3章课后习题.docx

1、3章课后习题一填空1.和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变 宽。2.整流二极管的整流作用是利用 PN结的 单向导电 特性,稳压管的稳压作用是利用 PN结的反向击穿特性。3.三极管工作在放大状态时，发射结应 正偏置，集电结应 反 偏置。若工作在饱和状态时，发射结应 正 偏置，集电结应 正 偏置。若工作在截止状态时，发射结应 反 偏置，集电结应 反 偏置。4.三极管电流放大系数 B = 50，贝U a = 0.98 ;若a = 0.99,贝U B - 99 。5.当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数 B增

2、大，穿 透电流Iceo增加，当IB不变时，发射结正向压降|UbE 减小。6.共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时， 其电压增益将变 大；若负载电阻Rl变小时，其电压增益将变 小。7.单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态lc偏小;产生饱和失真的原因是lc偏大：若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。8.试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是共集 电路；通频带较宽的是 共基 电路；输入电阻较小的是共基 电路；输出电阻较小的是 共集 电路；输出信号与输入信号同相位的是 共集和共基 电路；电压增益小于1的是 共集 电路；带负载能力较强的是 共一电路；既有电流

3、放大能力又有电压放大能力的是共射电路。9.单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为 -100,当信号频率为上限频率fH时, 这时电路的实际增益为-70.7，其输出与输入信号的相位相差 -225度。当信号 频率为上限频率fL，这时电路的实际增益为-70.7，其输出与输入信号的相位相差 -135 度10.某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为 100 倍，上限频率fH= 2X106 Hz，下限频率fL= 20 Hz,当信号频率恰好为fH或 fL时，实际电压增益为 37 dB。11.在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是 载流子的浓度差 作用下产生的，漂移运动是 载

4、流子在内电场 作用下产生的。12.放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。13.在三极管多级放大电路中，已知Av1 = 20，Av2 = -10，Av3 = 1，Av1是 共基 放大器, Av2 是 共射 放大器，A V3 是 共集 放大器。14.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数 近似为1、输入电阻 比较大、输出电阻比较小 。15.半导体中有 自由电子 和 空穴 两种载流子。本征半导体的导电能力取决于环境温度或光照强度 ，杂质半导体的导电能力主要取决于 掺杂浓度 。16 温度升高，本征载流子浓度 增加；杂质半导体中少子浓度 多子浓度基本不变 。仃.改变半导体导电能力

5、的方法有受到外界光和热的刺激和在纯净的半导体中加入微量的杂质 。18.N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。19.P型半导体的多数载流子是 空穴，少数载流子是 自由电子。20.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的扩散运动 和少数载流子的 漂移运动21.PN结的电击穿分为 雪崩击穿 和 齐纳击穿 两种类型。22.BJT所代表的电气元件是 双极型三极管。23.三极管的三个工作区域分别是 饱和区、线性放大区和截止区。24.静态工作点Q点一般选择在 交流 负载线的中央。25. 根据结构的不同，场效应管可分为 结型场效应管和绝缘栅型场效应管 两类。26.MOSFET

6、所代表的电气元件是 金属-氧化物-半导体场效应管 。27. 共集电极电路又被称为 电压跟随器；共基极电路又被称为 电流跟随器。28. 静态工作点Q点选得过低会导致截止失真;Q点选得过高会导致饱和失真。29.三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很 止；另一方面要满足外部条件，即发射结要 正向 偏置、集电结要反向偏置。30.对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是 共集电极电路、称为电流跟随器的电路是 共基极电路、称为电压跟随器的电路是 共集电极电路。31.在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是 共

7、射极放大电路：仅具有电压放大作用的电路是 共集电极电路：仅具有电流放大作用的电 路是共基极电路 。32.场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。33.稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于 反向击穿 （正向导通；反向截止；反向击穿）。34.半导体三极管属于 电流控制器件，而场效应管属于 电压控制器件。35.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数 近似为1 :输入电阻 很大：输出电阻 很 小。36.多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的 之积。37.将几级放大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变 丄了。38.JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变 导电沟

8、道 的宽窄，从而 控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面卫 应电荷 的多少，从而控制漏极电流的大小。39对于下图所示电路，设 Vcc=12V, Rb=510kQ, R=8 k Q , Vbe=0.7V , VCe（sat）=0.3V,当B =50,静态电流 I BC=_ 22 卩A 一 ,I CC=_ 1.1mA ，管压降 VcEQT 3.2V ;若换上一个当B =80,静态电流Ibf 22卩A , IcQ= 1.46mA ，管压降VCe= 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。40.对于下图所示电路，设Vcc=12V,三级管B =50, Vbe=0.7V

