最新巨磁电阻实验报告汇编.docx

1、最新巨磁电阻实验报告汇编实 验 报 告物理与电子系 物理升华专业1201班姓名 张 涛 学号1003120505 指导老师 徐富新实验时间2014年5月25日，第十三周，星期日实验名称巨磁电阻效应及其应用【目的要求】1、 了解GMR效应的原理2、 测量GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线3、 测量GMR的磁阻特性曲线4、 用GMR传感器测量电流5、 用GMR梯度传感器测量齿轮的角位移，了解GMR转速（速度）传感器的原理【原理简述】根据导电的微观机理，电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是不断和晶格中的原子产生碰撞（又称散射），每次散射后电子都会改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向加速与这种无

2、规散射运动的叠加。称电子在两次散射之间走过的平均路程为平均自由程，电子散射几率小，则平均自由程长，电阻率低。电阻定律 R=l/S中，把电阻率视为常数，与材料的几何尺度无关，这是因为通常材料的几何尺度远大于电子的平均自由程（例如铜中电子的平均自由程约34nm），可以忽略边界效应。当材料的几何尺度小到纳米量级，只有几个原子的厚度时（例如，铜原子的直径约为0.3nm），电子在边界上的散射几率大大增加，可以明显观察到厚度减小，电阻率增加的现象。电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向。早在1936年，英国物理学家，诺贝尔奖获得者N.F.Mott指出，在过渡金属中，自

3、旋磁矩与材料的磁场方向平行的电子，所受散射几率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的电子。总电流是两类自旋电流之和;总电阻是两类自旋电流的并联电阻，这就是所谓的两电流模型。在图2所示的多层膜结构中，无外磁场时，上下两层磁性材料是反平行（反铁磁）耦合的。施加足够强的外磁场后，两层铁磁膜的方向都与外磁场方向一致，外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了平行耦合。电流的方向在多数应用中是平行于膜面的。图3是图2结构的某种GMR材料的磁阻特性。由图可见，随着外磁场增大，电阻逐渐减小，其间有一段线性区域。当外磁场已使两铁磁膜完全平行耦合后，继续加大磁场，电阻不再减小，进入磁饱和区域。磁阻变化率 R/R 达百

4、分之十几，加反向磁场时磁阻特性是对称的。注意到图2中的曲线有两条，分别对应增大磁场和减小磁场时的磁阻特性，这是因为铁磁材料都具有磁滞特性。有两类与自旋相关的散射对巨磁电阻效应有贡献。其一，界面上的散射。无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋状态如何，从一层铁磁膜进入另一层铁磁膜时都面临状态改变（平行反平行，或反平行平行），电子在界面上的散射几率很大，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向一致，电子在界面上的散射几率很小，对应于低电阻状态。其二，铁磁膜内的散射。即使电流方向平行于膜面，由于无规散射，电子也有一定的几率在上下两层铁磁膜之间穿行。无外磁场时，上下

5、两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋状态如何，在穿行过程中都会经历散射几率小（平行）和散射几率大（反平行）两种过程，两类自旋电流的并联电阻相似两个中等阻值的电阻的并联，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向一致，自旋平行的电子散射几率小，自旋反平行的电子散射几率大，两类自旋电流的并联电阻相似一个小电阻与一个大电阻的并联，对应于低电阻状态。多层膜GMR结构简单，工作可靠，磁阻随外磁场线性变化的范围大，在制作模拟传感器方面得到广泛应用。在数字记录与读出领域，为进一步提高灵敏度，发展了自旋阀结构的GMR。【实验装置】巨磁电阻实验仪 图5 巨磁阻实验仪操作面板图5所示为巨磁阻实

6、验仪系统的实验仪前面板图。区域1电流表部分：做为一个独立的电流表使用。两个档位：2mA档和200mA档，可通过电流量程切换开关选择合适的电流档位测量电流。区域2电压表部分：做为一个独立的电压表使用。两个档位：2V档和200mV档，可通过电压量程切换开关选择合适的电压档位。区域3恒流源部分：可变恒流源。实验仪还提供GMR传感器工作所需的4V电源和运算放大器工作所需的8V电源。基本特性组件图6 基本特性组件基本特性组件由GMR模拟传感器，螺线管线圈及比较电路，输入输出插孔组成。用以对GMR的磁电转换特性，磁阻特性进行测量。GMR传感器置于螺线管的中央。螺线管用于在实验过程中产生大小可计算的磁场，由

