茂捷M5576兼容通嘉LD7576.docx

1、茂捷M5576兼容通嘉LD7576概述：M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式AC-DC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。正常工作下，PWM开关频率处于合理的范围内，在空载或轻载条件下，IC工作在“跳周期模式”来减少开关损耗，从而实现低待机功耗和高转换效率，M5576提供完善的保护功能，包括自动恢复保护、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD的欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）和过电压（固定或可调的）保护（OVP），具备抖频功能，改善系统的EMI性能。特点： 软启动功能，减少功率MOSFET的VDS应力 跳周期模式控制的改进，提高效率降低待

2、机功耗 抖频功能，改善系统EMI性能 消除音频噪声 65KHz的开关频率 完善的保护功能 VDD欠压保护 逐周的过流阈值设置，恒定输出功率 自动恢复式过载保护（OLP） 自动恢复式过温保护（OTP） 锁定型的VDD过压保护（OVP） 锁定型的过温保护（OTP） 过压保护点OVP通过外部稳压二极管可调 采用SOT-23-6和DIP-8封装应用： 手机充电器 上网本充电器 笔记本适配器 机顶盒电源 各种开放式开关电源产品规格分类：产品名称开关频率封装形式包装形式M5576SR65KHzSOT-23-6编带3K/盘M5576PR65KHzDIP-8管装50个/管2000个/盒典型应用：图1M5576

3、SR应用图SOT-23-6图2M5576PR应用图DIP-8管脚排列图：M5576SRM5576PR图3DIP-8(顶部视图) 图4SOT-23-6(顶部视图)管脚描述：管脚号管脚名称管脚描述SOT-23-6DIP-861DRV输出PWM信号驱动外部功率MOSFET52VDD芯片供电3、6NC悬空44SEN电流检测35RT多功能引脚。通过连接一个热敏电阻接地实现过温OTP控制功能，也可通过齐纳管接到VDD调节过压保护27COMP芯片内部电路的环路补偿18GND接地芯片使用时极限参数：项目参数值单位最小值最大值VDD直流供电电压30VVDD齐纳钳位电压10VVDD直流钳位电流VDD_Clamp+

4、0.1mACOMP输入电压-0.37VSEN输入电压-0.37VOTP输入电压-0.37V最小/最大工作结温-20150最小/最大贮存温度-55165最高温度（焊接，10秒）260注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。芯片内部框图：图5M5576内部框图电气参数(Ta=25oC)：项目参数测试条件最小典型最大单位供电电压（VDD）I_StartupVDD启动电流VDD=UVLO(OFF)-1V，测试流入VDD的电流520uAI_VDD_Ops工

5、作电流VCOMP=3V1.42.5mAVDD_OFF欠压锁存开启8910VVDD_ON欠压锁存结束（恢复）14.515.516.5VVpull_up上拉PMOS启动13VVdd_ClampIVDD=10mA303234VOVP(ON)过压保护电压SEN=0.3V,COMP=3V,VDD升高直到DRV时钟关闭262830V反馈输入部分（COMPPin）VCOMP_OpenVCOMP开环电压45V最大占空比MaxdutycycleVDD=14V,COMP=3V,VSEN=0.3V758085%Vref_green进入绿色模式的阈值1.4VVref_burst_H进入跳周期模式的阈值0.68VVre

6、f_burst_L离开跳周期模式的阈值0.58VICOMP_ShortCOMP引脚短路电流测量COMP短路到地的电流0.4mAVTH_PL过载时的COMP电压3.6VTD_PL过载延迟时间808896mSZCOMP_IN输入阻抗16K电流检测输入（SENpin）SST软启动时间4msT_blanking前沿消隐时间220nsTD_OC过载延迟时间从过流产生到DRV引脚关闭120nsVTH_OC内部电流限制阈值电压与零占空比0.75VVocp_clampingSEN电压嵌位0.9V振荡器Fosc振荡频率VDD=14V,COMP=3V,SEN=0.3V606570KHZf_OSC频率抖动+/-4%

