国外集成电路命名方法.docx

1、国外集成电路命名方法国外集成电路命名方法 上来源：源信丰 时间：2008-12-26 器件型号举例说明( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)AM29L509PCBAMD首标器件编号封装形式温度范围分类L：低功耗；D：铜焊双列直插C：商用温度，没有标志的S：肖特基；（多层陶瓷）；（0-70）或为标准加工LS：低功耗肖特基；L：无引线芯片载体：（0-75）；产品，标有21：MOS存储器；P：塑料双列直插；M：军用温度，B的为已25：中规范（MSI）；E：扁平封装（陶瓷扁平）；（-55-125）；老化产品。26：计算机接口；X：管芯；H：商用，27：双极存储器或EPROM ；A：塑料球栅

2、阵列；（0-110）；28：MOS存储器理；B：塑料芯片载体I：工业用，29：双极微处理器；C、D：密封双列；（-4085 ）；54/74：同25；E：薄的小引线封装；N：工业用，60、61、66：模拟，双极；G：陶瓷针栅陈列；（-2585）；79：电信；Z、Y、U、K、H：塑料K：特殊军用，80：MOS微处理器；四面引线扁平；（-30125）；81、82：MOS和双极处围电路；J：塑料芯片载体（PLCC）；L：限制军用，90：MOS；L：陶瓷芯片载体（LCC）；（-55-85）91：MOS RAM：V、M：薄的四面125。92：MOS；引线扁平；93：双极逻辑存储器P、R：塑料双列；94：M

3、OS；S：塑料小引线封装；95：MOS外围电路；W：晶片；1004：ECL存储器；也用别的厂家的符号：104：ECL存储器；P：塑料双列；PAL：可编程逻辑陈列；NS、N：塑料双列；98：EEPROM；JS、J：密封双列；99：CMOS存储器。W：扁平；R：陶瓷芯片载体；A：陶瓷针栅陈列；NG：塑料四面引线扁平；Q、QS：陶瓷双列。器件型号举例说明( 缩写字符：ANA 译名：模拟器件公司（美）)AD 644ASH/883BANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD：模拟器件编号A：第二代产品；I、J、K、L、M：D：陶瓷或金属气MIL-STD-HA：混合DI：介质隔离产（0-70）；密

4、双列封装883B级。A/D；品；A、B、C：（多层陶瓷）；HD：混合Z：工作在+12V（-25-85）；E：芯片载体；D/A。的产品。（E：ECL）S、T、U：F：陶瓷扁平；（-55-125）。G：PGA封装（针栅阵列）；H：金属圆壳气密封装；M：金属壳双列密封计算机部件；N：塑料双列直插；Q：陶瓷浸渍双列（黑陶瓷）；CHIPS：单片的芯片。同时采用其它厂家编号出厂产品。通用器件型号举例说明(缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）)ADC803XXXX首标器件编号通用资料温度范围封装筛选水平A：:改进参数性能；J、K、L：M：铜焊的金属壳封装；Q：高可L：自销型；（0-70）；L：陶瓷芯

5、片载体；靠产品；Z：+ 12V电源工作；A、B、C：N：塑料芯片载体；/QM：HT：宽温度范围。（-25-85）；P：塑封（双列）；MILR、S、T、V：H：铜焊的陶瓷封装STD（-55-125）。（双列）；883产品。G：普通陶瓷（双列）；U：小引线封装。模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）)-XXX首标器件编号温度范围封装筛选水平H、J、K、L：M：铜焊金属壳封装；Q：高可靠产品；（0-70）；P：塑封；/QM：MIL-STD-A、B、C：（-25-85）；G：陶瓷。883产品。R、S、T、V：（-55-125）。军用器件产品型号举例说明（放大器/多路转

