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1、电子技术基础与技能训练试题0001电子技术基础（模拟篇）第一章半导体二极管一、单选题1.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。A.左移，下移 B.右移，上移 C.左移，上移 D.右移，下移2.在PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。A.小于，大于 B.大于，小于 C.大于，大于 D.小于，小于3.设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程为（ ）A. IseU B. ISeU,，UT C. Is（e Ut 1） D. lseU UT14.下列符号中表示发光二极管的为（ ）。5.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足 （

2、）。A.I D = 0 B. I D I ZM C. Iz I D IZM D. Iz Id IZM6.杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。A.少子 B.多子 C.杂质离子 D.空穴7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。A. 0 B.死区电压 C.反向击穿电压 D.正向压降8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶体缺陷9.PN结形成后，空间电荷区由（ ）构成。A.电子和空穴 B.施主离子和受主离子C.施主离子和电子 D.受主离子和空穴10.硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。A 0.1V B 0.2V

3、 C 0.5V D 0.7V11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。A.直流，相同，相同 B.交流，相同，相同C.直流，不同，不同 D.交流，不同，不同12.在25OC时，某二极管的死区电压 Uth 0.5V，反向饱和电流ls 0.1pA，则在35oC时，下列哪组数据可能正确：（ ）。知识就是力量A Uth 0.525V , ls 0.05pAB Uth0.525V ,ls 0.2pAC Uth 0.475V , ls 0.05pAD Uth 0.475V ,ls 0.2pA判断题1.PN结在无光照、

4、无外加电压时,结电流为零。2.二极管在工作电流大于最大整流电流 If时会损坏。3.二极管在工作频率大于最高工作频率 fM时会损坏。4.5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （ ）二极管在反向电压超过最高反向工作电压 Urm时会损坏。6.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。三、填空题1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度 ,因而少子漂移而形成的反向电流 极管反向伏安特性曲线移。2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。3.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏

5、置,极管截止，所以二极管具有性。4.在本征半导体中掺入 价元素得N型半导体，掺入 价元素则得P型半导体。5.PN结在 时导通， 时截止，这种特性称为 。6.光电二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。7.发光二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型， 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。10.半导体中有 和 两种载流子参与导电，其中 带正电，而 带负电。11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导

6、体，其多子为 ，少子为 。12.PN结正偏是指 P区电位 N区电位。13.温度升高时，二极管的导通电压 ，反向饱和电流 。14.普通二极管工作时通常要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。15.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的 方能实现稳压。16.纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。17.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是 作用下产生的，漂移运动是 作用下产生的。18.PN结的内电场对载流子的扩散运动起 作用，对漂移运动起 作用。19.发光二极管通以 就会发光。光电二极管的 随光照强度的增加而上升。20.硅管的导通电压比锗管的 ，反向饱和电流比锗管

7、的 。四、计算分析题R的取值合适，ui的波形如图（c）所示。1.电路如图（a）、（ b）所示，稳压管的稳定电压 Uz = 4V ,试分别画出UO1和UO2的波形。Izmin = 3mA，最大值I zm = 20mA，试问下面电路中的2.已知稳压管的稳压值 Uz= 6V，稳定电流的最小值 稳压管能否正常稳压工作， Uoi和UO2各为多少伏。3.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U。设二极管的导通压降为0.7V。12VViV2O+Uo9V亠 rq V2irL二 9V12V ViUo(c)(d)4.已知稳压管的稳定电压Uz = 6V ,稳定电流的最小值Izmin

8、=5mA ,最大功耗 Pzm =150mW。试求稳压管正常工作时电阻R的取值范围。+ +Ui =12V5.如图所示电路中，发光二极管导通电压 Ud = 1V，正常工作时要求正向电流为 515mA。试问:(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光？(2)R的取值范围是多少？+V DD(+5V)6.二极管双向限幅电路如图所示，设 Ui10sin tV，二极管为理想器件，试画出输出 ui和uo的波形。IIliDVdd4V#8.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压 通压降为0.7V。Uo。设二极管的导V2UoVi4V -r-0 6V o7.电路如图所示，二极管导通电

