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1、电子技术基础维修电工中级资料电子技术基础(维修电工中级资料) 一、单项选择题 1用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K，说明该二极管( C )。 A、已经击穿 B、完好状态 C、内部老化不通 D、无法判断 2基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近( B )。 A、截止区 B、饱和区 C、死区 D、交越失真 3单相桥式整流电路的变压器二次侧电压为20伏，每个整流二极管所承受的最大反向电 压为( B )。 A、20V B、 28.28V C、40V D、56.56V 4信号发生器输出CMOS电平为( A )伏。 A、315 B、3 C、5 D、15 5一般三端集成稳压电路工

2、作时，要求输入电压比输出电压至少高( A )V。 A、2 B、3 C、4 D、1.5 6普通晶闸管边上P层的引出极是( D )。 A、漏极 B、阴极 C、门极 D、阳极 7单结晶体管的结构中有( B )个基极。 A、1 B、2 C、3 D、4 8固定偏置共射极放大电路，已知RB=300K，RC=4K，Vcc=12V，=50，则UCEQ 为( B )V 。 A、6 B、4 C、3 D、8 9分压式偏置共射放大电路，当温度升高时，其静态值IBQ会( B ) 。 A、增大 B、变小 C、不变 D、无法确定 10固定偏置共射放大电路出现截止失真，是( A )。 A、RB偏小 B、RB偏大 C、Rc偏小

3、 D、Rc偏大 11下列不是集成运放的非线性应用的是( C )。 A、过零比较器 B、滞回比较器 C、积分应用 D、比较器 12RC选频振荡电路，当电路发生谐振时，选频电路的幅值为( D )。 A、2 B、1 C、1/2 D、1/3 13LC选频振荡电路，当电路频率高于谐振频率时，电路性质为( C )。 A、电阻性 B、感性 C、容性 D、纯电容性 14下列逻辑门电路需要外接上拉电阻才能正常工作的是( D )。 A、与非门 B、或非门 C、与或非门 D、OC门 15单相半波可控整流电路中晶闸管所承受的最高电压是( A )。 A、1.414U2 B、0.707U2 C、U2 D、2U2 16单相

4、桥式可控整流电路电感性负载带续流二极管时，晶闸管的导通角为( A )。 A、180- B、90- C、90+ D、180+ 17单相桥式可控整流电路电阻性负载，晶闸管中的电流平均值是负载的( A )倍。 A、0.5 B、1 C、2 D、0.25 18( D )触发电路输出尖脉冲。 A、交流变频 B、脉冲变压器 C、集成 D、单结晶体管 19、若理想微分环节的输入为单位阶跃。则其输出单位阶跃响应时一个（） A.脉冲函数 B.一次函数 C.正弦函数 D.常数 20对于晶体管输出型PLC，要注意负载电源为( D )，并且不能超过额定值。 A、AC380V B、AC220V C、DC220V D、DC

5、24V 21处于截止状态的三极管，其工作状态为( B )。 A、射结正偏，集电结反偏 B、射结反偏，集电结反偏 C、射结正偏，集电结正偏 D、射结反偏，集电结正偏 22收音机发出的交流声属于( C )。 A、机械噪声 B、气体动力噪声 C、电磁噪声 D、电力噪声 23直流单臂电桥使用( C )伏直流电源。 A、6 B、5 C、4.5 D、3 24直流双臂电桥为了减少接线及接触电阻的影响，在接线时要求( A )。 A、电流端在电位端外侧 B、电流端在电位端内侧 C、电流端在电阻端外侧 D、电流端在电阻端内侧 25直流双臂电桥的测量具有( D )的特点。 A、电流小、电源容量大 B、电流小、电源容

6、量小 C、电流大、电源容量小 D、电流大、电源容量大 26示波器中的( B )经过偏转板时产生偏移。 A、电荷 B、高速电子束 C、电压 D、电流 27数字存储示波器的带宽最好是测试信号带宽的( D )倍。 A、3 B、4 C、6 D、5 28三端集成稳压电路W317，其输出电压范围为( A )V。 A、1.2537 B、17 C、7 D、6 29符合有“1”得“1”，全“0”得“0”的逻辑关系的逻辑门是( A )。 A、或门 B、与门 C、非门 D、与非门 30晶闸管型号KS20-8中的S表示( B )。 A、双层 B、双向 C、三层 D、三极 31普通晶闸管的额定电流是以工频正弦半波电流的