7、理论分析可知，无限长直螺线管内部轴线上任一点的磁感应强度为：B = 0nI （1）式中n为线圈密度，I为流经线圈的电流强度，为真空中的磁导率。采用国际单位制时，由上式计算出的磁感应强度单位为特斯拉（1特斯拉10000高斯）。电流测量组件图7 电流测量组件电流测量组件将导线置于GMR模拟传感器近旁，用GMR传感器测量导线通过不同大小电流时导线周围的磁场变化，就可确定电流大小。与一般测量电流需将电流表接入电路相比，这种非接触测量不干扰原电路的工作，具有特殊的优点。角位移测量组件图8 角位移测量组件角位移测量组件用巨磁阻梯度传感器作传感元件，铁磁性齿轮转动时，齿牙干扰了梯度传感器上偏置磁场的分布，使

8、梯度传感器输出发生变化，每转过一齿，就输出类似正弦波一个周期的波形。利用该原理可以测量角位移（转速，速度）。汽车上的转速与速度测量仪 就是利用该原理制成的。磁读写组件图9 磁读写组件磁读写组件用于演示磁记录与读出的原理。磁卡做记录介质，磁卡通过写磁头时可写入数据，通过读磁头时将写入的数据读出来。【实验内容】一、GMR模拟传感器的磁电转换特性测量 在将GMR构成传感器时，为了消除温度变化等环境因素对输出的影响，一般采用桥式结构。 a 几何结构 b电路连接GMR模拟传感器结构图 对于电桥结构，如果4个GMR电阻对磁场的影响完全同步，就不会有信号输出。图17-9中，将处在电桥对角位置的两个电阻R3,

9、 R4覆盖一层高导磁率的材料如坡莫合金，以屏蔽外磁场对它们的影响，而R1，R2阻值随外磁场改变。设无外磁场时4个GMR电阻的阻值均为R， R1、R2在外磁场作用下电阻减小R，简单分析表明，输出电压： U=U (2R-R) (2) 屏蔽层同时设计为磁通聚集器，它的高导磁率将磁力线聚集在R1、R2电阻所在的空间，进一步提高了R1，R2的磁灵敏度。 从几何结构还可见，巨磁电阻被光刻成微米宽度迂回状的电阻条，以增大其电阻至k数量级，使其在较小工作电流下得到合适的电压输出。GMR模拟传感器的磁电转换特性模拟传感器磁电转换特性实验原理图将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“传感器测量”。

10、实验仪的4V电压源接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“螺线管电流输入”，基本特性组件“模拟信号输出”接至实验仪电压表。按表1数据，调节励磁电流，逐渐减小磁场强度，记录相应的输出电压于表格“减小磁场”列中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流i，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，从上到下记录相应的输出电压。电流至-100mA后，逐渐减小负向电流，电流到0时同样需要交换恒流输出的极性。从下到上记录数据于表一“增大磁场”列中。 理论上讲，外磁场为零时，GMR传感器的输出应为零，但由于半导体工艺的限制，4个桥臂电阻值不一定

11、完全相同，导致外磁场为零时输出不一定为零，在有的传感器中可以观察到这一现象。根据螺线管上表明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感应强度B。以磁感应强度B作横坐标，电压表的读数为纵坐标作出磁电转换特性曲线。不同外磁场强度时输出电压的变化反映了GMR传感器的磁电转换特性，同一外磁场强度下输出电压的差值反映了材料的磁滞特性。表1 GMR模拟传感器磁电转换特性的测量（电桥电压4V）磁感应强度/高斯输出电压/mV励磁电流/mA磁感应强度/高斯减小磁场增大磁场100259259902592598025925870258256602562505023922440198.7176.830151.013

12、0.220104.188.01062.549.8543.829.3024.28.53、观察身边的简单物体，初步体会从不同角度观察物体所看到的形状可能是不同的，学生将经历从立体图形到平面图形的过程,认识长方形、正方形、三角形、圆等平面图形，初步体会面在体上，进一步发展空间观念。59、向40分钟要质量，提高课堂效率。10.23、通过教科书里了解更多的有关数学的知识，体会数学是人类在长期生活和劳动中逐渐形成的方法、理论，是人类文明的结晶，体会数学与人类历史的发展是息息相关。33.610（5）二次函数的图象与yax2的图象的关系：38.652.2说明：根据垂径定理与推论可知对于一个圆和一条直线来说，如

