内部开关电源设计资料doc 15页正式版.docx

1、内部开关电源设计资料doc 15页正式版1 目的希望以简短的篇幅，将公司目前设计的流程做介绍，若有介绍不当之处，请不吝指教.2 设计步骤:2.1 绘线路图、PCB Layout.2.2 变压器计算.2.3 零件选用.2.4 设计验证.3 设计流程介绍(以DA-14B33为例):3.1 线路图、PCB Layout请参考资识库中说明.3.2 变压器计算:变压器是整个电源供应器的重要核心，所以变压器的计算及验证是很重要的，以下即就DA-14B33变压器做介绍.3.2.1 决定变压器的材质及尺寸: 依据变压器计算公式 B(max) = 铁心饱合的磁通密度(Gauss) Lp = 一次侧电感值(uH)

2、 Ip = 一次侧峰值电流(A) Np = 一次侧(主线圈)圈数 Ae = 铁心截面积(cm2) B(max) 依铁心的材质及本身的温度来决定，以TDK Ferrite Core PC40为例，100时的B(max)为3900 Gauss，设计时应考虑零件误差，所以一般取30003500 Gauss之间，若所设计的power为Adapter(有外壳)则应取3000 Gauss左右，以避免铁心因高温而饱合，一般而言铁心的尺寸越大，Ae越高，所以可以做较大瓦数的Power。3.2.2 决定一次侧滤波电容:滤波电容的决定，可以决定电容器上的Vin(min)，滤波电容越大，Vin(win)越高，可以做

3、较大瓦数的Power，但相对价格亦较高。3.2.3 决定变压器线径及线数:当变压器决定后，变压器的Bobbin即可决定，依据Bobbin的槽宽，可决定变压器的线径及线数，亦可计算出线径的电流密度，电流密度一般以6A/mm2为参考，电流密度对变压器的设计而言，只能当做参考值，最终应以温升记录为准。3.2.4 决定Duty cycle (工作周期):由以下公式可决定Duty cycle ，Duty cycle的设计一般以50%为基准，Duty cycle若超过50%易导致振荡的发生。 NS = 二次侧圈数 NP = 一次侧圈数 Vo = 输出电压 VD= 二极管顺向电压 Vin(min) = 滤波

4、电容上的谷点电压 D = 工作周期(Duty cycle)3.2.5 决定Ip值: Ip = 一次侧峰值电流 Iav = 一次侧平均电流 Pout = 输出瓦数 效率 PWM震荡频率3.2.6 决定辅助电源的圈数:依据变压器的圈比关系，可决定辅助电源的圈数及电压。3.2.7 决定MOSFET及二次侧二极管的Stress(应力):依据变压器的圈比关系，可以初步计算出变压器的应力(Stress)是否符合选用零件的规格，计算时以输入电压264V(电容器上为380V)为基准。3.2.8 其它:若输出电压为5V以下，且必须使用TL431而非TL432时，须考虑多一组绕组提供Photo coupler及T

5、L431使用。3.2.9 将所得资料代入公式中，如此可得出B(max)，若B(max)值太高或太低则参数必须重新调整。3.2.10 DA-14B33变压器计算: 输出瓦数13.2W(3.3V/4A)，Core = EI-28，可绕面积(槽宽)=10mm，Margin Tape = 2.8mm(每边)，剩余可绕面积=4.4mm. 假设fT = 45 KHz ，Vin(min)=90V， =0.7，P.F.=0.5(cos)，Lp=1600 Uh 计算式: 变压器材质及尺寸: 由以上假设可知材质为PC-40，尺寸=EI-28，Ae=0.86cm2，可绕面积(槽宽)=10mm，因Margin Tap

6、e使用2.8mm，所以剩余可绕面积为4.4mm. 假设滤波电容使用47uF/400V，Vin(min)暂定90V。 决定变压器的线径及线数: 假设NP使用0.32的线电流密度=可绕圈数= 假设Secondary使用0.35的线电流密度= 假设使用4P，则电流密度= 可绕圈数= 决定Duty cycle: 假设Np=44T，Ns=2T，VD=0.5(使用schottky Diode) 决定Ip值: 决定辅助电源的圈数:假设辅助电源=12V NA1=6.3圈假设使用0.23的线可绕圈数=若NA1=6Tx2P，则辅助电源=11.4V 决定MOSFET及二次侧二极管的Stress(应力):MOSFET

