环境变量的设置.docx

1、环境变量的设置设置环境变量有两种方式： 第一种是在命令提示符运行窗口中设置； 第二种是通过单击“我 的电脑T属性T高级”标签的“环境变量”按钮设置。需要注意的是，第一种设置环境变 量的方式只对当前运行窗口有效，关闭运行窗口后，设置就不起作用了，而第二种设置环 境变量的方式则是永久有效。2.如何在命令提示符窗口中设置环境变量？在“开始t运行”框中输入“ cmd后按“确定”按钮，出现命令运行窗口。在命令提 示符下输入“ set ”即可查看环境变量设置。要查看具体某个环境变量的设置，比如要查看 path 环境变量的设置，可以输入“ set path ”。要创建一个环境变量，比如要创建一个名 为 aa

2、 的，值为“ c: ”的环境变量，可以输入“ set aa=c: ”命令。而要删除一个环境变量， 比如要删除aa环境变量，则可输入“ set aa=”命令（注意=后面不能有空格）。如何更改 一个环境变量的设置呢？更改环境变量有两种情况：一是追加方式，即在不改变环境变量 现有设置的情况下，增加变量的值，比如要给环境变量 aa增加一个值为“ D:”的设置，可以输入“ set aa=%path%;D: ”。另一种是完全修改方式，对于这种方式，我们可以采用直 接创建一个环境变量的方法来实现。3.用户变量和系统变量的关系是什么？点击“我的电脑t属性t高级”标签的“环境变量”按钮，出现“环境变量”对话框，

3、 如果当前是以 Administrator 登录系统的用户，对话框的上面为 Administrator 的用户变 量，对话框的下面为系统变量（即相当于系统中所有用户的用户变量）。有的时候我们会 看到在用户变量和系统变量中都存在某一个环境变量， 比如 path ，那么 path 的值到底是用户变量中的值还是系统变量中的值，或者两者都不是呢？答案是两者都不是。 path 变量的值是用户变量中的值与系统变量中的值的叠加。4.改变环境变量和环境变量中的值应该注意什么？环境变量和环境变量的值不要含有空格，也不要用中文，切记！环境变量设置指南（图文详细）（JAVA内容）还有很多朋友被环境变量的设置困扰。我

4、现在给大致说明下：前提是，你已经安装了 JDK （和JRE,两个是一起装的）。很多朋友反映不知道去哪里找下载地址，我把电脑上的 JDK给大家分享下，点我进入下载面来看图一步一步来，3接下来就是进行设置第 1 个系统变量，是“系统变量“，不是“变量”。 变量名 叫 JAVA_HOME值为 java 下 JDK 文件夹路径！具体看图认真设置。这样，确定 后，第 1 个系统变量就设置完毕了。4接下来，设置第 2 个系统变量，一般没有这个变量名，要新建，如果电脑上已经有，那么就 选中它进行编辑，变量名 : CLASSPATH值：是JDK下的bin 文件夹和JDK下的libtools 文件夹！两个路径之

5、间用分号隔离开。记得。具体操作看图看图5 再接下来，设置第 3 个系统变量。 因为这个变量名系统已经有，所以选中后点编辑， 值：同样是上面提到的 JDK 下的 bin 文件夹（不包含第 5步提到的第 2 个路径）。 同第 4 步的方法，看图设置，6这样， 3 个需要设置的环境变量就完成了。相信只要对照看文字和图，耐心点看。超级新 手也会明白的。毕竟众口难调，一些接受能力比较强的可能学起来觉得罗嗦了点 嘿嘿。有些朋友不知道环境变量设置有什么意义，我们一起来了解下： 要想方便的开发和运行 Java 应用程序，我们需要设置两个环境变量，一个 path 一个 classpath 。设置好 path 变