6、换器/ADC/VFC）OPA105 XM/XXX首标器件编号温度范围封装高可靠性等级V：（-55-125）；M：金属的；MIL-STD-883B。U：（-25-85）；L：芯片载体。W：（-55-125）。DAC的型号举例说明DAC87XXXXX/XXX首标器件编号温度范围输入代码输出MIL-STD-883B表示V:(-55-125)；CBI：互补二进制V：电压输出；U：（-25-85）。输入；I：电流输出。COB：互补余码补偿二进制输入；CSB：互补直接二进制输入；CTC：互补的两余码输入。首标的意义：放大器转换器ADC：A/D转换器；OPA：运算放大器；ADS：有采样/保持的A/D转换器；

7、INA：仪用放大器；DAC：D/A转换器；PGA：可编程控增益放大器；MPC：多路转换器；ISO：隔离放大器。PCM：音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器。模拟函数MFC：多功能转换器；SDM：系统数据模块；MPY：乘法器；SHC：采样/保持电路。DIV：除法器；LOG：对数放大器。混杂电路PWS：电源（DC/DC转换器）；PWR：电源（同上）；频率产品VFC：电压-频率转换器；REF：基准电压源；UAF：通用有源滤波器。XTR：发射机；RCV：接收机。器件型号举例说明( 缩写字符：CYSC 译名：丝柏（CYPRESS）半导体有限公司 )CY7C128-45 CMB首标系列及速度封装温度范

8、围加工器件编号B：塑料针栅阵列；C：（0-70）；B：高可靠。D：陶瓷双列；L：（-40-85） ；F：扁平；M：（-55-125）。G：针栅阵列（PGA）；H：密封的LCC（芯片载体）；J：PLCC（密封芯片载体）；K：CERPAK；L：LCC；P：塑封；Q：LCC；R：PGA ；S：小引线封装（SOIC）；T：CERPAK；V：SOJ ；W：CERDIP（陶瓷双列）；X：小方块（dice）；HD：密封双列；HV：密封直立双列；PF：塑料扁平单列(SIP) ；PS：塑料单列（SIP）；PZ：塑料ZIP。缩写字符：FSC 译名：仙童公司（美）A741TCFSC首标器件封装形式温度范围F：仙童（

9、快捷）电路编号D：密封陶瓷双列封装C：商用温度（0-70/75）；SH：混合电路；（多层陶瓷双列）；CMOS：（-40-85）A：线性电路。E：塑料圆壳；M：军用温度（-55-125）F：密封扁平封装（陶瓷扁平）；L：MOS电路（-55-85）；H：金属圆壳封装；混合电路（-20-85）；J：铜焊双列封装（TO-66）；V：工业用温度（-20-85），K：金属功率封装（TO-3）（-40-85） 。（金属菱形）；P：塑料双列直插封装；R：密封陶瓷8线双列封装；S：混合电路金属封装（陶瓷双列，F6800系列）；T：塑料8线双列直插封装；U：塑料功率封装（TO-220）；U1：塑料功率封装；W：塑

10、封（TO-92）；SP：细长的塑料双列；SD：细长的陶瓷双列；L：陶瓷芯片载体；Q：塑料芯片载体；S：小引线封装（SOIC）。该公司与NSC合作，专门生产数字集成电路。除原有的54/74TTL、HTTL、STTL、LSTTL、ASTTL、ALSTTL、FAST等外，还有CMOS的FACT，内含54/74AC、ACT、ACQ、ACTQ、FCT等系列。缩写字符：HAS 译名：哈里斯公司（美）HM16508B2HAS系列封装器件种类/产品温度范围音标A：模拟电路；0：芯片编号等级种类:1:(-55-200)；C：通信电路；1：陶瓷双列;COMS:2:(-55-125) ；D：数字电路；1B：铜焊的陶

