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1、存储器相关习题预览：计算机组成原理习题与解析 第四章 存储器系统 邵桂芳 半导体存储器填空题1. 计算机中的存储器是用来存放 _ _的, 随机访问存储器的访问速度与 _ _无关。 答案:程序和数据 存储位置2. 对存储器的访问包括 _和 _两类。答案:读 写3. 计算机系统中的存储器分为 _ _和 _ _。在 CPU 执行程序时,必须将指令存 在 _ _中。答案:内存 外存 内存4. 主存储器的性能指标主要是、存储周期和存储器带宽。答案:存储容量 存取时间5. 存储器中用来区分不同的存储单元, 1GB= KB 。答案:地址 1024X1024(或 220)6. 半导体存储器分为、只读存储器 (

2、ROM)和相联存储器等。答案:静态存储器 (SRAM) 动态存储器 (DRAM)7. RAM 的访问时间与存储单元的物理位置,任何存储单元的内容都能被答案:无关 随机访问8. 存储揣芯片由、地址译码和控制电路等组成。答案:存储体 读写电路9. 地址译码分为方式和方式。答案:单译码 双译码10.双译码方式采用个地址译码器,分别产生和信号。答案:两 行选通 列选通11.若 RAM 芯片内有 1024个单元,用单译码方式,地址译码器将有条输出线;用双译 码方式,地址译码器有条输出线。答案: 1024 6412. 静态存储单元是由晶体管构成的, 保证记忆单元始终处于稳定状态, 存储的信息不需 要。答案

3、:双稳态电路 刷新 (或恢复 )13.存储器芯片并联的目的是为了,串联的目的是为了。答案:位扩展 字节单元扩展14.计算机的主存容量与有关,其容量为。答案:计算机地址总线的根数 2地址线数15.要组成容量为 4MX8位的存储器, 需要片 4MXl 位的存储器芯片并联, 或者需要片 1MX3的存储器芯片串联。答案: 8 416.内存储器容量为 256K 时,若首地址为 00000H ,那么末地址的十六进制表示是答案:3FFFFH17.主存储器一般采用存储器件,它与外存比较存取速度、成本。答案:半导体 快 高18.三级存储器系统是指 _这三级:答案:高缓、内存、外存预览：计算机组成原理习题与解析

4、第四章 存储器系统 邵桂芳19.表示存储器容量时 KB=_ _, MB=_ _;表示硬盘容量时, KB=, MB=。 答案: 1024字节 t024x1024(或 220) 字节 103字节 106字节20.只读存储器 ROM 可分为、和四种。答案: ROM PROM EPROM E 2PROM21. SRAM 是; DRAM 是; ROM 是; EPROM 是。答案:静态存储器 动态存储器 只读存储器 可改写只渎存储器22.半导体 SRAM 靠存储信息,半导体 DRAM 则是靠存储信息。答案:触发器 栅极电容23.广泛使用的和都是半导体存储器。 前者的速度比后者快,但不如后者高, 它们 的共

5、同缺点是断电后保存信息。答案: SRAM DRAM 随机读写 集成度 不能24. CPU 是按 _访问存储器中的数据。答案:地址24. EPROM 属于的可编程 ROM ,擦除时一般使用,写入时使用高压脉冲。答案:可多次擦写 紫外线照射25.对存储器的要求是,。为了解决这三个方面的矛盾,计算机采用多级存储器体 系结构。答案:容量大 速度快 成本低26.动态 MOS 型半导体存储单元是由一个和一个构成的。答案:晶体管 电容器27.动态半导体存储器的刷新一般有、和三种方式。答案:集中式 分散式 异步式28.动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上,由于电路中存在, 因此, 需要不断 地进行。答案

6、:泄漏电流 刷新29.动态 RAM 控制器由和两部分组成。答案:刷新控制电路 访存裁决电路 选择题1.计算机的存储器系统是指 _。A . RAM B . ROMC 主存储器 D . cache ,主存储器和外存储器答案:D2.存储器是计算机系统的记忆设备,它主要用来 _。A .存放数据 B .存放程序C .存放数据和程序 D .存放微程序答案:C3.内存若为 16兆(MB ) ,则表示其容量为 _KB。A . 16 B . 16384C . 1024 D . 16000答案:B4.下列说法正确的是 _。A .半导体 RAM 信息可读可写,且断电后仍能保持记忆B .半导体 RAM 属挥发性存储器

