多晶硅及有机硅.docx

1、多晶硅及有机硅A 多晶硅 单晶硅中文别名： 硅单晶英文名称：Silicon 分 子式：Si分 子量：28.086C A S 号：7440-21-3硅是地球上储藏最丰富的材料之一，从 19 世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。直到上世纪 60年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。硅材料一一因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体 材料，目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。现在，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近 15 年来形成产业化最快的。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格

2、排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶 粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅 的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒 状单晶硅。单晶硅棒 是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶 硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。单晶硅圆片按其直径分为 6英寸、 8英寸、 12英寸（ 300毫米）及 18英寸（450毫米）等。直径 越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求 也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（ CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长

3、单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二 极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在 38英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、 电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在 36英寸。外延片主要用于集成电路领域。由于成本和性能的原因，直拉法（ CZ单晶硅材料应用最广。在 IC工业中所用的材料主要是 CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用 CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除 Latch up的能力。单晶硅 也称硅单

4、晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。单晶硅已渗透到国民经 济和国防科技中各个领域，当今全球超过 2000亿美元的电子通信半导体市场中 95%以上的半导体器件及 99%以上的集成电路用硅。多晶硅是由许多硅原子及许多小的晶粒组合而成的硅晶体。 由于各个晶粒的排列方向彼此不同， 其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深银灰色，不透明，具有金属光泽，性脆，常温下不活泼。多晶硅是用金属硅 （工业硅）经化学反应、 提纯,再还原得到的高纯度材料 （也叫还原硅 ）。目前世 界上多晶硅生产的方法主要有 改良西门子法（SiHCl 3）、新硅烷法（SiH4）、SiH2Cl2热分解法、SiCl 4法 等多晶硅生

5、产工艺。当前全球 多晶硅 的市场状况是：从国际上来看，早几年多晶硅还处于供过于求的局面， 2004 年开始，由于太阳能产业的发展，太阳能用多晶硅供不应求，导致全球多晶硅供应紧张。在国内，我 国多晶硅生产长期不能满足国内市场需要，严重依赖于进口。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时 , 硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果 这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形 成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面， 多晶硅均不如单晶硅。 多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。 单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了

6、， 一般的半导体器件要求硅的纯度六个 9 以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个 9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）t工业硅（酸洗）t硅粉（加 HCL tSiHCL3（经过粗馏精馏高纯 SiHCL3 （和H2反应CVD工艺）宀高纯多晶硅国内的多晶硅单价主要看纯度，纯度在 9个 9的很少，价格应该在 2500以上了！详细价格不定， 单晶硅生产工艺主要有两种，一种是直拉法，一种是区熔法。工艺的介绍也可以在网上找得到。 单晶硅片的单价是论片算，不会按吨算

7、的，这里还要区分是太阳能级还是 IC 级，这里我只知道关于6 寸太阳能级硅片，每片价格在 53 元左右单晶硅的制造方法和设备1、一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构 2、单晶硅生产装置3、制造单晶硅的设备 4 、单晶硅直径测定法及其设备 5 、单晶硅直径控制法及其设备 【单晶硅】单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的川A 族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的VA 族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成 n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直

8、拉法或悬浮区熔法从熔体中生 长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等 单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主 要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸 多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展， 成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。【多晶硅】polycrystalline silicon性质：灰色金属光泽。密度 2.322.34。熔点1410C。沸点2355C。溶

9、于氢氟酸和硝酸的混酸中， 不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至 800C以上即有延性，1300C时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下， 具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料， 但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、 彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。 由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经 冷凝、精馏、还原而得。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和 电阻率等。一

10、、国际多晶硅产业概况 当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其市场占有率在 90以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在 美、日、德等 3个国家 7个公司的 10家工厂手中，形成技术封锁、市场垄断的状况。多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。其中， 用于电子级多晶硅占 55左右，太阳能级多晶硅占 45，随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对 多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展， 预计到 2008年太阳能多晶硅的需求量将超过电 子级多晶硅。1994年全世界太阳能电池的总产

11、量只有 69MW而2004年就接近1200MW在短短的10年里就增长了 17 倍。专家预测太阳能光伏产业在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一。据悉，美国能源部计划到 2010年累计安装容量 4600MW日本计划2010年达到5000MW欧盟计划达 到6900MW预计2010年世界累计安装量至少 18000MW从上述的推测分析，至 2010年太阳能电池用多晶硅至少在 30000 吨以上，表 2 给出了世界太阳能多晶硅工序的预测。据国外资料分析报道， 世界多晶硅的产量 2005年为 28750吨，其中半导体级为 20250吨，太阳能级为 8500吨，半导体级 需求量约为 19000