7、( D )来表示的。 A、最小值 B、最大值 C、有效值 D、平均值 32一只100A的双向晶闸管可以用两只( D )的普通晶闸管反并联来代替。 A、100A B、90A C、50A D、45A 33单结晶体管发射极的文字符号是( C )。 A、C B、D C、E D、F 34集成运放通常有( B )部分组成。 A、3 B、4 C、5 D、6 35集成运放共模抑制比通常在( C )dB。 A、60 B、80 C、80110 D、100 36固定偏置共射极放大电路，已知RB=300K，RC=4K，Vcc=12V，=50，则IBQ为 ( A )。 A、40A B、30A C、40mA D、10A

8、37分压式偏置共射放大电路，稳定工作点效果受( C )影响。 A、Rc B、RB C、RE D、Ucc 38共射极放大电路的输出电阻比共基极放大电路的输出电阻是( C )。 A、大 B、小 C、相等 D、不定 39容易产生零点漂移的耦合方式是( C )。 A、阻容耦合 B、变压器耦合 C、直接耦合 D、电感耦合 40要稳定输出电流，增大电路输入电阻应选用( C )负反馈。 A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联 41RC选频振荡电路，能产生电路振荡的放大电路的放大倍数至少为( B )。 A、10 B、3 C、5 D、20 42LC选频振荡电路达到谐振时，选频电路的相位移为( A

9、 )度。 A、0 B、90 C、180 D、-90 43串联型稳压电路的调整管工作在( A )状态。 A、放大 B、饱和 C、截止 D、导通 44CW78L05型三端集成稳压器件的输出电压及最大输出电流分别为( B )。 A、5V、1A B、5V、0.1A C、5V、0.5A D、5V、1.5A 45单相半波可控整流电路电阻性负载，( B )的移相范围是0180。 A、整流角 B、控制角 C、补偿角 D、逆变角 46单相半波可控整流电路的电源电压为220V，晶闸管的额定电压要留2倍裕量，则需选 购( D )的晶闸管。 A、250V B、300V C、500V D、700V 47单结晶体管触发电

10、路输出( B )。 A、双脉冲 B、尖脉冲 C、单脉冲 D、宽脉冲 48晶闸管电路中采用( C )的方法来防止电流尖峰。 A、串联小电容 B、并联小电容 C、串联小电感 D、并联小电感 49晶闸管两端并联压敏电阻的目的是实现( D )。 A、防止冲击电流 B、防止冲击电压 C、过流保护 D、过压保护 50.晶闸管型号KP20-8中的K表示( D )。 (A)国家代号 (B)开关 (C)快速 (D)晶闸管 51.普通晶闸管中间P层的引出极是( C )。 (A)漏极 (B)阴极 (C)门极 (D)阳极 52、积分集成运放电路反馈元件采用的是（C）元件。 A、电阻 B、电感 C、电容 D、二极管 5

11、3、滞回比较器的比较电压是（B）。 A、固定的 B、随输出电压而变化 C、输出电压可正可负 D、与输出电压无关 54、组合逻辑电路的设计是（C）。 A、根据已有电路图进行分析 B、找出对应的输入条件 C、根据逻辑结果进行分析 D、画出对应的输出时序图 55、555定时器构成的单稳态触发器单稳态脉宽由（C）决定。 A、输入信号 B、输出信号 C、电路电阻及电容 D、555定时器结构 56、当74LS94的控制信号为00式时，该集成移位寄存器处于（C）状态。 A、左移 B、右移 C、保持 D、并行置数 57、当74LS94的Q3经非门的输出与Sr相连时，电路实现的功能为（B）。 A、左移环形计数器

12、 B、右移扭环形计数器 C、保持 D、并行置数 58、集成显示译码器是按（C）来显示的。 A、高电平 B、低电平 C、字型 D、低阻 59、集成译码器74LS47可点亮（B）显示器。 A、共阴七段 B、共阳七段 C、液晶 D、等离子 60、集成计数器74LS161是（A）计数器。 A、二进制同步可预置 B、二进制异步可预置 C、二进制同步可清零 D、二进制异步可清零 61、一片集成二一十进制计数器74LS90可构成（A）进制计数器。 A、2至10间德 任意 B、5、 C、10 D、2 62、集成运放电路（A），会损坏运放。 A、输出负载过大 B、输出端开路 C、输出负载过小 D、输出端与输入端