7、,而静态的 RAM 存储信息是非挥发性的预览：计算机组成原理习题与解析 第四章 存储器系统 邵桂芳C .静态 RAM 、动态 RAM 都属挥发性存储器,断电后存储的信息将消失D . ROM 不用刷新,且集成度比动态 RAM 高,断电后存储的信息将消失答案:C5.可编程的只读存储器 _。A .不一定可以改写 B .一定可以改写C .一定不可以改写 D .以上都不对答案:A6.组成 2MX8bit 的内存,可以使用 _。A . 1MX8bit 进行并联 B . 1MX4bit 进行串联C . 2MX4bit 进行并联 D . 2MX4bit 进行串联答案:C7.若 RAM 芯片的容量是 2MX8b

8、it ,则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和是 _。 A . 21 B . 29 C . 18 D .不可估计答案:B8.若 RAM 中每个存储单元为 16位,则下面所述正确的是 _。A .地址线也是 16位 B .地址线与 16无关C .地址线与 16有关 D .地址线不得少于 16位答案:B9.若存储器中有 IK 个存储单元,采用双译码方式时要求译码输出线为 _。A . 1024 B . 10C . 32 D . 64答案:D10. RAM 芯片串联时可以 _。A .增加存储器字长 B .增加存储单元数量C .提高存储器的速度 D .降低存储器的平均价格答案:B11. RAM 芯片并联时

9、可以 _。A .增加存储器字长 B .增加存储单元数量C .提高存储器的速度 D .降低存储器的平均价格答案:A12.存储周期是指 _。A .存储器的读出时间B .存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔C .存储器的写入时间D .存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔答案:B13.某微型计算机系统,若操作系统保存在软盘上,其内存储器应该采用 _。A . RAM B . ROMC . RAM 和 ROM D . CCP答案:C14.下面所述不正确的是 _。A .随机存储器可随时存取信息,掉电后信息丢失B .在访问随机存储器时;访问时间与单元的物理位置无关C .内存储器中存储的信息均是不可

10、改变的预览：计算机组成原理习题与解析 第四章 存储器系统 邵桂芳D .随机存储器和只读存储器可以统一编址答案:C15.和外存储器相比,内存储器的特点是 _。A .容量大,速度快,成本低 B .容量大,速度慢,成本高C .容量小,速度快,成本高 D .容量小,速度快,成本低答案:C16. 640KB 的内存容量为 _。A . 640000字节 B . 64000字节C . 655360字节 D . 32000字节答案:C17.若一台计算机的字长为 4个字节,则表明该机器 _。A . 能处理的数值最大为 4位十进制数B . 能 处理的数值最多为 4位二进制数组成C . 在 CPU 中能够作为一个整

11、体加以处理的二进制代码为 32位D . 在 CPU 中运算的结果最大为 2的 32次方答案:C18.下列元件中存取速度最快的是 _。A . Cache B .寄存器C .内存 D .外存答案:B19.与动态 MOS 存储器相比,双极型半导体存储器的特点是 _。A .速度快 B .集成度高C .功耗大 D .容量大答案:A , C20. ROM 与 RAM 的主要区别是 _。A .断电后, ROM 内保存的信息会丢失, RAM 则可长期保存而不会丢失B .断电后, RAM 内保存的信息会丢失, ROM 则可长期保存而不会丢失C . ROM 是外存储器, RAM 是内存储器D . ROM 是内存储

12、器, RAM 是外存储器答案:B21.机器字长 32位,其存储容量为 4MB ,若按字编址,它的寻址范围是 _。A . 0-1MW B . 0 1MBC . 0-4MW D . 0-4MB答案:A22.某一 SRAM 芯片,其容量为 512x8位,除电源端和接地端外,该芯片引出线的最小数 目应为 _。A . 23 B . 25C . 50 D . 19答案:D23.某一动态 RAM 芯片其容量为 16KXl ,除电源线、接地线和刷新线外,该芯片的 最小引脚数目应为 _。A . 16 B . 12 C . 18答案:B24.某计算机字长 32位,存储容量为 1MB ,若按字编址,它的寻址范围是