12、 吨，略有过剩；太阳能级的需求量为 15000 吨，供不应求，从 2006 年开始太阳能 级和半导体级多晶硅需求的均有缺口，其中太阳能级产能缺口更大。据日本稀有金属杂质 2005年 11月 24日报道， 世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张， 主要是由于以 欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大，预计 2006 年， 2007 年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈， 多晶硅价格方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除， 2005 年世界太阳能电池产量 约1GW，如果以1MV用多晶硅12吨计算，共需多晶硅是 1.2万吨，2005 2010年世界太阳能电池平 均年增长率在 25，到 2010年全世界

13、半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过 6.3 万吨。世界多晶硅主要生产企业有日本的 Tokuyama三菱、住友公司、美国的Hemlock、Asimi、SGS MEMC公司，德国的 Wacker公司等，其年产能绝大部分在 1000吨以上，其中 Tokuyama Hemlock、Wacker三个公司生产规模最大，年生产能力均在 3000 5000 吨。国际多晶硅主要技术特征有以下两点：（1） 多种生产工艺路线并存，产业化技术封锁、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、 用途、产品检测方法、过程安

14、全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国 际上多晶硅生产主要的传统工艺有： 改良西门子法、硅烷法和流化床法 。其中改良西门子工艺生产 的多晶硅的产能约占世界总产能的 80，短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。（2） 新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术， 主要有：改良西门子法的低价格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅； 高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD Vaper to liquiddeposition ）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术， AlSi 溶体低温

15、制备太阳能级硅；熔盐电解法 等。二、国内多晶硅产业概况 我国集成电路的增长，硅片生产和太阳能电池产业的发展，大大带动多晶硅材料的增长。太阳能电池用多晶硅按每生产 1MW多晶硅太阳能电池需要 11 12吨多晶硅计算，我国2004年多晶、 单晶太阳能电池产量为 48.45MW,多晶硅用量为678吨左右，而实际产能已达 70MW左右，多晶硅缺 口达250吨以上。到2005年底国内太阳能电池产能达到 300MW，实际能形成的产量约为 110MW需 要多晶硅1400吨左右，预测到 2010年太阳能电池产量达 300MV，需要多晶硅保守估计约 4200吨， 因此太阳能电池的生产将大大带动多晶硅需求的增加，

16、见表 3。2005 年中国太阳能电池用单晶硅企业开工率在 20 30，半导体用单晶硅企业开工率在 8090，都不能满负荷生产，主要原因是多晶硅供给量不足所造成的。预计多晶硅生产企业扩产后的 产量，仍然满足不了快速增长的需要。2005年全球太阳能电池用多晶硅供应量约为 10448吨，而2005年太阳能用硅材料需求量约为 22881 吨，如果太阳能电池用多晶硅需求量按占总需求量的 65%计，则太阳能电池用多晶硅需求量约为14873吨，这样全球太阳能电池用多晶硅的市场缺口达 4424吨。 2005年半导体用多晶硅短缺 6000 吨，加上太阳能用多晶硅缺口 4424吨，合计 10424吨，供给严重不足

17、，导致全球多晶硅价格上涨。 目前多晶硅市场的持续升温， 导致各生产厂商纷纷列出了扩产计划， 根据来自国际光伏组织的统计， 至 2008年全球多晶硅的产能将达 49550吨，至 2010年将达 58800吨。预计到 2010年全球多晶硅需 求量将达 85000 吨，缺口 26200 吨。从长远来看，考虑到未来石化能源的短缺和各国对太阳能产业的大力支持，需求将持续增长。根据欧洲光伏工业联合会的 2010年各国光伏产业发展计划预计，届时全球光伏产量将达到 15GW（ 1GW=1000MW设想其中60%使用多晶硅为原材料，如果技术进步每 MW肖耗10吨多晶硅，保守估计全球至少需要太阳能多晶硅 5万吨以