7、f_shuffling抖频32HzF_Burst跳周期模式频率22KHz栅驱动VOL输出低电平VDD=14V，IO=6mA1VVOH输出高电平VDD=14V，IO=5mA6VV_Clamping输出钳位电压12VT_r输出上升时间1V12VCL=1000pF175nsT_f输出下降时间12V1VCL=1000pF85ns过温保护IOTPOTP引脚输出电流95100105AVOTPOTP阈值电压0.9511.05VVOTP_FLOTP引脚悬空电压2.8VVth_OVP外部OVP阈值电压4.0V应用信息M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式AC-DC反激拓扑结构，具备低待

8、机功耗和低成本优点。扩展模式大大降低了待机功耗，方案设计适应国际节能的要求。启动电流和启动控制M5576上电后，通过整流后电压为连接到VDD脚的接地电容充电，当VDD脚的电压高于UVLO阈值时，芯片迅速启动。M5576启动电流非常低，高阻值启动电阻可减少功率损耗，并能在应用中稳定可靠的启动。工作电流M5576工作电流低至1.8mA。扩展突发模式能够实现高效率和低工作电流。软启动M5576上电后，在芯片启动期间，内部4ms的软启动来降低启动时的应力。当VDD达到VDD_OFF，SEN尖峰电压由0.15V逐渐升高增至最大。每次重启后都会重新软启动。频率抖动干扰的改进M5576集成了频率抖动（开关频

9、率调制）功能进行扩频，最大限度地降低了EMI带宽，简化了系统设计。跳周期模式操作在轻载或空载状态，开关电源的功耗来源于开关MOSFET的损耗、变压器磁心损耗和启动电路损耗，功率损耗的大小在于开关频率的比例。较低的开关频率，能降低功率损耗，从而节约了能源。开关频率在空载或轻载条件下自行调节，降低开关频率在轻载、空载的情况下可以提高转换效率。只有当VDD电压下降到低于预先设定的值且COMP电压处在适当状态的时候，DRV驱动才处于打开状态，否则，DRV驱动将处于关闭状态来最大程度的降低开关损耗和待机损耗。振荡器开关频率固定在65kHz，PCB设计简化。电流检测和前沿消隐M5576是电流模式PWM控制

10、，提供逐周期电流限制。开关电流是通过一个电阻接到SEN引脚来检测。内部的前沿消隐电路会屏蔽掉电压尖峰内部功率MOSFET的初始状态，由于缓冲二极管反向恢复电流和DRV功率MOSFET浪涌电流造成的检测电压尖峰，导致电流限制比较器被屏蔽，无法关断功率MOSFET。PWM的占空比是由SEN电流检测输入电压和COMP输入电压计算确定的。内部同步斜坡补偿内部斜坡补偿电路是将一个斜坡电压加入SEN引脚输入电压来帮忙生成PWM信号，它大大提高了在CCM下的闭环稳定性，防止次谐波振荡，从而降低输出纹波电压。驱动功率MOSFET是由专用DRV驱动功率开关驱动控制。DRV驱动强度越弱，功率管的导通损耗和MOSF

11、ET开关损耗就越大；而DRV驱动越强，直接影响EMI性能。一个很好的权衡方法为通过内置的图腾柱栅驱动设计，适当的驱动能力和DRV设计合适的死区时间来实现控制。通过这种设计很容易达到良好的电磁系统的设计和降低空载损耗的目的。保护控制好的电源系统的可靠性需要有自动恢复特性的保护功能，包括逐周期电流限制（OCP），过载保护（OLP）和VDD的欠压保护（UVLO）；无锁存关闭功能还包括过温保护（OTP），固定或可调的VDD电压保护（OVP）。在全电范围内，OCP被补偿后达到恒定输出功率。在过载条件下，当COMP输入电压超过TD_PL功率极限阈值时，控制电路会关闭转换器。只有在输入电压低于阈值功率极限后

12、才重新启动。SOT-23-6封装外形尺寸图丝印描述型号封装描述M5576SRSOT-23-63000/Reel项目尺寸（MM）尺寸（英寸）最小最大最小最大A1.0501.2500.0410.049A10.0000.1000.0000.004A21.0501.1500.0410.045b0.3000.4000.0120.016c0.1000.2000.0040.008D2.8203.0200.1110.119E1.5001.7000.0590.067E12.6502.9500.1040.116e0.950TYP0.037TYPe11.8002.0000.0710.079L0.700REF0.028REFL10.3000.6000.0120.02400800080DIP8封装外形尺寸图丝印描述型号封装描述M5576PRDIP82000PCS/盒，管装