MSD元件烘烤.docx

1、MSD元件烘烤MSD.元件烘烤部 门工程部制 定邓尚府审 查核 准相 关 部 门 会 签总经理管代表经营项目部制造部品保部物流部管理部日 期版 本修 定 者变 更 内 容2011716A邓尚府新版本发行。范围 适用于仓储、生 产、维修中所有涉及的潮湿敏感元器件、PCB板、PCBA板。一、 概述： 为规范、指引潮湿敏感元器件、PCB、PCBA在储存、使用、加工过程中的储存、烘烤行为，特制定本操作指导书。二、 术语定义 SMD：表面贴装器件，主要指通过SMT生产的PSMD（Plastic Surface Mount Devices），也即塑封表面贴（封装）器件，如下表1项目描述的器件。项目描述说

2、明SOP 塑封小外形封装元件（含表面贴装变压器等）SOIC（SO） 塑封小外形封装IC（集成电路）SOJ J 引脚小外形封装ICMSOP微型小外形封装ICSSOP缩小型小外形封装ICTSOP薄型小外形封装ICTSSOP薄型细间距小外形封装ICTVSOP薄型超细间距小外形封装ICPQFP塑封四面引出扁平封装IC（P）BGA 球栅阵列封装ICPLCC塑封芯片载体封装IC 封装名称缩写潮湿敏感器件：指易于吸收湿气，受热（回流焊或波峰焊）后湿气膨胀，导致内部损坏或分层的器件，基本上都是SMD。一般器件：指除潮湿敏感器件以外，组装时需要焊接的所有元器件。存储条件：是指与所有元器件封装体和引脚直接接触的外

3、部环境。存储期限：是指元器件从生产日期到使用日期间的允许最长保存时间。PCB：印制电路板，printed circuit board的简称。在绝缘基材上，按预定设计形成印制元件或印制线路以及两者结合的导电图形的印制板。检验批：由相同材料、相同制程、相同结构、大体状况相同，前后制造未超过一个月时间并一次送检的产品，谓之检验批。三、 操作指导说明 烘烤所涉及的设备 a) 柜式高温烘箱。 b) 柜式低温、除湿烘箱。 c) 防静电、耐高温的托盘。 d) 防静电手腕带。3.1 潮湿敏感器件存储3.1.1 包装要求潮湿敏感等级包装袋（Bag）干燥材料（Desiccant）潮湿显示卡（HIC）警告标签（Wa

4、rning Label）1无要求无要求无要求无要求2MBB要求要求要求要求2a 5aMBB要求要求要求要求6特殊MBB特殊干燥材料要求要求潮湿敏感器件包装要求其中：MBB：Moisture Barrier Bag，即防潮包装袋，该包装袋同时要具备ESD保护功能； 干燥材料：必须满足MILD3464 Class II 标准的干燥材料；HIC：Humidity Indicator Card， 即防潮包装袋内的满足MILI8835、 MILP116，Method II等标准要求的湿度指示卡。 HIC指示包装袋内的潮湿程度(一般HIC上有至少3个圆圈，分别代表不同的相对湿度值，如：8、10、20等（见

5、图1），各圆圈内原色为蓝色，当某圆圈内由蓝色变为紫红色时，表明袋内已达到该圆圈对应的相对湿度；当该圆圈再由紫红色变为淡红色时，则表明袋内已超过该圆圈对应的相对湿度）； 如果湿度指示卡指示袋内湿度已达到或超过需要烘烤的湿度界限（按照厂家规定执行，如果厂家未提供湿度界限值，我司规定此值为20%RH），需要对器件进行烘烤后再焊接。说明：有的公司无湿度指示卡，而是在干燥剂中加蓝色晶体，蓝色晶体受潮后会变红，如果拆封后干燥剂袋内有晶体已变为红色，则表明器件已受潮，生产前需要烘烤。MSIL：Moisture-sensitive identification label，即潮敏标签（见图1），用来指示包装袋

6、内装的是潮湿敏感器件。警告标签： Caution Label，即防潮包装袋外含MSIL（Moisture Sensitive Identification Label）符号、芯片的潮湿敏感等级、芯片存储条件和拆封后最长存放时间、受潮后烘烤条件及包装袋本身密封日期等信息的标签 ，如图1：图1 潮敏指示卡、潮敏标签、潮敏警告标签示例注：引脚镀银器件比较容易硫化，对包装要求比较严，要求在存储时采用双层塑料袋包装，且需采用热压封口以加强密封作用。最外层塑料袋包装推荐选用气泡袋，防止在运输中袋子被刺穿。3.1.2 存储条件仓储存储潮湿敏感器件，存储须满足以下二条之一： a、保持在有干燥材料的MBB密封包

7、装（真空或充氮气包装）状态下存储。b、存储在Mcdry干燥箱内（相对湿度设置5RH）。3.1.3 拆封后存放条件及最大时间 表2中器件拆封后最大存放时间一般都是在温度低于30、RH（相对湿度）小于60的情况下确定的，但因实际存储环境不能满足该条件，根据JEDEC标准及实际情况，对我司潮敏器件的存放按照降额执行，如表3所示：MSL拆封后存放条件及最大时间（标准）拆封后存放条件及最大时间（降额1）拆封后存放条件及最大时间（降额2）1无限制，85%RH无限制，85%RH无限制，85%RH2一年，30/60%RH半年，30/70%RH3月，30/85%RH2a四周，30/60%RH10天，30/70%