6、量，使得我们能够在系统中的任何地方运行 java 应用程序，比如javac、java、javah等等。这就要找到我们安装 JDK的目录，比如我们的 JDK安装在目录下,那么在 c:jdk1.3bin 目录下就是我们常用的 java 应用程序 ,我们就需 要把 c:jdk1.3bin 这个目录加到 path 环境变量里面。 classpath 环境变量，是当我们在 开发 java 程序时需要引用别人写好的类时， 要让 java 解释器知道到哪里去找这个类。 通常， sun 为我们提供了一些额外的丰富的类包，一个是 dt.jar ，一个是 tools.jar ， 这两个 jar 包都位于 c:jd

7、k1.3lib 目录下，所以通常我们都会把这两个 jar 包加到我们的 classpath 环境变量中 set classpath=.;c:jdk1.3libtools.jar;c:jdk1.3libdt.jar 。 注意对于 jar 包，在classpath 中需要跟上完整地文件路径，而不能仅仅跟一个目录。第一个路径的点“ . ”， 代表当前目录，这样当我们运行 java AClass 的时候，系统就会先在当前目录寻找 AClass 文件了。教大家验证JAVA设置的如何了。1。开始 -运行 - 输入 CMD 然后，在命令提示符内，输入 java -version 可以看到下图：（这个显示的是

8、版本信息，说明你装的没错。）2。还可以输入javac ，如下图:利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保 护电路2008-01-18 嵌入式在线 收藏|打印静电放电(Electrostatic Discharge ，ESD)是造成电子元件或电子系统受到过度电应力(Electrical Over Stress，EOS)破坏的主要因素。在静电保护的各种手段中，最主要也是最 有效的方式就是将静电保护电路结构集成到芯片上。由于该结构在ESD时需要承受很大的电流，所以一般都会占用较大比例的芯片面积， 导致芯片成本的增加。可控硅整流器 (Silic on Con trolled Rectmer

9、，SCR)以其在单位布局面积下具有最高的 ESD防护能力这一显著优点，在 ESD防护上扮演了日益重要的角色。SCR结构就是导致 CMOS闭锁效应(Latchup)的结构，在内部电路中应该尽量避免。 但是如果在ESD保护器件中应用得当，那么这种结构会有明显优良的效果。直到现在，ESD仍然是芯片设计返工的主要原因 1 , 2。一个具有较强抗静电能力的保护结构，往往要无数次的反复才能找到安全又高效率的面积参数。以 SCR为代表的一些比较高效的保护结构， 随着采用的工艺不同， 可靠性和有效性都大打折扣， 需要改进甚至重新设计。这种改进或设计如果能够借助计算机仿真来实现， 将大大减少设计循环的次数，提高

10、设计效率。但是一般的CAD工具只能预测常规工作条件下器件的反应， ESD极端的工作条件会令其不收敛。所以如何使用计算机仿真 ESD条件下器件的反应，正是有待研究的课题3。其中的一种方法是，为常用的静电保护器件建立能够仿真 breakdow n / snap back效应的Spice模型1。这种方法的优点是完善了器件的电路级模型，可以利用该模型进行整 个电路的仿真。缺点是，器件的 ESD防护能力与器件的版图形状，间距等工艺和器件级参 数关系紧密，Spice作为电路级的仿真软件，无法对这些因素给予考虑，势必会带来很大的误。另一种方法是使用 TCAD工具仿真2。以ISE-TCAD为代表的TCAD工具

11、是着重于 工艺级和器件级的仿真工具。他可以充分的考虑工艺参数和版图形状对器件的影响。最近，有文章使用 TCAD工具提取保护器件在大电流情况下准静态的 I-V特性，以此得到破坏性电流ld(Destructive current)2 。Id与器件最大可承受 ESD电压Vesd有很紧密 的关系，因此他是保护器件的重要的参数。但是，这种方法只适合 MOS , Field-Oxide DeVice , LateralN-P-N BJT等有明显第二次击穿效应的结构， 他无法准确的找出 SCR结构的Id值。本文提出一种可方便地找到 SCR结构Id值的方法，并以基于某一典型 0. 6卩m CMOS工艺的可控硅

