ITO制作工艺样本.docx

1、ITO制作工艺样本触摸屏制造工艺实战与难点二ITO 图形制备工艺 二ITO 图形制备工艺透明导电氧化物薄膜主要包括号In、 Zn、 Sb和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料, 具有禁带宽、 可见光谱区光透射率高和电阻率低, 对紫外线的吸收率大于85%,对红外线的反射率大于70%等特性。透明导电薄膜以掺锡氧化铟( Indium TinOxinde) ITO为代表, 广泛地应用于平板显示、 太阳能电池、 特殊功能窗口涂层及其它光电器件领域, 它的特性是当厚度降到 1800埃 (1埃 =10 10米 )以下时会突然变得透明, 透光率为80, 再薄下去透光率反而下降, 到300埃厚度时又上升到80

2、。ITO是所有电阻技术触屏及电容技术触摸屏都用到的主要材料, 实际上电阻和电容技术触摸屏的工作面就是ITO涂层。一、 ITO的特性ITO就是在In2O3里掺入Sn后, Sn元素能够代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在, 因为In2O3中的In元素是三价, 形成SnO2时将贡献一个电子到导带上, 同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴, 形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率。这个机理提供了在10-4.cm数量级的低薄膜电阻率, 因此ITO薄膜具有半导体的导性能。当前ITO膜层之电阻率一般在5*10-4左右, 最好可达5*10-5, 已接近金属的电阻

3、率, 在实际应用时, 常以方块电阻来表征ITO的导电性能, ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例控制, 增加氧化锢比例则可提高ITO之透过率, 一般Sn2O3: In2O3=1: 9因为氧化锡之厚度超过200?时, 一般透明度已不够好-虽然导电性能很好。如用是电流平行流经ITO脱层的情形, 其中d为膜厚, I为电流, L1为在电流方向上膜厚层长度, L2为在垂直于电流方向上的膜层长主, 当电流流过方形导电膜时, 该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜之电阻率, 对于给定膜层, P和d可视为定值, P/d, 当L1=L2时, 其正方形膜层, 无论方块大小如何, 其电阻均为定

4、值P/d, 此即方块电阻定义: R=P/d, 式中R单位为: 奥姆/( /) , 由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低, 膜厚越大。ITO膜层的电阻对高温和酸碱比较敏感, 因为一般的电子产品生产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡, 而一般在300C *30min的环境中, 会使R增大2-3倍, 而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min( 60C) 下也会增到1.1倍左右, 由此可知, 在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗, 若无法避免, 则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。ITO 膜在电子行业应用中, 除了作为电子屏蔽、

5、紫外线吸收阻断、 红外线反射阻断等应用外, 还有一大应用就是在平板显示器领域作为透明电极线路使用, 利用ITO膜制作透明电极线路的方法主要为化学蚀刻、 激光刻蚀两种。二、 ITO膜的制作方式1、 真空磁控溅射镀膜。ITO磁控溅射示意图溅射过程中, 在高氧流量的情况下, 从靶材中轰击出的金属In、 Sn原子在真空室内或衬底表面能充分和氧反应生成In2O3和SnO22、 真空蒸镀。上世纪八十年代初的技术, 基本已淘汰。3、 溶胶凝胶法这种方式不适合用于量产, 当前仅用于一些科研机构分析使用。4、 丝印或喷墨打印法当前仅日本住友有丝印法的实用技术, 用于该公司自有产品上使用, 据说品质上要比传统方式

6、好些。一般微晶ITO粉剂制剂用丝印方式生产较合理, 纳米级ITO粉剂制剂则能够使用喷墨找印法。这种方式无疑在生产效率上是最高的, 在绝大部分场合, 省去了后面的刻蚀工序, 直接生产所需要的ITO透明电极图形, 是以后的主要研究和发展方向。5、 半导体制程之Lift-off 作法能够另外在PET薄膜基材上先进行印刷负型图案, 接着进行ITO镀膜, 最后将印刷油墨去除。三、 化学蚀刻法进行ITO图形制备当前行业中应用最广的ITO膜, 绝大部分都是利用磁控溅射的方式生产的。磁控溅射所生成的ITO层, 能够理解为一些单个的原子或原子团经氧化后堆积在一起所形成的薄膜, 因此从宏观上讲, 它能够理解为具有

