面的数字代表输出电压，如7806表示输出电压为正6V，7909表示输出电压为负9V。 （3）其中78L系列的最大输出电流为100mA，78M系列最大输出电流为1A，78系列最大输出电流为1.5A。举例：7805 79M09 79L05 78M15等等7.三端固定稳压集成电路的特点：组成稳压电源所需的外围元件极少，具有过流、过热及调整管等保护电路，使用可靠、方便，价格便宜（十）集成运放8.集成运放电路的组成：（1） 输入级：主要用来减小零点漂移，以获得较高的输入电阻。利用差分电路

30、作为输入级可以提高整个电路的共模抑制比。（2） 中间机：提供运算的高增益的作用。（3） 输出级：具有电压幅度大、输出功率高与输出电阻低，并有过载保护等特点。（4） 偏置电路：偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。 9集成运放的分类（了解） （ 1.） 通用型运算放大器（2）高阻型运算放大器（3）低温漂型运算放大器（4）高速型运算放大器（5）低功耗型运算放大器（6）高压大功率型运算放大器9.集成运放电路的使用（掌握）：（1） 电源供给方式对称双电源供电方式: 相对于公共端（地）的正电源（+E）与负电源（-E）分别接于运放的+VCC和-VEE管脚上。在这种方式下，可把信号源直接接到运放的输入脚上，

31、而输出电压的振幅可达正负对称电源电压。单电源供电方式: 单电源供电是将运放的-VEE管脚连接到地上。此时为了保证运放内部单元电路具有合适的静态工作点，在运放输入端一定要加入一直流电位（2） 集成运放的调零问题：由于集成运放的输入失调电压和输入失调电流的影响，当运算放大器组成的线性电路输入信号为零时，输出往往不等于零。为了提高电路的运算精度，要求对失调电压和失调电流造成的误差进行补偿，这就是运算放大器的调零。常用的调零方法有内部调零和外部调零，而对于没有内部调零端子的集成运放，要采用外部调零方法。(a)为内部调零（b）为外部调零7.一个运放如不能调零，大致有如下原因：组件正常，接线有错误。组件正常，但负反馈不够强。组件正常，但由于它所允许的共模