13、_。预览：计算机组成原理习题与解析 第四章 存储器系统 邵桂芳A . 0-1MW B . 0-512KBC . 0-256KW D . 0-256KB答案:C25. 某 RAM 芯片, 其存储容量为 1024x16位, 该芯片的地址线和数据线数目分别为 _。 A . 20, 16 B . 20, 4C . 1024, 4 D . 1024, 16答案:A26.某计算机字长 16位,其存储容量为 2MB ,若按半字编址,它的寻址范围是 _。 A . 0-8M B . 0-4MC . 0-2M D . 0 1M答案:C27.某计算机字长 32位,存储容量为 8MB ,若按双字编址,它的寻址范围是

14、_。 A . 0-256K B . 0-512KC . 0-1M D . 02M答案:C28. 以下四种类型的半导体存储器中, 以传输同样多的字为比较条件, 则读出数据传输率最 高的是 _。A . DRAM B . SRAMC .闪速存储器 D . EPROM答案:C29.对于没有外存储器的计算机来说,监控程序可以存放在 _。A . RAM B . ROMC . RAM 和 ROM D . CPU答案:B30。在某 CPU 中,设立了一条等待 (WAIT) 信号线, CPU 在存储器周期中 T 的下降沿采样 WAIT 线,则下面的叙述中正确的是 _。A .如 WAIT 线为高电平,则在 T 2

15、周期后不进入 T 3周期,而插入一个 Tw 周期B . Tw 周期结束后,不管 WAIT 线状态如何,一定转入 T 3周期C . Tw 周期结束后,只要 WAIT 线为低,则继续插入一个 Tw 周期,直到 W AIT 线变高, 才转入 T 3周期D .有了 W AIT 线,就可使 CPU 与任何速度的存储器相连接,保证 CPU 与存储器连接时 的时序配合答案:C , D31.下面是有关存储保护的描述。请从题后列出的选项中选择正确答案:为了保护系统软件不被破坏,以及在多道程序环境下防止一个用户破坏另一用户的程 序,而采取下列措施:(1)不准在用户程序中使用“设置系统状态”等指令。此类指令是 _

16、_指令。(2)在段式管理存储器中设置 _ _寄存器,防止用户访问不是分配给这个用用户的存储 区域。(3)在环保护的主存中,把系统程序和用户程序按其允许访问存储区的范围分层;假如规定 内层级别高,那么系统程序应在 _ _,用户程序应在 _ _。内层 _ _访问外层的 存储区。(4)为了保护数据及程序不被破坏,在页式管理存储器中,可在页表内设置 R(读 ) 、 W(写 ) 及 _ _位, _ _位为 1,表示该页内存放的是程序代码。预览：计算机组成原理习题与解析 第四章 存储器系统 邵桂芳供选择的项:, A :特权 B :特殊 C :上 、下界 D :系统, A :内层 B :外层 C :内层或外

17、层 A :允许 B :不允许 A :M(标志 ) B :P (保护) C :E (执行) D :E (有效)答案: A C A B A C 判断改错题1. 动态 RAM 和静态 RAM 都是易失性半导体存储器。答案:对。2. 计算机的内存由 RAM 和 ROM 两种半导体存储器组成。答案:对。3.个人微机使用过程中,突然 RAM 中保存的信息全部丢失,而 ROM 中保存的信息不受 影响。答案:错。 RAM 中保存的信息在断电后会丢失,而 ROM 中保存的信息在断电后不受 影响。4. CPU 访问存储器的时间是由存储器的容量决定的,存储器容量越大,访问存储器所 需的时间越长。答案:错。 CPU

18、访问存储器的时间与容量无关,而是由存储器元的材料决定的。5.因为半导体存储器加电后才能存储数据,断电后数据就丢失了,因此 EPROM 做成的存 储器,加电后必须重写原来的内容。答案:错。半导体存储器加电后才能存储数据,断电后数据丢失,这是指 RAM 。 EPROM 是只读存储器,断电后数据不会丢失,因此,加电后不必重写原来的内容。6.大多数个人计算机中可配置的内存容量受地址总线位数限制。答案:错。 内存容量不仅受地址总线位数限制,还受寻址方式、操作系统的存储管理方式等 限制。7.因为动态存储器是破坏性读出,所以必须不断地刷新。答案:错。 刷新不仅仅因为存储器是破坏性读出, 还在于动态存储器在存