7、(Q1) =最高输入电压(380V)+ =463.6VDiode(D5)=输出电压(Vo)+ x最高输入电压(380V)=20.57VDiode(D4)= =41.4V 其它:因为输出为3.3V，而TL431的Vref值为2.5V，若再加上photo coupler上的压降约1.2V，将使得输出电压无法推动Photo coupler及TL431，所以必须另外增加一组线圈提供回授路径所需的电压。假设NA2 = 4T使用0.35线，则可绕圈数=，所以可将NA2定为4Tx2P 变压器的接线图:0.35x2Px4T0.35x4Px2T0.32x1Px22T0.32x1Px22T0.23x2Px6T3.

8、3 零件选用:零件位置(标注)请参考线路图: (DA-14B33 Schematic)3.3.1 FS1:由变压器计算得到Iin值，以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V，设计时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超过保险丝的额定值。3.3.2 TR1(热敏电阻):电源启动的瞬间，由于C1(一次侧滤波电容)短路，导致Iin电流很大，虽然时间很短暂，但亦可能对Power产生伤害，所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻，以限制开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A，230V/60A)，但因热敏电阻亦会消耗功率，所以不可放太大的阻值(否则会影响效率)，一般使用SCK0

9、53(3A/5)，若C1电容使用较大的值，则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的Power上)。3.3.3 VDR1(突波吸收器):当雷极发生时，可能会损坏零件，进而影响Power的正常动作，所以必须在靠AC输入端 (Fuse之后)，加上突波吸收器来保护Power(一般常用07D471K)，但若有价格上的考虑，可先忽略不装。3.3.4 CY1，CY2(Y-Cap):Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容，若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap ， AC Input若为2Pin(只有L，N)一般使用Y1-Cap，Y1与Y2的差异，除了价格外(Y1较昂贵)，绝缘等级及

10、耐压亦不同(Y1称为双重绝缘，绝缘耐压约为Y2的两倍，且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1)，此电路因为有FG所以使用Y2-Cap，Y-Cap会影响EMI特性，一般而言越大越好，但须考虑漏电及价格问题，漏电(Leakage Current )必须符合安规须求(3Pin公司标准为750uA max)。3.3.5 CX1(X-Cap)、RX1:X-Cap为防制EMI零件，EMI可分为Conduction及Radiation两部分，Conduction规范一般可分为: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 两种 ， FCC测试频率在45

11、0K30MHz，CISPR 22测试频率在150K30MHz， Conduction可在厂内以频谱分析仪验证，Radiation 则必须到实验室验证，X-Cap 一般对低频段(150K 数M之间)的EMI防制有效，一般而言X-Cap愈大，EMI防制效果愈好(但价格愈高)，若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf)，安规规定必须要有泄放电阻(RX1，一般为1.2M 1/4W)。3.3.6 LF1(Common Choke):EMI防制零件，主要影响Conduction 的中、低频段，设计时必须同时考虑EMI特性及温升，以同样尺寸的Common Choke而言，线圈数愈多(相对的线径愈细)

12、，EMI防制效果愈好，但温升可能较高。3.3.7 BD1(整流二极管):将AC电源以全波整流的方式转换为DC，由变压器所计算出的Iin值，可知只要使用1A/600V的整流二极管，因为是全波整流所以耐压只要600V即可。3.3.8 C1(滤波电容):由C1的大小(电容值)可决定变压器计算中的Vin(min)值，电容量愈大，Vin(min)愈高但价格亦愈高，此部分可在电路中实际验证Vin(min)是否正确，若AC Input 范围在90V132V (Vc1 电压最高约190V)，可使用耐压200V的电容;若AC Input 范围在90V264V(或180V264V)，因Vc1电压最高约380V，所