7、各向同性的特性, 也就是在光、 电、 化学等性能上, 各个方向基本上是一致的。这个特性能够让ITO膜在进行化学蚀刻时, 各个方向的化学反应速度都一致, 从而得到很好的图形重现性。因为即使在图形边缘进行三到五倍的过蚀时间, 也只是在边缘损失几百到几千埃的侧蚀区, 对于微米级以上的线路而言, 埃级的公差能够完全忽略。ITO层在宏观上理解为各向同性特性这点与一些场合强调ITO是一种非等键晶体结构所体现的各向异性是完全不同的概念, 强调其晶体结构, 是为了强调表述其微观结构上的稳定性, 这种稳定性能够具体描述它的一些物理化学参数的相对恒定值, 然而从宏观上讲, ITO不可能真正的成为完整结构的晶体结构

8、。ITO的原子与晶粒排布( 电子扫描) 在绝大多数的场合中, 化学蚀刻法是ITO图形制备最成熟和可行的技术, 它能够根据你的需要, 生成当前足够精细的图案和相对比较少的前期投资。随着深紫外线技术在曝光设备上的应用, 微米的精度, 早已被大多数厂家所实现。它具有高效率、 批次稳定性和重复性好、 设备投资额低、 配套技术完善等诸多优点, 当前仍是大规模生产的主要方向, 使用的原料有蚀刻膏、 抗蚀油墨、 光刻胶三种。1、 蚀刻膏工艺化学蚀刻法有以下几种方式实现: 一种是直接在产品电极图形区域外印制蚀刻膏, 等反应完全后, 用蚀刻膏溶剂, 一般是水清洗干净, 留下所需的电极图形。这种方式对于一些线宽和

9、线距要求在0.2mm以上的光电产品如低档TN显示器、 电阻式触摸屏、 按键式电容屏、 光伏电池等, 因为不用耗费大量的化学物品, 对环境污染影响更小, 节省大量水、 电费、 场地费用, 前期投资费用低廉, 一般的丝印行业就能够掌握大部分技术等因素, 有日趋发展的势头。它主要的控制点就在于温度对于蚀刻速度的控制, 设计时要充分考虑边缘效应这两点上, 一般能够用比较简单的工场实地实验, 就能够得到比较准备的参数。2、 抗蚀油墨工艺化学蚀刻法第二种方法, 刚好与第一种相反, 它是在产品电极图形区域内印制是阻蚀油墨保护起来, 然后把产品浸入化学蚀刻液中, 让产品电极图形区域外部分与化学蚀刻液完全反应后

10、, 再把阻蚀油墨从产品电极图形表面剥离下来, 形成产品电极图形。它的线宽和线距做到0.08mm, 仍能够达到95%以上的蚀刻良率。这种方法在PCB线路板、 薄膜开关、 电阻式触摸屏、 光伏电池等产品生产上, 当前占据主流的地位。按照最后剥离去的方式不同, 阻蚀油墨分为物理剥离型和化学溶液剥离型。其中物理剥离型阻蚀油墨, 除了用在电子产品图形制备生产中, 更多的是用在产品表面防护上, 以阻止外力损伤产品, 隔绝外面环境中的水、 电、 气, 防止它们腐蚀产品。其中在电子行业里应用最多的就是电路板绝缘保护胶, 和触摸屏生产中的表面保护胶。由于物理剥离型阻蚀油墨, 如果在产品转序过程中, 需要去除的话

11、, 是使用物理外力撕下剥离的, 因此一般它的丝印厚度要求在化学溶液剥离型阻蚀油墨的丝印厚度的二到三倍以上, 而且在固化程度上, 不能象化学溶液剥离型阻蚀油墨一样, 只要达到表面固化即可, 也要求一定要完全固化, 这样在生产的后续加工过程中, 边缘部分不会因为挤压而变形破裂, 在需要移除的时候, 产生边缘残留。在触摸屏的生产过程中, 表面保护胶的边缘残留, 是影响产品生产效率和品质良品率的主要因素之一。化学溶液剥离型阻蚀油墨, 按最后剥离时的方式不同, 也分为一种是溶解型的, 一种是膨胀型的。两都在蚀刻效果上没有什么区别, 只是在剥离清洗过程中, 溶解型的阻蚀油墨不需要强碱, 对一些对碱浓度比较