9、压 Ud = 0.7V，常温下Ut-26mV，电容C对交流信号可视为短路； ui为正弦波，有效值为10mV，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少?O +Ui6V=RQ10V知识就是力量UoUo1QUZZ6V仝(b)(a)9.电路如图(a)所示，其输入电压 UI1和UI2的波形如图(b)所示，设二极管导通电压可忽略。试画出输 出电压UO的波形，并标出幅值。uii/v+5VDrUI1 -V1UoV2t(b)(a)10.下图所示电路中，稳压管的稳定电压Uz = 12V，图中电压表流过的电流忽略不计，试求:(1)当开关S闭合时，电压表 V和电流表A1、A2的读数分别为多少?(2)当开关S断开时，电压

10、表 V和电流表A1、A2的读数分别为多少?11.电路如图所示,0.7V。+ 10VR1500 Q LAR2右2k Q L心+6V0.7V。12.电路如图所示，试估算流过二极管的电流和 A点的电位。设二极管的正向压降为3 篇 J JD第二章半导体三极管一、单选题1.（ ）具有不同的低频小信号电路模型。A. NPN管和PNP管C. N沟道场效应管和P沟道场效应管B.D.增强型场效应管和耗尽型场效应管 三极管和二极管2.放大电路如图所示，已知三极管的50,则该电路中三极管的工作状态为（已知场效应管的转移特性曲线如图所示,无法确定3.D.则此场效应管的类型是（增强型PMOS B.增强型NMOS硅三极管

11、放大电路中，静态时测得集A.4.状态。A.饱和 B.截止 C. 放大C.耗尽型PMOS D.耗尽型NMOS-射极之间直流电压 Uce=0.3V，则此时三极管工作于（D.无法确定5.放大电路如图所示，已知硅三极管的50 ,则该电路中三极管的工作状态为（A.6.A.+10 V截止 B.饱和 C.放大三极管当发射结和集电结都正偏时工作于放大 B.截止 C.饱和D.无法确定）状态。D.无法确定7.某三极管的Pcm 100mW,lcM20 mA ,U（br）ceo 15V，则下列状态下三极管能正常工作的是A. Uce 3V, lc 10mAB. Uce 2V, lc 40mAC. Uce 6V, lc

12、20mAD. Uce 20V,Ic 2mA8.下面的电路符号代表（）管。A.耗尽型PMOSC. 增强型PMOSB.耗尽型NMOSD.增强型NMOS9.)。U (BR)CEO U ( BR) EBOU (BR)CEO U (BR)CBO关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是(A. U (BR)CEO U (BR)CBO U (BR)EBO B. U (BR)CBOC. U (BR)CBO U ( BR) EBO U (BR)CEO D. U (BR) EBO10.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）A. IE IB Ic B. IC IB C. ICBO （1 ）ICEO D.11.

13、（ ）情况下，可以用 H参数小信号模型分析放大电路。A.正弦小信号 B.低频大信号 C.低频小信号 D.高频小信号12.）。B、电流控制电压源器件D、电压控制电压源器件场效应管本质上是一个（A、电流控制电流源器件C、电压控制电流源器件二、判断题1.三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。2.IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在 UGS=0时的漏极电流。3.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的 PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。4.三极管工作在放大区时，若 iB为常数，则UCE增大时，ic几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为 一电流源。5.对三极管电路

14、进行直流分析时，可将三极管用 H参数小信号模型替代。6.三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的 C、E两个电极互换使用。7.开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。8.双极型三极管由两个 PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。9.双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。10.分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而 简化计算。里.*x*xx*x11.三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。12.场效应管放大电路和双极

15、型三极管放大电路的小信号等效模型相同。三、填空题1.双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号分别 和 2.反映 态时集电极电流与基极电流之比； 反映 态时的电流放大特性。3.当温度升高时，三极管的参数B会 , |cbo会 ，导通电压会 4.某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得 lA=2mA , lB=0.04mA , Ic=2.04mA，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极；为 型管；一 。C5.硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。|网6.场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。7.某三极管的极限参数|cm 20mA、Pcm 10

16、0mW、U（br）ceo 20V。当工作电压Uce 10V时，工作电流lc不得超过 mA ;当工作电压Uce 1V时，lc不得超过 _ mA ;当工作电流|c 2mA时，Uce不得超过 V。8.三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。9.对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。10.工作在放大区的一个三极管， 如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的B约为 ；a约为 。11.通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途径。12.场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。13.用于构成放大电路时，双极型三极