13、以必须使用耐压400V的电容。3.3.9 D2(辅助电源二极管):整流二极管，一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V)，两者主要差异:1. 耐压不同(在此处使用差异无所谓)2. VF不同(FR105=1.2V，BYT42M=1.4V)3.3.10 R10(辅助电源电阻):主要用于调整PWM IC的VCC电压，以目前使用的3843而言，设计时VCC必须大于8.4V(Min. Load时)，但为考虑输出短路的情况，VCC电压不可设计的太高，以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大)。3.3.11 C7(滤波电容):辅助电源的滤波电容，提供PWM IC较稳定的直流电压，一

14、般使用100uf/25V电容。3.3.12 Z1(Zener 二极管):当回授失效时的保护电路，回授失效时输出电压冲高，辅助电源电压相对提高，此时若没有保护电路，可能会造成零件损坏，若在3843 VCC与3843 Pin3脚之间加一个Zener Diode，当回授失效时Zener Diode会崩溃，使得Pin3脚提前到达1V，以此可限制输出电压，达到保护零件的目的.Z1值的大小取决于辅助电源的高低，Z1的决定亦须考虑是否超过Q1的VGS耐压值，原则上使用公司的现有料(一般使用1/2W即可).3.3.13 R2(启动电阻):提供3843第一次启动的路径，第一次启动时透过R2对C7充电，以提供38

15、43 VCC所需的电压，R2阻值较大时，turn on的时间较长，但短路时Pin瓦数较小，R2阻值较小时，turn on的时间较短，短路时Pin瓦数较大，一般使用220K/2W M.O。.3.3.14 R4 (Line Compensation):高、低压补偿用，使3843 Pin3脚在90V/47Hz及264V/63Hz接近一致(一般使用750K1.5M 1/4W之间)。3.3.15 R3，C6，D1 (Snubber):此三个零件组成Snubber，调整Snubber的目的:1.当Q1 off瞬间会有Spike产生，调整Snubber可以确保Spike不会超过Q1的耐压值，2.调整Snub

16、ber可改善EMI.一般而言，D1使用1N4007(1A/1000V)EMI特性会较好.R3使用2W M.O.电阻，C6的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压500V的陶质电容)。3.3.16 Q1(N-MOS):目前常使用的为3A/600V及6A/600V两种，6A/600V的RDS(ON)较3A/600V小，所以温升会较低，若IDS电流未超过3A，应该先以3A/600V为考虑，并以温升记录来验证，因为6A/600V的价格高于3A/600V许多，Q1的使用亦需考虑VDS是否超过额定值。3.3.17 R8:R8的作用在保护Q1，避免Q1呈现浮接状态。3.3.18 R7(Rs电阻):3843

17、Pin3脚电压最高为1V，R7的大小须与R4配合，以达到高低压平衡的目的，一般使用2W M.O.电阻，设计时先决定R7后再加上R4补偿，一般将3843 Pin3脚电压设计在0.85V0.95V之间(视瓦数而定，若瓦数较小则不能太接近1V，以免因零件误差而顶到1V)。3.3.19 R5，C3(RC filter):滤除3843 Pin3脚的噪声，R5一般使用1K 1/8W，C3一般使用102P/50V的陶质电容，C3若使用电容值较小者，重载可能不开机(因为3843 Pin3瞬间顶到1V);若使用电容值较大者，也许会有轻载不开机及短路Pin过大的问题。3.3.20 R9(Q1 Gate电阻 ):R

18、9电阻的大小，会影响到EMI及温升特性，一般而言阻值大，Q1 turn on / turn off的速度较慢，EMI特性较好，但Q1的温升较高、效率较低(主要是因为turn off速度较慢);若阻值较小， Q1 turn on / turn off的速度较快，Q1温升较低、效率较高，但EMI较差，一般使用51-150 1/8W。3.3.21 R6，C4(控制振荡频率):决定3843的工作频率，可由Data Sheet得到R、C组成的工作频率，C4一般为10nf的电容(误差为5%)，R6使用精密电阻，以DA-14B33为例，C4使用103P/50V PE电容，R6为3.74K 1/8W精密电阻，

