模拟电子技术基础李国丽第一章习题答案.docx

1、模拟电子技术基础李国丽第一章习题答案半导体二极管自我检测题一.选择和填空1.纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。2 .在本征半导体中，空穴浓度 C电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度 B电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度 A电子浓度。（A.大于，B.小于，C.等于）3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 上,而少数载流子的浓度与 A关系十分密切。（A.温度，B.掺杂工艺，C.杂质浓度）4.当PN结外加正向电压时，扩散电流 A漂移电流，耗尽层 E ;当PN结外加反 向电压时，扩散电流B漂移电流，耗尽层D 。（A.大于，B

2、.小于，C.等于，D.变宽，E.变窄，F不变）5 .二极管实际就是一个 PN结，PN结具有 单向导电性，即处于正向偏置时，处于导通 状态;反向偏置时，处于截止状态。6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为B ,反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为 _A_,反向电流一般_D_。（A . 0.1 0.3V , B. 0.60.8V, C.小于 1 口A , D.大于 VA ）7.已知某二极管在温度为 25 C时的伏安特性如图选择题 7中实线所示,在温度为T1时的伏安特性如图中虚线所示 。在25C时，该二极管的死区电压为 0.5伏，反向击穿电压为 160 伏，反向电流为10-6安

3、培。温度Ti小于 25 C。（大于、小于、等于）图选择题7v8. PN结的特性方程是i =ls（eVT -1）。普通二极管工作在特性曲线的正向区;稳压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。二.判断题（正确的在括号内画V；错误的画X）型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。型半导体带正电型半导体带负电。PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。由于PN结交界面两边存在电位差 ，所以当把PN结两端短路时就有电流流过 。6. PN结方程既描写了 PN结的正向特性和反向特性，又描写了 PN结的反向击穿特7 .稳压管是一种特殊的二

4、极管 ，它通常工作在反向击穿状态 （2 ）,它不允许工作 在正向导通状态 （X）。习题1.1图题1.1各电路中，Vi =5Sin3t（V）,忽略D的导通压降和死区电压 ，画出各电路相 应的输出电压波形。V。VibV。解：(a)Id10VVi10V+Rd Vof 0+rlDVo图题VoCtOt图中，Vi0时，二极管截止，Vo=0 ； ViVb，所以Di导通(b) V(1O；223 -15i448VVb5赤Va cVb，所以D2截止1.7设图题1.7中二极管的导通压降为 O.7V，判断图中各二极管是否导通，并求出Vo的值。图题1.7解：先假设所有二极管都截止，看哪个二极管的正偏电压高 ，先导通。(

5、a)图中，Vdi =0-(-6) =6VVd2 =3-(-6) =9V所以，D2 先导通，导通后 Vo = 3-O.7=2.3V , Vdi =0 _2.3 =-2.3V Di 截止。(b)图中,Vdi =-(-6) =1VVd2 +Vd3 +Vd4 =6V所以，D2D4先导通，则 Vd1 =-5(2.1) =-2.9V , D1 截止，Vo=- 1.4VId的值。图题1.8解：将二极管以外的电路进行戴维宁等效VeqReq =32 +33 =1.62kQ所以1.9值。解：Veq 2 坪+3+(2 +3 3) 3+3 (2+3)Veq -0.7已知图题1.9电路中稳压管51OQo Q-+2OVD

6、z2(b)1.105V、3V，390cQ2 3 x3(2 +3) =3.69V二 2+3s：1.85mAReqDzi和Dz2的稳定电压分别为 5V和9V,求电压Vo的51OQ0 O-+Dzi2OVDz1Vo图题1.9(a)图中Dzi、Dz2均工作于稳压状态，V) =95 = 4Va 390。e+VoDzi工作于稳压状态，Dz2工作于反向截止区，所以Dz2支路的电流近似为零已知图题1.10所示电路中，Vj =9sinOSt(V)，稳压管Dz1、Dz2的稳定电压分别为正向导通压降均为 0.7V。试画出图题1.10Vo的波形。解：v正半周时，Dzi承受正向压降，Dz2承受反向压降，在Vdz2=3V之前，Dz2反向 截止，iD=O, Vo= Vi; Vi 上升到 Vdz2=3V 之后，Dz2 击穿，Vo=3.7V ;v负半周时，Dz2承受正向压降，Dzi承受反向压降，在Vdzi=5V之前，Dzi反向截止，iD=O , vo= Vi； Vi 反向电压达到 Vdzi =5V 之后，Dzi 击穿，Vo= 5.7V ;