半导体天地.docx

1、半导体天地半导体天地半导体论坛1.扩散工艺的性能指标有哪些啊主要是方块电阻和结深，这两个指标达到了，其他的方面也就满足要求了多晶硅的方块电阻和结深 对于生产线来说，主要监控片内和片间的均匀性和方块大小，结深测试是破坏性的仅有在开发阶段进行验证 正常只要方阻和片内及片间的均与性，测试结深一般需要破坏圆片的，正常是在试验期做，批量生产时也可以利用陪片来测量。片子的均匀性是指电阻分布的均匀性，RS测量包括49个点及9点的测量类型，均匀性就是这49个点或9点的电阻的均方差3.为什么注入的深，方块电阻小？注入菜单 仅能量不一样。 谁来说说？ 一直没明白。是因为注入的浅点的话，退火时外扩散，剂量损失？载流

2、子浓度越大，电阻低。可以想象成导线直径越大，电阻越小就是注入越深PN结就越窄以前在书上有看到过关于注入时浓度最高的地方不是在最上和最底下是在靠中间的位置，这样分析的话可能深度越深的话高的浓度越易产生吧，不敢肯定是这样有问题大家指正哈！ 注入相同剂量,注入能量越大,激活后纵向分布越宽广,区域浓度变淡,相应的迁移率变大,综合下来电阻变小.RS=P(resisitivity)/t(thickness) 深度增加，RS减小注入相同剂量,注入能量越大,激活后纵向分布越宽广,区域浓度变淡,相应的迁移率变大,综合下来电阻变小.例举一下吧，你扩散的越深，载流子越多，导电性越强，电阻自然会变小了4.设备 AP和

3、LP炉管的区别AP表示常压process,LP表示低压下processAP有reactive tube,通常gas由上至下流下經由控压至exhaustLP gas由下往上流.經由pump抽真空作process.AP制程是靠晶片本身氧化作用LP制程是GAS反映depo在晶片上.APCVD是常压CVD, 好像没有炉管可以做APCVD的， LPCVD是低压CVD,一般process时压力达到200mmtor，水平或垂直炉管都可以实现，有PUMP抽气，APC实现压力的控制 AP 管主要是thermal 和 氧化SI SUBSTRACE 长OX 而LP 管主要是通过反应在SI 上面长film5.氧化层厚

4、度如何控制好?我觉得只能是试验的问题了,多试几次,保证重复性.炉管温度是能稳定得很好的,气流流量自然也能控制得比较好.每次氧化这两个量都能比较好的重复.推进和拉出的时间也要每次一致.所能做的就是降低氧化速度,这样的话控制起来会更容易一点,不过就增加了时间,高温过程时间变长是很不利的.所以就中和考虑一下,在能容忍的时间范围内尽量降低氧化速度.个人意见,不知道对不对,6.另外还有个问题,在掺杂的硅片上为什么掺B氧化层厚度与Rs成反比,而掺P的成反比!分凝系数不一样,B趋向于向氧化层混合,而P趋向于远离氧化层,至于为什么分凝系数不一样,就从材料内部Si和二氧化硅的晶格结构上解释简单说:就是长氧化层后

5、,B有一部分会向氧化层中扩散,而P向背向氧化层扩散 sio2会排磷吸硼因磷和硼分子大小不同，穿透oxide的能力不同，亦即主要穿透方式不同(P motion by vacancy ; B motion by interstitialcy)对呀,硼的分凝系数(杂质在硅中的平恒浓度/杂质在二氧化硅中的平恒浓度)m1.不过真的有正反比的关系吗 7.求教:二氧化硅问题(隔离机制) 我看到一篇关于二氧化硅的材料:1,若杂质比硅更可溶于氧化物,则杂质氧化过程中会迁移到氧化物中,如硼.相反,杂质更易溶于硅,氧化界面会把杂质推移到硅中.如磷.在硅-二氧化硅界面会有较高浓度.也就是所谓的隔离机制(亲硼排磷)吧.

6、2,杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力. 请问这两者有矛盾吗?没矛盾啊,隔离主要发生在interface,而后面的扩散是指在si或者sio2内的.是呀,我问过公司前辈了.阻挡层主要是注入时的屏蔽作用.扩散隔离机制是在si或者sio2内时,才考虑分凝系数的.在Si和SiO2界面，B会向SiO2和Si两个方向扩散，但B在SiO2中的扩散系数、固溶度比P等其他元素大，所以这种分凝系数就大，在考虑浓度时就要考虑B在SiO2中扩散的那一部分，相对没有氧化层的浓度低很多。而P在界面处也会向Si和SiO2两个方向扩散，但P在SiO2中的

7、扩散系数、固溶度都比B小，分凝系数就小，相对在Si中就多，就得到高浓度。我觉得是两钟概念的混淆。1、溶解度 2、扩散系数。 B在SiO2中的溶解度高 并不表示扩散系数高。在Si和SiO2界面，B会向SiO2和Si两个方向扩散，但B在SiO2中的扩散系数、固溶度比P等其他元素大，所以这种分凝系数就大，在考虑浓度时就要考虑B在SiO2中扩散的那一部分，相对没有氧化层的浓度低很多。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺支工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,Q

8、A,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fablessf%M!D6BV6f4而P在界面处也会向Si和SiO2两个方向扩散，但P在SiO2中的扩散系数、固溶度都比B小，分凝系数就小，相对在Si中就多，就得到高浓度。8.大家是如何监控氧化炉管的片间均匀性和片内均匀性的？ 我们的干氧和湿氧都是LOAD，CENTER，SOURCE各取一片测中心点来监控厚度的，RANGE就是所测点最大值减去最小值。但是如果炉管的温度不均匀（例如LOAD区的某一个点温度出现异常但有未被LOAD区的PROFILE TC探测到），那么这种监控方式就会把一些异常疏漏过去了