8、RH7天，30/85%RH3一周，30/60%RH72小时，30/70%RH36小时，30/85%RH472小时，30/60%RH36小时，30/70%RH18小时，30/85%RH548小时，30/60%RH24小时，30/70%RH12小时，30/85%RH5a24小时，30/60%RH12小时，30/70%RH8小时，30/85%RH6使用前烘烤，烘烤后最大存放时间按警告标签要求使用前烘烤，烘烤后在30/70%RH条件下3小时内完成焊接使用前烘烤，烘烤后在30/85%RH条件下2小时内完成焊接拆封后最大存放时间（降额）注：在RH 85%的环境条件下，若暴露时间大于2 小时，则所有2 级以

9、上（包括2 级）潮湿敏感器件必须烘烤再进行焊接。3.1.4 烘烤技术要求 2 级以上（包括2 级）潮湿敏感器件，若超过拆封后存放条件及最大时间要求，或密封包装下存放时间过长（见警告标签上密封日期及存放条件，如果湿度指示卡指示袋内湿度已达到或超过需要烘烤的湿度界限）或存放、运输器件造成密封袋破损、漏气使器件受潮，则要求焊接前必须进行烘烤。 对于受潮器件，要按照厂家原包装袋上警告标签中的烘烤要求进行烘烤，对于厂家没有相应要求的，可采用以下两个条件之一进行烘烤（已吸湿IC完全可以烘烤也必须烘烤），高温烘烤条件见表4。封装厚度潮湿敏感等级烘烤1105 备注1.4mm28小时烘烤环境湿度60RH2a34

10、16小时55a2.0mm224小时2a3432小时540小时5a48小时4.0mm248小时2a3455a烘烤条件 注： 对同一器件，在1105条件下多次烘烤累计时间须小于96小时 。 低温烘烤： 在45、RH5%条件下烘烤192小时。 3.1.5 存储和使用注意事项 拆封要求： 对于潮湿敏感等级为2级以上（包括2级）的SMD器件，拆封时首先查看真空包装内有无HIC、HIC上显示的受潮程度,如果湿度指示卡指示袋内湿度已达到或超过需要烘烤的湿度界 限，则需要烘烤再上SMT生产。发料要求： 对于需要拆包分料的潮敏器件，2 级4 级的要在1小时内完成并重新干燥保存，56级的要在30分钟内完成分料并干

11、燥保存（重新抽真空或置于干燥箱中）, 对于当天还需分料的2级潮敏器件，不做此要求，但每天最后未发完的2级以上（包括2级）潮敏器件都必须重新抽真空或放入干燥箱保存。 仓库发到车间的2级以上（包括2 级）的潮湿敏感器件，在分料时一律采用抽真空密封包装方法发往车间。 潮敏器件未处在密封状态或未存放于干燥状态的时间需要记录在“潮湿敏感元件开封时间控制标签”上。用剩器件存放： 为了减少潮敏器件的烘烤，开封后未用完且未受潮的潮敏器件，应立即置于运行中的干燥箱中或重新进行真空防潮包装保存。表面镀层为银的器件，在库房发料后剩下部分器件，需要采用两层自粘袋把器件保护好再放入包装箱中。 潮敏器件开封及使用时的“潮

12、湿敏感元件开封时间控制标签”记录要求： 每个物料的最小包装上面必须贴有涵盖下面内容的标签并据实填写相关内容。如没有该标签，则下道工序须拒收。如果一张标签填满则计算该器件剩余可开封时间并将数据填写到下一张标签上，同时将烘烤记录抄写到下一张表格上。对同一器件，在1105条件下多次烘烤累计时间须小于96小时。烘烤记录表如下： 型号使用记录打开时间封袋时间暴露时间烘烤时间部门签名备注 定义说明：烘烤要求： 对于已经受潮的SMD，进行SMT生产前，必须进行烘烤；但对于110条件下的烘烤还要注意一些问题：要确认其内包装（托盘式、管式、卷式）是否具有“耐高温”的能力（某些供应商会在内包装上标明“HEATPR

13、OOF”字样），否则只能按低温45条件烘烤。另外在前述两种烘烤条件下，烘烤期间皆不得随意开关烘箱门，以保持烘箱内干燥环境。回流焊接要求 SMD在进行回流焊接时，其一要严格控制温度的变化速率：其升温速率小于2.5/秒；其二要严格控制最高温度和高温持续时间（厂家要求），对于每一种器件要满足各自所规定的要求。返修要求 对已受潮的SMD进行热风返修时，如果器件需要再利用，拆卸器件前需要对单板进行烘烤，烘烤条件依据下文描述的PCBA烘烤要求；如果器件不需要再利用，则返修前不作烘板要求。但如果返修过程中需要整板加热到110以上的，或者返修工作区域周边5mm以内存在其他潮敏感器件的，必须根据潮敏等级和存储条件对PCBA组件进行预烘烤去湿处理。3.1.6 存储环境条件对于存储条件要求按厂家元器件要求进行（潮敏器件按其要求进行），对于厂家没有要求的，存储环境条件要求为下表，公司应该每年对库房进行至少一次监测，如果超标寻找污染源并清除。相对湿度80%温度030可还原性硫（H2S）0.1mg/m3二氧化硫0.3mg/m3