19、储数据时,若存储 器不做任何操作,电荷也会泄漏,为保证数据的正确性,必须使数据周期性地再生即刷新。 8.固定存储器 (ROM)中的任何一个单元不能随机访问。答案:错。 ROM 只是把信息固定地存放在存储器中,而访问存储器仍然是随机的。9.一般情况下, ROM 和 RAM 在存储体中是统一编址的。答案:对。在计算机设计中,往往把 RAM 和 ROM 的整体作主存,因此, RAM 和 ROM 一般是统编址的。 简答题1.存储元、存储单元、存储体、存储单元地址这几个术语有何联系和区别 ?答:计算机在存取数据时,以存储单元为单位进行存取。 机器的所有存储单元长度相同,一 般由 8的整数倍个存储元构成。

20、 同一单元的存储元必须并行工作, 同时读出、写入,由许多 存储单元构成一台机器的存储体。 由于每个存储单元在存储体中的地位平等, 为区别不同单 元,给每个存储单元赋予地址,都有一条惟一的地址线与存储单元地址编码对应。2.简述存储器芯片中地址译码的方式。答:地址译码的方式有两种:单译码方式和双译码方式。单译码方式只用一个译码电路, 将所有的地址信号转换成字选通信号, 每个字选通信号预览：计算机组成原理习题与解析 第四章 存储器系统 邵桂芳用于选择一个对应的存储单元。双译码方式采用两个地址译码器,分别产生行选通信号和列选通信号,行选通和列选 通信号同时有效的单元被选中。存储器一般采用双译码方式,目

21、的是减少存储单元选通线 的数量。3.针对寄存器组、主存、 cache 、光盘存储器、软盘、硬盘、磁带,回答以下问题:(1)按存储容量排出顺序 (从小到大 ) :(2)按读写时间排出顺序 (从快到慢 ) 。答:(1)寄存器组一 cache 一软盘一主存一光盘存储器一硬盘一磁带。(2)寄存器组一 cache 一主存一硬盘一软盘一光盘存储器一磁带。4.说明 SRAM 的组成结构;与 SRAM 相比, DRAM 在电路组成上有什么不同之处 ? 答:SRAM 由存储体、读写电路、地址译码电路、控制电路组成, DRAM 还需要有动 态刷新电路。与 SRAM 相比, DRAM 在电路组成上有以下不同之处:(

22、1)地址线的引脚一般只有一半,因此,增加了两根控制线 RAS 、 CAS ,分别控制接 受行地址和列地址。(2)没有 CS 引脚,在存储器扩展时用 RAS 来代替。5. DRAM 存储器为什么要刷新 ?DRAM 存储器采用何种方式刷新 ? 有哪几种常用的刷新方 式 ?答:DRAM 存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究会 泄漏,电荷又不能像 SRAM 存储元那样由电源经负载管来补充,时间一长,信息就会丢失。 为此, 必须设法由外界按一定规律给栅极充电, 按需要补给栅极电容的信息电荷。 此过程叫 “刷新” 。DRAM 是逐行进行刷新,刷新周期数与 DRAM 的扩展无关,只

23、与单个存储器芯片的内 部结构有关,对于一个 128X128矩阵结构的 DRAM 芯片,只需 128个刷新周期数。常用的刷新方式有三种:集中式、分散式、异步式。6.静态 MOS 存储元、动态 MOS 存储元、双极型存储元各有什么特点 ?答:静态 MOS 存储元 V1、 V2、 V3、 V4组成的双稳态触发器能长期保持信息的状态 不变,是因为电源通过 V3、 V4不断供给 V1或 V2电流。动态 MOS 存储元是为了提高芯片的集成度而设计的。它利用 MOS 管栅极电容上电荷 的状态来存储信息。时间长了,栅极电容上的电荷会泄漏,而存储元本身又不能补充电荷, 因此,需要外加电路给存储元充电,这就是所谓

24、刷新。刷新是动态存储器所特有的。双极型存储元由两个双发射极晶体管组成。 它也是由双稳电路保存信息, 其特点是工作 速度比 MOS 存储元要高。以上三种存储元的共同特点是当供电电源切断时,原存的信息会消失。7. ROM 与 RAM 两者的差别是什么 ? 指出下列存储器哪些是易失性的 ? 哪些是非易失性的 ? 哪些是读出破坏性的 ? 哪些是非读出破坏性的 ?动态 RAM ,静态 RAM , ROM , Cache ,磁盘,光盘答:ROM 、 RAM 都是主存储器的一部分,但它们有很多差别:(1)RAM是随机存取存储器, ROM 是只读存取存储器。(2)RAM是易失性的,一旦掉电,所有信息全部丢失。