19、振荡频率约为45 KHz。3.3.22 C5:功能类似RC filter，主要功用在于使高压轻载较不易振荡，一般使用101P/50V陶质电容。3.3.23 U1(PWM IC):3843是PWM IC的一种，由Photo Coupler (U2)回授信号控制Duty Cycle的大小，Pin3脚具有限流的作用(最高电压1V)，目前所用的3843中，有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)两种，两者脚位相同，但产生的振荡频率略有差异，UC3843BN较KA3843快了约2KHz，fT的增加会衍生出一些问题(例如:EMI问题、短路问题)，因KA3843较难买，所以新机种设计时

20、，尽量使用UC3843BN。3.3.24 R1、R11、R12、C2(一次侧回路增益控制):3843内部有一个Error AMP(误差放大器)，R1、R11、R12、C2及Error AMP组成一个负回授电路，用来调整回路增益的稳定度，回路增益，调整不恰当可能会造成振荡或输出电压不正确，一般C2使用立式积层电容(温度持性较好)。3.3.25 U2(Photo coupler)光耦合器(Photo coupler)主要将二次侧的信号转换到一次侧(以电流的方式)，当二次侧的TL431导通后，U2即会将二次侧的电流依比例转换到一次侧，此时3843由Pin6 (output)输出off的信号(Low)

21、来关闭Q1，使用Photo coupler的原因，是为了符合安规需求(primacy to secondary的距离至少需5.6mm)。3.3.26 R13(二次侧回路增益控制):控制流过Photo coupler的电流，R13阻值较小时，流过Photo coupler的电流较大，U2转换电流较大，回路增益较快(需要确认是否会造成振荡)，R13阻值较大时，流过Photo coupler的电流较小，U2转换电流较小，回路增益较慢，虽然较不易造成振荡，但需注意输出电压是否正常。3.3.27 U3(TL431)、R15、R16、R18调整输出电压的大小，输出电压不可超过38V(因为TL431 VKA

22、最大为36V，若再加Photo coupler的VF值，则Vo应在38V以下较安全)，TL431的Vref为2.5V，R15及R16并联的目的使输出电压能微调，且R15与R16并联后的值不可太大(尽量在2K以下)，以免造成输出不准。3.3.28 R14，C9(二次侧回路增益控制):控制二次侧的回路增益，一般而言将电容放大会使增益变慢；电容放小会使增益变快，电阻的特性则刚好与电容相反，电阻放大增益变快；电阻放小增益变慢，至于何谓增益调整的最佳值，则可以Dynamic load来量测，即可取得一个最佳值。3.3.29 D4(整流二极管):因为输出电压为3.3V，而输出电压调整器(Output Vo

23、ltage Regulator)使用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V)，所以必须多增加一组绕组提供Photo coupler及TL431所需的电源，因为U2及U3所需的电流不大(约10mA左右)，二极管耐压值100V即可，所以只需使用1N4148(0.15A/100V)。3.3.30 C8(滤波电容):因为U2及U3所需的电流不大，所以只要使用1u/50V即可。3.3.31 D5(整流二极管):输出整流二极管，D5的使用需考虑:a. 电流值b. 二极管的耐压值以DA-14B33为例，输出电流4A，使用10A的二极管(Schottky)应该可以，但经点温升验证

24、后发现D5温度偏高，所以必须换为15A的二极管，因为10A的VF较15A的VF 值大。耐压部分40V经验证后符合，因此最后使用15A/40V Schottky。3.3.32 C10，R17(二次侧snubber) :D5在截止的瞬间会有spike产生，若spike超过二极管(D5)的耐压值，二极管会有被击穿的危险，调整snubber可适当的减少spike的电压值，除保护二极管外亦可改善EMI，R17一般使用1/2W的电阻，C10一般使用耐压500V的陶质电容，snubber调整的过程(264V/63Hz)需注意R17,C10是否会过热，应避免此种情况发生。3.3.33 C11，C13(滤波电容