12、整流器(SCR)结构为例，将该Id值运用到ESD人体放电模型(Human Bo dy Model , HBM)的模拟和面积的估算中。2 SCR结构对SCR进行I-V特性分析的时候，主要需要考虑起始导通电压 Vt(Trigger Point Voltage)、维持电压 Vhold(Holding Voltage)、破坏性电流 Id(Destructive current)等。其中，V t是决定SCR保护器件能不能在内部电路受 ESD损害前开启的关键参数。 而Id是I-V曲线上最大的安全电流值，电流超过这个值后，该器件会产生不可恢复的损伤。 正如前面已经提到的，他与器件可承受的 ESD电压密切相关

13、。在本文中，我们着重考虑IC芯片最常见的E SD损伤模型，人体放电模型。人体放电模型是指人体上的静电在人体与 IC的一些管脚相接触时进入IC内部，再经由其他管脚放到地上， 形成瞬间放电电流， 将IC内部的器件烧毁的现象。从定义上看，人体模型是一种偶然的，频率较低的 ESD放电类型。以 MIL-STD883Method 3015 . 76中定义的模型为例，设器件可承受最大的 ESD电压和ESD尖峰电流分别为Vesd和Iesd，那么就有如下关系式：Vesd Iesd X(1500 + Rdevice) (1)由于在SCR导通的情况下 Rdevice(器件在ESD冲击下的电阻)很小，所以可以忽略不

14、计。那么，Vesd Iesd X1500。对于 MOS , Field-Oxide Device , Lateral N-P-NBJT、等具有第二次击穿效应的结构， 他们的Iesd值与Id是同一个值，就是(secondary breakdown current，第二次击穿电流 ), 他可以方便的从I-V特性曲线上读出。对于SCR，由于他的热损伤需要一个热量积累的过 程，所以Iesd Id可以将Iesd = Id。作为迭代的初始值运用到面积估算中。根据Vesd的不同，MIL-STD-883将器件抗ESD分为三个等级：1级抗静电电压为0 1999 V; 2级抗静电电压为 20003999 V; 3

15、级抗静电电压为 4000 V以上。目前工业界 认定一般商用IC需要通过HB 2 kV以上测试。2 . 1 SCR的工作机理横向SCR结构是一种最基本的 SCR保护器件，他是由 P + N-P-N +四层半导体结 构组成。如图1所示，此四层结构依次为 P + diffusion , N-well , P-substrate , N + diffusion。分析图1可得，这样的SCR元件他的起始导通电压等于 CMOS制程下N-well与P-s ubstrate的结雪崩击穿电压，不同的工艺，这个击穿电压从 30到50 V不等。SCR的I-V特性曲线如图2中黑色实线所示。其中，A点是SCR的起始导通点

16、，该点的电压 Vt高达30 V以上，起始导通电流(Tri gger Point Current)在几十毫安左右。导通后，维持电压 Vhold很低，在1V左右。可见只要SCR元件导通，便会将ESI)电压钳制在一个很低的电位上， 因此能够给予内部电路有效的保护。而且，在相同的 ESD大电流的冲击下，由于该结构的维持电压极低，其上消耗的电能(承受的热能)相应的就小，更不易烧坏。所以在单位面积上，该器件可以承受更大的电 流密度，具有更高的 ESI)防护能力。但是在未达到起始导通条件以前，此 SCR元件是关闭的，内部电路可能在这个期间被 ESD破坏，因此需要采取措施确保内部电路安全。方法一是加入第二级保

17、护电路以完成 SCR未开启时的ESD保护，同时该电路需在自身未受到ESD伤害前，促使SCR开通。这种方法的缺点是，设计条件较苛刻，同时会占 用额外的布局面积，无法完全发挥 SCR的优势。方法二是在 SCR元件结构中结合一个 short-channel的、NMOS元件，在 ESD来临时，该 NMOS会率先开启，并且促进 SCR开 启，整个结构的开启电压变降低到 MOS的开启电压，这种结构称为LVTSCR低开启电压(Low-Volt-age Triggering SCR，SCR)。图2中虚线是同工艺条件下，相同面积的 MOS的典型I-V特性。C点是MOS的起始 导通点，D点是第二次击穿点，D点的电