11、瓷双列；A:10V类;4:（-25-85）；F：滤波器；2：金属圆壳(TO-5);B:高速-低功耗;5：（0-75）；I：接口电路；3：环氧树脂双列;D:商用的; 没标6：100%25抽测M：存储器；4：芯片载体;的为一般产品。（小批）；V：高压模拟电路；4P：塑料芯片载体；双极:7：表示5温度范围PL：可编程逻辑；5：LCC混合电路A:再设计,双金属的的高可靠产品；Y：多片组合电路。(陶瓷衬底);P:有功率降额选择的;8：MIL-STD-883B产品；7：小型陶瓷双列；R:锁定输出的;9：（-40-85）；9：扁平封装。RP:有功率降额限9+：（-40-85），制的锁定输出已老化产品；没标的

12、为一般产品.RH：抗辐射产品。产品等级:A:高速;B:甚高速;没标的为一般速度.部分器件编号：0：二极管矩阵；61：微处理器；63：CMOS ROM；64：CMOS接口；65：CMOS RAM；66；CMOS PROM；67：COMS EPROM；76；双极 PROM；77：可编程逻辑。国外集成电路命名方法 中来源：源信丰 时间：2008-12-26 缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）器件型号举例说明MC1458P首标器件编号封装MC：有封装的IC；15001599；L：陶瓷双列直插（14或16线）；MCC：IC芯片；（-55125）军用线性U：陶瓷封装；MFC：低价塑封功能电路；电

13、路；G：金属壳TO-5型；MCBC：梁式引线的IC芯片；14001499、34003499：R：金属功率型封装TO-66型；MCB：扁平封装的梁式引线IC；（070）线性电路；K：金属功率型TO-3封装；MCCF：倒装的线性电路；13001399、33003399：F：陶瓷扁平封装；MLM：与NSC线性电路消费工业线性电路。T：塑封TO-220型；引线一致的电路；P：塑封双列；MCH：密封的混合电路；P1：8线性塑封双列直插；MHP：塑封的混合电路；P2：14线塑料封双列直插；MCM：集成存储器；PQ：参差引线塑封双列MMS：存储器系统。（仅消费类器件）封装；SOIC：小引线双列封装。与封装标

14、志一起的尚有：C：表示温度或性能的符号；A：表示改进型的符号。缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明MP4136CYMPS器件编号分档和温度范围D：陶瓷及陶瓷浸渍双列； R：SOIC（8 线）首标（用文字和J、K、L：商用/工业用N：塑封双列及TO-92； S：SOIC；数字表示）温度；Y：14线陶瓷双列； L：LCC；S、T、U：军用温度。Z：8线陶瓷双列； G：PGA；J：TO-99封装； Q：QFP；T：TO-52封装； CHIP：芯片或小片。P：8线塑封双列及PLCC；K、H、M：TO-100型封装。同时生产其它厂家相同型号的产品。缩写字符：NECJ 译名：日本电

15、气公司（日）NECE 日本电气公司美国电子公司（美） 器件型号举例说明PD7220DNEC首标系列器件编号封装A：混合元件；A：金属壳类似TO-5型封装；B：双极数字电路；B：陶瓷扁平封装；C：双极模拟电路；C：塑封双列；D：单极型数字电路D：陶瓷双列；（MOS）。G：塑封扁平；H：塑封单列直插；J：塑封类似TO-92型；M：芯片载体；0V：立式的双列直插封装；L：塑料芯片载体；K：陶瓷芯片载体；E：陶瓷背的双列直插。缩写字符：NSC 译名：国家半导体公司（美）器件型号举例说明LM101AF系列器件编号封装AD：模拟对数字；（用3、4或5位数字符号表示）D：玻璃/金属双列直插；AH：模拟混合；

16、A：表示改进规范的；F：玻璃/金属扁平；AM：模拟单片；C：表示商业用的温度范围。H：TO-5（TO99，TO-100，TO-46）；CD：CMOS数字；其中线性电路的1、2、3J：低温玻璃双列直插（黑陶瓷）；DA：数字对模拟；表示三种温度，分别为：K：TO-3（钢的）；DM：数字单片；（-55125）KC：TO-3（铝的）；LF：线性FET；（-2585）N：塑封双列直插；LH：线性混合；（070）。P：TO-202（D-40，耐热的）；LM：线性单片；S：SGS型功率双列直插；LP：线性低功耗；T：TO-220型；LMC：CMOS线性；W：低温玻璃扁平封装（黑瓷扁平）；LX：传感器；Z：T