9、,若要求静态电流I cQ=2mA题40VCe=4V,则电路中的 R= 282.5 k Q41.对于下图所示电路，已知 Vcc=12V,嘉=27 k Q , R=2 k Q ,Re=1 k Q ,Vbe=0.7V,现要求 静态电流 lcc=3mA 贝U Fb2= 12 k Q 。42.已知图示的放大电路中的三级管 B =40, VBe=0.7V，稳压管的稳定电压 VZ=6V,则静态电流 Ibqf 0.275mA , l cqf 11mA ，管压降 Vpegf 3V 。J+20V1KC24KC24KQ43.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真， 且幅度增大，这时

10、发生的失真是 饱和 失真,失真的主要原因是由于夏天室温升高后， 三级管的I CBO、V BE和 B 三个参数的变化，引起工作点 上移 ；输出波形幅度增大，则是因为_参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起 失真的一个原因。44.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用共 射、共基 ；若希望带负载能力强，应选用 共集 组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用共集组态。二选择1.由理想二极管组成的电路如图所示，其 A、B两端的电压Uab应为（B ）A、Uab = 12V B、Uab = 6V C、Uab = + 6V D、Uab = + 12V题1 题22

11、.由硅二极管组成的电路如图所示，电阻 R2中的电流I为（C ）0A、I = 2mA B、1 = 0mA C、1= 1.5mA D、l= 1.5mA3.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为 0V、 10V和9.3V，则该管为（A ）oA、NPN硅管 B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管4.测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为 Uc= 12V,Ub二1.8V和Ue= 0V,则该管是处于（D ）A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、已损坏5.有人选用最大允许集电极电流 Icm = 20mA，最大允许电压 Uceo= 20V，集电极最大 允许耗散功率Pcm = 1

12、00mW的三极管组成放大电路，其静态工作点 lc= 15mA, Uce=10V，则该管应属于下列四种状态中的（ D ）0A、可以正常放大 B、可能击穿 C、放大性能较差 D、过热或烧坏6.某放大电路在负载开路时的输出电压为 6V，当接入2kQ的负载后，其输出电压为4V，这表明该放大电路的输出电阻是（ c ） oA、10kQ B 、2kQ C 、1kQ D 、0.5 kQ7.该三极管工作的状态是电路如图所示，如Lb（UCes,且l ceo0,则在静态时,A、放大状态B、饱和状态C、截止状态 D、不定1.00k8.电路如图所示，若不慎将旁路电容 Ce断开，则将（C ）A、 不仅影响静态工作点，而且

13、也影响电压增益B、 只影响静态工作点，但不影响电压增益。C、 不影响静态工作点，只影响电压增益。D、 不影响静态工作点，也不影响电压增益。9.两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为 Ai和A2,如果将它们串接成两级电压放大电路时，则总的电压增益满足（ D ）A、Ai+ A B、AiX A2 C、|AiX A2I D、| Ai X A2 |10.场效应管本质上是一个（ C ）0双极型三极管本质上是一个（ A ）A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件11. N沟道JFET的跨导gm是（C ）oA、一个固定值 B、随电源电压Vdd增

14、加而加大C、随静态栅源电压Vgs增加而加大 D、随静态栅源电压Vgs增加而减小12.某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（ A B ）A、P沟道增强型 MOSFETC、N沟道增强型 MOSFET13.B、N 沟道 JFET已知某FET的输出特性如图所示，试判别它是（ D A ）A、N沟道增强型 MOSFET B、N沟道JFETC、P沟道耗尽型 MOSFET D、N沟道耗尽型 MOSFET14硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（ B ）0A、0.6V; 0.6V B、0.6V; 0.1V C、0.1V; 0.6V D、0.1V; 0.1V15在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（ A ）o

15、A、温度 B、掺杂元素 C、掺杂浓度 D、掺杂工艺16.N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）oA、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素17.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（ D ）oA、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、倒置状态1V-5VV. 巾V-5.3V题17题 18、 1918.电路如图所示，若更换晶体管，使B由50变为100,则电路的电压放大倍数（C ）A、约为原来的一半C、约为原来的2倍B、基本不变D、约为原来的4倍19.当上图所示电路输入1kHZ 5mV的正弦波电压时，输出电压波

16、形的底部出现了被削平的失真，为了削除这种失真，应（ D ）。A、增大集电极电阻Rc B、改换B大的晶体管C、减小基极偏置电阻Rb D、增大基极偏置电阻Rb20.温度上升时，半导体三极管的（ A ）。A、B和ICBO增大，UBE减小 B、B和UBE增大，ICBO减小C、UBE和ICBO增大，B减小 D、B、UBE和ICBO均增大21.在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与Ui相位相反、|Au|1 的只可能是（D ）。A、共集电极放大电路 B、共基极放大电路L%C、共漏极放大电路 D、共射极放大电路22.右图所示的固定偏流式放大电路中， 当Rc、R的参数分别是（C ）时，该电