18、上。我国多晶硅工业起步于五、六十年代中期，生产厂多达 20余家，生由于生产技术难度大，生产规模小，工艺技术落后， 环境污染严重， 耗能大，成本高， 绝大部分企业亏损而相继停产和转产， 到 1996年仅剩下四家，即峨眉半导体材料厂（所），洛阳单晶硅厂、天原化工厂和棱光实业公司，合计当 年产量为 102.2 吨，产能与生产技术都与国外有较大的差距。1995 年后，棱光实业公司和重庆天原化工厂相继停产。现在国内主要多晶硅生产厂商有洛阳中硅高 科技公司、四川峨眉半导体厂和四川新光硅业公司、到 2005年底，洛阳中硅高科技公司 300 吨生产 线已正式投产，二期扩建 1000 吨多晶硅生产线也同时破土动

19、工，河南省计划将其扩建到 3000 吨规 模，建成国内最大的硅产业基地。四川峨眉半导体材料厂（所）是国内最早拥有多晶硅生产技术的 企业， 2005 年太阳能电池用户投资，扩产的 220 吨多晶硅生产线将于 2006 年上半年投产，四川新 光硅业公司实施的 1000吨多晶硅生产线正在加快建设，计划在 2006 年底投产，此外，云南、扬州、上海、黑河、锦州、青海、内蒙、宜昌、广西、重庆、辽宁、邯郸、保定、浙江等地也有建生产线 设想。三、行业发展的主要问题 同国际先进水平相比，国内多晶硅生产企业在产业化方面的差距主要表现在以下几个方面：1、产能低，供需矛盾突出。 2005 年中国太阳能用单晶硅企业开

20、工率在 20 30，半导体用单晶硅企业开工率在 80 90，无法实现满负荷生产，多晶硅技术和市场仍牢牢掌握在美、日、德国 的少数几个生产厂商中，严重制约我国产业发展。2、生产规模小、现在公认的最小经济规模为 1000吨/年，最佳经济规模在 2500 吨/年，而我国现阶 段多晶硅生产企业离此规模仍有较大的距离。3、工艺设备落后，同类产品物料和电力消耗过大，三废问题多，与国际水平相比，国内多晶硅生产 物耗能耗高出 1 倍以上，产品成本缺乏竞争力。4、千吨级工艺和设备技术的可靠性、先进性、成熟性以及各子系统的相互匹配性都有待生产运行验 证，并需要进一步完善和改进。5、国内多晶硅生产企业技术创新能力不

21、强，基础研究资金投入太少，尤其是非标设备的研发制造能 力差。四、行业发展的对策与建议1、发展壮大我国多晶硅产业的市场条件已经基本具备、时机已经成熟，国家相关部门加大对多晶硅 产业技术研发，科技创新、工艺完善、项目建设的支持力度，抓住有利时机发展壮大我国的多晶硅 产业。2、支持最具条件的改良西门子法共性技术的实施，加快突破千吨级多晶硅产业化关键技术，形成从 材料生产工艺、装备、自动控制、回收循环利用的多晶硅产业化生产线，材料性能接近国际同类产 品指标；建成节能、低耗、环保、循环、经济的多晶硅材料生产体系，提高我们多晶硅在国际上的 竞争力。3、依托高校以及研究院所，加强新一代低成本工艺技术基础性及

22、前瞻性研究，建立低成本太阳能及 多晶硅研究开发的知识及技术创新体系，获得具有自主知识产权的生产工艺和技术。4、政府主管部门加强宏观调控与行业管理，避免低水平项目的重复投资建设，保证产业的有序、可 持续发展。我国从事半导体硅材料生产企业概况 :我国从事半导体硅材料生产的企业总共 40 余家.截止 06 年销售额超过一亿元的企业已达 17家.1,河北宁晋单晶硅基地2,有研半导体材料股份公司3,洛阳单晶硅有限责任公司 / 洛阳中硅高科技有限公司4,无锡华润华晶微电子有限公司5,宁波立立电子股份有限公司6,上海合晶硅材料有限公司7,上海申和热磁公司8,娥眉半导体材料厂9,杭州海纳半导体有限公司10,万

23、向硅峰电子股份有限公司11,锦州新日硅材料 （华昌电子材料 /华日硅 ）公司12,天津环欧半导体技术有限公司13,常州亿晶电子科技有限公司14,常州天合光能有限公司15,江苏顺大半导体发展有限公司16,新疆新能源股份有限公司17,南京国盛电子有限公司 这些企业中供应半导体硅抛光片的有宁波立立电子股份有限公司、有研半导体材料股份公司、无锡 华润华晶微电子有限公司、上海合晶硅材料有限公司、上海申和热磁公司等 changaiyin单多晶硅国内含税价格单晶硅棒 2600 元/ 公斤 ,多晶硅棒 2400 元/ 公斤 changaiyin江西赛维LDK太阳能高科技有限公司是目前亚洲规模最大的太阳能多晶硅