9、。请问各位DIFF的达人是怎么做监控的，谢谢赐教！ 另外请问各位有没有对炉管的各个点的温度进行校准？使用什么办法来确定炉管各个点的温度是正常的？其实不论是否在炉管的load和source端放上石音buffer, 或是在test run的时候在三端放上C/W去monitor厚度, 其前提都是炉管的SPIKE和PROFILE控温要正常; 所以, 先要确定T/C是在正常工作的, 然后通过profile程式进行温度校正. 如果T/C正常, 做profile校正结果也正常,那我这边的建议是可以看看LOAD的位置是不是可调.楼上说的对9.氧化膜质量评价二氧化硅主要参数：密度；折射率；电阻率；介电强度；介电

10、参数；缺陷密度；厚度；厚度均匀性主要还看你们做的东西主要都需要啥，有侧重点SiO2 的质量检查主要关注以下几点：1、C-V 测试监控可动电荷2、SPV 测试监控少子寿命3、GOI 测试监控氧化层击穿情况 以上几点如果都OK 的话，那长出来的氧化层绝对OK ，特别是最后一项10.Sputter 有关AMAT的centura和endura设备home robot问题Home 过程：1.Blade向后缩，直到撞到Hard stop2.Blade再向前伸200Steps3.Blade旋转,直到Lower driver（rotation driver）找到HOME点4.Upper driver(exte

11、nsion driver)旋转,直到找到HOME点,这个过程中只有Upper driver动,Lower driver不动5.2个Driver都找到HOME点,ROBOT自然就到HOME点了11.弱弱的请教个问题：什么是闭管扩散，什么是开管扩散，它们有什么区别？ 炉内抽成真空的是闭管，像LPCVD，一般的都是开管呵呵闭管扩散就是wafer进入到炉管以后是一个完全封闭的状态或是真空状态，或是惰性气体填充状态，状态达到以后不再与外界有联系的一种扩散方式开管就不用说了吧？主要是炉管尾端密封的措施不同，半导体炉管一般是闭管扩散，太阳能一般要求没有这么严格，你看后面shutter上和quarts密封的有

12、没有oring就能分辨出来 12.美国应用材料（AMAT）宣布投产新型RTP（Rapid Thermal Processing）装置Vulcan。这款装置主要面向28nm以后的工艺，采用从晶圆背面进行加热的方式，提高了加热时的温度均匀性。随着微细化的发展，晶体管对工艺温度依赖性越来越高。也就是说，RTP的温度不均会直接导致晶体管的性能不均。为了解决这个问题，应用材料开发出了面向28nm以后工艺的新型RTP装置。原来的装置从晶圆表面照射用于加热的灯光，而此次的装置则改为从背面照射。由此，可以抑制因晶圆表面的图案形状等而产生的温度不均。另外，还配备了可在室温到1300的范围内，通过闭环（Close

13、d Loop）实现动态温度控制的机构。据应用材料介绍，此次的RTP装置在通过蜂窝灯阵列（Honeycomb Lamp Array）以200度/秒的速度对晶圆进行加热时，可将芯片内的温度均匀性控制在3以内。另外，从晶圆表面进行加热的传统方式，在改变芯片制造种类时，需要根据芯片对RTP的工艺处方进行改变和优化，而此次的方式则省去了这个步骤。可以说，这个优点在制造品种繁多的硅代工等领域尤其有用（参阅英文发布资料）。13.绝顶高手来帮忙 AMAT 30mm RF power apex 3013诡异问题各位老大，巨侠， 我们的机台是 300mm Applied Materials Producer CV

14、D systems。今天 使用 中2个 13.56mhz 的 RF power AE APEX 3013 报警 powerlimit！ 换上 3个备机才好 诡异问题来了，但是换下的两个在其他机台上面正常工作， 因为这个power基本上是国内最先进最 复杂的RF系统（还有个LF 低频的管线在里面）而且 是使用无比 复杂的 switched match 来匹配的。我接入50 dummy load测试，输出无比诡异！（800W）power limit ，反射功率为 0 ？！这是什么现象？ 到底什么坏了？ RF power ？ 还是chamber ？请各位终极高手出手点播下。小弟狂谢！ 还有， 这个该

15、死的match 在哪里呀？ amkst 发表于 2011-1-3 12:19:291 你有试过较小功率（300w）也会报警吗？2 power supply 和rf match之间连接好吗？amkst 发表于 2011-1-3 12:25:24 1 有没有试过较小功率（200W)也会报警吗？2 依你所说，你更换一个rf match try3 chamber清洁吗？4 电缆连接正常吗？5 如果上述试过之后都这样的话，我觉得可以判断rf power supply在保护电路中出了问题 小丁丁 发表于 2011-1-4 18:00:36这个机台，MATCH+Chamber的阻抗是多少啊？哪位知道这个机台

16、，MATCH+Chamber的阻抗是多少啊？这两个加起来阻抗是不是50 欧姆啊？zpw123 发表于 2011-1-4 22:08:35chamber 阻抗 rf阻抗 match 阻抗请教下。我现在发现不对了。这个apex3013 的输出阻抗不是50欧姆！ 天！ 那么mtch 和chamber 还要rf gen 组合起来的 阻抗是50欧姆？ 还是别的什么的？各位大哥 有北京中芯的兄弟 救命了，好像你们有同样的机台！ apex 3013 输出阻抗是多少呢？ 高手出现巴！ 阿门！ skyboxck 发表于 2011-1-5 21:40:33 我做RF MATCH的,你那个MATCH上面的编号是多少上面有个编号0010-XXXXX多少,照你测试的来看电源能出功率并反射为0所以应该没有问题