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1、中文手册MIC4426/4427/4428麦克雷尔MIC4426/4427/4428双1.5A-Peak低侧MOSFET 驱动器一般描述该MIC4426/4427/4428 系列是高度可靠的双低边MOSFET驱动器上的BiCMOS制造/ DMOS亲cess低功耗和高效率.这些司机翻译TTL或CMOS输入逻辑电平输出内正电源电压水平摆动25mV或地面.可比双极器件是摆能力，ing只有在对供应1V的.是的MIC4426/7/8提供三种配置：双路反相，双nonin -verting，一加一相同相输出.该MIC4426/4427/4428是引脚兼容的替代品为MIC426/427/428和MIC1426

2、/1427/1428与im-证明了电气性能和坚固的设计（参照设备在以下页面替换清单）.他们可承受高达500mA的反向电流（或极性）无闭锁和高达5V噪声尖峰（无论是极性）上地面pins.主要用于驱动功率MOSFET，MIC4426/7/8司机的驾驶（其他合适的负载电容，电阻tive,或感性），需要低阻抗，高峰值电流和快速开关时间.其他应用包括驾驶重载时钟线，同轴电缆，或压电电传感器.唯一的限制是负载总驱动器功耗不得超过该包装的限制.特点双极/ CMOS / DMOS建设闭锁反向电流保护500mA1.5A-peak输出电流4.5V到18V工作范围低静态电源电流4mA在逻辑1输入400A在逻辑0输入

3、在1000pF开关25ns匹配的上升和rall倍7输出阻抗500I输出= 10mA, VS= 18V681.5VS0.0250.0251012VVAmA输入电压的逻辑1输入电压的逻辑0输入电流0V中VS12.42.41.41.51.11.00.80.81VVVVA参数条件最小Typ最大单位开关时间tRtFtD1tD2tPW电源ISIS注1.注2.注3.上升时间下降时间延迟Tlme延迟时间脉冲宽度测试图1测试图1测试Flgure 1测试图1测试图140018201529171923273040204030405060nsnsnsnsnsnsnsnsns电源电流电源电流VINA= VINB= 3.

4、0VVINA= VINB= 0.0V1.41.50.180.194.580.40.6mAmAmAmA超过绝对最大额定值可能会损坏设备.该设备是不能保证其经营额定值函数之外.设备是ESD敏感.处理措施建议.九月19993MIC4426/4427/4428MIC4426/4427/4428麦克雷尔功率耗散功耗应计算，以确保该驱动器不超出其经营热额定值.静态功耗可以忽略不计.一个总的实用价值功耗是由造成的损耗总和负载和过渡功耗(PL+ PT).应用信息电源旁路需要大电流充电和放电大很快容性负载.例如，改变一个1000pF在16V 25ns负载需要从电源输入0.8A.为了保证在很宽的频率低电源阻抗范围

5、，并联电容器被推荐为电源线上，铺设绕过.低电容与电感陶瓷MLC短引线长度( 0.5)应该被使用.阿1.0F电影并联电容器与一个或两个0.1F陶瓷MLC通常提供足够的旁路电容器.接地当使用在MIC4426或MIC4428,的反相驱动器输入和输出电路或个人返回地面地面平面被推荐为最佳的开关速度.电压降之间的驱动程序的地面和发生输入信号的地面，在正常的高电流开关，将表现为负反馈，并降低开关速度.控制输入未使用的驱动器输入必须连接到逻辑高（这可VS)或地面.以最低的静态电流( 500A) ,未使用的输入连接到地.一个逻辑高电平信号会导致驱动器制订到9mA.该驱动器设计与控制输入海斯特100mV -es

6、is.这提供清洁，减少输出转换当改变电流峰值阶段的国家.控制输入电压阈值约为1.5V.控制输入承认1.5V高达VS为逻辑高，消耗低于1A在此范围内.该MIC4426/7/8驱动TL494, SG1526/7, MIC38C42,TSC170和类似开关式电源供应器集成电路.负载损耗功耗引起的连续负载电流（驱动电阻负载）通过驱动程序的输出电阻是：PL= IL2RO容性负载，在驱动器功耗为：PL= f CLVS2耗散过渡在应用在高频开关，过渡权力耗散可能会很大.在开关过程中会出现这种情况转换时，P沟道和N沟道输出FETs都进行了短暂的时刻，一个是转在另一种是关闭.PT= 2 f VSQ读取充电(Q)从以下图表：110-8810-9CHARGE (Q)610-9410-9310-9210-9110-946810 12 14 16SUPPLY VOLTAGE (V)18每交叉过渡的能量损