13、直接相连 63、集成运放电路的输出端外接（D）防止负载过大而损坏器件。 A、三极管 B、二极管 C、场效应管 D、反串稳压管 64、集成与非门的多余引脚（C）时，与非门被封锁。 A、悬空 B、接高电平 C、接低电平 D、并接 65.78及79系列三端集成稳压电路的封装通常采用( A )。 (A)TO-220、TO-202 (B)TO-110、TO-202 (C)TO-220、TO-101 (D)TO-110、TO-220 66、集成与非门被封锁，应检查其多余引脚是否接了（C）。 A、悬空 B、高电平 C、低电平 D、并接 67、可控RS触发器，易在CP=1期间出现（D）现象。 A、翻转 B、置

14、零 C、置1 D、空翻 68.符合有“1”得“0”，全“0”得“1”的逻辑关系的逻辑门是( D )。 (A)或门 (B)与门 (C)非门 (D)或非门 69、JK触发器，当JK为（B）时，触发器处于置零状态。 A、00 B、01 C、10 D、11 70.普通晶闸管的额定正向平均电流是以工频( C )电流的平均值来表示的。 (A)三角波 (B)方波 (C)正弦半波 (D)正弦全波 71.单相桥式可控整流电路中，控制角越大，输出电压Ud( B )。 (A)越大 (B)越小 (C)为零 (D)越负 72基极电流 iB的数值较大时，易引起静态工作点 Q 接近( B )。 A、截止区 B、饱和区 C、

15、死区 D、交越失真 73信号发生器输出 CMOS 电平为( A )伏。 A、315 B、3 C、5 D、15 74普通晶闸管边上 P 层的引出极是( D )。 A、漏极、 B、阴极 C、门极 D、阳极 75CW7806 的输出电压、最大输出电流为( A )伏。 A、6V、1.5A B、6V、1A C、6V、0.5A D、6V、0.1A 76 如图所示，IS= 5A，当US单独作用时，I1 = 3A，当IS 和US共同作用时I1 为( B )。 A、2A B、1A C、0A D、3A 77面接触型二极管应用于( B )。 A、整流 B、稳压 C、开关 D、光敏 78当二极管外加电压时，反向电流很

16、小，且不随( D )变化。 A、正向电流 B、正向电压 C、电压 D、反向电压 79 三极管的f高于等于( C )为高频管。 A、1MHz B、2MHz C、3MHz D、4MHz 80射极输出器的输出电阻小，说明该电路的( A )。 A、带负载能力强 B、带负载能力差 C、减轻前级或信号源负荷 D、取信号能力强 81根据仪表取得读数的方法可分为( D )。 A、指针式 B、数字式 C、记录式 D、以上都是 82验电笔在使用时( C )手接触笔尖金属探头。 A、提倡用 B、必须用 C、不能用 D、可以用 83下面适合于制造电阻器的材料是( D )。 A、金 B、银 C、铝 D、康铜 84电阻器

17、可分为实芯电阻器、线绕电阻器及( A )。 A、非线绕电阻器 B、合金型电阻器 C、非金属膜电阻器 D、合成型电阻器 85电阻器上标注的符号为3R9 的含义是( A )。 A、3.9 欧姆 B、39 欧姆 C、0.39 欧姆 D、390 欧姆 86电感元件的型号一般由主称、特征、型式等( B )部分组成。 A、3 B、4 C、5 D、2 87在100 兆赫兹以上时一般不能用( B )线圈。 A、空芯 B、铁氧体 C、胶木 D、塑料 88下列哪种电容器不属于有机介质电容器( D )。 A、涤纶介质电容器 B、聚苯乙烯介质电容器 C、漆膜介质电容器 D、独石电容器 89在高温下工作，应采用( D

18、)。 A、瓷介电容器 B、电解电容器 C、云母电容器 D、玻璃电容器 90二极管的最大特点是( D )。 A、开关 B、发 光 C、稳压 D、单向导电 91锗二极管的正向导通电压为( A )。 A、0.3V 左右 B、0.6V 左右 C、0.8V 左右 D、0.7V 左右 92检波二极管属于( A )二极管。 A、开关型 B、整流型 C、微波型 D、变容型 93三极管的封装可分为( A )。 A、塑料、金属 B、金属、橡胶 C、橡胶 D、陶瓷 94集电极最大允许功率损耗，其大小决定于集电结的最高( C )。 A、电压 B、电流 C、温度 D、功率 95按三极管的用处来分，三极管可分为( A )