17、管工作于 区；场效应管工作于 区。14.当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为 型场效应管。15.某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为 U1=-9V , U2=-6V , U3=-6.2V，则电极 为基极，为集电极， 为发射极，为 型管。16.三极管电流放大系数B反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。17.场效应管具有输入电阻很 抗干扰能力 等特点。四、计算分析题1.三极管电路如图所示，已知三极管的 80 , UBE（on）=0.7V , rbb=200 Q,输入信号Us 20sin t（mV）, 电容C对交流的容抗近似为零。试：

18、（1）计算电路的静态工作点参数 Ibq、Icq、Uceq；（2）画出电路的微变等效电路，求 Ube、iB、ic和UCE。2.场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出 UGS（off）、IdsS；对于增强型管求出 UGS （th）。5.场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出 Ugs(off)、Idss;对于增强型管求出 Ugs (th)。(b)7.场效应管电路如图所示，已知Ui20sint(mV)，场效应管的gm 0.58mS试求该电路的交流输出电压Uo的大小。Ic、Uce及集电极对地电压 Uo。何 (

19、b)9.图中三极管为硅管， 3=100，试求电路中Ib、lc、Uce的值，判断三极管工作在什么状态。UgsiD/mAf Wos=+O,5 V VmA10.场效应管的输出特性曲线如图所示， 试指出各场效应管的类型并画出电路符号； 对于耗尽型管求出（off）、IdSS；对于增强型管求出 UGS （th）。“叩斛* r K|）S; *摸拟电子技术（第2版）-第三章选择 A第三章放大电路基础B .等效为NPN管D 三极管连接错误，不能构成复合管一、单选题1.图示电路（ ）A 等效为PNP管C.为复合管，其等效类型不能确定2.关于BJT放大电路中的静态工作点（简称A Q点过高会产生饱和失真C.导致Q点不

20、稳定的主要原因是温度变化Q点），下列说法中不正确的是（ ）B . Q点过低会产生截止失真D . Q点可采用微变等效电路法求得3.把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（ ）A 增大差模输入电阻 B 提高共模增益C.提高差模增益 D 提高共模抑制比4.对恒流源而言，下列说法不正确的为（ ）A 可以用作偏置电路 B 可以用作有源负载C 交流电阻很大 D 直流电阻很大5.图示电路中，为共发射极放大电路的是（ ）图号3203C.100-0412 VRc3 6kQu*i+3.6 tn叫T-图号32056.差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（ ）A 不变B 提高一倍C.提高两倍

21、D .减小为原来的一半知识就是力量7.图示电路（ ）A 等效为PNP管，电流放大倍数约为 0 B .等效为NPN管，电流放大倍数约为 住 C.连接错误，不能构成复合管管，电流放大倍数约为8.乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因是（ ） A 输入电压信号过大 B 三极管电流放大倍数太大 C.晶体管输入特性的非线性 D 三极管电流放大倍数太小9.直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为（ ）。A.晶体管的非线性 B.电阻阻值有误差C.晶体管参数受温度影响 D.静态工作点设计不当10.关于复合管，下述正确的是（ ）A 复合管的管型取决于第一只三极管B 复合管的输入电阻比单管的输入电阻大C只要将任

22、意两个三极管相连，就可构成复合管D 复合管的管型取决于最后一只三极管11.图示电路中，出现下列哪种故障必使三极管截止（ ）。A. Rbi开路C. Rc短路 D. Ce短路B. RB2开路12.选用差分放大电路的主要原因是（A 减小温漂 B 提高输入电阻C .稳定放大倍数D 减小失真13.放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电 压进行放大，在负载开路条件下测得 A的输出电压小，这说明 A的（ ）。A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大 D.输出电阻小14.交越失真是（ ）A .饱和失真 B .频率失真C.线性失真D .非线性失真15.复合管的

23、优点之一是（ ）A .电流放大倍数大 B .电压放大倍数大C.输出电阻增大 D .输入电阻减小16.已知两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为 Aui和A 口2，若将它们接成两级放大电路,则其放大倍数绝对值（ ）。A. A u1 A u2 B. A u1 +A u2 C.大于 A u1 A u2 D.小于 A u1A u217.设图示电路工作于放大状态，当温度降低时， （ ）。A .三极管的 增大 B.三极管的Icbo增大 C. Icq增大D. Ucq增大18.某放大器的中频电压增益为40dB，则在上限频率fH处的电压放大倍数约为（A. 43 B. 100 C. 37D. 70RbC1