17、路 的静态工作点处在放大区。设三极管的 B =100。A. 5.6k Q、10 k Q B. 5.6k Q、510 Q24.在图示放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（c）23.已知放大电路中的 处于（b ）。R=100kQ, Rc=1.5 k Q ,三极管的B =80,在静态时，该三极管A.放大状态 B.饱和状态C. 5.6k Q、1MQ D. 100kQ、1MQ题 22-30C.截止状态 D. 状态不定A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压 D.调节Icq25.对于图所示的放大电路，当用直流电压表测得 LCe VCc时，有可能是因为（a）;当测得I

18、CE-0时，有可能是因为（d）。A. R.开路B. R l短路C. Rc开路 D. R b过小26.对于图示放大电路，若VCc= 12V, Rg2k Q,集电极电流I c计算值为1mA今用直流 电压表测得UCe= 8V,这说明（d）。A.工作正常 B. 三极管c-e极间开路C.三极管b-e极间短路 D. 电容C2短路27.对于图示电路，若仅当R增加时，匕胎（a）;仅当Rc减小时，UCeq（ a）;仅当FL 增加时，UCeQ（ c）;仅当B减小（换三极管）时， 出將（a）。A.增大B. 减小C.不变D. 不定28.在图示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个 B比原来大的三极管后，

19、失真出现了，这个失真必定是（B）;若该电路原来发生了非线性失真，但在减 小Rb后，失真消失了，这失真必是（A）。A.截止失真B.饱和失真C.双重失真D.交越失真29.对于图示固定偏流电路，当室温升高时，其三极管 I BQ（A）， I CQ（A）， UCEQ（B）。A.增大B. 减小C.不变（或基本不变） D. 不定30.在图示共射极偏置电路中，若上偏流电阻 嘉短路，则该电路中的三极管处于（b）。A.放大状态 B. 饱和状态C.截止状态 D. 状态不定dl、+LTI V31.32.33 图30.对于图示放大电路，若仅当 R增加时，上胎（a）;仅当Rc减小时，匕將（a）;仅 当R增加时，UCeQ（

20、 c）;仅当B减小（换三极管）时， 尖船（c）。A.增大B. 减小C.不变D. 不定32.在图示共射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区，当除去旁路电容 Ce后，该电 路的最大不失真输出电压幅值 Vom （c），放大倍数Av （b）。输入电阻Ri （a），输出电 阻Ro（ c）；若仅是Rl增大，则Av（ a），Ri（ c），R。（ c）；若仅是0增大，则Av（ a），Ri （c）， Ro（c）。A.增大B. 减小C.不变D. 不定33.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（c），而少数载流子的浓度则与（a） 有很大关系。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷34.当PN结外加正向电

21、压时，扩散电流（a）漂移电流，耗尽层（e），当PN结外加反向 电压时，扩散电流（b）漂移电流，耗尽层（d）。A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变35.为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入（ b）；为了把一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的 电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入（c）。A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.任何一种组态的电路36.在单极放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察 vo和vi的波形，当放 大电路为共射电路

22、时，则vo和vi的相位（b），当为共集电路时，则vo和vi的相位（a）， 当为共基电路时，贝U vo和vi的相位（a）。A.相同B.相反C.相差90 D.不定37.既能放大电压，也能放大电流的是（a）组态放大电路；可以放大电压，但不能放大 电流的是（c）组态放大电路；只能放大电流，但不能放大电压的是（b）组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不定38.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中， 电压放大倍数小于1的是（b）组态; 输入电阻最大的是（b）组态，最小的是（c）组态；输出电阻最大的是（c）组态，最 小的是（a）组态。A.共射B.共集C.共基D.不定39.某共射放大电路如图所示，其

23、中R=470KQ , R=2KQ，若已知I c=1mAVC=7V,VBE=0.7V,rbe=1.6KQ，B =50,则说明（d）。A. AvVoViVcEVbe0.7=10B.AvVoViBE-1 20.7C. AvVoVi c RcIbRiRcRb r be-62.5D. Av 二 Vo - - - Rc -62.540.为了使高内阻信号源与低内阻负载很好地配合，可以在信号源于低内阻负载间接入（c）。A.共射电路B.共基电路C.共集电路D.共集-共基串联电路41.图示电路出现故障，经测量得知 VE=0，VC=VCc，故障的可能原因是（d）。A.Rc开路 B.R c短路 C.Re短路 D.Rb

24、i开路42.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（ D）A.处于放大区域 B.处于饱和区域C.处于截止区域 D.已损坏12VO4V TO43.某放大电路在负载开路时的输出电压为 这表明该放大电路的输出电阻为（c） o6V,当接入2kQ负载后，其输出电压降为4V,0VA.10k Q B.2k Q C.1k Q D.0.5k Q44.某放大电路如图所示，设VCcVBe，I ceo近似为0，则在静态时该三极管处于（b）A.处于放大区域 B.处于饱和区域 C.处于截止区域 D.不定45,.P型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ C ）0A、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素46.