18、流值便是该 MOS，的ld（即lesd）。可见MOS比S CR容易开启，他的Id比SCR低，而且能够很容易的从 I-V曲线中读出。2. 2 LVTSCRLVTSCR结构示意图为图3所示，前面曾经提到，在此LVTSCR结构中，利用一个N MOS的漏极横跨在 P-substrate与N-well的节面上，这样便使SCR元件的起始导通电压下 降到短沟道的NMOS元件的击穿电压，即图2中c点附近。为了防止该LVTSCR元件在C MOS IC正常工作情形下被导通，其内含的短沟道 NMOS必须接地，以确保其关闭。2 . 3互补型的LVSCR上述结合了 short-channel的NMOS元件以降低其的开启

19、电压的 LVTSCR器件只适合 被安放在PAD到GND的放电路径上，就是说该结构只针对 PS-mode的ESD，缺乏对N D-mode的保护能力。如果在PAD到VDD的放电路径上添加内嵌 short-channel的PMOS 元件的 PLVTSCR(PMOS-Low-Voltage TriggeringSCR)，就可以针对 ND-mode 的 ESD 进 行保护。两者结合起来运用，便是一种互补式的 LVTSCR保护结构。由于 PLVTSCR与LVTSCR结构相似，故可采用与之类似的方法加以分析，在本文中不详细讨论。3结果与讨论前面已经提到，在迭代最开始的时候，可以认为 Vesd Id 1500

20、。Id是由I-V特性上最大的安全电流值。 电流超过这个值后， 该器件局部最高晶格温度超过材料熔点， 会产生不可恢复的损伤。但是仿真工具ISE-TCAD ,可以根据输入的激励和器件结构， 分析出器件最高的格点温度，只要在分析准静态 I-V特性的同时，加上器件最高的格点温度的分析，就能很方便的找出Id值。步骤如下：首先，根据一特定的工艺流程， 利用floops或者mdraw构造图3中LVTSCR的结构，floops是个工艺过程模拟软件， 他需要一些主要工艺流程的详细参数， 将这些工艺流程通过对应的命令描述语言输入， 仿真便可得到相应的结构。 一般的电路设计者无法获知详细的工艺过程参数，但是可以得到

21、工艺厂商提供的流程结果的参数。 其中详细地给出了主要流程的典型值和边缘值，如氧化层厚度，扩散结深度及方块电阻等， 设计者可以根据这些值， 结合工艺的DRC要求，采用mdraw绘制结构图，图4所示的结构即是使用 mdraw绘制而成。dessis是一个多维度的仿真器，用他可以进行器件级和电路级相混合的电路仿真，他集成了先进的物理模型和丰富的数理方法， 能够精确的仿真从深亚微米 MOS到大的双极型功率结构的一系列半导体器件。 使用dessis对ESD进行分析的时候，需要使用晶格自加热的漂移一扩散模型，需要考虑的效应有：高掺杂引起的本征载流子的浓度变化， 高掺杂下迁移率下降，高电场下迁移率饱和，硅与氧

22、化层界面迁移率下降， 高漏压下载流子碰撞电离引起的雪崩倍增对器件特性的影响，另外，还需计人带宽和有效态密度随温度的变化。 将该结构的纵向深度取为 1m,将阴极cathode和gate都接地，在阳极（anode）加入电压激励， 可得如图5中虚线所示的I-V特性曲线，横坐标为电压值，左边的纵坐标为电流值。 A点是开启点，开启的击穿电压降至约 9. 8V，与同尺寸的NMOS元件的击穿电压相近。可见，该结构的开启电压容易达到，可以不再需要额外的第二级 ESD防护电路就可以对内部电路进行保护。图5中的实线显示了器件的最高格点温度随电压的变化，横坐标为电压值，右边的纵 坐标为该结构中最高晶格温度值。器件的