19、。 A、放大管、检波管、开关管等 B、放大管、整流管、开关管等 C、放大管、稳压管、开关管等 D、截止、检波管、开关管等 96对于1W 以下的中小三极管，可用万用表的( D )挡测量。 A、R1 或R10 B、R100 或R10 C、R1 或R1K D、R100 或R1K 97相同用电功率的内热式电烙铁比外热式电烙铁的发热功率( A )。 A、大 B、小 C、相等 D、不好定 98一般印制电路板、安装导线应选用电烙铁的烙铁头温度为( A )。 A、300400 B、300 C、400 D、400500 99电烙铁长时间通电而不使用，易造成电烙铁的( D )。 A、电烙铁芯加速氧化而烧断 B、烙

20、铁头长时间加热而氧化 C、烙铁头被烧“死”不再“吃锡” D、以上都是 100焊锡配比为35%的锡、42%的铅、23%的铋的熔点温度为( A )度。 A、150 B、200 C、180 D、240 101焊锡丝成份一般是锡含量为( C )的铅锡合金。 A、50%60% B、40%50% C、60%65% D、70%75% 102下列不属于助焊剂的特性为( D )。 A、去除氧化膜并防止氧化 B、辅助热传导 C、降低金属表面张力 D、使焊点失去光泽 103当松香被加热到( C )度以上或经过反复加热，会成为黑色的固体，失去化学活性。 A、200 B、250 C、300 D、400 104PN 结正

21、偏的特性是( A )。 A、正偏电阻小、正偏电流大 B、正偏电阻大、正偏电流大 C、正偏电阻小、正偏电流小 D、正偏电大、正偏电流小 105( B )是工作在反偏状态，由PN 结电容的变化而工作。 A、开关二极管 B、变容二极管 C、稳压二极管 D、检波二极管 1062DW7A 表示的是( B )二极管。 A、发光 B、稳压 C、光敏 D、变容 1073AG53A 表示的是( A )三极管。 A、高频小功率 B、高频大功率 C、低频小功率 D、低频大功率 108单相整流电路负载上到的电压是( C )。 A、恒定直流电 B、交流电 C、脉动直流电 D、恒定交流电 109单相桥式整流电路输出电压的

22、波形为( D )。 A、正弦波 B、三角波 C、双向脉冲波 D、单向脉冲波 110已知电源变压器的副边电压为20 伏，现采用单相桥式整流电路，则负载上可得到( C ) 伏电压。 A、10 B、9 C、18 D、20 111电容滤波电路一般采用大容量的( A )电容器。 A、电解 B、陶瓷 C、云母 D、金属化纸介 112电容滤波电路中的整流元件导通时间变( B )。 A、长 B、短 C、不变 D、不定 113一单相桥式整流电容滤波电路，已知电源变压器的副边电压为10 伏，则该电路能输 出( D )伏电压。 A、9 B、4.5 C、10 D、12 114( B )电路适合负载变化大，电流大的场合

23、。 A、电容滤波 B、电感滤波 C、RC型滤波 D、CL型滤波 115电感滤波电路的整流元件的电压波形与负载的电压波形( B )。 A、相同 B、不同 C、近似 D、无关 116一单相半波整流电感滤波电路，已知负载的直流电压为4.5，则该电路电源变压器的 副边电压值为( A )伏。 A、10 B、20 C、5 D、15 117稳压管稳压电路必须串有一个阻值合适的( A )电阻。 A、限流调压 B、降压 C、限流 D、稳压 118如图所示，已知稳压管的稳定电压均为5.3V，稳压管正向导通时的管压降为0.7V， 则输出电压为( B )伏。 A、5.3 B、1.4 C、10.6 D、6 119单管电

24、压放大电路动态分析时的电压放大过程，放大电路在直流电源和交流信号的作 用下，电路中( C )既有直流分量，又有交流分量。 A、电阻 B、电容 C、电流和电压 D、三极管 120. 如图所示，已知Vcc=15V，RC=4K，RB=400K,=40，则ICQ 为( A )。 A、4mA B、3mA C、2mA D、5mA 121若反馈到输入端的直流电压，与原输入信息接在不同端，且削弱输入信息，则该电路 的反馈类型是( A )。 A、电压串联 B、电压并联 C、电流并联 D、电流串联 122若反馈到输入端的交流电压，与原输入信息接在不同端，且削弱输入信息，则该电路 的反馈类型是( A )。 A、电压