12、敏感的产品更适合, 它的缺点是, 为了提高油墨丝印的性能, 添加了一些填料在油墨中以增加油墨粘度和定型能力, 这些填料, 会在剥离溶解过程中, 因附壁效应, 依附残留在产品表面, 比较难以清洗干净。这些缺点, 在膨胀型的油墨中则不会出现, 但膨胀型油墨在剥离时, 对碱的浓度要求较高, 而且剥离后的油墨呈片状, 在剥离设备的碱液循环系统中, 要有相应的过滤和隔离措施, 以免阻塞管路和重复污染产品。阻蚀油墨的关键参数是针孔度和粘度, 由于一般都是制作线宽线距0.08mm以上的产品, 一般的针孔度都能达到要求, 因此在实际生产过程, 主要关注的是粘度变化。3、 光刻胶工艺化学蚀刻方法在线宽线距要求在

13、0.07mm以下的产品生产过程中, 上面的两种方式就很难达到要求了, 这时就需要一种更为精细的第三种化学蚀刻方式, 光刻胶化学蚀刻。光刻胶又称光致抗蚀剂, 由感光树脂、 增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后, 在曝光区能很快地发生光固化反应, 使得这种材料的物理性能, 特别是溶解性、 亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理, 溶去可溶性部分, 得到所需图像。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂, 品种较多。根据其化学反应机理和显影原理, 可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶; 反之, 对某些溶剂是不可溶的,

14、经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能, 将光刻胶作涂层, 就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构, 光刻胶能够分为三种类型。光聚合型, 采用烯类单体, 在光作用下生成自由基, 自由基再进一步引发单体聚合, 最后生成聚合物, 具有形成正像的特点。光分解型, 采用含有叠氮醌类化合物的材料, 经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性, 能够制成正性胶。光交联型, 采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开, 并使链与链之间发生交联, 形成一种不溶性的网状结构, 而起到抗蚀作用, 这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。感

15、光树脂在用近紫外光辐照成像时, 光的波长会限制分辨率的提高。为进一步提高分辨率以满足超大规模集成电路工艺的要求, 必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、 X 射线和深紫外(250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶, X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶, 所刻蚀的线条可细至1m以下。微细加工技术是人类迄今所能达到的精度最高的加工技术, 光刻胶是其重要支撑条件之一, 这是由微电子信息产业微细加工的线宽所决定的光刻胶在微电子信息产业中的应用有很多, 如用于平板显示器行业, 用于印制电路板行业中的光固化阻焊油墨、 干膜、 湿膜、 ED抗蚀剂等等。近年来, 电子信息产业的更新换代速度不断加快, 新技

16、术、 新工艺不断涌现, 对光刻胶的需求不论是品种、 还是质量和数量都大大增多。能够毫不夸张地说, 光刻胶已成为微电子信息产业迅速发展的重要工艺支撑条件之一。除了上述在平面显示器领域的应用外, 光刻胶产品在微细加工技术中的应用将随着高集成度、 超高速、 超高频集成电路及元器件的开发, 集成电路与元器件特征尺寸越来越精细的趋势, 其加工尺寸将达到深亚微米、 百纳米直至纳米级, 应用光刻胶的发展趋势为了适应微电子行业亚微米图形加工技术要求, 光刻胶的开发已从普通紫外光发展到紫外光刻胶、 深紫外光刻胶、 电子束胶、 X射线胶、 离子束胶等。当前的开发重点是深紫外光刻胶和电子束化学放大抗蚀剂(CAR)。