25、N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）0A、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素47.工作在放大区的某三极管，如果当Ib从12卩A增大到22卩A时，Ic从1mA变为2mA那么它的B约为（C ）A. 83 B. 91 C. 100 D. 11048.若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将（A. Rw减小B. Rc增大 C.Vcc减小D Rw增大49.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在C.半导体管的非线性特性D. 放大电路的静态工作点不合适50.放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是

26、（ A ）A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在C.半导体管的非线性特性 D. 放大电路的静态工作点不合适三简答题：1.请写出BJT和FET组成的放大电路的六种组态，并将该六种组态与反相电压放大器、 电压跟随器以及电流跟随器三种组态相对应。BJT放大电路的组态：共射极（CE）、共集电极（CC）和共基极（CB）FET放大电路的组态：共源极（CS）、共漏极（CD）和共栅极（CG） 反相电压放大器：CE和CS;电压跟随器：CC和CD;电流跟随器：CB和CG2.写出下面电路的名称并以 Vi恒定而Rl减小情况为例叙述其工作原理。该电路是并联式稳压电路。电路中 Dz为稳压管，R

27、为限流电阻，它的作用是使电路 有个合适的工作状态，并限定电路的工作电流。负载 Rl与稳压管并联，因而称为并联式稳压管电路。这种稳压管之所以能够稳定输出电压，在于当稳定电流 Iz有较大幅度的变化 Iz时，而稳定电压的变化 Vz却很小。这样，当Vi或Rl变化时，电路能自动的 调整Iz的大小，以改变R上的压降IrR,达到维持输出电压Vo (Vz)基本恒定的目 的。例如：当 Rl 不变，Vi 变化时，Vi T-Vo T-Iz T-IrT VrT Vo；。当 Vi 不变，Rl 变 小时，Rl； Io T- Ir T- VoJ Iz； IrJ VoT。3.下图所示的为MOSFET的转移特性，请分别说明各属

28、于何种沟道。如果是增强型， 说明它的开启电压VT二？如果是耗尽型，说明它的夹断电压 VP二？(图中iD的假 定正向为流进漏极)其 Vt = 4V。4解释名词零点漂移并叙述差分式电路抑制零点漂移的工作原理。零点漂移：就是当放大电路的输入端短路时，输出端还有缓慢变化的电压产生，即 输出电压偏离原来的起始点而上下浮动。在差分式电路中，无论是温度变化，还是电源电压的波动都会引起两管集电极电流以及相应的集电极电压的相同变化，其效果相当于在两个输入端加入了共模信号， 由于电路的对称性和恒流源偏置，在理想的情况下，可使输出电压不变，从而抑制 了零点漂移。5.简述BJT内部载流子传输过程及电流分配关系。以NP

29、N型BJT为例，为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是: 发射结加正向电压，集电结加反向电压，在这些外加电压的条件下，管内载流子的 传输将发生下列过程：（1）发射区向基区注入电子6.简述PN结的形成过程。7.写出下面电路的名称并叙述其稳定静态工作点的物理过程。该电路的名称是分压式偏置电路或射极偏置电路，该电路具有稳定静态工作点的作 用，其稳定静态工作点的物理过程为 T lc Ie TflEReff Vbe J 1 b J&简述PN结的单向导电性原理。9、.说明BJT放大电路的三种基本组态，并任选其一画出电路图和微变等效电路图 10、简述BJT内部载流子电流分配及放大作用四判断1.

30、判断图中理想二极管的工作状态，并求出 AO两端的电压-_ A1 2 hsk罕 15V T去12Di处于导通状态、D2处于截止状态Vao = 0V。 VD 导通 Vao = -4V L 6V Di处于截止状态、D2处于导通状态Vao = 一 6V。2试判断图中的二极管是导通还是截止，为什么？（假设二极管是理想的）15V1J18k10V 2k25k J 140kD5k fllOkVa = 1V Vb = 1+2.5= 3.5V D处于反向截止状态15V丄10V+HL18k2k25k 1140kD5k5VLk8-InHXXko41TJT10kVa = 1V Vb = 2.5- 1 = 1.5V D处于反向截止状态Va = 1V Vb= 2.5- 2= 0.5V D处于正向导通状态。3.如图u=2Esin t, Di、D2为理想二极管，试求Di、D2的工作状态及u。波形。 4DiZZXDj亠F4.电路如图所示稳压管 Dz的稳定电压Vz= 8V，限