25、串联 B、电压并联 C、电流并联 D、电流串联123交流负反馈可以改善交流指标，若要稳定输出电压，增大输入电阻，则应引入( A ) 负反馈。 A、电压串联 B、电压并联 C、电流并联 D、电流串联 124串联型稳压电路中的调整管工作在( A )状态。 A、放大 B、饱和 C、截止 D、开关 125电池充电器的电源变压器的指标为( A )。 A、10W、副边电压1015 V 左右 B、10W、副边电压20V 左右 C、20W、副边电压1015 V 左右 D、30W、副边电压20 V 左右 126电池充电器充电时间的计算为( A )。 A、电池容量除以充电电流 B、电容充电时间常数的3 倍 C、与

26、充电电流大小无关 D、与所加电源电压无关 127电焊变压器允许负载端( A )。 A、短时间短路 B、长时间短路 C、接灯泡 D、接电动机 128电容器上标注的符号224 表示其容量为22104( D )。 A、F B、F C、mF D、pF 129 基极电流iB 的数值较大时，易引起静态工作点Q 接近( B )。 A、截止区 B、饱和区 C、死区 D、交越失真 130如图所示，该电路的反馈类型为（ B ）。 A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 131电阻器按结构形式可分为：圆柱型、管型、圆盘型及( A )。 A、平面片状 B、直线型 C、L 型 D

27、、T 型 132应用于自感作用的电感线圈主要用于( A )等电路。 A、滤波器、振荡电路、去耦 B、滤波电路、耦合电路、消磁电路 C、振荡电路、放大电路 D、滤波电路、放大电路 133电容器按结构分为( D )。 A、固定电容 B、半可变电容 C、可变电容 D、以上都是 134二极管是由( A )、电极引线以及外壳封装构成的。 A、一个PN 结 B、P 型半导体 C、N 型半导体 D、本征半导体 135硅二极管的正向导通电压为( B )。 A、0.3V 左右 B、0.7V 左右 C、0.1V 左右 D、0.4V 左右 136特殊二极管有( A )。 A、变容二极管、雪崩二极管、发光二极管、光电

28、二极管等 B、整流二极管、变容二极管、雪崩二极管、发光二极管等 C、开关二极管、雪崩二极管、发光二极管、光电二极管等 D、变容二极管、普通二极管、发光二极管、光电二极管等 137可以用( C )来测试二极管的极性及质量。 A、电压表 B、电流表 C、万用表 D、_G_G_功率表 138绝缘栅型场效应管可分为( A )。 A、N 沟道耗尽型、P 沟道耗尽型、N 沟道增强型、P 沟道增强型 B、N 沟道增强型、P 沟道耗尽型 C、N 沟道耗尽型、P 沟道耗尽型 D、N 沟道增强型、P 沟道增强型 139场效应管可应用于( A )。 A、定时器电路、有源滤波器 B、整流电路、放大电路 C、滤波电路、

29、整流电路 D、小规模集成电路、开关电路 140电子焊接的焊点要避免出现( D )。 A、虚焊 B、漏焊 C、桥接 D、以上都是 141电烙铁的烙铁芯是将( D )电阻丝缠绕在两层陶瓷管之间，再经过烧结制成的。 A、铜 B、钢 C、铁 D、镍铬 142当采用握笔法时，( A )的电烙铁使用起来比较灵活。适合在元器件较多的电路中进 行焊接。 A、直烙铁头 B、C 型烙铁头 C、弯烙铁头 D、D 型烙铁头 143焊锡配比为50%的锡、32%的铅、18%的镉的熔点温度为( A )度。 A、145 B、180 C、200 D、260 144为使焊锡获得强度增大，熔点降低，可以摻入少量( D )。 A、铜

30、 B、铁 C、锌 D、银 145下列不属于松香的特性为( A )。 A、在常温下具有很好的活性 B、液态松香具有一定酸性 C、增加流动性 D、松香变成固体时，无腐蚀性 146.( A )的松香不仅不能起到帮助焊接的作用，还会降低焊点的质量。 A、炭化发黑 B、固体 C、液态 D、溶于酒精 147PN 结具有( C )特性。 A、正偏 B、反偏 C、单向 D、双向 148锗管的正偏导通电压为( A )伏左右。 A、0.3 B、0.7 C、1 D、0.8 1491N4007 中的“1”表示含义为( A )的数量。 A、PN 结 B、P 型半导体 C、N 型半导体 D、管子封装材料 150光敏二极管是将光能转换为电能，其应工作在( B )状态。 A、正偏 B、反偏 C、饱和 D、截止 151晶体管工作在( A )状态时，发射结正偏，集电结反偏。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、失真 152单相半波整流电路输出电压的