17、CAR是以聚4-羟基苯乙烯为化学平台, 加入光产酸剂、 交联剂及其它成分而成。在辐射源曝光时, 其光化学增益可达102108, 从而得到高精度图形。近年来, 光刻胶在微电子行业中不断开发出新的用途, 如采用光敏性介质材料制作多芯片组件(MCM)。MCM技术可大幅度缩小电子系统体积, 减轻其质量, 并提高其可靠性。近年来国外在高级军事电子和宇航电子装备中, 已广泛地应用MCM技术。光刻胶的技术由于改良发展较快的缘故, 在普通产品应用上, 基本已经解决了针孔率偏高的问题, 对普通产品应用几乎不再考虑针孔率对产品制作的影响了。粘度的调整要视各家的习惯, 一般是50CP的产品由于使用时添加了一定的稀释

18、剂, 能够比较好调整涂覆效果, 成本也能够降低, 可是由于大量使用稀释剂, 也使光刻胶的一些性能受到影响, 在作比较高档的产品时会有分辨率下降的趋势。而30CP的产品, 在涂覆效果上, 控制稍显困难, 但性能比较稳定, 比较适合制作精细度高的产品。光刻胶的保存条件比较严格, 在光线、 温度、 湿度上都有限制, 特别是开瓶使用后的光刻胶和稀释剂, 一旦吸潮, 其物理化学性能均下降很快。现在光刻胶涂覆工段一般都与自动纯水清洗线连在一起, 很多时候都只考虑此段的洁净度, 而疏忽了该段的湿度控制, 使得光刻胶涂覆的良品率比较低, 在显影时光刻胶脱落严重, 起不到保护阻蚀的效果。电子类产品光刻胶分为高感

19、光度光刻胶和低感光度光刻胶。高感光度光刻胶能够制作10m以内的高精密线路, 一般用于IC和LCD微显示器制作, 低感光度光刻胶制作精度在10m以上, 一般用于普通电子产品制作和线路板制作, 比如说LCD、 OLED、 矩阵式电阻触摸屏、 投影式电容触摸屏等产品。这种方式在ITO图形制备生产中, 当前占据了主流的地位。下面所要讲述的光刻胶工艺, 是指应用比较广泛的低感光度正型光刻胶工艺, 而负型光刻胶工艺除在图形复制曝光过程中选择相反外, 其它工艺步骤基本相似。光刻胶工艺分为以下几个步骤: 光刻胶涂覆光刻胶预烘图形复制( 曝光) -图形显影光刻胶固化化学刻蚀光刻胶剥离( 1) 光刻胶涂覆方法A、

20、 浸渍法: 把所需涂覆的材料, 直接浸入光刻胶中, 然后取出后烘干。这种方法因为材料表面杂质不断污染光刻胶, 光刻胶的利用率很低, 对光刻胶浪费很大, 同于材料的清洁程度不同和操作控制比较随便, 膜层厚度很不稳定, 得到精细图案能力也不太强, 当前很少有人在继续使用。B、 离心旋转法: 把所需涂覆的材料放在离心机旋转平台上, 在上面倒上光刻胶, 然后按设定的转速和时间进行涂覆后再烘干。这种方式比浸渍法更容易得到精细的电极图案、 生产批次稳定和批次重复性高的工艺数据等。它的前期设备投入费用较低, 产品品质较稳定, 特别是在一些高世代大尺寸产品和一些小规模产线的产品生产中, 仍占有很重要的地位。当

21、然它也没有克服光刻胶利用率低的缺点。离心旋转法的主要难点在于旋转参数的控制, 有时为了得到比较完美的效果, 不得不把旋转参数分成多段, 以便光刻胶在离心力的作用下, 中心区和边缘区都达到相同的涂覆效果。针对不同的尺寸, 一般需要多次试验后才能得到比较完美的各段参数。C、 辊印转移法这种方式是先把光刻胶转移到一个或一组带有百微米级的沟槽或微孔的软胶轮上, 经过调节刮板与软胶轮间隙, 或一组轮的轮与轮的间隙调整光刻胶转移量, 再转印到所需要的图形区域内。这种方式在一些中小尺寸产品生产线上应用最广, 它能够完全嵌入自动流水生产线中, 对生产效率提高、 产品质量控制、 生产环境控制十分有利。在辊印过程