17、O-92型；MM：MOS单片；E：陶瓷芯片载体；TBA：线性单片；Q：塑料芯片载体；NMC：MOS存储器。M：小引线封装；L：陶瓷芯片载体。该公司同时生产其它厂家相同型号的产品。缩写字符：PHIN 译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明MAB8400-A-DP系列温度范围器件表示两层意义封装（用两位符号表示）A：没规定范围编号第一层表示改进型；（用两位符号表示）1.数字电路用两B：（070）第二层表示封装；第一位表示封装形式：符号区别系列。C：（-55125）C：圆壳；C：圆壳封装；2 .单片电路用两D：（-2570）D：陶瓷双列；D：双列直插；符号表示。E：（-2585）F：扁平封装；E：

18、功率双列（带散热片）；第一符号：F：（-4085）P：塑料双列；F：扁平（两边引线）；S：数字电路；G：（-5585）Q：四列封装；G：扁平（四边引线）；T：模拟电路；如果器件是在别U：芯片。K：菱形（TO-3系列）；U：模拟/数字混合电路。的温度范围，可M：多列引线（双、三、四第二符号：不标，亦可标A列除外）；除H表示混合电路Q：四列直插；外，其它无规定；R：功率四列（外散热片）；3.微机电路用两位符号S：单列直插；表示。T：三列直插。MA：微计算机和CPU；第二位表示封装材料：MB：位片式处理器；C：金属-陶瓷；MD：存储器有关电路；G：玻璃-陶瓷（陶瓷浸渍）；ME：其它有关电路（接M：金

19、属；口，时钟，外围控P：塑料。制，传感器等）。（半字符以防与前符号混淆）该公司同时生产与其它厂家相同型号的产品。缩写字符：PMI 译名：精密单片公司（美）器件型号举例说明DAC08EX器件系列器件电特性等级封装ADC：A/D转换器；编号H：6线圆壳TO-78；AMP：测量放大器；J：8线圆壳TO-99；BUF： 缓冲器（电压跟随器）；K：10线圆壳TO-100；CMP：电压比较器；P：环氧树脂双列直插；DAC：D/A转换器；Q：16线陶瓷双列；DMX：信号分离器；R：20线陶瓷双列；FLT：滤波器；RC：20线芯片载体；GAP：通用模拟信息处理器；T：28线陶瓷双列；JAN：M38510产品；

20、TC：28线芯片载体；MAT：对管；V：24线陶瓷双列；MLT：乘法器；X：18线陶瓷双列；MUX：多路转换器；Y：14线陶瓷双列；OP：精密运算放大器；Z：8线陶瓷双列；PKD：峰值检波器；W：40线陶瓷双列；PM：仿制的工业规范产品；L：10线密封扁平；REF：电压基准；M：14线密封扁平；RPT：PCM线转发器；N：24线密封扁平。SMP：采样/保持放大器；SLC：用户线接口电路；SW：模拟开关；SSS：优良的仿制提高规范产品。该公司并入ANA公司。缩写字符：PRSC 译名：特性半导体有限公司器件型号举例说明P74FCTXXXXX首标温度产品系列器件封装温度范围P：performance；74：（0-70）；编号P：塑料双列；C：（0-70）；P4C：静态存储器；54：（-55125）J：J型小引线塑料M：（-55125）；9：适于特殊SRAM。双列（SOJ）；MB：883C的B级。D：陶瓷双列；C：侧面铜焊双列；L：芯片载体；S：小引线塑料双列（SOIC）；DW：600mil陶瓷双列。缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司器件型号举例说明QS8XXXXXXXXX首标器件编号速度封装加工