13、果具备：201. 仰角:当从低处观测高处的目标时，视线与水平线所成的锐角称为仰角77.29、向40分钟要质量，提高课堂效率。92.7如果一条直线具备下列三个条件中的任意两个,就可推出第三个.30(3) 扇形的面积公式:扇形的面积 (R表示圆的半径, n表示弧所对的圆心角的度数)117.63、观察身边的简单物体，初步体会从不同角度观察物体所看到的形状可能是不同的，学生将经历从立体图形到平面图形的过程,认识长方形、正方形、三角形、圆等平面图形，初步体会面在体上，进一步发展空间观念。138.540163.2186.2502122306024525370255257802582589025925910

14、0259259二、GMR磁阻特性测量磁阻特性测量原理图为加深对巨磁电阻效应的理解，我们对构成GMR模拟传感器的磁阻进行测量。将基本特性组件的功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”，此时被磁屏蔽的两个电桥电阻R3、R4被短路，而R1、R2并联。将电流表串连进电路中，测量不同磁场时回路中电流的大小，就可以计算磁阻。实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。 将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”。实验仪的4伏电压源串连电流表后，接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“螺线管电流输入”。按表2数据，调节励磁电流，逐渐减小磁场强度，记录相应的磁阻电流于表格“减小磁场”列中。由

15、于恒源流本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，从上到下记录相应的输出电压。 电流至一100mA后，逐渐减小负向电流，电流到0时同样需要交换恒流输出接线的极性。从下到上记录数据于“增大磁场”列中。根据螺线管上表明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感应强度B。由欧姆定律R=U/I 计算磁阻。以磁感应强度B作横坐标，磁阻为纵坐标做出磁阻特性曲线。应该注意，由于模拟传感器的两个磁阻是位于磁通聚集器中，与图3相比，我们作出的磁阻曲线斜率大了约10倍，磁通聚集器结构使磁阻灵敏度大大提高。 不同外磁场强度时

16、磁阻的变化反映了GMR的磁阻特性，同一外磁场强度的差值反映了材料的磁滞特性。表2 GMR磁阻特性的测量（磁阻两端电压4V）磁感应强度/高斯磁阻/减小磁场增大磁场励磁电流/mA磁感应强度/高斯磁阻电流/mA磁阻/磁阻电流/mA磁阻/1001.9121.910901.9111.910801.9111.909701.9101.900601.9081.892501.8911.876401.8521.831301.8071.786201.7631.748101.7251.71351.7091.69601.6921.67651.6781.699101.7041.716201.7381.752301.776

17、1.793401.8181.838501.8641.882601.8961.905701.9061.909801.9091.910901.9101.9101001.9101.910三、用GMR模拟传感器测量电流GMR模拟传感器在一定的范围内输出电压与磁场强度成线性关系，且灵敏度高，线性范围大，可以方便的将GMR制成磁场计，测量磁场强度或其它与磁场相关的物理量。作为应用示例，我们用它来测量电流。由理论分析可知，通有电流I的无限长直导线，与导线距离为r的一点的磁感应强度为：B = 0I/2r =2 I10-7/r （3）磁场强度与电流成正比，在r已知的条件下，测得B，就可知I。在实际应用中，为了使

18、GMR模拟传感器工作在线性区，提高测量精度，还常常预先给传感器施加一固定已知磁场，称为磁偏置，其原理类似于电子电路中的直流偏置。 模拟传感器测量电流实验原理图实验装置：巨磁阻实验仪，电流测量组件实验仪的4伏电压源接至电流测量组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“待测电流输入”，电流测量组件“信号输出”接至实验仪电压表。将待测电流调节至0。将偏置磁铁转到远离GMR传感器，调节磁铁与传感器的距离，使输出约25mV。将电流增大到300mA，按表4数据逐渐减小待测电流，从左到右记录相应的输出电压于表格“减小电流”行中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次

19、增大电流，此时电流方向为负，记录相应的输出电压。逐渐减小负向待测电流，从右到左记录相应的输出电压于表格“增加电流”行中。当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时电流方向为正，记录相应的输出电压。将待测电流调节至0。将偏置磁铁转到接近GMR传感器，调节磁铁与传感器的距离，使输出约150mV。用低磁偏置时同样的实验方法，测量适当磁偏置时待测电流与输出电压的关系。表3 用GMR模拟传感器测量电流 待测电流/mA3002001000100200300输出电压/mV低磁偏置(约25mV)减小电流26.025.725.325.024.624.323.9增加电流26.025.6

20、25.324.924.624.223.9适当磁偏置(约150mV)减小电流149.3148.8148.3147.7147.1146.5145.9增加电流149.5148.9148.3147.7147.0146.4145.9以电流读数作横坐标，电压表的读数为纵坐标作图。分别作出4条曲线。由测量数据及所作图形可以看出，适当磁偏置时线性较好，斜率（灵敏度）较高。由于待测电流产生的磁场远小于偏置磁场，磁滞对测量的影响也较小，根据输出电压的大小就可确定待测电流的大小。用GMR传感器测量电流不用将测量仪器接入电路，不会对电路工作产生干扰，既可测量直流，也可测量交流，具有广阔的应用前景。四、GMR梯度传感器