22、中, 速度、 压力、 温度的控制, 对涂覆质量起着决定性的作用, 只有在这个环节得到稳定的效果后, 才能对前后工序中的不良品分析有个清晰的认识。离心旋转法和辊印转移法两种方式涂覆光刻胶, 一般都是要求生产线上的ITO膜要先进行预清洗作业, 要保证产品表面洁净度很好, 水汽成份极小, 因为光刻胶的表面张力较强, 很容易与在产品表面的污渍互相疏离形成空泡或孔洞, 在后面的蚀刻工序中失去阻蚀作用。因此对预清洗的品质控制、 生产环境的控制, 在光刻胶涂覆作业中尤为重要。( 2) 光刻胶预烘因为光刻胶的表面张力比较大, 被涂覆的ITO膜表层也无法做到绝正确无污渍, 为了阻止包裹在污渍外的光刻胶因表面张力

23、和作用继续收缩, 由气泡或小针也变为大针孔, 需要把光刻胶预烘烤, 让其表面迅速固化, 利用其塑性保证光刻胶的厚度稳定, 达到阻蚀效果均匀一致。而且在这道工序中尽量使里面的溶剂完全挥发出来, 使光刻胶里面的单体结构在脱去溶剂后, 初步聚合成为具有一定分子链的固态小分子物质, 以便在后续的图形复制曝光、 图形显影工序中, 能够得到完整可靠的图形。在光刻胶预烘过程中, 如果溶剂挥发不干净, 一是很容易在形复制曝光过程中, 因光刻胶里包含的溶剂与已固化的光刻胶交接处的界面效应, 使透光掩模下来的紫外光遇到这些界面时产生折射, 让图形复制变形。二是在图形显影过程中, ITO表层的溶剂溶于显影剂中, 造

24、成ITO膜上的光刻胶与ITO膜面脱离, 失去保护ITO的阻蚀作用。在光刻胶预烘过程中, 如果温度过高或时间过长, 可能让光刻胶提前由小分子物质变成大分子物质, 失去在其在显影液弱碱中的活性, 就会在图形显影过程中无法显影, 得不到复制的图案。因此根据自己的工场环境、 设备条件、 图形设计效果、 光刻胶参数, 试验出自己的光刻胶预烘参数, 是光刻胶工艺中的重中之重。( 3) 图形复制曝光这个步骤是把设计好的图形复制到光刻胶上。具体操作时, 是先把设计好的电极电路图形用专用的绘图仪绘制到掩模版上, 再把掩模版套放在涂覆有光刻胶需要曝光的ITO膜上, 用与光刻胶光感波长相匹配的紫外线灯光照射。掩模的

25、作用就是让紫外线灯光对ITO膜上的光刻胶产生选择性, 被绘制过的图形内部被不透紫外线的墨水遮盖, 这部分光刻胶保持原样, 图形内容外没有绘制墨水的部分, 透过紫外线灯光, 光刻胶里感光物质中的化学键吸收紫外线能量后断裂打开, 形成溶于弱碱的单体分子。在曝光过程中, 主要要注意掩模版与ITO膜光刻膜间的距离和平行度, 距离太大, 平行度不够, 都容易引起图形畸变。对于一些特别精细的图形, 还要对掩模块和ITO膜进行同温处理, 以避免因热胀冷缩不同, 产生图形复制尺寸偏差。当然生产环境也是很关键, 如果把一些外物、 污渍或灰尘, 也复制到产品上, 产生批次性的品质缺陷不良品, 那就损失巨大了。(

26、4) 图形显影把曝光后的ITO膜浸渍在弱碱溶液中, 被紫外线照射过的部分的光刻胶溶解于溶液中, 图形部分则继续被光刻胶保护着, 留下图形的影子。图形显影时间的安全系数, 一般为曝光后的光刻胶完全溶解时间的三到五倍, 这样能够保证光刻胶溶解得更彻底。( 5) 光刻胶固化显影后, 需要对光刻胶进行固化, 让光刻胶里的小分子物质产生聚合反应成不溶于强酸但溶于强碱的致密大分子物质。( 6) 化学蚀刻把光刻胶固化好的ITO膜浸入蚀刻液中, 没有光刻胶遮盖的部分与蚀刻液产能化学反应, 生成溶解在水中的盐和水。蚀刻液一般为强氧化溶液, 如草酸、 盐酸、 硫酸、 硝酸、 三氯化铁等等。其中应用最多的是混和酸,