23、失效发生在硅的熔点 1693 K，或者金属的熔点上2。由于对于金属的保护已经有比较成熟的理论，在此就不详细的讨论了。为了能够确保 保护器件的安全，设温度极限值为 1500 K，查看此温度条件下的电流值，为 0 . 06 A, （B点）也就是说，对面积为13卩m2（即1卩m仿真时的纵向默认值）X 13卩n该结构的剖面宽度） 的该结构长时间加入 0 . 06 A的电流激励，由于硅的自身散热机制，热平衡后，该硅片最 高的格点温度不超讨 1500 K。由于ESD失效电压Vesd Id X500，而这个电流值Id又与保护器件的有效面积成正比。所以，根据前面得出的电流值，可以估算在给定的失效电压下，该器件

24、所需的面积。以8 k 的 HBM 失效电压为例，Id = Vesd /1500 = 5. 33 A。是 0 . 06 A 的 88 倍，88X13（该 结构的剖面宽度）=1144 m2。对面积为1144 m2的该结构长时间加入 5. 33的电流激励， 由于硅的自身散热机制，热平衡后，该硅片最高的格点温度不超过 1500 K。这个面积值可以作为面积逼近时的初始值。接下来使用 Spice仿真 MIL-STD883 Method3015 . 7标准下8k ESD电压放电过程， 在dessis将该电流波形文件作为输入激励，加入到阳极。这样等效于有一个 8 kHBM源对该结构静电放电，同时设置器件的纵向

25、深度为 88m，仿真结果如图6所示，图中的实线显示了 ESD电流随时间的变化，图中的虚线显示了器件的格点温度随时问的变化， C点是格点温度的最高点，他出现在 5 e-8 s附近。如图6所示，该结构在8k ESD电压等效电流的冲击作用下，最高格点温度 （663 K）远低于危险值（1500 K），该LVTSCR结构是安全的。而该结构热衰减很快，当 2e-7s的时候，最高晶格温度几乎下降达到平衡值附近。 前面已经提到，HBM ESD模型是一种偶然的，频率不高的模型，与热衰减的频率相比，这个频率低的多，所以，可以近似的认为， ESD的冲击是一次性的行为。可以在确保图 6中的A点温度低于1500 K的条

26、件下进一步的缩小面积，仿真可得，当面积减小到 800卩m2时，A点移到1500 K。可见，当选定了工艺，明确了产品对 ESD保护要求的情况下，基于一个已有的 ESD保护电路结构，结合该工艺的 DRC要求，使用上述方法可以快速地逼近一个安全又高效率的面积参数。4结语在给定工艺，给定 ESD失效电压的情况下快速准确地完成 ESD保护电路设计是电路设计工程师的理想。本文使用仿真工具 ISE-TCAD分析和估算了 SCR结构ESD保护电路面积。这种方法对于其他结构的 ESD保护电路也同样适用，可以为电路设计工程师对保护电路结构和大小的选取提供指导，减少设计的循环次数，缩短设计的周期。本文来源：现代电子

27、技术 作者：向李艳邬齐荣龚敏陈畅ISE TCAD 部署和运行方法部署：1.拷贝文件夹ISE到C盘根目录下2.拷贝文件夹ISE_DATA到E盘根目录下3.根据环境变量.txt修改环境变量（点我的电脑”的属性”一一高级”一-环境变量）Path ;%TEC80HOME%BIN;C:ISEbin（系统变量中在变量 Path的已有值后加 “;TEC80HOME% bin ”） 环境变量中新定义：ISEDB E:ISE_DATAISERELEASE 7.0ISEROOT C:ISETEC80HOME C:ISETEC80FP_NO_HOST_CHECK NODISPLAY此电脑的主机名:0.0 （点 我的电脑”的属性”，点开 计算机名”，即可看到计算机名）4.导入所有注册表信息（双击regload文件）5.安装 Exceed 运行:1.启动 exceed2.启动C:ISEBINGENESISEe ，也可将其添加一个快捷方式