应变片测量组桥方式.docx

1、应变片测量组桥方式 下图为 1/4桥（类型 I）轴向应变配置中的 应变计电阻：下图为 1/4桥（类型 I）弯曲应变配置中的 应变计电阻：1/4桥（类型 I）的 应变计配置具有下列特性：?单个有效应变计元素位于轴向或弯曲应变的 主方向。具有补偿电阻（ 1/4桥完整电桥结构电阻）和半桥完整桥结构电阻。温度变化可降低测量精度。1000时的 灵敏度为 0.5 mV/ V EX输入。out上级主题：应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算1/4桥（类型 I）的 电路图电路图使用下列符号：?R是半桥的 完整电桥结构电阻。1R是半桥的 完整电桥结构电阻。2R是 1/4桥的 完整电桥结构电阻，称为补偿电阻。3 ?

2、R是用于测量伸展应变(+的 有效应变计元素。4V EX是激励电压。R是导线电阻。LV CH是测量电压。通过下列方程将1/4桥配置的 电压比率转换为应变单位。Vr是虚拟通道用于电压应变转换方程的 电压比率，GF是应变计因子， R是导线电阻， R是额定应变计电阻。L g下图为 1/4桥（类型 II）轴向应变配置中的 应变计电阻：下图为 1/4桥（类型 II）弯曲应变配置中的 应变计电阻：1/4桥（类型 II）的 应变计配置具有下列特性：?有效应变计元素和无效应变计元素（1/4桥的 温度传感元素，称为补偿电阻）。有效元素位于轴向或弯曲应变的 方向。补偿应变计位于连接至应变样本的 温度电阻附近，但并未

3、连接至应变样本，通常平行或垂直于主要的 轴向应变方向。该配置常被误认为是半桥（类型素且连接至应变样本，用于测量泊松比的 效应。I）配置，在半桥（类型I）配置中， R为有效元3?完整桥结构电阻可使半桥保持完整。可补偿温度对测量产生的 影响。1000时的 灵敏度为 0.5 mV/ V EX输入。out上级主题：应变计电桥配置相关概念 电桥传感器换算1/4桥（类型 II）的 电路图电路图使用下列符号：?R是半桥的 完整电桥结构电阻。1R是半桥的 完整电桥结构电阻。23R是 1/4桥的 温度传感元素，称为补偿电阻。4R是用于测量伸展应变(+的 有效应变计元素。V EX是激励电压。LR是导线电阻。V C

4、H是测量电压。通过下列方程将1/4桥配置的 电压比率转换为应变单位。V是虚拟通道用于电压应变转换方程的 电压比率，rGF是应变计因子， R是导线电阻， R是额定应变计电阻。L g下图为半桥（类型I）轴向应变配置中的 应变计电阻：下图为半桥（类型I）弯曲应变配置中的 应变计电阻： 半桥（类型 I）的 应变计配置具有下列特性：?两个有效应变计元素，一个位于轴向应变方向，另一个平行或垂直于主要的 轴向应变方向，作为泊松应变计。?完整桥结构电阻可使半桥保持完整。轴向和弯曲应变的 灵敏度较高。可补偿温度对测量产生的 影响。对主应变测量总效应的 补偿由材料的 泊松比确定。1000时的 灵敏度为 0.65

5、mVout/ V EX输入。上级主题：应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算半桥（类型 I）的 电路图电路图使用下列符号：?R是半桥的 完整电桥结构电阻。1R是半桥的 完整电桥结构电阻。2R是有效应变计元素，用于测量泊松效应3(-导致的 收缩。R是用于测量伸展应变4(+的 有效应变计元素。V EX是激励电压。R是导线电阻。LV CH是测量电压。通过下列方程将半桥（类型I）配置的 电压比率转换为应变单位。 V是虚拟通道用于电压应变转换方程的 电压比率，rGF是应变计因子， v是泊松比， R是导线电阻， R是额定L g应变计电阻。半桥（类型 II）配置仅适用于测量弯曲应变。下图为半桥（类型II）弯曲

6、应变配置中的 应变计电阻：半桥（类型 II）的 应变计配置具有下列特性：?两个有效应变计元素分别位于应变样本顶部的 轴向应变方向，以及应变样本底部的 轴向应变方向。完整桥结构电阻可使半桥保持完整。弯曲应变的 灵敏度较高。不能测量轴向应变。可补偿温度对测量产生的 影响。1000时的 灵敏度为 1 mVout/ V EX输入。上级主题：应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算半桥（类型 II）的 电路图 电路图使用下列符号：?R是半桥的 完整电桥结构电阻。1R是半桥的 完整电桥结构电阻。2R是用于测量收缩应变3(+(+的 有效应变计元素。的 有效应变计电阻。4R是用于测量伸展应变V EX是激励电压。L

