电子设计工程师认证试题.docx

1、电子设计工程师认证 试题对1.常用的U盘和SD卡是用FLASH存储器实现的。T 2.三只硅半导体二极管串联后加正向电压时，可作.V的稳压管使用。D 3.标注为473的电阻器，其阻值与误差为：A 47K +1%B 473 +1%C 473 +5%D 47K +5%D 4.供电电压相同时，CMOS电路与TTL电路输出的高电平与低电平的情况为：A CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平低B CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平低C CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平高D CMOS的输出高电平比TTL

2、的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平高D5.已知电路如图2.3，输入Ui为正弦波，在电阻R=、R1两种情况下，输出Uo的波形为：A R1=时为正弦波，R10时为方波B 均为正弦波C 均为方波D R1=时为方波，R10时为正弦波6.硅半导体三极管不失真的电压放大时，其be结应加的直流电压与交流电压值约为：A 前者为0.60.7V，后者约为几mV十几mVB 均为0.60.7VC 前者为0.60.7V，后者约为百mVD 视具体情况而定对7.BJT管的值不是一个常数，它将随管子的工作点电流的过大过小而改变。C8.下列数据中，数值最大者为：a.(513)10、b.(111 100 101)8、c.

3、(1111 0011)、d.(3A0)16。A cB aC bD dB9.空心线圈加入磁芯后，其电感量L和品质因素Q将：A L加大，Q减小B 均加大C 均减小D L减小，Q加大C10.发光二极管正常发光时，外加电压为： A 反向电压，电压值1.52.4VB 正向电压、电压值0.60.7VC 正向电压，电压值随发光颜色不同而不同D 反向电压，电压值随发光颜色不同而不同A11.FET管的输入电阻与输出电阻为：A 均甚大B 二前者甚大，后者较小C 前者不大，后者甚大D 均不大错12.电容器上的电压与所流过的电流关系是微分与积分的关系。T 13.8051、80C51单片机均具有节电工作方式。对14.十

4、进制数1000至少需要10位二进制表达。15.已知输出电压可调的直流稳压电路如图2.6所示，设IR很小，可忽略，请回答：1) 电位器R2向上调节时，输出电压U0如何变化？（3分）减小2) R2=，输出UO=？（分）1.25V3) R2=R1，输出UO=？（分）2.5V4) R2=10R1，输出UO=？（分）13.75V5) 求UO与UR的关系式（分）UO=(R1+R2)/R1*UR VD的作用是什么？（分）对稳压块进行保护对16.FPGA芯片中可用软件方法实难D/A转换，输出模拟信号。对17.在低频电路的设计中，为避免或削弱干扰的影响，常采用多点接地技术。错18.太阳能电池属于电压源，其所供电

5、压随光线增强而加大。A19.能对前后级进行隔离、缓冲作用的放大器是：A 共c放大电路B 共e放大电路C 共b放大电路D 共e-b放大电路对20.下述数据等式成立：（510）10=（1FE）16=（0001 1111 1110）2错21.异门（异或门）若两输入信号相异（一为高、一为低）则输出为低电平。B22.已知理想变压器初次级线圈的匝比为:1，次级负载为100和25pF电容器并联，则此负载等效至初级后的电阻值和电容值为：A 500 5pFB 2.5K 1pFC 2.5K 5pFD 500 125pFA23.电路中，为防止干扰的窜入，与门、或门的多余输入端通常应作如下处理：A 前者接高电平，后者

6、接低电平B 均接高电平C 均接低电平D 前者接低电平，后者接高电平C24.在共e、共b、共c、共e-b四类放大器中，无电流放大倍数的为：A 共cB 共eC 共bD 共e-bA25.已知电路如图2.2所示，这是何种电路？A 与非门B 反相器C 与门D 或非门26.已知D类音频放大电路的组成框图如图2.5，请回答：1) 填出未标框图名称（分）X为比较器，Y为X为脉冲（PWM信号）放大器下面的是UA 三角波发生器，Y后的为低通滤波器2) A点是什么样的信号画出其波形图（分）UB为PWM信号，即脉冲宽度调制信号3) B点是什么样的信号（1分）正弦波4）D类放大器有什么主要特点？（分）D类放大器的主要特

7、点是效率高（可达90%以上）B27.频率稳定性能最好，频率范围最宽的正弦波振荡器为：A RC振荡器B DDS振荡器C 石英晶体振荡器D LC振荡器错28.下述逻辑关系成立：AB+B=B，AB=A+B。错29.三位数字（或符号）标注的贴片电阻器，其精度（误差）为+。错30.软件抗干扰需增加CPU的运行时间，使计算机处理信号的速度下降，故不适合高速场合。电路分析P265 31.已知电容器充电电路如图2.4，请回答：1) 设C的初始电压为0V，则开关合上后，使C充至19V，大致需要多少时间？（3分）3000s2) 若C的初始电压为13V，则开关合上后，充至19V，大致需要多少时间？（分）1945s3

8、) 若C=100F，则充至20V，其所存能量为多少？（分）20000JD32.已知图2.1中的电子束“X”垂直于磁场方向进入纸面，则电子束的运动将向什么方向偏移?A 向上B 向左C 向右D 向下对33.在数字电路中，产生竞争冒险（使信号波形产生毛刺）的条件是在同一时刻有多个输入信号发生突变。对34.负反馈只能改善反馈内电路的性能指标。C35.一示波器，X、Y轴同时加入同频同相的正弦波信号，且X、Y轴置于相同灵敏度时，所显示的图形为：A 为一椭圆B 为一垂直亮线C 为一45的斜线D 为一圆错36.计算机中的SRAM在工作时需定时刷新，方可保持其内容不变。D37.电压串联负反馈能使放大电路的输入电

9、阻、输出电阻产生怎样的变化？A 使输入电阻减小，使输出电阻加大B 均加大C 均减小D 使输入电阻加大，使输出电阻减小错38.所有TTL型数字集成电路的输出端均不允许并联使用。C39.稳压二极管工作时，外加电压及动态电阻为：A 正向电压，动态电阻较大B 正向电压，动态电阻很小C 反向电压，动态电阻很小D 反向电压，动态电阻很大错40.数字式三用表电压挡的输入电阻与指针式三用表电压挡的输入电阻相差无几。41.要对频率为10HZ1MHZ幅值为10mV10V的正弦波信号进行幅度与频率的测试，数字显示，请回答：1) 画出测试系统电路框图（分）2) 对A/D转换芯片有什么指标要求？（分）4) 以什么方法测

10、出信号的幅值？（分）1、系统的组成框图如图解4.1所示（参考答案）：A/D芯片的选用条件：a. 转换时间应小于1/2fmax=1/21MHZ=0.5sb. 若能分辨10mV-10V电压，则需二进制位数至少为10位：10000mV/10mV=1000等级而10000mV/211=10000mV/20485mV10mV a.软件方法测交流信号幅值：对输入信号进行多点采样，寻找其中的最大值，此方法对频率较高的信号测量误差大。 b.硬件方法：在A/D转换前加入包络检波电路，将交流转变成直流，控制系统对直流信号的测量比较容易，对A/D的转换时间要求也大大降低。C42.已知JK触发器的两输入端J与K的信号不相同（一为高电平、一为低电平），则在触发脉冲作用后，输出端Qn+1将为：A Qn+1 = KB Qn+1 = QnC Qn+1 = JD Qn+1 =Qn对43.场效应管可放大输入信号的电流。