24、片生产企业。工厂坐落于 江西省新余市经济开发区，专注于太阳能多晶硅铸锭及多晶硅片研发、生产、销售为一体的高新技 术光伏企业，拥有国际最先进的生产技术和设备。公司注册资金 11095 万美元，总投资近 3亿美元。2006年4月份投产，7月份产能达到100兆瓦，8月份入选“ RED HERRING亚洲百强企业”，10月 份产能达到 200 兆瓦，被国际专业人士称为“ LDK 速度奇迹”。荣获“ 2006 年中国新材料产业最具 成长性企业”称号。 目前公司正致力于发展成为一个“世界级光伏企业”。2007年6月1日，赛维LDK成功在美国纽约证交所上市，成为中国企业历史上在美国单一发行最大 的一次IPO

25、;赛维LDK是江西省企业有史以来第一次在美国上市的企业，是中国新能源领域最大的 一次 IPO。该公司 1.5 万吨硅料项目近日已在江西省新余市正式启动，该项目总固定资产投资 120亿元以上，预计将成为目前全球太阳能领域单个投资额最多、产能设计规模最大的项目之一。据悉，该项目计划首期在 2008 年底前建成投产， 形成 6000 吨太阳能级硅料的年生产能力; 2009 年项目全部建成投产后，将形成 1.5 万吨产能，从而使该公司成为世界主要的太阳能多晶硅原料生 产企业。当地有关人士表示，该项目的实施，不仅可以有效缓解国内光伏行业发展中遭遇的原料短缺等 瓶颈制约，而且可以有力提升我国光伏产业的综合

26、竞争力。下面是单晶硅和多晶硅的一点资料 ： 多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件 的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较 大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国 际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基 薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为; 1 可供应太阳电池的头尾料愈来愈少; 2 对太阳电池来讲，方形基

27、片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获 得方形材料; 3 多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（ 50小时）可生产 200 公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级; 4 由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺 也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金 属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到 50微米，高度达到 15微米以上，快速热退 火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺 在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过 14%。据报道，目前在 506

28、0微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过 16%。利用机械刻槽、丝网印刷技术在 100平方厘米多晶上效率超过17%，无机械刻槽在同样面积上效率达到 16%，采用埋栅结构，机械刻槽在 130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8 %推荐给你一个半导体技术专业网站 ,中国半导体网 UZlTags:多晶硅 单晶硅 单质硅 半导体 太阳能 电池二，如何提炼硅&多晶硅生产工艺纯净的硅（Si）是从自然界中的石英矿石（主要成分二氧化硅）中提取出来的，分几步反应：1.二氧化硅和炭粉在高温条件下反应 ，生成粗硅：SiO2+2C=Si（粗）+2CO2.粗硅和氯气在高温条件下反应生成氯化硅 ：Si（粗）+2CI2=SiC

29、I43.氯化硅和氢气在高温条件下反应得到纯净硅 ：SiCI4+2H2=Si（纯）+4HCl以上是硅的工业制法，在实验室中可以用以下方法制得较纯的硅 ：1将细砂粉（SiO2）和镁粉混合加热，制得粗硅：SiO2+2Mg=2MgO+Si粗）2.这些粗硅中往往含有镁，氧化镁和硅化镁，这些杂质可以用盐酸除去：Mg+2HCI=MgCI2+H2MgO+2HCI=MgCI2+H2OMg2Si+4HCI=2MgCI2+SiH43.过滤，滤渣即为纯硅（一）国内外多晶硅生产的主要工艺技术1,改良西门子法一一闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯

30、氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行 CVD反应生产高纯多晶硅。国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。2,硅烷法一一硅烷热分解法硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。 然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。 以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。但美国 Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。3,流化床法以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三 氯氢

31、硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。 因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产 太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能 电池生产的使用。此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。 目前世界上只有美国 MEM公司采用此法生产粒状多晶硅。此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。4,太阳能级多晶硅新工艺技术除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以 外，还涌现

32、出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。1）冶金法生产太阳能级多晶硅据资料报导 1 日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂（ SHARP 公司）应用，现已形成 800吨/年的生产能力，全量供给 SHARF公司。主要工艺是：选择纯度较好的工业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属 杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二 次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与 清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。2） 气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅据资料报导1