27、 比例为浓盐酸:水:硝酸=1:1:0.5。在一些使用ITO FILM的柔性透明电路产品生产过程中, 你会发现, 有些人用到与ITO镀膜玻璃一样的上述比例混和酸, 有些人则要去掉里面的硝酸, 主要原因在于ITO FILM的保护方式不一样, 如果ITO FILM没有保护膜, 或保护膜会被硝酸氧化脱水碳化或磺化, 则不能加硝酸, 如果保护膜本身就具有阻蚀作用, 耐含硝酸在内的强酸, 则无需考虑是不是要与ITO镀膜玻璃是否配比一样的问题。化学蚀刻时间的安全系数与显影时间的安全系数类似, 也是为ITO完全蚀刻时间的三到五倍。以保证需要去除ITO的部分能彻底蚀刻干净。( 7) 光刻胶剥离把蚀刻好的ITO膜

28、放入强碱中, 让光刻胶溶解在碱液中, 完全露出ITO线路和ITO工作面, 再用水清洗干净上面的碱液, 利用光刻胶化学蚀刻方法进行ITO图形制备的整个工艺流程就完成了。从上面看来, 化学蚀刻方法制备ITO图形, 无非就是复制设计图案, 制作一层图案选取层, 把一部分ITO表面进行保护遮盖后, 让裸露的部分ITO与化学蚀刻液产生反应腐蚀掉, 得到与设计图案一致的ITO图形。这个过程中, 图案选取层的材质与ITO表面的表面亲和力, 以及与外物污渍的溶解能力, 直接会影响图案选取层的遮盖效果。因此在一些使用蚀刻膏和抗蚀油墨的场合, 主要是找到对外物污渍溶解能力比较强, 粘度比较高适合丝印的材料; 而在

29、一些制作精细图案使用光刻胶的场合中, 则需要降低粘度, 以得到足够薄的阻蚀层, 为了得到比较副真的图案复制效果, 又需要光刻胶材料具有比较高的表面张力, 这就使得光刻胶与ITO表面的亲和力降低, 因而对光刻胶的纯净度和ITO表面的洁净度有很严格的要求, 以便能让光刻胶在ITO膜表面得到更均匀一致的浸润效果。这样一来, 对ITO膜的表面处理、 ITO膜和光刻胶的使用和保存环境, 都相应有很严格的要求。四、 激光蚀刻法进行ITO图形制备ITO具有反射红外线, 吸收紫外线能量的特性。人们利用这两个特性制作了1055nm和355nm的激光器, 进行ITO膜图形制备加工。红外线激光加工是使ITO层在高温

30、下汽化挥发, 把ITO去除掉。紫外线激光加工让ITO层里的原子吸收紫外线能量后自己激化成离子, 从ITO层表面不断逃逸, 把ITO去除掉。激光蚀刻法制作ITO层有比较严格的线距限制, 在图形制备工艺中有相当大的局限性, 对那些图形简单的产品如触摸屏、 硅片光伏电池、 薄膜开关等比较实用。当然, 在其它使用ITO膜的产品中, 也经常见来做为ITO线路短、 断路修补使用。由于激光发生器有一定的发射频率, 为了提高生产率和保证ITO激光蚀刻的安全系数, 一般会对激光光路进行差分补偿, 防止激光死点造成的短路现象。在激光加工方式中, 大尺寸的ITO膜一般采用矢量图形激光切割ITO层的方式加工, 小尺寸的除了采用矢量切割方式外, 也有人使用振镜式图形点阵激光扫描雕刻方式进行快速加工。激光加工是一种非接触性加工, 对产品表面处理要求不高, 产品表面更容易得到保护, 产品品质更能得到保证。由于不用使用化学原料和消耗水资源, 更符合环境保护要求, 在包含电子信息业的各个产业中, 得到迅速的发展和应用, 慢慢在往主流加工方式靠拢。激光干蚀加工效果( 左边是紫外线激光加工效果, 设备贵, 效果好。右图是红外线激光加工效果, 有明显的激光烧蚀频率痕迹)