25、 ROM 是非易失性的,其信息可 以长期保存,常用于存放一些固定的数据和程序,比如计算机的自检程序、 BIOS 、 BASIC 解释程序、游戏卡中的游戏等。预览：计算机组成原理习题与解析 第四章 存储器系统 邵桂芳第 8 页 共 26 页 (2)动态 RAM 、静态 RAM 、 Cache 是易失性的, ROM 、磁盘、光盘是非易失性的。动 态 RAM 是渎出破坏性的,其余均为非读出破坏性的。8.下列各种存储器中,哪些是挥发性存储器 ? 哪些是非挥发性存储器?磁盘, DRAM , ROM ,磁带,光盘, SRAM , EPROM , PROM , EEPROM答:挥发性存储器有 DRAM 、

26、SRAM 。 非挥发性存储器有磁盘、 ROM 、 磁带、 光盘、 EPROM 、 PROM 、 EEPROM 。 综合题1.欲设计具有 64Kx2位存储容量的芯片,问如何安排地址线和数据线引脚的数目,才能使 两者之和最小。请说明有几种解答。解:设地址线 x 根,数据线 y 根,则 2642=K y x若y=1 x=17y=2 x=16y=4 x=15 y=8 x=14因此,当数据线为 1或 2时,引脚之和为 18,共有 2种解答。2.表 4. 1给出的各存储器方案中, 哪些是合理的 ? 哪些不合理 ? 对那些不合理的可以怎样修 改 ?解:(1)合理。(2)不合理。因为存储单元的位数应为字节的整

27、数倍,所以将存储单元的位数改为 16较 合理。(3)不合理。因为 MAR 的位数为 8,存储器的单元数最多为 256个,不可能达到 1024 个,所以将存储器的单元数改为 256较合理。(4)不合理。 因为 MAR 的位数为 12, 存储器的单元数应为 4K 个, 不可能只有 1024个, 所以将存储器的单元数改为 4096才合理。(5)不合理。因为 MAR 的位数为 8,存储器的单元数应为 256个,不可能只有 8个,所 以将存储器的单元数改为 256才合理:另外,存储单元的位数为 1024太长,改为 8、 16、 32、 64均可。(6)不合理。因为 MAR 的位数为 1024,太长,而存

28、储单元数为 10,太短,所以将 MAR 的位数与存储单元数对调一下,即 MAR 的位数为 10,存储器的单元数正好为 1024,合理。3. 某存储器容量为 4KB , 其中:ROM 2KB, 选用 EPROM 2KX8:RAM 2KB, 选用 RAM 1KX8; 地址线 A 15A0。写出全部片选信号的逻辑式。预览：计算机组成原理习题与解析 第四章 存储器系统 邵桂芳第 9 页 共 26 页 解:ROM 的容量为 2KB ,故只需 l 片 EPROM ;而 RAM 的容量为 2KB ,故需 RAM 芯 片 2片。 ROM 片内地址为 11位,用了地址线的 A 10-A 0这 11根地址线; R

29、AM 片内地址为 10位,用了地址线的 A 9 A0这 10根地址线。总容量需要 12根地址线。可以考虑用 1根地 址线 A 11作为区别 EPROM 和 RAM 的片选信号,对于 2片 RAM 芯片可利用 A 10来区别其 片选信号。由此,可得到如下的逻辑式: EPROM 110CS =RAM 10111A CS = 10112A A CS =4. 图 (a)是某 SRAM 的写入时序图, 其中 R/W是读/写命令控制线, 当 R /W 线为低电 平时,存储器按当时地址 2450H 把数据线上的数据写入存储器。请指出图中的错误,并画 出正确的写入时序图。解:在 R/W线为低电平时,地址、数据都不能再变化,正确的写入时序图如图 (b)。5.没有一个 IMB 容量的存储器,字长为 32位,问:(1)按字节编址,地址寄存器、数据寄存器各为几位 ? 编址范围为多大 ?(2)按半字编址,地址寄存器、数据寄存器各为几位 ? 编址范围为多大 ?(3)按字编址,地址寄存器、数据寄存器各为几位 ? 编址范围为多大 ?解:(1)按字节编址, 1MB=8220,地址寄存器为 20位,数据寄存器为 8位,编址范围为 00000HFFFFFH。(2)按半字编址, IMB=0=,地址寄存器为 19位,数据寄存