IRF540中文数据手册要点.docx

1、IRF540中文数据手册要点IRF540 N 沟道 MOS 管特性Thrench 工艺低的导通内阻快速开关低热敏电阻综述使用沟渠工艺封装的 N 通道增强型场效应功率晶体管应用：DC 到 DC 转换器开关电源电视及电脑显示器电源IRF540 中提供的是 SOT78(TO220AB) 常规铅的包裹。IRF540S中提供的是 SOT404(D PAK) 表面安装的包裹。管脚管脚 描述1 Gate2 Drain3 SourceTab Drain极限值系统绝对最大值依照限制值符号参数条件最小值最大值单位V_DSS漏源极电压Tj= 25?C to 175?C-100VV_DGR漏门极电压Tj = 25?C

2、 to 175?C;-100VV_GS门源极电压RGS = 20 k ?- 20VI_D连续漏电流-23ATmb = 25?C; VGS = 10 V-16AI_DM脉冲漏电流Tmb = 100 ?C; VGS = 10 V-92AP_D总功耗Tmb = 25?C-100WTj ，Tsig操作点和Tmb = 25?C-55175存储温度雪崩能量极限值符号 参数非重复性雪EAS崩能量最大非重复I AS性雪崩电流条件最小值最大值单位Unclamped inductive load, IAS = 10 A;-230mJtp = 350 s; Tj prior to avalanche = 25?C;

3、VDD 25 V; RGS = 50 ?; VGS = 10 V;-23Arefer to fig:14热敏电阻符号参数条件最小值典型值最大值单位Rthj安装底座交界-1.5K/Wmb处的热阻Rthj周围环境热阻SOT78 封装，自由空间-60-K/WaSOT404 封装， PCB 上-50-K/W电特性25 除非另有说明符号参数条件最小值典型值最大值单位V( BR) DSS漏源极崩溃电压VGS =0V ； I D =0.25mA100-VTj = - 55?C89-VVGS(TO)门阀电压VDS= VGS ; ID = 1 mA234VTj = 175?C1-VTj = - 55?C-6VR

4、DS( ON )漏源极导通电阻VGS=10V;ID=17A-4977mTj = 175?C 132 193 mg fs 向前跨导I GSS 门源极泄漏电流I DSS 0门极电压漏电流Qg (tot ) 总共门极电荷Qgs 门源极电荷Qgd 门漏极电荷Td on 开启延迟时间Tr 开启上沿时间Td off 关闭延迟时间Tf 关闭下沿时间Ld 内部漏电感Ld 内部漏电感Ls 内部源极电感CiSS 输入电容CoSS 输出电容CrSS 反馈电容VDS =25V; I D =17A8.715.5-SVGS =20 V; VDS =0V-10100nAVDS=100V;VGS=0V-0.0510uAVDS

5、=80V;VGS=0V;Tj= 175?C-250uAID=17A-65nCVDD = 80 V;-10nCVGS=10V-29nCVDD=50V;RD= 2.2 ?;-8-nsVDD=10V;RG=5.6?-39-nsResistive load-26-ns-24-nsMeasured tab to centre of die-3.5-nHMeasured from drain lead to centre-4.5-nHof die (SOT78 package only)Measured from source lead to source-7.5-nHbond padVGS = 0 V;

6、 VDS = 25 V; f = 1 MHz-8901187pF-139167pF-83109pF反向二极管极限值及特性符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位连续源极电流-23AI SIF =28A；脉冲源极电流-92AI SMVGS =0V二极管正向电压-0.941.5VVDS反向恢复之间-61-nst rrI F =17A ； VGS =0V;反向恢复命令-200-nCQrr-d I F /dt=100A/us; VR =25V底座温度 -自然功率降低百分比图 1：自然功率损耗底座温度 -漏电流降低百分比图 2 ：自然持续漏电流漏源极电压 -脉冲漏极电流峰值图 3 ：安全操作区域脉宽 -瞬态热阻抗图 4：瞬态热阻抗漏源极电压 -漏极电流图 5：典型输出特性漏极电流 -漏源极导通阻抗图 6：典型导通阻抗图 7：典型传递特性图 8：典型 跨导图 9：漏源极导通阻抗图 10：门阀电压图 11： 阈漏极电流图 12：典型电容值图 13： 典型的反向二极管电流图 14：最大允许非重复性雪崩电流 (IAS) 和雪崩的时间