7、R是导线电阻。V CH是测量电压。通过下列方程将半桥（类型II）配置的 电压比率转换为应变单位。Vr是虚拟通道用于电压应变转换方程的 电压比率，GF是应变计因子， R是导线电阻， R是额定应变计电阻。L g全桥（类型 I）配置仅适用于测量弯曲应变。下图为全桥（类型I）弯曲应变配置中的 应变计电阻： 全桥（类型 I）的 应变计配置具有下列特性：?四个有效应变计元素；两个位于应变样本顶部的 弯曲应变方向，两个位于应变样本底部的 弯曲应变方向。弯曲应变的 灵敏度较高。不能测量轴向应变。可补偿温度对测量产生的 影响。可补偿导线电阻对测量产生的 影响。1000时的 灵敏度为 2.0 mV/ V EX输入

8、。out上级主题：应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算全桥（类型 I）的 电路图电路图使用下列符号：?R是用于测量收缩应变(+(+(+(+的 有效应变计元素。的 有效应变计元素。的 有效应变计元素。的 有效应变计元素。1R是用于测量伸展应变2R是用于测量收缩应变3R是用于测量伸展应变4V EX是激励电压。R是导线电阻。LV CH是测量电压。通过下列方程将全桥（类型I）配置的 电压比率转换为应变单位。V是虚拟通道用于电压应变转换方程的 电压比率，rGF是应变计因子。 全桥（类型 II）配置仅适用于测量弯曲应变。下图为全桥（类型II）弯曲应变配置中的 应变计元素：全桥（类型 II）的 应变计配置具

9、有下列特性：?四个有效应变计元素。两个位于弯曲应变方向，一个位于应变样本的 顶部，一个位于应变计样本的 底部。两个作为泊松应变计，一个位于应变样本的 顶部，一个位于应变计样本的 底部，分别平行或垂直于主要的 轴向应变方向。?不能测量轴向应变。可补偿温度对测量产生的 影响。对主应变测量总效应的 补偿由材料的 泊松比确定。可补偿导线电阻对测量产生的 影响。1000时的 灵敏度为 1.3 mVout/ V EX输入。上级主题：应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算全桥（类型 II）的 电路图 电路图使用下列符号：?R是用于测量收缩泊松效应(-的 有效应变计元素。的 有效应变计元素。1R是用于测量伸展泊

10、松效应2(+R是用于测量收缩应变3(+的 有效应变计元素。的 有效应变计元素。R是用于测量伸展应变4(+V EX是激励电压。R是导线电阻。LV CH是测量电压。通过下列方程将全桥（类型II）配置的 电压比率转换为应变单位。V是虚拟通道用于电压应变转换方程的 电压比率，rGF是应变计因子， v是泊松比。下图为全桥（类型III）轴向应变配置中的 应变计电阻：全桥（类型 III）配置仅适用于测量轴向应变。 全桥（类型 III）的 应变计配置具有下列特性：?四个有效应变计元素。两个位于轴向应变方向，一个位于应变样本的 顶部，一个位于应变计样本的 底部。两个作为泊松应变计，一个位于应变样本的 顶部，一个

11、位于应变计样本的 底部，分别平行或垂直于主要的 轴向应变方向。?可补偿温度对测量产生的 影响。不能测量弯曲应变。对主应变测量总效应的 补偿由材料的 泊松比确定。可补偿导线电阻对测量产生的 影响。1000时的 灵敏度为 1.3 mVout/ V EX输入。上级主题：应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算全桥（类型 III）的 电路图电路图使用下列符号：?R是用于测量收缩泊松效应(-的 有效应变计元素。1R是用于测量伸展应变2(+的 有效应变计元素。R是用于测量收缩泊松效应3(-的 有效应变计元素。4R是用于测量伸展应变(+的 有效应变计元素。V EX是激励电压。R是导线电阻。L ?V CH是测量电压。通过下列方程将全桥（类型III）配置的 电压比率转换为应变单位。V是虚拟通道用于电压应变转换方程的 电压比率，rGF是应变计因子， v是泊松比。