25、):二次侧第一级滤波电容，应使用内阻较小的电容(LXZ，YXA)，电容选择是否洽当可依以下三点来判定:a. 输出Ripple电压是符合规格b. 电容温度是否超过额定值c. 电容值两端电压是否超过额定值3.3.34 R19(假负载):适当的使用假负载可使线路更稳定，但假负载的阻值不可太小，否则会影响效率，使用时亦须注意是否超过电阻的额定值(一般设计只使用额定瓦数的一半)。3.3.35 L3，C12(LC滤波电路):LC滤波电路为第二级滤波，在不影响线路稳定的情况下，一般会将L3 放大(电感量较大)，如此C12可使用较小的电容值。4 设计验证:(可分为三部分)a. 设计阶段验证b. 样品制作验证c

26、. QE验证4.1 设计阶段验证设计实验阶段应该养成记录的习惯，记录可以验证实验结果是否与电气规格相符，以下即就DA-14B33设计阶段验证做说明(验证项目视规格而定)。4.1.1 电气规格验证:4.1.1.1 3843 PIN3脚电压(full load 4A) :90V/47Hz = 0.83V115V/60Hz = 0.83V132V/60Hz = 0.83V180V/60Hz = 0.86V230V/60Hz = 0.88V264V/63Hz = 0.91V4.1.1.2 Duty Cycle , fT: 4.1.1.3 Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full

27、 load)4.1.1.4 Stress (264V / 63Hz full load) :Q1 MOSFET:D5: D4:4.1.1.5 辅助电源(开机，满载)、短路Pin max.: 4.1.1.6 Static (full load)Pin(w)Iin(A)Iout(A)Vout(V)P.F.Ripple(mV)Pout(w)eff90V/47Hz18.70.3643.300.573213.2270.7115V/60Hz18.60.3143.300.522813.2271.1132V/60Hz18.60.2843.300.502913.2271.1180V/60Hz18.70.2143

28、.300.493013.2370.7230V/60Hz18.90.1843.300.462913.2269.9264V/60Hz19.20.1643.300.452913.2368.94.1.1.7 Full Range负载(0.3A-4A)(验证是否有振荡现象)4.1.1.8 回授失效(输出轻载)90V/47Hz Vout = 8.3V264V/63Hz Vout = 6.03V4.1.1.9 O.C.P.(过电流保护)90V/47Hz = 7.2A264V/63Hz = 8.4A4.1.1.10 Pin(max.)90V/47Hz = 24.9W264V/63Hz = 27.1W4.1.1

29、.11 Dynamic testH=4A，t1=25ms，slew Rate = 0.8A/ms (Rise)L=0.3A，t2=25ms，slew Rate = 0.8A/ms (Full)90V/47Hz264V/63Hz4.1.1.12 HI-POT test:HI-POT test一般可分为两种等级: 输入为3 Pin(有FG者)，HI-POT test为1500Vac/1 minute。Y-CAP使用Y2-CAP 输入为2 Pin(无FG者)，HI-POT test为3000Vac/1 minute。Y-CAP使用Y1-CAPDA-14B33属于输入3 PIN HI-POT test

30、 为1500Vac/1 minute。4.1.1.13 Grounding test:输入为3 Pin(有FG者)，一般均要测接地阻(Grounding test)，安规规定FG到输出线材(输出端)的接地电阻不能超过100m(25A/3 Second)。4.1.1.14 温升记录设计实验定案后(暂定)，需针对整体温升及EMI做评估，若温升或EMI无法符合规格，则需重新实验。温升记录请参考附件，D5原来使用BYV118(10A/40V Schottky)，因温升较高改为PBYR1540CTX(15A/40V)。4.1.1.15 EMI测试:EMI测试分为二类: Conduction(传导干扰) Radiation(幅射干扰)前者视规范不同而有差异(FCC : 450K - 30MHz，CISPR 22 :150K - 30MHz)，前者可利用厂内的频谱分析仪验证；后者(范围由30M - 300MHz，则因厂内无设备必须到实验室验证，Conduction，Radiation测试数据请参考附件) 。4.1.1.16 机构尺寸:设计阶段即应对机构尺寸验证，验证的项目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置区、螺丝孔位置及孔