21、的特性及应用将GMR电桥两对对角电阻分别置于集成电路两端，4个电阻都不加磁屏蔽，即构成梯度传感器，如图17所示。 这种传感器若置于均匀磁场中，由于4个桥臂电阻阻值变化相同，电桥输出为零。如果磁场存在一定的梯度，各GMR电阻感受到的磁场不同，磁阻变化不一样，就会有信号输出。图18以检测齿轮的角位移为例，说明其应用原理。将永磁体放置于传感器上方，若齿轮是铁磁材料，永磁体产生的空间磁场在相对于齿牙不同位置时，产生不同的梯度磁场。a位置时，输出为零。b位置时，R1、R2 感受到的磁场强度大于R3、R4，输出正电压。c位置时，输出回归零。d位置时，R1、R2 感受到的磁场强度小于R3、R4，输出负电压。

22、于是,在齿轮转动过程中,每转过一个齿牙便产生一个完整的波形输出。这一原理已普遍应用于转速（速度）与位移监控，在汽车及其它工业领域得到广泛应用。实验装置：巨磁阻实验仪、角位移测量组件。将实验仪4V电压源接角位移测量组件“巨磁电阻供电”，角位移测量组件“信号输出”接实验仪电压表。逆时针慢慢转动齿轮，当输出电压为零时记录起始角度，以后每转3度记录一次角度与电压表的读数。转动48度齿轮转过2齿，输出电压变化2个周期。表4 齿轮角位移的测量起始角度/度03691215182124转动角度/度046.289.167.2-7.4-70.9-59.5-29.26.3输出电压/mV273033363942454

23、8起始角度/度46.690.365.3-10.9-61.4-61.1-27.15.3以齿轮实际转过的度数为横坐标，电压表的读数为纵向坐标作图。【实验数据处理】1.GMR模拟传感器的磁电转换特性测量 磁感应强度/高斯输出电压/mV励磁电流/mA磁感应强度/高斯减小磁场增大磁场10030.159289472592599027.143360532592598024.127431582592587021.111502632582566018.095573682562505015.079644742392244012.06371579198.7176.8309.047786842151.0130.220

24、6.031857895104.188.0103.01592894762.549.851.50796447443.829.30024.28.55-1.50796447410.233.610-3.01592894738.652.220-6.03185789577.292.730-9.047786842117.6138.540-12.06371579163.2186.250-15.0796447421223060-18.0955736824525370-21.1115026325525780-24.1274315825825890-27.14336053259259100-30.1592894725

25、9259以B为横坐标，输出电压U为纵坐标，作图得：磁感应强度B与输出电压U之间的关系曲线2. GMR的磁阻特性曲线的测量磁感应强度/高斯磁阻/减小磁场增大磁场励磁电流/mA磁感应强度/高斯磁阻电流/mA磁阻/磁阻电流/mA磁阻/10030.159289471.9122092.051.9102094.249027.143360531.9112093.141.9102094.248024.127431581.9112093.141.9092095.347021.111502631.9102094.241.9002105.266018.095573681.9082096.441.8922114.16

26、5015.079644741.8912115.281.8762132.204012.063715791.8522159.831.8312184.60309.0477868421.8072213.611.7862239.64206.0318578951.7632268.861.7482288.33103.0159289471.7252318.841.7132335.0851.5079644741.7092340.551.6962358.49001.6922364.061.6762386.635-1.5079644741.6782383.791.6992354.3210-3.0159289471.

27、7042347.411.7162331.0020-6.031857895 1.7382301.501.7522283.1030-9.0477868421.7762252.251.7932230.9040-12.063715791.8182200.221.8382176.2850-15.079644741.8642145.921.8822125.4060-18.095573681.8962109.711.9052099.7470-21.111502631.9062098.641.9092095.3480-24.127431581.9092095.341.9102094.2490-27.143360531.9102094.241.9102094.24100-30.159289471.9102094.241.9102094.24磁阻与磁感应强度关系曲线3、MR模拟传感器测量电流待测电流/mA3002001000100200300输出电压/mV低磁偏置(约25mV)减小电流26.025.725.325.024.624.323.9增加电流26.025.625.324.924.624.223.9适当磁偏置(约150mV)减小电流149.314