24、+IIUi_ 0 ）倍。图号323819.某放大器输入电压为 10mv时,输出电压为7V;输入电压为15mv时，输出电压为6.5V，则该放大器的 电压放大倍数为（ ）。A.100 B. 700 C. -100 D. 43320.某共射极放大电路空载时输出电压有截止失真，在输入信号不变的情况下，经耦合电容接上负载电阻 时，失真消失，这时由于（ ）。A.Q点上移C.三极管交流负载电阻减小B.Q点下移D.三极管输出电阻减小、判断题1.（）电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温）（ ）放大电路只要静态工作点合理，就可以放大电压信号。2.乙类放大电路中若出现失真现象一定是交越失真。 （3.放大电路必须加

25、上合适的直流电源才可能正常工作（4.只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化，度而变化，因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。 （5.功率放大电路中，输出功率越大，三极管的管耗也越大。6.图示电路中AuUoUiI bq(Rc / Rl)I BQ be(Rc Rl)r be7.单端输出的电流源差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。 （）8.多级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻，输出电阻等于末级的输出电阻。 （ ）9.频率失真是由于线性的电抗元件引起的，它不会产生新的频率分量，因此是一种线性失真。 （）10.结构完全对称的差分放大电路，空载时单端输出电压放大倍数为双端输出

26、时的一半。 （）11.差分放大电路单端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。 （）12.将乙类双电源互补对称功率放大电路去掉一个电源，就构成乙类单电源互补对称功率放大电路。（ ）13.负载电阻所获得的能量取自于直流电源，而不是信号源或有源器件。 （）14.放大电路的输出电阻等于负载电阻 Rl。（）15.直接耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互影响；电容耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互独立。（ ）16.恒流源电路具有输出电流稳定，交流内阻非常大的特点，因此常用作偏置电路和有源负载。 （）17.输入电阻反映了放大电路带负载的能力。 （）18.三极管放大电路中，设 Ub、ue分别

27、表示基极和发射极的信号电位，则 Ub=UBEQ + Ue。 （）19.差分放大电路中单端输出与双端输出相比， 差模输出电压减小， 共模输出电压增大， 共模抑制比下降。（）20.ib的流向确定。（）乙类双电源互补对称功率放大电路中，正负电源轮流供电。 （ ）21.双极型三极管的小信号模型中，受控电流源流向不能任意假定，它由基极电流22.产生交越失真的原因是因为输入正弦波信号的有效值太小。 （ ）23.直接耦合放大电路存在零点漂移主要是由于晶体管参数受温度影响。 （ ）24.乙类互补对称功率放大电路中，输入信号越大，交越失真也越大。 （ ）25.集成放大电路采用直接耦合方式的主要原因之一是不易制作

28、大容量电容。 （ ）26.与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。 （）27.单端输出的长尾式差分放大电路，主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。 （）28.场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。 （） 三、填空题1.放大器的静态工作点过高可能引起 失真，过低则可能引起 失真。分压式偏置电路具有自动稳定 的优点。2.当差分放大电路输入端加入大小相等、 极性相反的信号时，称为 输入；当加入大小和极性都相同的信号时，称为 输入。3.放大电路中采用有源负载可以 电压放大倍数。4.场效应管放大电路中， 共 极电路具有电压放大能力， 输出电压与输

29、入电压反相； 共 极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。5.三种基本组态双极型三极管放大电路中， 若希望源电压放大倍数大， 宜选用共 _ 极电路，若希望带负载能力强，宜选用共 极电路，若希望从信号源索取的电流小，宜选用共 极电路，若希望用作高频电压放大器，宜选用共 极电路。6.若信号带宽大于放大电路的通频带，则会产生 失真7. 电阻反映了放大电路对信号源或前级电路的影响； 电阻反映了放大电路带负载的能力。8.单级双极型三极管放大电路中，输出电压与输入电压反相的为共 极电路，输出电压与输入电压同相的有共 极电路、共 极电路。9.某乙类双电源互补对称功率放大电路中，电源电压为 24V，负载为8 Q,则选择管子时，要求 U（ BR）CEO 大于 , I CM 大于 , PCM 大于 。10.已知某放大电路的 Au =100, Ai =100,则电压增益为 dB，电流增益为 dB，功率增益为 dB。11.测量三级晶体管放大电路，得其第一级电路放大倍数为- 30，第二级电路放大倍数